【課題】センサチップの一端側をモールド樹脂で封止してモールド樹脂で片持ち支持するようにしたモールドパッケージの製造方法において、モールド樹脂による封止前におけるセンサチップのぐらつきを防止して、工程中のワークの取り扱い性に優れた製造方法を実現する。
【解決手段】センサチップ２０の一端２３側をモールド樹脂５０で封止してモールド樹脂５０で片持ち支持するようにしたモールドパッケージＳ１の製造方法においてリードフレーム３０として、センサチップ２０の他端２４側を支持する支持部３３を有するものを用意し、センサチップ２０の他端２３側を支持部３３で受けて支持するようにし、支持部３３による支持を維持した状態にてモールド樹脂５０による封止を行った後に、リードフレーム３０から支持部３３をカットして、センサチップ２０の他端２４側から支持部３３を除去する。 （もっと読む）

【課題】部品の破損を効果的に防いだ上で、軽量且つ安価な電子機器およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電子機器は、ケース１と、前記ケース１の底部１ａに下面２ａが対向して、前記ケース１の内部に配置された回路基板２と、前記回路基板２の上面２ｂに実装された電子部品３と、上部開口端４ａと下部開口端４ｂとを有し、前記電子部品３を囲み且つ前記回路基板２の上面２ｂに前記下部開口端４ｂが接するように配置されたチューブ状部材４と、前記チューブ状部材４内で前記電子部品３を封止する第１のモールド樹脂５と、前記ケース１内で、前記チューブ状部材４で囲まれた領域の外側の前記回路基板２を封止する第２のモールド樹脂６と、を備える。前記回路基板２の上面２ｂに垂直な方向の前記第２のモールド樹脂６の厚さｈ２は、前記回路基板２の上面２ｂに垂直な方向の前記第１のモールド樹脂５の厚さｈ１より薄い。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を搭載する基板と当該基板に接続する実装基板との接続部における応力を緩和して、接続品質が高く、生産性が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１と、基板１に搭載された半導体素子３と、該半導体素子を覆うように形成された樹脂体２と、基板１の裏面に設けられた接続端子７とを備える。封止体２の上面には、環状の凹部８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】小型化、薄型化、放熱性の要求が強い樹脂封止型半導体装置において、特に放熱性能に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】その第１主面に素子電極（図示せず）を有する半導体素子１と、その第１主面に半導体素子１が電気的に接続されたダイパッド２と、リード端子３と、前記素子電極とリード端子３のリード第１先端部３ａとを電気的に接続する金属細線４と、リード第２先端部３ｂを露出する形で半導体素子１の周囲を封止する封止樹脂５と、封止樹脂５の下面に前記ダイパッド２の第２主面を露出する開口部５ａとを備えることを特徴とする。この構成により、放熱性能に優れた半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタが高性能化されるとともに製品の信頼性が向上した半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体素子３２と、半導体素子３２の上部に設けられ、内側に空洞部３８を形成する枠材３６と、枠材３６の周囲を覆うモールド樹脂層４２と、を備える。枠材３６は同一の樹脂を含む樹脂膜（第１樹脂膜５７ａ，第２樹脂膜５８ａ）から形成されている。空洞部３８内に半導体素子３２の能動領域３４が露出している （もっと読む）

【課題】複数の半導体素子を搭載することで性能が効率的に向上する半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明によって提供される半導体装置Ａは、第１と第２の半導体素子４１，４２と、表面に第１と第２の半導体素子４１，４２がダイボンディングされた第１と第２のダイボンディングパッド１１，２１と、半導体素子４１，４２を覆う樹脂パッケージ６０と、を備えており、上記第１のダイボンディングパッド１１と上記第２のダイボンディングパッド２１とは、第１の半導体素子４１と第２の半導体素子４２とが正対する配置とされており、かつそれぞれの裏面の少なくとも一部ずつが樹脂パッケージ６０から露出していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低抵抗化による性能の向上を図ることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】モールド樹脂６には、切り欠き部９が設けられている。切り欠き部９は、ソース側リード電極４の上部に位置するモールド樹脂６の端部から、このソース側リード電極４に接続されたコネクタ８に沿って溝状に形成されており、この切り欠き部９の部分において、ソース側リード電極４の上面及びコネクタ８の上面は外部に露出した状態となっている。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板および該シリコン基板上に設けられた低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を備えた半導体装置において、低誘電率膜が剥離しにくいようにする。
【解決手段】 シリコン基板１の上面の周辺部を除く領域には低誘電率膜４と配線５との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部３が設けられている。低誘電率膜配線積層構造部３の上面にはパッシベーション膜７および保護膜９が設けられている。保護膜９の上面およびシリコン基板１の周辺部上面には封止膜１４が設けられている。これにより、特に、低誘電率膜配線積層構造部３の側面は封止膜１４によって覆われ、低誘電率膜４が剥離しにくい構造となっている。 （もっと読む）

【課題】ソケットへの挿入時に接点電極が削られるのを抑制し、接触不良を防止することが可能な半導体メモリカードを提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体メモリカード１００は、外部装置のソケットの接点電極と接続するためのコンタクト端子１が上面の先端側に形成された回路基板２と、この回路基板２の下面に載置され、コンタクト端子１とボンディングワイヤ３で接続された半導体メモリチップ４と、回路基板２表面上で半導体メモリチップ３を封止する第１の樹脂からなる第１の樹脂層５と、コンタクト端子１が形成された部分より少なくとも回路基板２の先端側に設けられ、第１の樹脂のよりも硬度が低い第２の樹脂からなる第２の樹脂層６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ケースを大形にすることなく電子部品からの放熱を良好に行なわせることができるようにした樹脂注型形電力用回路ユニットを提供する。
【解決手段】高さが不揃いな複数の電子部品３ないし６を実装した回路基板２を一端が開口したケース１内に収容し、ケース１内に絶縁樹脂を注型することにより形成した樹脂モールド部８内に回路基板２と電子部品３ないし６とを埋設する。回路基板２に実装された電子部品３ないし６のうち、回路基板２の板面から測った高さが低い電子部品４，５に放熱フィン７ｃを有するヒートシンク７を熱的に結合する。ヒートシンク７は、放熱フィン７ｃを外部に露呈させた状態で、その一部を絶縁樹脂中に埋め込んでおく。 （もっと読む）

【課題】 製造コストの低減を図ることが可能な半導体メモリカードを提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体メモリカード１００は、所定の信号を入出力するための入出力端子１が上面側に形成された配線基板２と、配線基板２の下面側に形成されたパッド３と接続された半導体メモリ４と、配線基板２上に形成され配線基板２の側端部５で切断された、電解メッキに必要な電力を供給するためのメッキ配線６と、配線基板２上で半導体メモリ４を封止するとともに、配線基板２の側端部５および少なくとも１つのメッキ配線６の端部６ａを封止する封止樹脂７と、を備える。 （もっと読む）

少なくとも１つの放射線（１１）を送出する半導体チップ（１）を備えた光電子半導体構成素子であって、前記半導体チップがケーシング基体（３）の切欠き（２）に配置されており、該切欠き（２）が、側方を半導体チップ（１）を取り囲む壁（３１）によって制限されており且つ少なくとも部分的に被覆コンパウンド（４）によって満たされており、該被覆コンパウンドが、半導体チップ（１）を被覆しており且つ該半導体チップ（１）から送出される電磁放射線を良好に透過させる。切欠き（２）を制限する壁（３１）の内面（３２）が、半導体構成素子の正面側を上から見て半導体チップ（１）を完全に環状に取り囲む内面（３２）の部分面（３３）が形成されているように形成されており、該部分面が、放射線を送出する半導体チップ（１）から見て陰になっており且つ半導体チップ（１）を完全に取り囲みつつ少なくとも部分的に被覆コンパウンド（４）によって被覆されている。更に、このような半導体構成素子のためのケーシング基体が記載されている。
（もっと読む）