【課題】炭化水素ガスやＷ（ＣＯ）₆等のガスを導入を積極的にメインチャンバー中に導入し、ＳＥＭ解析と同時に、ＳＥＭ解析に用いる電子ビームを用いてマーカーとしての堆積物を試料に堆積させる場合には精密にガス流量を制御する必要があり、差動排気システム等を導入する必要が生じる。メインチャンバー内部に複雑な構成を備えるため、真空系の内壁面積が増加する。そのため、脱ガスの量が増加し、到達真空度の低下を招くという課題がある。
【解決手段】メインチャンバー８内部に、炭化水素ガスの分圧よりも高い分圧を維持しうるフッ素系の揮発ガス３５を放出するマーキング源６を導入する。フッ素は通常雰囲気内には含まれず、また検出感度が高い物質である。そのため、高いコントラストを有するマーカー３を形成可能なマーキング装置１００を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】検査対象となる半導体ウェハに対し、同一の光軸上において、表裏両面の外観検査を簡単且つ的確に行う。
【解決手段】対物レンズ２０−１による半導体ウェハ１の表面１Ａの観察点と、対物レンズ２０−２による裏面１Ｂの観察点とは、同一の光軸上に位置出しされており、その表面１Ａの画像と裏面１Ｂの画像とが画像処理装置４０により合成されたモニタ画像４１を観察することで、同時に半導体ウェハ１の表裏を簡単且つ精度良く観察することができる。更に、半導体ウェハ１における表面１Ａの異常、及び裏面１Ｂの異常、それぞれが確認されたダイ１ａに対して、それらのダイ１ａ上にマーキング装置３０によりインクをマーキングすることができる。この時、マーキング装置３０のマーキング位置は、同一の光軸上になるようにアライメントされている。 （もっと読む）

【課題】樹脂を対象物にストレスを発生させることなく微小量でも安定して塗布できるようにする。
【解決手段】複数の半導体集積回路素子２を形成した半導体ウェーハ１上の特定の電極３に樹脂１０を塗布する際に、電極３の近傍に配置した塗布ノズル１１より吐出される樹脂を加熱して粘度を低下させるとともに、電極３を前記樹脂の加熱温度よりも低い温度に調節しておき、この温度調節された電極３上に前記加熱された樹脂１０を吐出する。 （もっと読む）

【課題】電気的特性の検査では検出しにくい不良を短時間でかつ高精度に検出し、半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】外観検査装置３により、半導体デバイスの形成後、個々の半導体チップの外観検査を行う。続いて、配線工程において、配線パターンによる配線層を形成する毎に、外観検査装置３による外観検査を行う。その後、最上配線層の上部に絶縁膜を形成し、プローバ２による電気的特性の検査を行う。これら外観検査と電気的特性検査とで不良と判別された半導体チップは、テスト制御部５において重ね合わせ処理され、集中マーカ６によって不良品を示すマーカが付けられる。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性検査で不良とならない欠陥チップを確実に不良にする。欠陥チップへのレーザ照射を不要にする。
【解決手段】 同一半導体ウエハについて、パターン検査で得られた欠陥情報からなる欠陥マップとプローブ検査で得られた電気的特性の良否情報からなるプローブマップとを取り込み、前記欠陥マップ上の欠陥チップを不良チップとして前記プローブマップに合成し、その合成したプローブマップに基づき「不良」のチップにマークを付ける。 （もっと読む）