【課題】
耐湿信頼性が高く、高温接続条件においてボイド抑制が可能であり、かつフラックス成分を添加することなく、良好なはんだ接合部の形成が可能となる先供給方式に対応した半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】
エポキシ樹脂、酸無水物、硬化促進剤を必須成分としており、酸無水物が下記一般式（１）で表されるコハク酸無水物誘導体である半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物、並びに該半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置。



［式（１）中、Ｒは炭素数３以上のアルケニル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】シールド層の厚みを大きくしなくても、低い周波数をシールドできる回路モジュールを提供する。
【解決手段】回路モジュール１００は、内部導電層２ａ、２ｂが形成された、直方体からなる基板１と、基板１の主面に実装された電子部品７と、電子部品７を被覆した状態で、基板の主面に形成された絶縁層８と、絶縁層８の表面に形成されたシールド層９を備え、内部導電層２ａ、２ｂは、それぞれ、シールド層９と直接接続されるようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を備え、上下に電気的接続を確保し得るパッケージを一括して複数製造することが可能であるとともに、前記パッケージを高い信頼性で製造することができる半導体素子封止体の製造方法および半導体パッケージの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体素子封止体の製造方法は、少なくとも１つの電極パッドを有する複数の半導体素子２６と、導電性を有する複数の導体柱２８と、半導体素子２６および導体柱２８を封止する封止部２７とを有する半導体素子封止体２７０を製造する方法であり、ダミー基板１０１上に、半導体素子２６と導体柱２８とを配置する配置工程と、ダミー基板１０１と半導体素子２６と導体柱２８とを覆うように封止して封止部を形成することにより、ダミー基板１０１上に半導体素子封止体２７０を得る封止部形成工程と、半導体素子封止体２７０からダミー基板１０１を剥離させる剥離工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ歩留り良く行なうことのできる電子部品の封止方法を提供する。
【解決手段】基板上に実装された電子部品を熱硬化性樹脂組成物からなるシートで被覆し、加熱硬化する電子部品の封止方法であって、
硬化前の１００℃における溶融粘度が０．１〜５０Ｐａ・ｓであり、基板上のレジスト膜に対する硬化後の接触角が２０〜１００度である熱硬化性樹脂組成物からなるシートで前記電子部品を被覆し、電子部品と基板との接触部周辺を密閉して電子部品と基板との間に隙間を形成させることを特徴とする電子部品の封止方法である。 （もっと読む）

【課題】不具合が発生することなく、半導体チップの周囲及び背面側を樹脂基板で封止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体１０に、接続電極２０ａを支持体１０側に向けて半導体チップ２０を仮固定する工程と、支持体１０及び半導体チップ２０の上に、半導体チップ２０を被覆する樹脂染込防止用絶縁層３０を形成する工程と、樹脂染込防止用絶縁層３０の上に、半導体チップ２０の周囲及び背面側を封止する樹脂基板５０を形成する工程と、支持体１０を除去することにより、半導体チップ２０の接続電極２０ａを露出させる工程とを含む。半導体チップ２０の接続電極２０ａにビルドアップ配線ＢＷが直接接続される。 （もっと読む）

【課題】屈折率が高く、透明性、耐熱性が良好な硬化物を得ることができる熱硬化性組成物を提供する。
【解決手段】式（１−ａ）で表される構成単位と、式（１−ｂ）で表される構成単位とからなる液状有機ケイ素化合物による。


上記式中、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³はそれぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシルから選択される基であり、ｎは２〜５０の整数である。 （もっと読む）

【課題】本発明によれば、半導体チップの仮搭載時において空気巻き込みが少なく、作業性や信頼性にすぐれたプリアプライド用封止樹脂組成物を提供することができる。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フラックス活性を有する硬化剤を含むプリアプライド用封止樹脂組成物であって、Ｂ−ステージ化後のタック値が０ｇｆ／５ｍｍφ以上５ｇｆ／５ｍｍφ以下であり、かつ、１３０℃における溶融粘度が０．０１Ｐａ・ｓ以上１．０Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とするプリアプライド用封止樹脂組成物を用いる。
なし （もっと読む）

【課題】半導体素子の裏面を保護するために用いられる熱硬化性樹シートであって、半導体素子又はウエハの裏面に貼合可能であり、樹脂硬化後においても半導体素子及びウエハの反りが極めて小さい熱硬化性樹脂シートを提供することを目的とする。
【解決手段】半導体素子を保護するために用いる熱硬化性樹脂シートであって、分子内にジビニルエーテルまたはオキシアルキレン化合物のジビニルエーテルを有し、かつ１分子中に２個以上のグリシジル基を有するエポキシ樹脂を含有する熱硬化性樹脂シート。 （もっと読む）

【課題】 低出力でのレーザーマーキングが可能であるとともに、良好な耐リフロー性を有する封止用シートを提供すること。
【解決手段】 架橋性官能基を有し、ガラス転移温度が−２０℃以上２０℃以下である第１の高分子量成分を含有する第１の樹脂層１と、熱硬化性成分、無機フィラー及び第２の高分子量成分を含有する第２の樹脂層２と、を備え、前記第２の樹脂層２において、前記無機フィラーの含有量が、前記第２の樹脂層２全体の３０〜８０体積％であり、かつ、前記第２の高分子量成分の含有量が、前記熱硬化性成分１００重量部に対して５〜３０重量部であることを特徴とする封止用シート。 （もっと読む）

【課題】耐サーマルサイクル性および絶縁信頼性に優れた電子材料用接着剤シートを提供すること。
【解決手段】酸素透過率が１．０×１０^−１３ｍｏｌ／ｍ^２・ｓ・Ｐａ以下であることを特徴とする電子材料用接着剤シート。 （もっと読む）

図４（ａ）〜図４（ｅ）に示す如く、基材１４０に複数の半導体素子１４２および受動素子１４４を固定し、導電性膜１２０および絶縁樹脂膜１２２により構成された導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を基材１４０に押し当て、絶縁樹脂膜１２２内に半導体素子１４２および受動素子１４４を押し込み、真空下または減圧下で加熱して圧着する。その後、基材１４０を絶縁樹脂膜１２２から剥離し、ビア１２１の形成、導電性膜１２０のパターニングを行う。これにより、半導体素子１４２および受動素子１４４をそれぞれ一方の面で絶縁樹脂膜１２２により封止し、他方の面で露出させた構造体１２５を得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＴＡＢ実装工程においてボンディングツ−ルの熱及びＩＣステ−ジの熱のどちらか、或いは両方を利用することで、従来のモ−ルド工程をインナ−リ−ドボンディングと同時に行い、工程の短縮をするものである。
【解決手段】ＴＡＢテ−プの接着材として、厚くした熱可塑性樹脂を使うか或いは、モ−ルドチップをＩＣ上に搭載したものを使用し、ボンディング時のツ−ル熱、或いはボンディング時の熱とＩＣステ−ジの熱の両方を使いそれぞれの樹脂を軟化させ、ボンディング後のインナ−リ−ド部及びＩＣチップ側面を被覆させてモ−ルドすることで、従来のようなモ−ルド工程を無くすことを可能にした。 （もっと読む）