【課題】高温側で従来よりも大きな実効電流を流すことができる。
【解決手段】電力素子チップ１３が搭載された素子搭載パッド１７に、タイバーで接続された放熱部材１８を設け、放熱部材１８をタイバーで折り曲げて素子搭載パッド１７に重ね合わせる。こうして、放熱部材１８と素子搭載パッド１７とでなる放熱部の熱容量を増加し、放熱面積を拡張している。したがって、本光結合装置を基板に実装した際の実装基板への熱伝達性を高めることができ、従来よりも放熱効果を高めることができる。これにより、高温側で従来よりも大きな実効電流を流すことができる。 （もっと読む）

【課題】 樹脂モールド成形時におけるパイプの変形を抑制できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体モジュール2と、上面に半導体モジュール2が接合され側面20,22に冷媒流通用のパイプ14,15が固定された冷却器3と、半導体モジュール2と冷却器3の外周を覆う樹脂モールド層4と、を備え、冷却器3の側面20,22に、側面20,22から突出しパイプ14,15を囲む凸部25,26を設けた。 （もっと読む）

【課題】配線基板上に電子部品を搭載し、その上に電子部品の放熱および電極の用をなすクリップを設け、クリップを配線基板にはんだ付けしてなる電子装置において、簡易な構成にて、配線基板の一面上におけるクリップの高さ位置ずれを抑制する。
【解決手段】配線基板１０の一面１１上にて電子部品２０を介して搭載されたクリップ３０は、端子部３２にてはんだ５０を介して接続されるとともに、板部３１と一体に形成され板部３１の外郭から配線基板１０の一面１１側に延びる脚部３２を備えており、この脚部３２は、配線基板１０に対して接合することなく非導通状態で直接接触しており、クリップ３０は脚部３２にて配線基板１０に支持されることにより、配線基板１０の一面１１上におけるクリップ３０の高さが規定されている。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体素子を有して構成される回路を樹脂により一体化するに際し、樹脂の膨張収縮に応じて半導体素子に作用する応力の影響を抑制する。
【解決手段】半導体素子４を載置し、ベースプレート９の基準面Ｒに接着される複数の素子基板７と、基準面Ｒに沿って複数の素子基板７の周囲を囲むケース部材２とを備え、ケース内空間に素子基板７と半導体素子４とを覆う高さまでモールド樹脂３が充填される半導体装置１００であって、ケース内空間を区画壁１２によって複数のモールド空間１１に区画する区画部材１を備える。区画壁１２は、基準面に当接すると共に基準面Ｒからの高さＨ６がモールド樹脂３の充填高さＨ５よりも高くなるように構成される。複数のモールド空間１１のそれぞれに少なくとも１つの素子基板７が収容されている。 （もっと読む）

【課題】ユニット表面が傷ついたとしても、中身の半導体チップ等についてはリユースすることができる構造の半導体モジュールを提供する。
【解決手段】半導体チップ１１等の構成部品を熱硬化性樹脂モールド部２１にて覆うことで耐熱性を確保しつつ、熱硬化性樹脂モールド部２１の外縁部を熱可塑性樹脂モールド部２２にて覆う。また、熱可塑性樹脂モールド部２２によって水路３０の一部を構成し、半導体チップ１１等の構成部品を熱硬化性樹脂モールド部２１および熱可塑性樹脂モールド部２２にて覆ったユニット１０を積層することで、冷却機構を構成する水路３０が内蔵された構造を構成する。このような構成とすることで、熱可塑性樹脂モールド部２２のみに傷がついたような場合には、熱可塑性樹脂モールド部２２を加熱して軟化させて除去し、熱可塑性樹脂モールド部２２以外の部分を用いてリビルト品を製造すれば、リユースすることができる。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板の表面の一部に搭載された半導体チップの周囲をモールド樹脂層で封止し、放熱のための凹凸をモールド樹脂層の表面に有する薄型半導体パッケージにおいて、半導体チップから発生する熱を効率よく放散し、且つはんだリフロー等の熱処理における半導体パッケージの反り量を低減させる手段を提供する。
【解決手段】半導体チップ３０１上におけるモールド樹脂２０１層の凹凸の凸部先端から凹部下端までの距離を、半導体チップが搭載されていない領域上におけるモールド樹脂層の凹凸の凸部先端から凹部下端までの距離より短くした。 （もっと読む）

【課題】レーザー光による熱的ダメージを半導体素子に与えないようにする。
【解決手段】基材４１上に形成された絶縁膜１１にレーザー光を照射することによってビアホール１２を形成し、半導体素子３に形成された電極４をビアホール１２に位置合わせして、半導体素子３及び電極４を接着剤層１３によって絶縁膜１１に接着し、基材４１を絶縁膜１１から除去し、ビアホール１２に向けてレーザー光を照射することによって、電極４まで通じる第２ビアホール１４を接着剤層１３に形成し、絶縁膜１１に配線１５をパターニングして、配線１５の一部をビアホール１２及び第２ビアホール１４に埋めて電極４に接触させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低コスト、高歩留りで製造でき、配線簡略化、小型化もできるパワーモジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】第１半導体素子と、該第１半導体素子を搭載または該第１半導体素子とワイヤ接続された第１リードフレームと、第２半導体素子と、該第２半導体素子を搭載または該第２半導体素子とワイヤ接続された第２リードフレームと、該第１半導体素子、該第１リードフレーム、該第２半導体素子、該第２リードフレームを該第１リードフレームおよび該第２リードフレームの一部を外部に露出させて一体的に覆うモールド体とを備える。該モールド体の一部であって、該第１半導体素子および該第１リードフレームと、該第２半導体素子および該第２リードフレームとの間の部分には他の部分よりも厚さが薄い強度低減部が形成され、該強度低減部の一部には貫通孔又は溝が形成される。 （もっと読む）

【課題】基板実装された半導体装置から発生した熱をヒートシンクによって効率よく放熱可能な半導体実装基板を提供する。
【解決手段】半導体装置が実装される部位に貫通孔３が形成された実装基板１と、半導体装置実装面とは反対面側に貫通孔に凸部４を嵌め込まれて半導体装置と直接若しくは間接に当接可能に組み込まれたヒートシンク５とを備え、ヒートシンク５は平板部５ａを露出し外周を封止樹脂７に封止されて実装基板１と一体に保持されている。 （もっと読む）

【課題】実装時の熱応力によるパッケージの位置ずれ、及び実装ペーストの剥離や亀裂の発生を防止できる面実装タイプ樹脂製中空パッケージを提供すること。
【解決手段】半導体素子を収納するための中空部２を有する樹脂製のパッケージ本体１に、中空部２の底面２ａに装着される半導体素子とパッケージ本体１が実装される基板との電気的導通を実現するリード３がインサート成形されており、リード３は、中空部２に露出するインナーリード３ａとパッケージ本体１の底面１ａと同一面内で露出するアウターリード３ｂとを有し、アウターリード３ｂの露出面に、アウターリード３ｂ側から順に、銅皮膜５、ニッケル皮膜６及び金皮膜７が形成されている、面実装タイプ樹脂製中空パッケージ。 （もっと読む）

【課題】外力から半導体部品を保護し且つ気密性の保持を行うことが可能な半導体パッケージ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】電気的絶縁性及び柔軟性のあるベースフィルム２０上に半導体部品３０が固定され、少なくともこの半導体部品３０上が電気的絶縁性及び柔軟性のあるカバーフィルム３４によって覆われ、ベースフィルム２０とカバーフィルム３４との間に配置される導体層２６に半導体部品３０が電気的に接続されている。半導体部品３０は、ベースフィルム２０とカバーフィルム３４によって形成される中空空間に実装される。 （もっと読む）

【課題】パワー用半導体素子チップとそれを制御する制御用ＩＣチップとをモールド樹脂で封止した半導体装置であって、放熱性に優れたもの、およびその製造方法を実現する。
【解決手段】パワー用半導体素子チップ５ａ，５ｂを封止する第２のモールド樹脂３の熱伝導率を、制御用ＩＣチップ７を封止する第１のモールド樹脂２の熱伝導率よりも高くする。大電流の流れるパワー用半導体素子チップ５ａ，５ｂから発生する熱を、高熱伝導の第２のモールド樹脂３から有効に放熱することができ、半導体装置１００の放熱特性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 何らかの形で構造体の剛性を上げることにより、反りの発生を防ぐ。
【解決手段】 半導体装置１０は、配線基板５１と、配線基板５１上に設けられたＬＳＩチップ５２と、ＬＳＩチップ５２上に設けられた放熱板１１と、放熱板１１と配線基板５１との間の空隙の周縁部に介挿された補強板１２と、放熱板１１と配線基板５１との間の空隙の配線基板５１上に設けられたコンデンサ７１と、放熱板１１と配線基板５１との間の空隙に充填された樹脂１３と、を備えている。ＬＳＩチップ５２、配線基板５１、補強板１２及び放熱板１１によって囲まれた空隙には、樹脂１３が充填されている。樹脂１３は、空隙部分の存在によって発生する半導体装置１０全体の熱による反りを抑制する。 （もっと読む）

【課題】大型チップの使用に際しても小型でかつオン抵抗の低いＭＯＳＦＥＴ半導体装置を提供する。
【解決手段】樹脂パッケージ１と、前記樹脂パッケージ１内部で、一体化され、チップ搭載部２ｄを構成する少なくとも２本の主リード２ａ２ｂ、２ｃと、前記チップ搭載部２ｄに搭載された半導体チップ６と、前記半導体チップの表面でそれぞれ電極に接続された第１および第２の表面リード３，４とを含み、前記主リード２ａ、２ｂ、２ｃの電流路の総和が、前記樹脂パッケージの外側で前記第１および第２の表面リード３，４よりも、幅広または間隔が小さくなるように形成された複数のリードを含む。前記主リードの抵抗をより低減することができ、オン抵抗を効率的に低減できる。また、より低抵抗化が必要なドレイン端子において最大限にリード幅の総和を増大するようにしているためチップの大型化に際しても有効にオン抵抗を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】大型チップの使用に際しても小型でかつオン抵抗の低いＭＯＳＦＥＴを形成することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】樹脂パッケージ１０と、前記樹脂パッケージ１０内部で、一体化されチップ搭載部２ｄを構成する少なくとも２本の主リード２ａ、２ｂ、２ｃと前記チップ搭載部２ｄに搭載された半導体チップ６と、前記半導体チップの表面でそれぞれ電極に接続された第１および第２の表面リード３ａ，３ｂとを含み、前記主リード２ａ、２ｂ、２ｃおよび前記第１および第２の表面リード３ａ、３Ｂが前記樹脂パッケージ１０の底面と同一面上をまっすぐに伸長するようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
樹脂封止半導体パワーモジュールのハンダ接続部の熱疲労寿命と耐湿性とを、同時に向上させる。
【解決手段】
本願発明の半導体パワーモジュールは、セラミックス絶縁基板もしくは、樹脂絶縁金属基板に熱拡散板を介してハンダ付けしたシリコンチップと接続導線とを、まず耐熱性、耐湿性に優れるポリイミド系樹脂でプリコートし、次に、低いヤング率で、ハンダの線膨張係数に合わせた線膨張係数のエポキシ系樹脂で前記プリコート樹脂の上を被覆し、封止する。 （もっと読む）

集積回路アセンブリはインナー部を備えた複数のリードを有するリードフレームを含んでいる。熱伝導性担持部材は、担持部材がリードフレームから電気的に絶縁されつつリードフレームに熱的に結合するようにリードのインナー部に接着されている。集積回路ダイは担持部材に接着されており、よって担持部材に熱的に結合している。ダイはワイヤボンディング部に電気的に結合している。封入材はリードのインナー部及び担持部材の少なくとも一部の上に配置されており、ダイ及びワイヤボンディング部を封入している。
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