【課題】安定したＳＰＶ信号が得られ、少数キャリアの拡散長を高精度かつ再現性よく測定することが可能なｎ型シリコンウェハの少数キャリア拡散長測定の前処理方法を提供する。
【解決手段】表面光起電力法を用いて抵抗率０．１〜３０００Ωｃｍのｎ型シリコンウェハの少数キャリア拡散長を測定するための前処理方法であって、前記ウェハをフッ酸水溶液で処理する工程と、前記フッ酸水溶液での処理後の前記ウェハを純水で洗浄する工程と、洗浄後の前記ウェハを金属塩および過酸化水素を含む加温処理液で処理する工程と、前記加温処理液で処理後の前記ウェハを純水で洗浄する工程と、洗浄後の前記ウェハを１〜３０ｋＶの電位をもつポリプロピレンまたは石英から作られる凹形状を有する容器の密閉されていない内壁空間内に前記ウェハ全体が入るように設置して乾燥する工程とを含むことを特徴とする前処理方法。 （もっと読む）

【課題】ボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度を、ＳＰＶ法を利用して高精度に測定するための手段を提供すること。
【解決手段】表面光起電力法により光照射によるＦｅ−Ｂペア乖離処理後の少数キャリア拡散長の変化に基づきボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度を求める分析方法。前記乖離処理後に測定される少数キャリア拡散長Ｌ_ＡＦ１と、前記Ｌ_ＡＦ１測定から所定時間経過後に測定される少数キャリア拡散長Ｌ_ＡＦ２と、前記乖離処理により乖離したＦｅ−Ｂペアの再結合の時間依存性と、をパラメータとして含む算出式により前記鉄濃度を算出し、前記算出式を、前記光照射により前記シリコンウェーハ中に存在するボロン原子と酸素原子が結合体を形成し、該結合体がＬ_ＡＦ１とＬ_ＡＦ２に対して同じ影響を及ぼすと仮定して導出する。 （もっと読む）

【課題】近年の清浄度の高い半導体基板であっても、清浄度評価を製造過程においてＳＰＶ法によって行うことによって、先端デバイスに最適な半導体基板を供給することができるようなウェーハ選別工程が組み込まれたシリコン単結晶からなる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の製造工程において、裏面再結合速度と半導体基板の厚さを組み込んでＳＰＶ法によって拡散長を計算し、照射する光の波長を変えて所定回数行って、計算した拡散長と照射した光の周波数との関係のグラフの近似線を求めて、周波数０に外挿して周波数０の時の拡散長をＬ_０として、この拡散長Ｌ_０によって良品・不良品を選別する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度の分析方法における定量分析限界を、高い信頼性をもって決定するための手段を提供すること。
【解決手段】Ｆｅ−Ｂペア乖離前後の測定値の変化を利用してボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度を求める分析方法の定量分析限界決定方法。上記定量分析限界を、ボロンドープｐ型シリコン中のＦｅ−Ｂペア乖離中に、上記分析方法により該シリコン中の鉄濃度を求めることによって得られた定量値に基づき決定する。 （もっと読む）

【課題】 試料の作製が容易であり、高価な装置を必要としない不純物の拡散深さ測定方法を提供する。
【解決手段】 ｐ型の半導体基板２に複数個のｎ型の不純物を含む複数個の半導体コラム１０ａ〜１０ｅが形成されている試料１００を用意する。隣接するコラム同士は絶縁壁４で絶縁されている。半導体コラム１０ａ〜１０ｅの他方側の面１０ｔは階段状をなしている。次に、半導体コラム１０ａ〜１０ｅの一方側の面１０ｓに同一条件でｐ型の不純物を注入して熱処理する。ｐ型の不純物の拡散深さよりも長い半導体コラム１０ａ〜１０ｃにはｐｎ接合６ｓが形成される。次に、熱処理後の各半導体コラム１０ａ〜１０ｅの長さ方向の抵抗値を計測する。次に、抵抗値の計測結果から、半導体コラム１０ａ〜１０ｅについてｐｎ接合６ｓの有無を判断し、半導体コラムの高さから拡散深さを測定する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ中の少数キャリア拡散長を短時間かつ高い信頼性をもって測定する手段を提供すること。
【解決手段】表面光電圧法によりシリコンウェーハ中の少数キャリア拡散長を測定する方法。前記測定は、前記シリコンウェーハに表面処理を施し、次いで、酸素含有雰囲気下で前記表面処理を施したシリコンウェーハ表面に対して紫外線を照射した後に行われる。 （もっと読む）

【課題】Ｆｅ以外の再結合中心密度とＢＭＤ密度との相関関係に基づきＢＭＤ密度を算出することにより、簡便な方法で正確にＢＭＤ密度を評価できるシリコンウェーハのＢＭＤ密度評価方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハのＢＭＤ（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔｓ）密度評価方法であって、Ｆｅ以外の再結合中心密度とＢＭＤ密度との相関関係を決定するステップと、ＳＰＶ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｇｅ）法によりシリコンウェーハのＦｅ以外の再結合中心密度を測定するステップと、測定されたＦｅ以外の再結合中心密度と、あらかじめ決定されたＦｅ以外の再結合中心密度とＢＭＤ密度との相関関係に基づき、シリコンウェーハのＢＭＤ密度を算出するステップを有することを特徴とするシリコンウェーハのＢＭＤ密度評価方法。 （もっと読む）

【課題】簡便に微小な結晶欠陥の存在する領域を検出することが可能なシリコンウェーハの表面欠陥評価方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコンウェーハの表面欠陥評価方法は、シリコン単結晶インゴットから切出されたシリコンウェーハに対して窒化雰囲気下、１０〜１５０℃／秒の昇温速度で室温から１１７０℃以上シリコン融点未満の温度まで加熱処理し、処理温度で１〜１２０秒間保持した後に、１０〜１００℃／秒の降温速度で室温まで冷却する急速熱処理工程と、ウェーハ表面を表面光起電力法を用いて少数キャリア拡散長を算出することにより、ウェーハ表面の少なくともパーティクルカウンタでは検出することができない小さなＣＯＰが存在する領域を検出する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ中の少数キャリア拡散長をＳＰＶ法により測定する際に、表面処理を施したウェーハ表面が安定化したか否かを判定する手段を提供する。
【解決手段】表面処理を施したシリコンウェーハ表面の安定化判定方法。表面処理を施したシリコンウェーハについて、表面光電圧法により少数キャリアの拡散長を少なくとも２種類のタイムコンスタントにおいて測定し、測定した拡散長の比の少なくとも１つが目標値に達したか否かで、前記シリコンウェーハ表面が安定化したか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】 有機物の基板への付着を防いだ良質な薄膜を提供する。
【解決手段】 基板１を処理室１２に導入し処理する際，２段のロードロック室１０，１１を介して導入する。１段目のロードロック室１０は大気圧のまま不活性ガス雰囲気に置換する。２段目のロードロック室１１は，ベーキングヒータ２０を有している。内壁に有機物５が付着した状態で減圧すると，内壁の有機物５が脱離し基板１を汚染するが，有機物５の付着していない２段目のロードロック室１１内で減圧することにより，基板１への有機物５の付着を防止する。 （もっと読む）