【課題】 表面再結合とバルクの再結合とを区別することを可能とし、バルクの少数キャリアの再結合ライフタイムτ_r を区別して測定できる事を可能とし，ウェハ基板内の金属汚染であるかどうかの選別できるようにする。
【解決手段】 表面再結合の抑制としては、ウェハボート搬出時に導入ガスであるN2ガスをウェハボート内のウェハに均一に流れるようする事で改善が見込まれる。実際のウェハボート位置の影響をなくす方法として、ウェハボートを搬出する際の強制的な排気口の設ける事で解決できる。上記方法で処理を行うとウェハボート内のウェハに均一な流れのN2ガスがウェハ表面に導入されて、ウェハ本体の表面再結合とバルクの再結合とを区別することが可能となり、金属汚染管理がより正確な結果を得る事が可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの特性を劣化させること無く、短期間で半導体製造システムによって作製される半導体デバイスに含まれる異物が発生している箇所を特定し、生産システムの短期立上げや高い歩留を維持する。
【解決手段】少なくとも薄膜堆積装置を含む半導体製造システムにおいて、該半導体製造システムを構成する少なくとも製造工程空間に存在する金属製部材は、前記半導体製造システムによって作製される半導体デバイスに含まれ得る前記金属製部材に由来する異物が前記半導体製造システムにおいて発生した箇所を特定するため、前記金属製部材毎に、前記金属製部材を構成する主成分以外であって、異なる種類及び異なる量、又は異なる種類若しくは異なる量の特定元素を含有していることを特徴とする半導体製造システム。 （もっと読む）

【課題】局所領域のばらつきを精度良く監視でき、製品不良発生の原因解析を効率的に実施することができる半導体装置の評価方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造ラインにおいて使用する製品用マスクとは別個に、製造ラインを監視するための専用の評価用マスクを準備する（ステップＳ１）。次に、半導体装置の製造ラインにおいて、この評価用マスクを用いてウエハの少なくとも１つのチップ領域内に複数の評価素子（例えば、トランジスタなど）を形成し、評価用ウエハを形成する（ステップＳ２）。次に、評価用ウエハに形成された複数の評価素子について電気的特性を計測する（ステップＳ３）。次に、評価用ウエハに形成された複数の評価素子について物理パラメータを解析する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】無機化合物半導体のキャリア濃度を非破壊で簡易に測定する。
【解決手段】非破壊キャリア濃度測定装置１００は、テラヘルツ光に対する無機化合物半導体の反射率と、キャリア濃度との相関関係を記憶する記憶部１０１と、試料となる無機化合物半導体にテラヘルツ光１０５を照射する光照射部１０３と、照射されたテラヘルツ光１０５に対する無機化合物半導体の反射光１０８を検出する検出部１０９と、照射されたテラヘルツ光１０５と反射光１０８とを対比して無機化合物半導体の反射率の実測値を算出する反射率算出部１１１と、記憶された相関関係を参照し、反射率の実測値に対応する試料のキャリア濃度を読み取る読取部１１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を全溶解することなくＣｕを簡便かつ定量的に評価する。工程汚染の把握を行う。
【解決手段】シリコン基板を６００℃以下の温度で加熱して基板に存在するＣｕ濃度を検出する方法の改良であり、その特徴ある構成は、基板はボロンを３×１０¹⁸atoms/cm³以上の濃度で含み、前記基板は４分割され、分割された基板を３００℃以上３５０℃未満の温度で１時間〜１２時間加熱し、加熱した基板の表裏面に存在するＣｕを定量分析するところにある。 （もっと読む）

【課題】 一枚のシリコンウェーハ中の不純物を外部からの汚染を招来することなく、極めて高感度で、短時間に分析しうるシリコンウェーハの金属不純物の分析方法であって、１枚のシリコンウェーハ表面の任意の箇所での任意の深さにおける金属不純物を測定する為の前処理方法を提供する。
【解決手段】 無電解メッキ法と呼ばれる湿式化学エッチング・溶解法を用いて、シリコンウェーハの深さ方向に対して、均質な細孔を空ける前処理技術を用いて処理した一枚のシリコンウェーハの細孔よりフッ酸を加えながら吸引した回収溶解液を定容して誘導結合プラズマ質量分析法またはＩＣＰ質量分析法により分析する。 （もっと読む）

【課題】半導体の表面または半導体において欠陥または汚染を識別するために半導体表面を高速走査する。
【解決手段】半導体ウェーハ１０５などの表面１０６を有する半導体を設けること、非振動式接触電位差センサ１０１を設けること、制御可能な強度または波長の分散を有する照射源１０９を設けること、非振動式接触電位差センサプローブ先端１０２の下または付近でウェーハの表面の制御された照射を提供するために照射源を用いること、制御された照射中にウェーハ表面を走査するために、非振動式接触電位差センサを用いること、ウェーハ表面にわたって接触電位差における変化を表すデータを生成すること、欠陥または汚染のパターン特徴を識別するためにそのデータを処理することを伴う。 （もっと読む）

【課題】プラズマ窒化処理によりゲート電極膜を形成するプロセスにおいてシリコン基板中に拡散した窒素元素量を簡便に測定する方法を提供し、さらにデバイス特性に与える影響の小さいプラズマ窒化プロセスによるゲート電極膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上のシリコン酸化膜を除去し、それにより露出したシリコン基板表面の窒素元素量をＸＰＳにより測定することで、シリコン基板中の窒素元素量を測定する。ゲート電極膜の形成にあたっては、プラズマ窒化処理後かつ熱処理前の前記シリコン基板中の窒素元素量をＭ₁、熱処理後のシリコン基板中の窒素元素量をＭ₂としたとき、Ｍ₂／Ｍ₁が２以下となる条件で熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】試料との良好な電気的接触を確保することができる探針及びそれを用いた測定装置を提供する。
【解決手段】探針基部１１の先端に楕円体状又は球状の導電性ゴム材１２が固定されている。探針基部１１及び導電性ゴム材１２からＳＰＭの探針が構成されている。探針基部１１としては、従来のＳＰＭの探針が用いられている。このような探針が試料に押し付けられると、導電性ゴム材１２がその弾性に応じて変形する。例えば、パッド５１、絶縁部５２及び配線５３が設けられた試料のパッド５１に探針が押し付けられると、導電性ゴム材１２がパッド５１の表面の凹凸に倣って変形する。従って、これらの接触面積が広く確保される。この結果、探針とパッド５１との間の電気的接触が良好なものとなる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板中の微量元素を、酸素雰囲気ではない状態で、深さ方向の分解能を高くかつ短い測定時間で、酸素イオンを一次入射イオンとするＳＩＭＳにより深さ方向の元素分布の分析を行う。
【解決手段】入射エネルギーをパラメータとして試料表面粗さ、および／または減衰深さを、一次イオン入射角度を変化させて測定し、入射エネルギー領域が高い領域の範囲において、かつその範囲で試料表面粗さ、および／または減衰深さが極小値をもつ入射角度範囲を見出し、その条件下でＳＩＭＳの測定を行う。 （もっと読む）

【課題】ゲート長が短い、及び／又はゲート絶縁膜厚が薄いトランジスタであっても不純物パイルアップ量を効率的に評価することできる、電界効果型トランジスタの不純物プロファイルを推定する方法及びシステムを提供すること。
【解決手段】
半導体基板中の空乏層端よりも浅い第１領域と、第１領域よりも深い第２領域とに分けて不純物プロファイルを推定する方法であって、基板バイアス及びドレイン電圧の複数の組み合わせに対するドレイン電流データから特性値（例えばしきい値電圧）を算出し、ドレイン電圧を変化させずに基板バイアスを変化させたときの特性値の差分量と、基板バイアスを変化させずにドレイン電圧を変化させたときの特性値の差分量を基に第２領域の不純物プロファイルを推定し（Ｓ１０５〜Ｓ１０９）、特性値及び推定した第２領域の不純物プロファイルに基づいて、第１領域の不純物プロファイルを推定する（Ｓ１１０〜Ｓ１１３）。 （もっと読む）

【課題】引出配線の形成と基板との接合を同時に行い、かつ試料と基板の平行性を保持する引出配線の形成方法及びこの形成方法を適用した走査型プローブ顕微鏡用試料の作成方法を提供する。
【解決手段】試料１１と透明基板１３との間に、導電性物質を混合した光反応性樹脂又は熱反応性樹脂を含む導電剤層１２を形成し、透明基板１３側から導電剤層１２に光を照射して硬化させて試料１１と透明基板１３とを固着させ、未硬化部分を除去して引出配線１７を形成する。必要な配線箇所にのみ光を照射して引出配線１７を形成することができるので、引出配線１７の形成後に不必要な部分を除去し、後工程で透明な樹脂を充填することができるので、測定時に裏面から光を照射することによって測定する箇所を容易に確認することもできる。 （もっと読む）

【課題】簡単かつ高精度でＰ汚染の有無を判定することが可能な半導体基板のＰ汚染評価方法を提供する。
【解決手段】イオンインプランテーションによりＳｂイオンまたはＡｓイオンを注入した半導体基板を評価する方法であって、少なくとも、前記ＳｂイオンまたはＡｓイオンを注入した半導体基板に熱処理を施した後、該熱処理を施した半導体基板の深さ方向の不純物の拡散濃度プロファイルを求め、該拡散濃度プロファイルの変曲点に基づいてイオン注入装置からのＰ汚染の有無を判定して評価する半導体基板のＰ汚染評価方法。 （もっと読む）

【課題】膜の水素透過率等を直接的に測定し得る手法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る評価方法は、互いに積層された複数の膜からなる試料について、水素共鳴核反応で発生するガンマ線の強度のイオンドーズに対する依存性のデータを取得するステップと、上記イオンドーズの関数式で上記データをフィッティングするステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１枚のウェーハから得られる複数の半導体装置の特性のばらつきを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハに設けられた複数の半導体層のすくなくともいずれかの物理量のウェーハ面内分布を測定する工程と、前記測定した前記物理量の前記ウェーハ面内分布に基づき、前記複数の半導体層の前記少なくともいずれかについてのエッチング量のウェーハ面内分布を決定する工程と、前記決定した前記エッチング量のウェーハ面内分布に基づき、前記複数の半導体層の前記少なくともいずれかを前記ウェーハ面内で局所的に異なるエッチング量となるようにエッチングする工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】遷移領域における二次イオン質量分析装置の較正を可能とする、２〜５ｎｍの深さに所定濃度の濃度ピークを有する較正用標準試料を提供する。
【解決手段】基板１表面から５〜１０ｎｍの深さに不純物原子濃度のピークを有する不純物原子のイオン注入層２を形成し、再結晶化熱処理によりイオン注入層２を再結晶化させる。再結晶化層４は基板１側から基板１表面へと形成される。このとき、再結晶化層４と非晶質のイオン注入層２との界面に不純物原子が集積し濃度ピークを形成する。この界面の位置は、熱処理条件等により容易に制御されるので、容易に浅い位置に濃度ピークを有する標準試料を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ホールバーによるホール効果測定でホール電圧の磁場依存性から、ｐ型半導体であることが明確に示されるｐ型酸化亜鉛薄膜、同薄膜を再現性良く製造する方法及びその発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型酸化亜鉛半導体薄膜を作製する方法であって、酸化亜鉛のｐ型半導体特性を発現させるために、薄膜中に添加したｐ型ドーパントを活性化する高温アニール工程と、あるいはｐ型ドーパントの活性種を成膜中に照射することでｐ型ドーパントを活性させた状態でドーピングすることと、酸化雰囲気中での低温アニールの工程とを組み合わせることで、ｐ型半導体化を実現することを特徴とする酸化亜鉛のｐ型化の方法と、同方法で実現したｐ型酸化亜鉛薄膜及びその発光素子。
【効果】高信頼性のｐ型酸化亜鉛薄膜、その作製方法及びその青色発光素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明によれば、ＳＳＲＭにおける検出能の高感度化及び高空間分解能化を図ることを目的とする。
【解決手段】
本発明のＳＳＲＭ測定に用いられる走査型プローブ顕微鏡は、探針１２からの信号を増幅して増幅信号を出力し、第１アンプ１７と、第１アンプ１７から出力された前記増幅信号をログ信号に変換する第１ログアンプ１８と、探針１２からの信号をログ信号に変換し、第２ログアンプ１９と、探針１２からの信号値の大きさに応じて、前記探針１２との接続を前記第１アンプ１７及び第２ログアンプ１９との間で切り替えるスイッチング回路１６、前記第１ログアンプ１８及び／または第２ログアンプ１９からのログ信号から拡がり抵抗を得る手段１１０を具備する。 （もっと読む）

【課題】従来技術よりもより正確にドーパント密度を測定するための方法と装置とを提供する。
【解決手段】半導体ウエハまたはサンプル１０が所望密度の電気活性ドーパントを有していることを判定する方法において、半導体ウエハ又はサンプル１０を形成する半導体材料に関連する最小及び最大キャパシタンスを、その上面１６の近傍の第１ポイントで測定し、半導体ウエハ又はサンプル１０を形成する半導体材料に関連する最小及び最大キャパシタンスを、上面１６のその上方の一部を除去することによって形成されるベベル面２４の近傍の第２ポイントで測定する。各ポイントで測定された最小及び最大キャパシタンスと、各ポイントが存在する上面１６上又は上面１６からの深さとの関数として、半導体ウエハ又はサンプル１０の電気活性ドーピング密度を測定することができる。 （もっと読む）

【課題】イオン注入工程において、ＳＰＶ法によるＦｅ（鉄）汚染量評価の精度を向上させる。
【解決手段】金属汚染評価対象であるイオン注入処理（工程Ｓ２）を行う前に、シリコン基板表面（シリコンウエハ１の表面）に非晶質シリコン層２を形成する（工程Ｓ１）ことにより、イオン注入工程Ｓ２において注入エネルギーによりシリコンウェハ１の表面近傍に誘発される結晶欠陥を抑制することができる。また、洗浄・熱処理（工程Ｓ３）により評価対象元素であるＦｅもウェハ中へ均一に拡散させた後、イオン注入エネルギーにより欠陥が生じた表層部分を除去する（工程Ｓ４）ことにより、イオン注入工程Ｓ２において注入エネルギーによりシリコンウェハ表面近傍に生じた結晶欠陥を除去することができる。このように、測定値の外乱要因となる結晶欠陥を除去するため、ＳＰＶ法による拡散長測定精度が格段に向上して、より正確なＦｅ汚染評価が可能となる。 （もっと読む）