【課題】過電流が流れた際に確実に電流を遮断することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】第１半導体部材１０と、第２半導体部材２０と、第１半導体部材１０と第２半導体部材２０とを一体的にモールドするモールド樹脂４０と、を備えた半導体装置１００であって、第１半導体装置１０の第１接続部１２ａと第２半導体装置２０の第２接続部２１ａとは、モールド樹脂４０から露出した位置において互いに対向して配置された対向部を有し、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａにおける各対向部は、互いに電気的及び機械的に接続された接触部１２ａ１，２１ａ１と、互いに接触しておらず、互いに流れる電流の向きが逆方向となることで互いに斥力が働く非接触部１２ａ２，２１ａ２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】封止部材から露出する基板の露出面を用いた放熱経路の放熱性を高め得る半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】環状部２２が形成されたリードフレーム２０が用意されて、露出面１６が環状部２２の内方から露出するように回路基板１１がリードフレーム２０に組み付けられるとともに、これら回路基板１１およびリードフレーム２０が接続される。そして、環状部２２をモールド成形型６０の壁面６１に押し当てて露出面１６を密閉した状態で当該モールド成形型６０内に封止用材料を注入することで、露出面１６を除き回路基板１１およびリードフレーム２０がモールド樹脂３０により封止される。そして、露出面１６に対して、接着剤５１を介在させた状態で放熱板４０が取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】パッケージ応力に起因する回路部品の電気特性変動のバラツキによって出力信号が変動する内部回路について、パッケージ応力に起因する出力信号の変動を防止する。
【解決手段】半導体チップ５に形成された内部回路はその回路を構成する複数の回路部品の電気特性の変動のバラツキによって出力信号が変動するものである。チップタブ３の平面サイズは半導体チップ５の平面サイズよりも小さい。上方から見てチップタブ３の配置位置の全部が半導体チップ５の配置位置と重なっている。さらに、封止樹脂１３に起因して半導体チップ５に加わる応力の大きさがチップタブ３上で均一になる位置関係でチップタブ３の周縁と上記半導体チップ５の周縁は間隔をもって配置されている。上記回路部品は半導体チップ５内部で上記チップタブ３上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】吊りリードの絶縁性を確保しつつ、パッケージを小型化することができる樹脂封止型半導体装置を得る。
【解決手段】ダイパッド１０，１２上に半導体チップ２０，２２が搭載されている。ダイパッド１２から離れてリード端子１６が配置されている。半導体チップ２２とリード端子１６はワイヤ２４により接続されている。ダイパッド１０に吊りリード１８が接続されている。これらのダイパッド１０，１２、半導体チップ２０，２２、リード端子１６の一部、ワイヤ２４、及び吊りリード１８の一部は、モールド樹脂３０により封止されている。リード端子１６は、モールド樹脂３０の側面から外部に突出している。モールド樹脂３０の側面には切り欠き３６が形成されている。吊りリード１８は、切り欠き３６の奥からモールド樹脂３０の外部に突出している。吊りリード１８のモールド樹脂３０の外部に突出した部分は、ポッティング樹脂５２により覆われている。 （もっと読む）

【課題】接地電源用パッド数の増加や半導体チップの大面積化を伴うことなく、接地電源のインダクタンスを低化させてＬＳＩ電位変動を抑制することを目的とする。
【解決手段】ダイパッド３をＬＳＩ電位の外部端子として機能させ、ＬＳＩ電位の供給をダイパッド３から樹脂基板４の接続ビア１１ｂを介して行うことにより、ＬＳＩ電位の電流経路が短縮されると共に電流経路の断面積を拡大することが可能となり、接地電源用パッド数の増加や半導体チップ２の大面積化を伴うことなく、接地電源のインダクタンスを低化させてＬＳＩ電位変動を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの周囲が樹脂基板で封止された構造を有する半導体装置において、樹脂基板の反りの発生を防止すること。
【解決手段】表面側に接続電極２０ａを備えた半導体チップ２０と、半導体チップ２０の周囲を封止すると共に、半導体チップ２０の背面から下側に厚みＴをもって形成されて、下面が半導体チップの背面より下側に配置された樹脂基板３０とを含む。半導体チップ２０の接続電極２０ａにはんだを介さずに配線層５０が直接接続される。 （もっと読む）

【課題】リードフレーム及び半導体チップを封止するモールド樹脂とを備える半導体素子において、高温での特性劣化を抑制した半導体素子を提供すること。
【解決手段】半導体素子は、Ｃｕを含むリードフレーム ｂと、リードフレーム ｂ上に配置された半導体チップ ａと、リードフレーム ｂ及び半導体チップ ａを封止する、ハロゲンを含有しないモールド樹脂 ｃとを備える。モールド樹脂 ｃには、難燃化材として、ＳｎＯ₃、ＣｕＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃、ＭｏＯ₃等の金属酸化物、Ａｌ（ＯＨ）₃、Ｍｇ（ＯＨ）₂、ＺｎＳｎ（ＯＨ）₆等の金属水酸化物、２ＺＯ・３Ｂ₂Ｏ₃・３．５Ｈ₂Ｏ、（ＮＨ₄）₂Ｏ・５Ｂ₂Ｏ₃・８Ｈ₂Ｏ等のホウ酸を含有する化合物等を含むエポキシ樹脂を用いることができる。また、モールド樹脂 ｃは、主鎖にベンゼン環を有する安定で炭化しやすい化合物や原子間の結合が強い有機化合物を含むエポキシ樹脂であってもよい。 （もっと読む）

【課題】吊りリードの絶縁性を確保しつつ、パッケージを小型化することができる樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】ダイパッド１０，１２上に半導体チップ２０，２２が搭載されている。ダイパッド１２から離れてリード端子１６が配置されている。半導体チップ２２とリード端子１６はワイヤ２４により接続されている。ダイパッド１０に吊りリード１８が接続されている。これらのダイパッド１０，１２、半導体チップ２０，２２、リード端子１６の一部、ワイヤ２４、及び吊りリード１８の一部は、モールド樹脂３０により封止されている。リード端子１６は、モールド樹脂３０の側面から外部に突出している。モールド樹脂３０の側面には切り欠き３６が形成されている。切り欠き３６は、開口側の部分４２が奥側の部分４４よりも狭い。吊りリード１８は、切り欠き３６の奥からモールド樹脂３０の外部に突出している。 （もっと読む）

【課題】金または銀を含む金属電極に対して優れた接着性を有する半導体用硬化性シリコーン組成物及びそれを用いた高信頼性の半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）１分子中にアルケニル基を２個以上有するポリオルガノシロキサン、（Ｂ）１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を２個以上有するオルガノシロキサンオリゴマーと少なくとも１個のアルケニル基を有するイソシアヌレート化合物との反応生成物を含むポリオルガノハイドロジェンシロキサン、および（Ｃ）ヒドロシリル化反応触媒及び／又はラジカル開始剤を含有し、（Ｂ）成分の配合量が、前記（Ａ）成分のアルケニル基１モルに対して、ケイ素原子に結合した水素原子が０．０１〜３．０モルとなる量（但し、前記オルガノシロキサンオリゴマーとイソシアヌレートとの反応生成物の配合量が０．０１〜１．５モルとなる量）である。 （もっと読む）

【課題】パッケージング処理中に異なる応力下で起こり得る配線の破損を防止することと、リードフレームの空間を効率的に利用して、除去する動作バーの容量をさらに低減すること。
【解決手段】発光ダイオードパッケージ構造は伝導性組立品、半導体チップ、パッケージ本体を含んでいる。伝導性組立品は、チップ支持部とボンディング支持部を含んでいる。チップ支持部にはキャリア面があり、ボンディング支持部にはキャリア面を包囲する少なくとも１個の配線部分がある。半導体チップはキャリア面上に配置され、配線を介して配線部分に電気的に接続している。次に、パッケージは、半導体チップ、配線、キャリア面、配線部分を封入するために使用され、発光ダイオードパッケージ構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】リードフレームに直接接合される表面実装素子に起因して過電流が流れ予期せぬ部位に不都合が発生しないようにすることができる回路装置を提供する。
【解決手段】２の端子をもつコンデンサ６１と、コンデンサ６１の端子を端子接合部のそれぞれに直接接合されたリードフレーム２０及び３０と、コンデンサ６１及びリードフレーム２０及び３０を封止する封止材８０と、を有し、リードフレーム２０及び３０は封止材８０にて封止するときに挟持して支持できる支持部と、コンデンサ６１に対して電気的に直列な部位に電気的に切断された切断部（リードフレーム３０及び４０の間）とをもち、リードフレームの切断部に接合されて電気的に接続し且つリードフレーム２０、３０及び４０が溶断するよりも低い電流で溶断するボンディングワイヤ７１を有する。 （もっと読む）

【課題】簡便に不良品を選別できる半導体装置の製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる半導体装置の製造方法は、互いに対向する第１リードフレーム板１１ａと第２リードフレーム板１５ａとの間に、複数のペレット１３を面状に配置して接続し、第１リードフレーム板１１ａと第２リードフレーム板１５ａとの間に樹脂１６を充填させて、複数のペレット１３を封止し、第１リードフレーム板１１ａ、樹脂１６、及び第２リードフレーム板１５ａからなる積層体に対し、隣接するペレット１３間で第１のダイシングを行って、少なくとも第１リードフレーム板１１ａを切断分離し、少なくとも第１リードフレーム板１１ａが切断分離された積層体にめっきを施し、隣接するペレット１３間の残りの積層体に第２のダイシングを行って、各半導体装置１に個片化するものである。 （もっと読む）

【課題】アウターリードレスタイプのモールドパッケージにおいて、リード部と被接合部材とを溶接するにあたって当該溶接時の熱をモールド樹脂に伝わりにくくする。
【解決手段】モールド樹脂４０の下面４２にて露出するリード部３０の下面３２が、被接合部材２００と溶接されるようになっているアウターリードレスタイプのモールドパッケージ１００において、リード部３０の下面３２とは反対側の上面３１とモールド樹脂４０との間に、モールド樹脂４０よりも熱伝導性の低い低熱伝導部としての隙間部６０を設けた。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路パッケージの温度上昇を抑制できるプリント基板を提供する。
【解決手段】パッケージ本体の周辺から外部に延びるリード５、６を有する半導体集積回路パッケージ２を基板３に設けられた厚み方向に貫通した開口部４に挿入し、半導体集積回路パッケージ２の周辺に設けられ、先端近傍に上に凸の部位を有する上部リード５と、先端近傍に下に凸の部位を有する下部リード６によりプリント基板を挟むことにより装着する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に関する情報が不特定の者に容易に認識されるということは、セキュリティ対策として逆効果となってしまう。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ４０が載置されたアイランド１０と、アイランド１０上に設けられ、当該半導体装置１に関する情報を示すテープ２０と、テープ２０を覆う封止樹脂３０（被覆膜）と、を備えている。 （もっと読む）

（I）アルケニル官能性フェニル含有ポリオルガノシロキサン、Si-H官能性フェニル含有ポリオルガノシロキサン、またはこれらの組み合わせ；（II）特定の分子量を有するハイドロジェンジオルガノシロキシ末端オリゴジフェニルシロキサン、特定の分子量を有するアルケニル官能性ジオルガノシロキシ末端オリゴジフェニルシロキサン、またはこれらの組み合わせ；及び（III）ヒドロシリル化触媒を含む組成物。光放出装置は、前記組成物を光源上に適用した後に硬化させることによって製造される。前記組成物は、光放出装置用の封入材としての使用に適当な機械的特性を有する硬化物質を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、樹脂封止型の半導体パッケージ装置において、樹脂封止を行う際に、樹脂による成形性を安定化させることができるようにする。
【解決手段】たとえば、ボンディングパッド群が一辺に設けられたチップ１０をリードフレーム１１上に搭載し、樹脂１５で封止した半導体パッケージ装置において、リードフレーム１１は一対の内部リード群１１ａ，１１ｂを有し、チップ１０は裏面の有機系絶縁膜１２を介して、長い方の内部リード１１ｂ群および吊りピン部１１ｆ上に搭載されている。吊りピン部１１ｆは、長い方の内部リード１１ｂの、最も外側の内部リードに接続されるとともに、チップ１０の裏面に固着されて、チップ１０を安定にホールドする構成となっている。 （もっと読む）

【課題】パワー用半導体素子チップとそれを制御する制御用ＩＣチップとをモールド樹脂で封止した半導体装置であって、放熱性に優れたもの、およびその製造方法を実現する。
【解決手段】パワー用半導体素子チップ５ａ，５ｂを封止する第２のモールド樹脂３の熱伝導率を、制御用ＩＣチップ７を封止する第１のモールド樹脂２の熱伝導率よりも高くする。大電流の流れるパワー用半導体素子チップ５ａ，５ｂから発生する熱を、高熱伝導の第２のモールド樹脂３から有効に放熱することができ、半導体装置１００の放熱特性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 フォトカプラや半導体リレーなどとして実現され、リードフレーム上に発光素子と受光素子とが相互に対向配置され、それらの素子部分を透光性の１次パッケージで覆い、その１次パッケージの外側を遮光性および非透湿性を有する２次パッケージで覆うことで作製される光結合素子において、小型化しても信頼性を確保する。
【解決手段】 １次パッケージ２３のモールド時におけるモールド樹脂の漏出を防止するリードフレームの１次タイバー２１の素子側の縁部２１ｂにおいて、リード端子２７近傍部分を素子側に拡幅形成した拡幅部２１ａを形成する。したがって、１次成形後に１次タイバー２１をカットして２次成形を行うと、薄肉の２次パッケージ２４であっても、前記拡幅部２１ａまでの部分を確実に覆うので、１次パッケージ２３が外部に露出することはなく、１次パッケージ２３を通して水分が侵入するのを確実に防止することができる。 （もっと読む）