【課題】電子素子を樹脂封止後に封止樹脂に開口を設け、加熱時のアウトガスやはんだの逃げ道を設けることにより、はんだフラッシュの発生を抑制するパッケージ基板を提供する。
【解決手段】多層配線基板上に１個以上の半導体素子と１個以上の受動部品が実装され、前記多層配線基板とその上に実装された前記半導体素子とのギャップにアンダーフィル樹脂６を充填することにより、フリップチップ実装部である半導体素子実装エリアを形成し、その半導体素子実装エリアの外周部と前記受動部品の周囲を樹脂７で充填した半導体パッケージ基板１８において、充填した樹脂７の一部に、はんだ及びアウトガスの抜き孔１５、１６を設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの一部を露出させつつ樹脂で封止してなる半導体パッケージにおいて、外部の異物等による露出部への影響を極力抑える。
【解決手段】半導体チップ１０と、半導体チップ１０を封止する樹脂２０と、を備え、半導体チップ１０の一面１０ａの一部が露出部１１として樹脂２０より露出している半導体パッケージにおいて、半導体チップ１０の一面１０ａ側にて、露出部１１の周囲に位置する樹脂２０は、露出部１１側が広く露出部１１から離れるにつれて狭まり且つ頂部が外部に開口する穴２２とされた錐体形状をなす空間部２１を形成しており、露出部１１は空間部２１に位置し、穴２２を介して樹脂２０の外部に露出している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置と外部回路とを接続させる際、モールドパッケージの外側において余分なスペースが発生せず、またはんだを用いず当該接続を可能せしめる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体素子１，２および電極端子部３，４，６がモールドパッケージ部９により覆われている。また、モールドパッケージ部９の第一の主面内には、底面から電極端子部３，４，６が露出している第一の開口孔１０，１１が形成されている。そして、第一の開口孔１０，１１の開口部を塞ぐように、第一の主面上に固定される外部接続部材１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃと、第一の開口孔１０，１１の内部に配設され、弾性を有し、電極端子部３，４，６と外部接続部材１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃとを電気的に接続する第一のコンタクト部材１６Ａ，１６Ｂ，１９とを、備えている。 （もっと読む）

【課題】搭載基板とＬＥＤチップとの間に形成された中空部内の封止雰囲気に含まれる不純物により構成部材が侵されて劣化するのを防止可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１０は、搭載基板１１と、搭載基板１１にフリップチップボンディングされたＬＥＤチップ２０と、搭載基板１１上に形成され、ＬＥＤチップ２０を封止するガラス材料から成るガラス封止部３０と、搭載基板１１とＬＥＤチップ２０との間にガラス封止部３０のガラス材料が進入していない空隙である中空部３１と、中空部３１と連通するように搭載基板１１の板厚方向に貫通形成された注入孔３２と、中空部３１の内部に充填されたガラス層から成るガラス充填部３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】水分の排出経路の確認を容易にしながら、樹脂層とシールド層との界面で剥離が生じるのを抑制することが可能な高周波モジュールを提供する。
【解決手段】この高周波モジュール１は、ＩＣ２および部品３が搭載された基板４と、ＩＣ２および部品３を封止する絶縁性の樹脂層５と、樹脂層５の表面に設けられた導電性のシールド層６と、を備える。シールド層６には、樹脂層５まで達するとともに１μｍ以上の開口幅Ｗ１を有する開口部６ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】電子部品を封止する樹脂層の表面にシールド層が設けられる半導体装置の、当該樹脂層からの脱湿性を高める。
【解決手段】半導体装置１００ｃは、基板１１０と、その基板１１０上に実装された電子部品１２０を含む。基板１１０上の電子部品１２０は、樹脂層１３０によって封止され、その樹脂層１３０の上面及び側面に、電磁波をシールドするシールド層１４０が設けられる。樹脂層１３０及びシールド層１４０には、連通する穴１３１，１４１が設けられ、そこにピン１８０が挿入される。加熱によりピン１８０が熱膨張すると隙間２００ができ、樹脂層１３０に含まれる水分は、穴１３１，１４１及び隙間２００を通って外部へと除去される。 （もっと読む）

【課題】外装シールドを確実に接地するとともに、ダイシングブレード、外装シールドにかかる負担を抑えて半導体モジュールを製造する。
【解決手段】モジュール基板１と、モジュール基板１の上面に実装された複数個の電子部品２と、これらの電子部品２を含むモジュール基板１の上面を封止する封止樹脂層３と、封止樹脂層３の上面を覆う外装シールド４と、外装シールド４と一体に形成された接続部５とを備えている半導体モジュールＡ。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で半導体素子の内部圧力の上昇を抑えることができる安価なモジュール電源を提供する。
【解決手段】実装部品２が実装されていない空き領域に穴が設けられたプリント基板３と、プリント基板に設けられた穴を覆って空間を形成するコーティング樹脂４と、実装部品、プリント基板およびコーティング樹脂を覆って封止するモールド樹脂１を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、硬化後の、可視光から近紫外光の反射率が高く、耐熱劣化性やタブレット成型性に優れ、なおかつトランスファー成型時にバリが生じ難い熱硬化性光反射用樹脂組成物及びその製造方法、並びに当該樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】熱硬化性成分と白色顔料とを含む熱硬化性光反射用樹脂組成物であって、成型温度１００℃〜２００℃、成型圧力２０ＭＰａ以下、成型時間６０〜１２０秒の条件下でトランスファー成型した時に生じるバリ長さが５ｍｍ以下であり、かつ熱硬化後の、波長３５０ｎｍ〜８００ｎｍにおける光反射率が８０％以上であることを特徴とする熱硬化性光反射用樹脂組成物を調製し、そのような樹脂組成物を使用して光半導体素子搭載用基板および光半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】外部端子がパッケージ底面に配置されている半導体装置を実装する際に、半田不良の有無を外観上で確認できるようにし、それによって、実装信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置１０は、ダイパッド４と、ダイパッド４の上面に搭載された半導体素子５と、ダイパッド４の周囲に配置され且つ半導体素子５と電気的に接続された外部端子３と、外部端子３の上に形成された保護層２とを備えている。外部端子３には第１の貫通穴１１Ａが形成されていると共に、保護層２には、第１の貫通穴１１Ａと少なくとも一部が重なる第２の貫通穴１１Ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ベアチップで発生した熱の放熱性が悪化する課題がある。また、放熱性を改善するために、ヒートシンクを露出するように封止樹脂に埋設すると剥離やクラック発生の課題がある。
【解決手段】自動車の変速機及び駆動機を制御するための電子回路組立体と、前記電子回路組立体を固定するベースと、前記電子回路組立体を電気的に接続したリード端子とを、モールド樹脂で封止した電子回路装置において、発熱回路素子（ベアチップ）下部に回路基板及びベースを貫通する開口部を有し、発熱素子の両面が封止樹脂と熱的に連結したことを特徴とする放熱構造とした。 （もっと読む）

【課題】吊りリードの絶縁性を確保しつつ、パッケージを小型化することができる樹脂封止型半導体装置を得る。
【解決手段】ダイパッド１０，１２上に半導体チップ２０，２２が搭載されている。ダイパッド１２から離れてリード端子１６が配置されている。半導体チップ２２とリード端子１６はワイヤ２４により接続されている。ダイパッド１０に吊りリード１８が接続されている。これらのダイパッド１０，１２、半導体チップ２０，２２、リード端子１６の一部、ワイヤ２４、及び吊りリード１８の一部は、モールド樹脂３０により封止されている。リード端子１６は、モールド樹脂３０の側面から外部に突出している。モールド樹脂３０の側面には切り欠き３６が形成されている。吊りリード１８は、切り欠き３６の奥からモールド樹脂３０の外部に突出している。吊りリード１８のモールド樹脂３０の外部に突出した部分は、ポッティング樹脂５２により覆われている。 （もっと読む）

【課題】熱収縮による応力を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】多層基板２と、多層基板２に配置された半導体チップ１と、多層基板２と半導体チップ１を接続する複数の金属バンプ４と、半導体チップ１及び多層基板２の間に設けられ、封止樹脂３によって形成された封止樹脂層１０とを備え、封止樹脂層１０には、複数の柱状の空洞５が形成され、複数の空洞５の体積は、封止樹脂層１０の体積の半分以上である、半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサパッケージ構造を提供する。
【解決手段】基板１１０と、チップ１２０と、透光板１３０と、第１殻体１４０と、シール体１５０とから構成し、感光領域１２４を形成したチップを基板上に結合し、透光板１３０でチップの感光領域を覆ってチップ上に接着し、さらに、感光領域に対する開口を設けた第１殻体１４０を透光板上に接着する。
シール体１５０は、チップ及び透光板の周囲及び透光板及びチップ間の接着層１６０、１８０を覆って封止するので、水分が感光領域に侵入する経路を延長し、イメージセンサパッケージ構造の信頼性を向上する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡易な方法で半導体パッケージ部と放熱フィンとの間の密着性を高め、放熱性を高めることができる半導体装置を提供する事を目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、放熱フィン１３、１４と、放熱フィン１３、１４上面の一部を露呈して当該上面に接合された絶縁シート４と、絶縁シート４上に配置されたヒートスプレッダ２と、ヒートスプレッダ２上に配置されたパワー素子１と、放熱フィン１３、１４上面の一部を含む所定の面と、絶縁シート４と、ヒートスプレッダ２と、パワー素子１とを覆って形成されたトランスファーモールド樹脂８とを備え、放熱フィン１３、１４上面は、絶縁シート４の端部を拘束すべく形成された凸形状および／又は凹形状を有する。 （もっと読む）

【課題】パッケージング応力による基板変形が無く、かつ安価なパッケージングが可能なＭＥＭＳデバイスアセンブリを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスアセンブリ２０は、ＭＥＭＳダイ２２と、集積回路ダイ２４とを備える。また、ＭＥＭＳダイは、基板３８に形成されたＭＥＭＳデバイス３６とキャップ層３４とを備える。パッケージング処理は、基板３８にＭＥＭＳデバイス３６を形成することとＭＥＭＳデバイスが存在するカンチレバー基板台を形成するためにＭＥＭＳデバイスを包囲する基板の一部分を除去することを含み、キャップ層３４は基板に接続される。ＭＥＭＳダイは集積回路ダイに電気接続され、ＭＥＭＳダイ、集積回路ダイ、およびそれらを電気的に相互接続する相互接続部３０を実質的に封止するためにモールド成形化合物３２が施される。キャップ層はモールド成形化合物がＭＥＭＳデバイスと接触することを防止する。 （もっと読む）

【課題】小型かつセンサ感度の高い半導体装置を簡単かつ低コストで製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、配線基板１０１と、センサ機能領域１０３を有する半導体素子１０２と、センサ機能領域１０３を覆う樹脂１０６と、封止樹脂１０７とを備える半導体装置１００の製造方法であって、半導体素子１０２が搭載された配線基板１０１を上金型１０４に保持させる配線基板保持工程と、第１樹脂材料の一部を柱状に成形して保持させる樹脂保持工程と、配線基板保持工程及び樹脂保持工程の後、上金型１０４と下金型１０５とを、センサ機能領域１０３と柱状に成形された第１樹脂材料とが当接するようにクランプすることにより第１樹脂層を形成する樹脂形成工程と、樹脂形成工程の後、上金型１０４と下金型１０５との隙間に第２樹脂材料を充填することにより第２樹脂層を形成する封止樹脂形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】従来の圧接型の半導体装置と比較して簡素な構造で半導体素子を位置決めすることができ、半導体素子の絶縁性及び耐圧性を確保しつつ、耐熱性に優れると共に製造コストが低減された半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置Ｓは、半導体素子９と、これを挟持するエミッタ端子１ａ、ゲート端子１ｂ、及びコレクタ端子２ａとの外周を覆うように硬化性樹脂３が付与されると共に、エミッタ端子１ａ、ゲート端子１ｂ、及びコレクタ端子２ａ（電極端子）には、これらの電極端子を位置決めする係止部（窪み部１ｅ，２ｅ）が設けられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ナノ粒子の含まれたモールディング部を含む発光ダイオードパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明はパッケージ基板上に実装された発光ダイオードチップ１３０と、発光ダイオードチップ１３０を覆ってパッケージ基板１１０上に配置され、蛍光体１５１、モールディング樹脂１５３及びナノ粒子１５２を含有するモールディング部１５０とを含み、該モールディング部１５０内に蛍光体１５１を均一に分布させることができる。 （もっと読む）

【課題】高耐熱性と高耐電圧性を達成できると共に半導体素子の被覆部と半導体素子の支持体との密着性を向上でき、高温での使用を可能にできる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置では、銅製の支持体３の上面３Ａに載置されたＳｉＣ ＧＴＯサイリスタ素子１の表面を被覆する第１の被覆部１５の表面１５Ａを被覆する第２の被覆部１６の環状の端部２３が支持体３の環状の嵌合溝２１に嵌合する。支持体３の嵌合溝２１に嵌合した第２の被覆部１６の環状の端部２３が支持体３に対するアンカーとしての役割を果たすので、支持体３との線膨張係数の差がかなりある第２の被覆部１６が高温時(例えば２００℃以上)に支持体３から剥離するのを抑制できる。 （もっと読む）