【課題】外層のケースを用いない、また、小型化が容易となる電子モジュールを実現する。
【解決手段】この電子モジュール１０は、板状のカード形状を呈しており、配線板１２と、配線板１２に実装された電子部品１１と、接続端子１３と、外層部１５とを備える。電子部品１１は、抵抗、コンデンサ等のチップ部品やＩＣ（集積回路）である。接続端子１３は、被接続モジュールの端子と電気的に接続する。外層部１５は、プリプレグであって、ガラスクロスにエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させたものが用いられる。 （もっと読む）

【課題】優れる熱的特性を提供すると共に、パワー回路部と制御回路部との間の高い信頼性を具現することができる電力モジュールパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電力モジュールパッケージ１００は、段差部１１１及び非段差部１１２を有する基板１１０と、段差部１１１に設けられた回路配線１１１ａに電気的に接続されるパワー回路部１２０と、非段差部１１２に設けられた回路配線１１２ａに電気的に接続される制御回路部１３０と、非段差部１１２の回路配線１１２ａが露出するように、基板１１０にモールドされてパワー回路部１２０を封止するモールディング部１４０とを含む。 （もっと読む）

【課題】電子構造体の一部を被覆しない状態でモールド樹脂による被覆を行い、モールド樹脂より露出する露出部の一部をさらに封止材で封止してなるモールドパッケージにおいて、モールド樹脂のうち封止材に接触する壁面に溝を設けるとともに、封止材が溝を越えて這い上がるのを適切に防止する。
【解決手段】モールド樹脂２の壁面６ａ〜６ｃには、壁面６ａ〜６ｃのうち封止材５０と接触する部位よりもへこんだ溝７０が設けられることにより、壁面６ａ〜６ｃを伝って溝７０よりも上方に封止材５０が這い上がるのを防止するようになっており、溝７０における封止材５０側の縁に位置する角部７１は、内角θが鋭角とされている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、半導体素子とそれが搭載されるパッケージ基板の熱膨張差による反りを抑制し、高い実装性と接続信頼性を実現する。
【解決手段】基板４上に半導体チップ１がバンプ２で接続され、半導体チップ１周辺にモールド樹脂３が設けられており、半導体チップ１角部から基板４角部近傍における半導体チップ１からモールド樹脂３端部までの距離をＡ、基板４辺部中央近傍における半導体チップ１からモールド樹脂３端部までの距離をＢとした場合において、Ｂ＞√２×Ａの関係となるようにモールド樹脂３を設けることにより、小型化，薄型化と信頼性を確保しながら、容易に半導体装置の反りを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置と実装基板との熱膨張係数の相違により生じる熱応力を半導体装置内で均一に分散させることにより、熱ストレスが加わった際の信頼性を向上させることが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置２０は、ダイパッド１５と複数のリード部１６とを含むリードフレーム１０と、ダイパッド１５上に載置された半導体素子２１と、リード部１６と半導体素子２１とを電気的に接続するボンディングワイヤ２２と、リードフレーム１０、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２を封止する封止樹脂部２３とを備えている。各リード部１６は封止樹脂部２３の裏面に露出する外部端子１８を有し、各リード部１６はダイパッド１５の周囲において平面から見て１つの円周Ｃ_１上に配置されている。ダイパッド１５およびリード部１６は、それぞれ封止樹脂部２３から裏面側に向けて突出している。 （もっと読む）

【課題】従来技術を改善する装置および方法を提供することである。
【解決手段】半導体本体（８０）の上側の面で垂直ベクトル方向に、プラスチック部材（３０）が開口部（２０）の外の領域では壁（１１０）よりも大きな高さを有し、壁（１１０）の基面と半導体本体（８０）の上側との間に固定層（１０５）が形成されており、壁（１１０）は開口部（２０）内に形成されたセンサ面から離間している。 （もっと読む）

【課題】接地電源用パッド数の増加や半導体チップの大面積化を伴うことなく、接地電源のインダクタンスを低化させてＬＳＩ電位変動を抑制することを目的とする。
【解決手段】ダイパッド３をＬＳＩ電位の外部端子として機能させ、ＬＳＩ電位の供給をダイパッド３から樹脂基板４の接続ビア１１ｂを介して行うことにより、ＬＳＩ電位の電流経路が短縮されると共に電流経路の断面積を拡大することが可能となり、接地電源用パッド数の増加や半導体チップ２の大面積化を伴うことなく、接地電源のインダクタンスを低化させてＬＳＩ電位変動を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの表面の一部がモールド樹脂から露出した、チップ露出面を有する半導体装置およびその製造方法であって、モールド樹脂がチップ露出面にはみ出ないモールド成形が可能で、安価に製造することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１１の表面の一部がモールド樹脂３２から露出した、チップ露出面１１ａを有する半導体装置であって、モールド樹脂３２が、高分子５１ａでできた殻の中に炭化水素５１ｂを内包するマイクロバルーン５１と熱硬化性樹脂５２の複合樹脂からなる半導体装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのうちモールド樹脂に封止された被封止部と封止部材から突出する突出部との境界部において、第１の主面からその両側に位置する２つの側面に渡ってシール部材を塗布して配置するにあたって、これら第１の主面の端部と２つの側面との角部にてシール部材が切れるのを極力防止する。
【解決手段】シール部材４０は、半導体チップ１０の境界部にて、第１の主面１１から第１の主面１１を挟んで位置する２つの側面１３、１４に渡って、連続して設けられており、２つの側面１３、１４は、第１の主面１１の端部から第２の主面１２側に向かって裾拡がりとなるように傾斜したテーパ状の面とされている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において搭載可能チップサイズの拡大化を図る。
【解決手段】半導体チップ２が搭載されたタブ１ｂと、半導体チップ２が樹脂封止されて形成された封止部３と、封止部３の裏面３ａの周縁部に露出する被実装面１ｄとその反対側に配置された封止部形成面１ｇとを有した複数のリード１ａと、半導体チップ２のパッド２ａとリード１ａとを接続するワイヤ４とからなり、複数のリード１ａのうち、対向して配置されたリード１ａ同士における封止部形成面１ｇの内側端部１ｈ間の長さ（Ｍ）が被実装面１ｄの内側端部１ｈ間の長さ（Ｌ）より長くなるように形成され、これにより、各リード１ａの封止部形成面１ｇの内側端部１ｈによって囲まれて形成されるチップ搭載領域を拡大することができ、搭載可能チップサイズの拡大化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、弊害なく容易に絶縁特性を向上させた樹脂封止型パワーモジュールとその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基板と、該絶縁基板上に配置されたパワー半導体素子と、該絶縁基板上に配置された複数の中空円筒ソケットと、上面に複数の凹部が形成され、かつ該パワー半導体素子および該複数の中空円筒ソケットを覆うように形成された樹脂筐体とを備える。そして、該複数の中空円筒ソケットは、該複数の凹部の１つの凹部から該複数の中空円筒ソケットの１つの中空円筒ソケットが露出するように、該複数の凹部から露出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高放熱性を有しながら、外観の破損や破壊を抑制し、製品の品質や歩留率を向上させることを目的とする。
【解決手段】裏面端子を表面側まで延伸させて放熱性を確保する裏面実装形半導体装置等において、樹脂部２からリードフレーム（２０１，３０１）の一部を露出させて押さえ部２０５を形成することにより、押さえ部２０５を支点として外部リード（４０３，５０３）の曲げ加工を行うことができるため、外観の破損や破壊を抑制し、製品の品質や歩留率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂層に求められる物理的な保護機能を損なうことなく、半導体チップに設けられたインダクタと外部のインダクタの距離を小さくする。
【解決手段】半導体チップ１０は能動面を上に向けて実装基板１００の第１面上に配置されている。インダクタ２０は能動面すなわち半導体チップ１０のうち実装基板と対向しない面側に設けられており、半導体チップ１０と外部との間の通信を行う。封止樹脂層３００は実装基板１００の第１面に形成され、半導体チップ１０を封止している。また封止樹脂層３００には凹部又は開口（本実施形態では凹部３１０）が設けられている。凹部３１０は平面視でインダクタ２０を内側に含んでいる。 （もっと読む）

【課題】センシング部を露出させるようにセンサチップの一端側をモールド樹脂で封止して、センサチップを基板に片持ち支持させたときに、モールド樹脂によってセンサチップに加わる応力を低減しつつ、センシング部における樹脂バリの発生を防止する。
【解決手段】センサチップ２０の一端側を基板１０の一面１１に支持させ、これをモールド樹脂３０によって封止し、センシング部２１が位置する他端側をモールド樹脂３０より露出させるとともに、センサチップ２０の一端側は、モールド樹脂３０による応力を緩和する応力緩和樹脂７０を介してモールド樹脂３０で封止されており、さらに、応力緩和樹脂７０のうちモールド樹脂３０の外側のはみ出し部７０ａは、樹脂成形時に金型２００に密着し金型２００から荷重を受けることで、応力緩和樹脂７０のうちモールド樹脂３０の内部に位置する部位よりも薄いものとなっている。 （もっと読む）

【課題】コスト低減、信頼性向上、冷却性向上、小型化、パワー素子温度検出の容易化が可能な半導体パッケージおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体パッケージ１００は、金属板１１０、パワー素子１１２、ダイパッド１１４を有するリードフレーム１１６、絶縁性を有する樹脂シート１２４、パワー素子１１２を制御する制御回路１２６、モールド樹脂１３０を有する。パワー素子１１２がダイパッド１１４上に搭載され、ダイパッド１１４が樹脂シート１２４を介して金属板１１０上に搭載されている。樹脂シート１２４は、少なくともダイパッド１１４の下面を包含し、かつ、金属板１１０よりも小さく、制御回路１２６は、金属板１１０上であって、パワー素子１１２の搭載領域以外の領域に配置されている。 （もっと読む）

【課題】
半導体パッケージの構成部材および組立工程数を減らすことにより半導体パッケージの組立費用を大幅に低減し、さらには半導体パッケージの厚さを薄化することが可能となり、１０段重ねのＰＯＰとした場合でも１ミリメートル以下の厚さを達成する半導体パッケージを提供できるようにする。
【解決手段】
従来の半導体パッケージの構成部材であるリードフレーム、サブストレート、および、ワイヤーと接着剤を不要とし、半導体パッケージの薄化を可能としたことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】電極端子とモールド部材との接合強度を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】金属基材２０上の第１領域２０ａに半導体素子１０を搭載する搭載工程と、この金属基材２０上の複数の電極端子形成領域２０ｂのそれぞれを半導体素子１０の対応する電極端子１１とそれぞれボンディングワイヤにより接続するワイヤ形成工程と、金属基材２０上の半導体素子１０及びボンディングワイヤ１３をモールドするモールド工程と、モールドした半導体素子１０及びボンディングワイヤ１３を金属基材２０から剥離する剥離工程とを有するようにした。 （もっと読む）

ダイの接地又は他の外部コンタクトへのワイヤボンディングの信頼性を改善する、種々の半導体パッケージ配置及び方法を説明する。１つの側面において、ダイ上の選択された接地パッドが、リードフレームのタイバー部上に位置するボンディング領域にワイヤボンディングされる。タイバーは、タイバーのボンディング領域からダウンセットされる露出されたダイ取り付けパッドに接続される。幾つかの実施例において、ボンディング領域及びリードは、ダイ及びダイ取り付けパッドより上で、実質的に同一の高さである。ダイと、ボンディングワイヤと、リードフレームの少なくとも一部とがプラスチック封止材材料で封止される一方で、ダイ取り付けパッドのコンタクト面を露出させておき、ダイ取り付けパッドの外部デバイスへの電気的結合を円滑化することができる。
（もっと読む）

【課題】半導体チップの周囲が樹脂基板で封止された構造を有する半導体装置において、樹脂基板の反りの発生を防止すること。
【解決手段】表面側に接続電極２０ａを備えた半導体チップ２０と、半導体チップ２０の周囲を封止すると共に、半導体チップ２０の背面から下側に厚みＴをもって形成されて、下面が半導体チップの背面より下側に配置された樹脂基板３０とを含む。半導体チップ２０の接続電極２０ａにはんだを介さずに配線層５０が直接接続される。 （もっと読む）