半導体装置
【課題】過電流が流れた際に確実に電流を遮断することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】第１半導体部材１０と、第２半導体部材２０と、第１半導体部材１０と第２半導体部材２０とを一体的にモールドするモールド樹脂４０と、を備えた半導体装置１００であって、第１半導体装置１０の第１接続部１２ａと第２半導体装置２０の第２接続部２１ａとは、モールド樹脂４０から露出した位置において互いに対向して配置された対向部を有し、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａにおける各対向部は、互いに電気的及び機械的に接続された接触部１２ａ１，２１ａ１と、互いに接触しておらず、互いに流れる電流の向きが逆方向となることで互いに斥力が働く非接触部１２ａ２，２１ａ２と、を含む。
【解決手段】第１半導体部材１０と、第２半導体部材２０と、第１半導体部材１０と第２半導体部材２０とを一体的にモールドするモールド樹脂４０と、を備えた半導体装置１００であって、第１半導体装置１０の第１接続部１２ａと第２半導体装置２０の第２接続部２１ａとは、モールド樹脂４０から露出した位置において互いに対向して配置された対向部を有し、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａにおける各対向部は、互いに電気的及び機械的に接続された接触部１２ａ１，２１ａ１と、互いに接触しておらず、互いに流れる電流の向きが逆方向となることで互いに斥力が働く非接触部１２ａ２，２１ａ２と、を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、特許文献１に示すように、過電流からの保護を図ることができる半導体装置があった。
【０００３】
特許文献１に記載された半導体装置（パワーモジュール）は、第一半導体素子と第二半導体素子とを有している。第一半導体素子は、第一エミッタ電極と第一コレクタ電極に挟まれており、第二半導体素子は、第二エミッタ電極と第二コレクタ電極に挟まれている。また、第一半導体素子側の第一エミッタ電極と第二半導体素子側の第二コレクタ電極とは、アルミリボンボンドなどからなる接続部材を介して電気的に接続されている。そして、第一半導体素子と第二半導体素子および接続部材は，モールド樹脂でモールドされることにより一体となっている。さらに、接続部材は、ヒューズ機能を兼ねており、第一半導体素子と第二半導体素子間の短絡や負荷短絡時に溶断するようになっている。つまり、この半導体装置は、過電流時に接続部材をオープン故障させることで、電流を遮断するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１２０９７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に開示された半導体装置では、接続部材がモールド樹脂でモールドされているため、過電流によって接続部材が溶断したとしても、溶断した接続部材同士がモールド樹脂によって十分に離れないことがある。このように、溶断した接続部材同士が十分に離れなかった場合、溶断した接続部材同士が接触する可能性がある。また、溶断した接続部材同士が接触しなかったとしても、接続部材同士の間隔が不十分なためにアーク放電が起こる可能性がある。よって、この半導体装置では、過電流時に電流を遮断できないことが起こりうる。
【０００６】
上記問題点に鑑み、過電流が流れた際に確実に電流を遮断することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために請求項１に記載の半導体装置は、
両面に電極を備えた第１半導体素子（１３）と、
第１半導体素子（１３）の各電極に夫々接続され、第１半導体素子（１３）の放熱部材として機能する一対の金属体（１１，１２）と、を有する第１半導体部材（１０，１０ａ）と、
両面に電極を備えた第２半導体素子（２３）と、
第２半導体素子（２３）の各電極に夫々接続され、第２半導体素子（２３）の放熱部材として機能する一対の金属体（２１，２２）と、を有する第２半導体部材（２０，２０ａ）と、
第１半導体部材（１０，１０ａ）を一体的にモールドするとともに、第２半導体部材（２０，２０ａ）を一体的にモールドするモールド樹脂（４０）と、を備え、
第１半導体部材（１０，１０ａ）の金属体（１１，１２）における一方の金属体である第１金属体と、第２半導体部材（２０，２０ａ）の金属体（２１，２２）における一方の金属体である第２金属体とが電気的に接続された半導体装置であって、
第１半導体部材（１０，１０ａ）の第１金属体に設けられた第１接続部（１２ａ）と、
第２半導体部材（２０，２０ａ）の第２金属体に設けられた第２接続部（２１ａ）と、を備え、
第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）とは、モールド樹脂（４０）から露出した位置において互いに対向して配置された対向部を有し、
第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）における各対向部は、
互いに電気的及び機械的に接続された接触部（１２ａ１，２１ａ１）と、
互いに接触しておらず、互いに流れる電流の向きが逆方向となることで互いに斥力が働く非接触部（１２ａ２，２１ａ２）と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
このように、斥力が働く非接触部（１２ａ２，２１ａ２）を設けることによって、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）とに過電流が流れたときに第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）、及び第１接続部（１２ａ）の非接触部（１２ａ２）、及び第２接続部（２１ａ）の非接触部（２１ａ２）の少なくとも一つを切断させることができる。特に、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）とが接続された部位は、比較的切断しやすい。つまり、一体物を切断させるよりも、容易に切断させることができる。特に、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）の方が容易に切断させることができる。
【０００９】
また、接触部（１２ａ１，２１ａ１）及び非接触部（１２ａ２，２１ａ２）は、モールド樹脂（４０）から露出した位置に設けられている。このため、非接触部（１２ａ２，２１ａ２）又は接触部（１２ａ１，２１ａ１）は、非接触部（１２ａ２，２１ａ２）に斥力が働いた際に、モールド樹脂（４０）からの応力を受けにくい。よって、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）が切断される際に、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）の切断された部位同士を離れやすくすることができる。従って、過電流が流れた際に、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）とに流れる電流を確実に遮断することができる。換言すると、過電流が流れた際に、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）とを確実にオープン故障とすることができる。
【００１０】
また、請求項２に示すように、第１半導体部材（１０ａ）と第２半導体部材（２０ａ）とは、モールド樹脂（４０）によって、別体としてモールドされるようにしてもよい。
【００１１】
このようにすることによって、モールド樹脂（４０）でモールドされた半導体部材（１０ａ、所謂１ｉｎ１構造の半導体部材）と、モールド樹脂（４０）でモールドされた半導体部材（２０ａ、所謂１ｉｎ１構造の半導体部材）とが接続された半導体装置とすることができる。このような構造の半導体装置であっても、過電流が流れた際に、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）とに流れる電流を確実に遮断することができる。
【００１２】
また、請求項３に示すように、第１半導体部材（１０）と第２半導体部材（２０）とは、モールド樹脂（４０）によって、一体的にモールドされるようにしてもよい。
【００１３】
このようにすることによって、第１半導体部材（１０）と第２半導体部材（２０）とが一体的にモールドされた半導体装置（所謂２ｉｎ１構造の半導体装置）とすることができる。このような構造の半導体装置であっても、過電流が流れた際に、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）とに流れる電流を確実に遮断することができる。
【００１４】
また、請求項４に示すように、接触部（１２ａ１，２１ａ１）及び非接触部（１２ａ２，２１ａ２）は、モールド樹脂（４０）に設けられた開口部（６０）に配置されることで、モールド樹脂（４０）から露出するようにしてもよい。
【００１５】
また、請求項５に示すように、非接触部（１２ａ２，２１ａ２）間におけるモールド樹脂（４０）の端部に位置する領域には、絶縁部材（５０）が配置されるようにしてもよい。
【００１６】
このようにすることによって、モールド樹脂（４０）にてモールド成型する際に、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）との隙間からモールド樹脂（４０）が漏れだすことを抑制できる。
【００１７】
また、請求項６に示すように、接触部（１２ａ１，２１ａ１）にて接続された第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）とは、第１半導体部材（１０，１０ａ）と第２半導体部材（２０，２０ａ）の出力端子をなすものであってもよい。
【００１８】
このようにすることによって、第１半導体部材（１０，１０ａ）と第２半導体部材（２０，２０ａ）の出力端子（第１接続部（１２ａ）及び第２接続部（２１ａ））の他に、第１半導体部材（１０，１０ａ）と第２半導体部材（２０，２０ａ）とを電気的及び機械的に接続する接続部を別途設ける必要がない。
【００１９】
また、請求項７に示すように、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）は、接触部（１２ａ１，２１ａ１）にのみ、接触部（１２ａ１，２１ａ１）が対向する方向に貫通する貫通孔（１２ａ３，２１ａ３）が形成されるものであってもよい。
【００２０】
このようにすることで、接触部（１２ａ１，２１ａ１）同士の接触面積を小さくすることができる。よって、過電流が流れた際に、第１接続部（１２ａ）の接触部（１２ａ１）と第２接続部（２１ａ）の接触部（２１ａ１）とを切断しやすくすることができる。
【００２１】
また、非接触部（１２ａ２，２１ａ２）にも同様の貫通孔が設けられていた場合、非接触部（１２ａ２，２１ａ２）間の対向面積が小さくなって、非接触部（１２ａ２，２１ａ２）に働く斥力が低減する可能性がある。しかしながら、非接触部（１２ａ２，２１ａ２）には、貫通孔（１２ａ３，２１ａ３）が設けられていない。よって、非接触部（１２ａ２，２１ａ２）に働く斥力が低減することを抑制できる。
【００２２】
なお、第１接続部（１２ａ）の接触部（１２ａ１）と第２接続部（２１ａ）の接触部（２１ａ１）は、ディップ半田付けで互いに接続することも考えられる。各接触部（１２ａ１，２１ａ１）に貫通孔（１２ａ３，２１ａ３）を設けることで、ディップ半田付けする際に、接触部（１２ａ１，２１ａ１）間に半田を入り込みやすくすることができる。また、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）と同じ方向にモールド樹脂（４０）から露出する信号端子(１６，２６)を備える場合、信号端子（１６，２６）にディップ半田付けするのと同時に接触部（１２ａ１）と接触部（２１ａ１）とをディップ半田付けで互いに接続することができる。なお、この信号端子（１６）は、第１半導体素子（１３）に接続されているものであり、信号端子（２６）は、第２半導体素子（２３）に接続されているものである。
【００２３】
また、請求項８に示すように、非接触部（１２ａ２，２１ａ２）を電流が流れる方向に垂直な方向から切断した断面の面積は、接触部（１２ａ１，２１ａ１）を同一方向から切断した断面の面積よりも広くしてもよい。
【００２４】
このようにすることで、過電流が流れたときに、第１接続部（１２ａ）の接触部（１２ａ１）と第２接続部（２１ａ）の接触部（２１ａ１）とを切断しやすくすることができる。
【００２５】
また、請求項９に示すように、非接触部（１２ａ２，２１ａ２）を電流が流れる方向に垂直な方向から切断した断面の面積と、接触部（１２ａ１，２１ａ１）を同一方向から切断した断面の面積とは同じであり、且つ、非接触部（１２ａ２，２１ａ２）の断面の面積及び接触部（１２ａ１，２１ａ１）の断面の面積は、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）における他の部分を電流が流れる方向に垂直な方向から切断した断面の面積よりも狭くしてもよい。
【００２６】
このようにすることで、接触部（１２ａ１，２１ａ１）及び非接触部（１２ａ２，２１ａ２）における電流密度を大きくすることができ、斥力を大きくすることができる。よって、過電流が流れたときに、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）とを切断しやすくすることができる。
【００２７】
また、請求項１０に示すように、非接触部（１２ａ２，２１ａ２）は、少なくとも一部に切り込みを入れられた部分（１２ａ５，２１ａ５）を有するようにしてもよい。
【００２８】
このようにすることで、過電流が流れたときに、非接触部（１２ａ２，２１ａ２）における切り込みを入れられた部分（１２ａ５，２１ａ５）で切断しやすくすることができる。
【００２９】
また、請求項１１に示すように、
前記第１半導体部材（１０，１０ａ）と前記第２半導体部材（２０，２０ａ）は、前記第１半導体素子（１３）と一対の金属体（１１，１２）との積層方向と、前記第２半導体素子（２３）と一対の金属体（２１，２２）との積層方向とが平行となるように配置され、
第２接続部（２１ａ）が設けられた第２金属体と、第１半導体部材（１０，１０ａ）の第１接続部（１２ａ）が設けられていない第３金属体とが同一平面上に設けられ、
第１接続部（１２ａ）が設けられた第１金属体と、第２半導体部材（２０，２０ａ）の第２接続部（２１ａ）が設けられていない第４金属体とが同一平面上に設けられ、
第１接続部（１２ａ）は、
第１金属体と第４金属体との対向領域外に配置された接触部（１２ａ１）及び非接触部（１２ａ２）に加えて、
第１金属体と第４金属体との対向領域に配置され、第１半導体部材（１０，１０ａ）と第２半導体部材（２０，２０ａ）の配置方向に対して平行且つ斜めに配置された屈曲部（１２ａ４）を含み、
第２接続部（２１ａ）は、
第２金属体と第３金属体との対向領域外に配置された接触部（２１ａ１）及び非接触部（２１ａ２）に加えて、
第２金属体と第３金属体との対向領域に配置され、第１半導体部材（１０，１０ａ）と第２半導体部材（２０，２０ａ）の配置方向に対して平行且つ斜めに配置された屈曲部（２１ａ４）を含むようにしてもよい。
【００３０】
第１金属体と第２金属体とが同電位であり、第１金属体と第４金属体や第２金属体と第３金属体が異なる電位である場合、第１金属体と第４金属体、及び第２金属体と第３金属体はある程度離して配置することが要求される。そこで、請求項１１に示すようにすることによって、第１金属体における第１接続部（１２ａ）と第２半導体部材（２０）における第４金属体との固体絶縁距離、及び第２金属体における第２接続部（２１ａ）と第１半導体部材（１０）における第３金属体との固体絶縁距離を長くすることができる。つまり、電位が異なる部材同士の固体絶縁距離を長くすることなできるので好ましい。
【００３１】
また、請求項１２に示すように、第１金属体と第１接続部（１２ａ）とは別部材からなり、第２金属体と第２接続部（２１ａ）とは別部材からなるものであってもよい。
【００３２】
このようにすることで、第１金属体と第１接続部（１２ａ）、及び第２金属体と第２接続部（２１ａ）の寸法上の制限を軽減し、サイズを自由に設計しやすくすることができる。
【００３３】
また、請求項１３に示すように、接触部（１２ａ１，２１ａ１）間の間隔を非接触部（１２ａ２，２１ａ２）間の間隔よりも狭くすることによっても、過電流が流れたときに、第１接続部（１２ａ）の接触部（１２ａ１）と第２接続部（２１ａ）の接触部（２１ａ１）とを切断しやすくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の実施形態における半導体装置の概略構成を示す平面図（上面図）である。
【図２】本発明の実施形態における半導体装置のモールド樹脂内部の概略構成を示す図面であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視図である。
【図３】本発明の実施形態における半導体装置の回路構成を示す等価回路である。
【図４】変形例１における半導体装置の概略構成を示す平面図である。
【図５】変形例２における半導体装置の概略構成を示す平面図である。
【図６】変形例３における半導体装置のモールド樹脂内部の概略構成を示す平面図である。
【図７】変形例４における半導体装置のモールド樹脂内部の概略構成を示す平面図である。
【図８】変形例５における半導体装置の概略構成を示す斜視図である。
【図９】変形例６における半導体装置の概略構成を示す斜視図である。
【図１０】変形例７における半導体装置の概略構成を示す平面図である。
【図１１】変形例８における半導体装置のモールド樹脂内部の概略構成を示す平面図である。
【図１２】変形例９における半導体装置のモールド樹脂内部の概略構成を示す平面図である。
【図１３】変形例１０における半導体装置のモールド樹脂内部の概略構成を示す平面図である。
【図１４】変形例１１における半導体装置のモールド樹脂内部の概略構成を示す平面図である。
【図１５】変形例１２における半導体装置の概略構成を示す図面であり、（ａ）はモールド樹脂内部の平面図、（ｂ）はモールド樹脂が設けられた平面図である。
【図１６】変形例１３における半導体装置の概略構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、本発明の実施形態を図に基づいて説明する。
【００３６】
図１，図２，図３に示す半導体装置１００は、例えば車両のインバータ回路に組み入れられ、負荷（例えばモータ等）をＰＷＭ制御するための装置として適用される。換言すると、半導体装置１００は、パワーカードをなすものである。
【００３７】
この半導体装置１００は、主に、上アーム回路部１０（第１半導体部材）と下アーム回路部２０（第２半導体部材）とを備え、これらが一体的にモールド樹脂（絶縁性樹脂）４０にてモールドされたものである。なお、ここでは、半導体素子（第１半導体素子）１３とダイオード（図示省略）などを含む上アーム回路部１０と、半導体素子（第２半導体素子）２３とダイオード（図示省略）を含む下アーム回路部２０を１つのパッケージに収めたもの（２ｉｎ１パッケージ）を一例として採用する。
【００３８】
上アーム回路部１０は、図２（ａ），（ｂ）に示すように、主に、一対の上アーム側ヒートシンク１１，１２、上アーム側上下アーム接続部（第１接続部）１２ａ、半導体素子１３などを備えている。上アーム回路部１０は、この他に、外部リード（以下、Ｐ端子とも称する）１１ａ、ターミナル１４、ボンディングワイヤ１５、信号端子１６などを備えていてもよい。
【００３９】
半導体素子１３は、両面に電極（表面電極と裏面電極）を備えるものであり、ＩＧＢＴやＲＣ−ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴなどのスイッチング素子を採用することができる。ここでは、ＲＣ−ＩＧＢＴを採用する。この半導体素子１３は、ボンディングワイヤ２５を介して信号用端子２６と電気的に接続されている。
【００４０】
また、図２（ｂ）に示すように、上アーム側ヒートシンク１１，１２は、半導体素子１３の各電極（両面の電極の夫々）に接続され、半導体素子１３の熱を放熱する放熱部材として機能する一対の金属体である。また、上アーム側ヒートシンク１１，１２は、半導体素子１３に電気的に接続された配線（配線の一部）としても機能する。このように、半導体素子１３は、一対の上アーム側ヒートシンク１１，１２に挟みこまれている。
【００４１】
この上アーム側ヒートシンク１１は、特許請求の範囲における第３金属体に相当するものである。よって、以下の説明においては、上アーム側ヒートシンク１１を第３金属体１１とも称する。また、上アーム側ヒートシンク１２は、特許請求の範囲における第１金属体に相当するものである。よって、以下の説明においては、上アーム側ヒートシンク１２を第１金属体１２とも称する。
【００４２】
第３金属体１１は、半導体素子１３の一方の電極（ここでは裏面電極）と接続されている。一方、第１金属体１２は、金属からなるターミナル１４を介して半導体素子１３の他方の電極（ここでは表面電極）と接続されている。このターミナル１４は、信号端子１６と半導体素子１３とを電気的に接続しているボンディングワイヤ１５が第１金属体１２に接触しないようにするためのものである。また、ターミナル１４は、半導体素子１３の熱を放熱する放熱部材として機能するとともに、半導体素子１３に電気的に接続された配線（配線の一部）としても機能するものである。なお、第１金属体１２、第３金属体１１、ターミナル１４は、熱伝導性及び電気伝導性を確保すべく、例えば、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、又は、これら金属の少なくとも１種類を含む合金などの熱伝導性及び電気伝導性に優れた金属材料からなる。
【００４３】
図２（ａ），（ｂ）に示すように、第３金属体１１は、例えば直方体形状を有し、半導体素子１３の裏面電極と対向して配置され、この裏面電極と電気的に接続されている。また、この第３金属体１１には、外部リード（以下、Ｐ端子とも称する）１１ａが設けられている。Ｐ端子１１ａは、例えば第３金属体１１の側壁の一部に設けられている。なお、本実施形態における第３金属体１１とＰ端子１１ａとは、一体的に設けられている（すなわち一体物として設けられている）。よって、半導体素子１３は、Ｐ端子１１ａと電気的に接続されている。ただし、図２（ｂ）においては、図面を簡略化するために、Ｐ端子１１ａの図示は省略している。
【００４４】
また、図２（ａ），（ｂ）に示すように、第１金属体１２は、例えば直方体形状を有し半導体素子１３の表面電極と対向して配置され、この表面電極とターミナル１４を介して電気的に接続されている。また、この第１金属体１２には、上アーム側上下アーム接続部１２ａが設けられている。この上アーム側上下アーム接続部１２ａは、特許請求の範囲における第１接続部に相当するものである。よって、以下の説明においては、上アーム側上下アーム接続部１２ａを第１接続部１２ａとも称する。
【００４５】
第１接続部１２ａは、例えば第１金属体１２の側壁の一部から突出して設けられている。なお、本実施形態における第１金属体１２と第１接続部１２ａとは、一体的に設けられている（すなわち一体物として設けられている）。よって、半導体素子１３は、第１接続部１２ａと電気的に接続されていることになる。
【００４６】
この第１接続部１２ａは、上アーム側接触部１２ａ１と上アーム側非接触部１２ａ２とを含む。なお、この第１接続部１２ａに関しては、後ほど詳しく説明する。また、以下の説明においては、上アーム側接触部１２ａ１を単に接触部１２ａ１とも称する。同様に、以下の説明においては、上アーム側非接触部１２ａ２を単に非接触部１２ａ２とも称する。
【００４７】
一方、下アーム回路部２０は、図２（ａ），（ｂ）に示すように、主に、一対の下アーム側ヒートシンク２１，２２、下アーム側上下アーム接続部（第２接続部）２１ａ、半導体素子２３などを備えている。下アーム回路部２０は、この他に、外部リード（以下、Ｎ端子とも称する）２２ａ、外部リード（以下、Ｏ端子とも称する）２１ｂ、ターミナル２４、ボンディングワイヤ２５、信号端子２６などを備えていてもよい。
【００４８】
半導体素子２３は、両面に電極（表面電極と裏面電極）を備えるものであり、ＩＧＢＴやＲＣ−ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴなどのスイッチング素子を採用することができる。ここではＲＣ−ＩＧＢＴを採用する。この半導体素子２３は、ボンディングワイヤ２５を介して信号用端子２６と電気的に接続されている。
【００４９】
また、図２（ｂ）に示すように、下アーム側ヒートシンク２１，２２は、半導体素子２３の各電極（両面の電極の夫々）に接続され、半導体素子２３の熱を放熱する放熱部材として機能する一対の金属体である。また、下アーム側ヒートシンク２１，２２は、半導体素子２３に電気的に接続された配線（配線の一部）としても機能する。このように、半導体素子２３は、一対の下アーム側ヒートシンク２１，２２に挟みこまれている。
【００５０】
この下アーム側ヒートシンク２１は、特許請求の範囲における第２金属体に相当するものである。よって、以下の説明においては、下アーム側ヒートシンク２１を第２金属体２１とも称する。また、下アーム側ヒートシンク２２は、特許請求の範囲における第４金属体に相当するものである。よって、以下の説明においては、下アーム側ヒートシンク２２を第４金属体１２とも称する。
【００５１】
第２金属体２１は、半導体素子２３の一方の電極（ここでは裏面電極）と接続されている。一方、第４金属体２２は、金属からなるターミナル２４を介して半導体素子２３の他方の電極（ここでは表面電極）と接続されている。このターミナル２４は、上述のターミナル１４と同様の構成、機能を有するものである。また、第２金属体２１、第４金属体２２、ターミナル２４は、熱伝導性及び電気伝導性を確保すべく、例えば、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、又は、これら金属の少なくとも１種類を含む合金などの熱伝導性及び電気伝導性に優れた金属材料からなる。
【００５２】
図２（ａ），（ｂ）に示すように、第４金属体２２は、例えば直方体形状を有し、半導体素子２３の表面電極と対向して配置され、この表面電極とターミナル２４を介して電気的に接続されている。また、この第４金属体２２には、外部リード（以下、Ｎ端子とも称する）２２ａが設けられている。Ｎ端子２２ａは、例えば第４金属体２２の側壁の一部から突出して設けられている。なお、本実施形態における第４金属体２２とＮ端子２２ａとは、一体的に設けられている（すなわち一体物として設けられている）。よって、半導体素子２３は、Ｎ端子２２ａと電気的に接続されていることになる。ただし、図２（ｂ）においては、図面を簡略化するために、Ｎ端子２２ａの図示は省略している。
【００５３】
また、図２（ａ），（ｂ）に示すように、第２金属体２１は、例えば直方体形状を有し半導体素子２３の裏面電極と対向して配置され、この裏面電極と電気的に接続されている。また、この第２金属体２１には、下アーム側上下アーム接続部２１ａと外部リード（以下、Ｏ端子とも称する）２１ｂが設けられている。この下アーム側上下アーム接続部２１ａは、特許請求の範囲における第２接続部に相当するものである。よって、以下の説明においては、下アーム側上下アーム接続部２１ａを第２接続部２１ａとも称する。
【００５４】
第２接続部２１ａ及びＯ端子２１ｂは、例えば第２金属体２１の側壁の一部から突出して設けられている。一例としては、第２接続部２１ａとＯ端子２１ｂは、第２金属体２１の異なる側壁の一部から突出して設けられている。なお、本実施形態における第２金属体２１と第２接続部２１ａとＯ端子２１ｂとは、一体的に設けられている（すなわち一体物として設けられている）。よって、半導体素子２３は、第２接続部２１ａ及びＯ端子２１ｂと電気的に接続されていることになる。ただし、図２（ｂ）においては、図面を簡略化するために、Ｏ端子２１ｂの図示は省略している。
【００５５】
この第２接続部２１ａは、下アーム側接触部２１ａ１と下アーム側非接触部２１ａ２とを含む。なお、この第２接続部２１ａに関しては、後ほど詳しく説明する。また、以下の説明においては、下アーム側接触部２１ａ１を単に接触部２１ａ１とも称する。同様に、以下の説明においては、下アーム側非接触部２１ａ２を単に非接触部２１ａ２とも称する。
【００５６】
このように構成された上アーム回路部１０と下アーム回路部２０とは、例えば図２（ｂ）に示すように配置されている。つまり、本実施形態における上アーム回路部１０と下アーム回路部２０とは、半導体素子１３と一対の上アーム側ヒートシンク１１，１２の積層方向と、半導体素子２３と一対の下アーム側ヒートシンク２１，２２との積層方向とが平行になるように配置されている。また、第３金属体１１と第２金属体２１とが同一平面上に設けられている。さらに、第１金属体１２と第４金属体２２とが同一平面上に設けられている。
【００５７】
また、一例としては、第１金属体１２における第４金属体２２と対向する側面に沿う仮想平面と、第３金属体１１における第２金属体２１と対向する側面に沿う仮想平面とは、一致している。同様に、第４金属体２２における第１金属体１２と対向する側面に沿う仮想平面（第２仮想平面）と、第２金属体２１における第３金属体１１と対向する側面に沿う仮想平面とは、一致している。
【００５８】
なお、第１金属体１２における第４金属体２２と対向する側面に沿う仮想平面のうち、第１金属体１２の側壁から第３金属体１１の側壁までの領域を第１仮想平面とも称する。この第１仮想平面は、第１金属体１２の側壁及び第３金属体１１の側壁を含む。一方、第４金属体２２における第１金属体１２と対向する側面に沿う仮想平面のうち、第４金属体２２の側壁から第２金属体２１の側壁までの領域を第２仮想平面とも称する。この第２仮想平面は、第４金属体２２の側壁及び第２金属体２１の側壁を含む。
【００５９】
以下の説明においては、半導体素子１３と一対の上アーム側ヒートシンク１１，１２の積層方向や、半導体素子２３と一対の下アーム側ヒートシンク２１，２２との積層方向を単に積層方向とも称する。また、上アーム回路部１０と下アーム回路部２０とが並ぶ方向を並列方向（配置方向）とも称する。
【００６０】
そして、本実施形態の半導体装置１００は、上アーム回路部１０の一対の金属体１１，１２における一方の金属体である第１金属体１２と、下アーム回路部２０の一対の金属体２１，２２における一方の金属体である第２金属体２１とが電気的に接続されている。つまり、上アーム回路部１０と下アーム回路部２０とは、第１接続部１２ａの接触部１２ａ１と第２接続部２１ａの接触部２１ａ１とが導電性接続部材（ここでは半田３０を採用する）で接続されることによって電気的に接続されている。このように電気的に接続された上アーム回路部１０と下アーム回路部２０を含む半導体装置１００は、図３に示す等価回路をなす。つまり、本実施形態における上アーム回路部１０と下アーム回路部２０（すなわち半導体素子１３と半導体素子２３）とは、直列に接続されている。よって、半導体装置１００は、Ｎ字型のパワーカード（半導体装置）と言い換えることができる。
【００６１】
ただし、本発明の半導体装置１００は、これに限定されるものではなく、上アーム回路部１０と下アーム回路部２０（すなわち半導体素子１３と半導体素子２３）とが並列に接続されていても、目的を達成することができる。
【００６２】
また、図１に示すように、上アーム回路部１０と下アーム回路部２０とは、モールド樹脂４０によってモールドされて一体的に設けられている。つまり、モールド樹脂４０は、上アーム回路部１０を一体的にモールドするとともに、下アーム回路部２０を一体的にモールドするものである。
【００６３】
より詳細には、第３金属体１１と第１金属体１２とに挟まれた半導体素子１３及び第２金属体２１と第４金属体２２とに挟まれた半導体素子２３は、モールド樹脂４０にて封止されている。また、第３金属体１１の表面（半導体素子１３と対向している面の裏面）及び第１金属体１２の表面（半導体素子１３と対向している面の裏面）は、半導体素子１３の熱を効率的に放熱させるために、モールド樹脂４０から露出している。同様に、第２金属体２１の表面（半導体素子２３と対向している面の裏面）及び第４金属体２２の表面（半導体素子２３と対向している面の裏面）は、半導体素子１３の熱を効率的に放熱させるために、モールド樹脂４０から露出している。
【００６４】
なお、ターミナル１４，２４及びボンディングワイヤ１５，２５は、モールド樹脂４０にて封止されている。また、Ｐ端子１１ａ、Ｎ端子２２ａ、Ｏ端子２１ｂ、信号端子１６，２６は、半導体装置１００と外部機器との電気的な接続を行うために、一部がモールド樹脂４０内に配置され、その他の部分がモールド樹脂４０から露出している。そして、第１接続部１２ａ、第２接続部２１ａは、後ほど詳しく説明するが、モールド樹脂４０から露出した部分を有している。換言すると、Ｐ端子１１ａ、Ｎ端子２２ａ、Ｏ端子２１ｂ、信号端子１６，２６、第１接続部１２ａ、第２接続部２１ａは、一部がモールド樹脂４０の外側に取り出されている。
【００６５】
より詳細には、Ｐ端子１１ａの少なくとも一部、Ｏ端子２１ｂの少なくとも一部、及びＮ端子２２ａの少なくとも一部は、モールド樹脂４０から同じ方向（例えば積層方向に沿う方向）に露出している。また、第１接続部１２ａの少なくとも一部（後ほど説明する対向部位）、第２接続部２１ａの少なくとも一部（後ほど説明する対向部位）、及び信号端子１６，２６の少なくとも一部はモールド樹脂４０から同じ方向（例えば積層方向及び並列方向に垂直な方向）に露出している。さらに、Ｐ端子１１ａなどと、第１接続部１２ａなどとは、モールド樹脂４０から異なる方向に露出している。
【００６６】
ここで、本発明の技術的特徴である第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとに関して詳しく説明する。図１，図２に示すように、上アーム回路部１０の第１接続部１２ａと下アーム回路部２０の第２接続部２１ａとは、モールド樹脂４０から露出した位置において互いに対向して配置された対向部を有している。この第１接続部１２ａと第２接続部２１ａにおける各対向部は、半田３０によって互いに電気的及び機械的に接続された接触部１２ａ１，２１ａ１を含む。さらに、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａにおける各対向部は、互いに接触しておらず、互いに流れる電流の向きが逆方向（図２（ｂ）の矢印）となることで互いに斥力が働く非接触部１２ａ２，２１ａ２とを含む。つまり、第１接続部１２ａの接触部１２ａ１と第２接続部２１ａの接触部２１ａ１とが対向して配置され、第１接続部１２ａの非接触部１２ａ２と第２接続部２１ａの非接触部２１ａ２とが対向して配置されている。
【００６７】
よって、第１接続部１２ａの接触部１２ａ１と第２接続部２１ａの接触部２１ａ１とは、向かい合っており、且つ、互いに半田３０で接続されている。一方、第１接続部１２ａの非接触部１２ａ２と第２接続部２１ａの非接触部２１ａ２とは、向かい合ってはいるが、互いに接触していない（接続されていない）。
【００６８】
なお、図２（ｂ）に示すように、第１接続部１２ａの対向部（接触部１２ａ１と非接触部１２ａ２）と第２接続部２１ａの対向部（接触部２１ａ１と非接触部２１ａ２）とは、並列方向に対して並列に配置すると好ましい。換言すると、第１接続部１２ａの対向部（接触部１２ａ１と非接触部１２ａ２）と第２接続部２１ａの対向部（接触部２１ａ１と非接触部２１ａ２）とは、横方向に並走させて配置すると好ましい。
【００６９】
このようにすることによって、モールド樹脂４０でモールドする際に、第１接続部１２ａの対向部（接触部１２ａ１と非接触部１２ａ２）と第２接続部２１ａの対向部（接触部２１ａ１と非接触部２１ａ２）との隙間からモールド樹脂４０が漏れだすことを抑制することができる。つまり、第１接続部１２ａの対向部（接触部１２ａ１と非接触部１２ａ２）と第２接続部２１ａの対向部（接触部２１ａ１と非接触部２１ａ２）との隙間を上下型で抑え込みつつ、モールド成型することによって、モールド樹脂４０が漏れだすことを抑制することができる。
【００７０】
このように、接触部１２ａ１，２１ａ１と非接触部１２ａ２，２１ａ２とをモールド樹脂４０から露出した位置に設けるのは、過電流が流れたときに、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとを確実にオープン故障させるためである。
【００７１】
図２（ａ），（ｂ）に示すように、本実施形態における第１接続部１２ａは、第１金属体１２における下アーム回路部２０側の側壁（第４金属体２２と対向する側壁）から下アーム回路部２０側（第４金属体２２側）に突出し、且つ、積層方向及び並列方向に対して垂直な方向に延設されている。この垂直方向に設けられた部位は、直線的に設けられた棒状の部位と言い換えることができる。そして、第１接続部１２ａのうち、この垂直方向に設けられた部位に接触部１２ａ１と非接触部１２ａ２が含まれている。また、接触部１２ａ１は、例えば第１接続部１２ａにおける第１金属体１２との接続部側から非接触部１２ａ２を介して配置されている。また、接触部１２ａ１は、例えば第１接続部１２ａにおける先端（第１金属体１２との接続部側ではない端部）に配置されている。
【００７２】
また、図２（ａ），（ｂ）に示すように、本実施形態における第２接続部２１ａは、第２金属体２１における上アーム回路部１０側の側壁（第３金属体１１と対向する側壁）から上アーム回路部１０側（第３金属体１１側）に突出し、且つ、積層方向及び並列方向に対して垂直な方向に延設されている。この垂直方向に設けられた部位は、直線的に設けられた棒状の部位と言い換えることができる。そして、第２接続部２１ａのうち、この垂直方向に設けられた部位に接触部２１ａ１と非接触部２１ａ２が含まれている。また、接触部２１ａ１は、例えば第２接続部２１ａにおける第２金属体２１との接続部側から非接触部２１ａ２を介して配置されている。また、接触部２１ａ１は、例えば第２接続部２１ａにおける先端（第２金属体２１との接続部側ではない端部）に配置されている。
【００７３】
また、本実施形態における接触部１２ａ１，２１ａ１、及び非接触部１２ａ２，２１ａ２は、第１金属体１２と第４金属体２２との対向領域や第２金属体２１と第３金属体１１との対向領域の外に配置されている。換言すると、接触部１２ａ１，２１ａ１、及び非接触部１２ａ２，２１ａ２は、第１仮想平面と第２仮想平面に挟まれた領域外に配置されている。
【００７４】
なお、本発明の半導体装置１００における第１接続部１２ａと第２接続部２１ａは、これに限定されるものではない。第１接続部１２ａと第２接続部２１ａは、モールド樹脂４０から露出した位置において互いに対向して配置された対向部を有しており、この各対向部に接触部１２ａ１と非接触部１２ａ２及び接触部２１ａ１と非接触部２１ａ２を含むものであれば採用することができる。
【００７５】
ここで、図１に示す半導体装置１００の製造方法の一例を説明する。まず、上アーム回路部１０と下アーム回路部２０の夫々を、リフローなどによって作成する。このとき、上アーム回路部１０と下アーム回路部２０の夫々は、図２（ｂ）において、半田３０で接続されていない状態となる。
【００７６】
その後、第１接続部１２ａの接触部１２ａ１と第２接続部２１ａの接触部２１ａ１とを半田３０で電気的及び機械的に接続する。なお、半田３０で第１接続部１２ａの接触部１２ａ１と第２接続部２１ａの接触部２１ａ１とを半田付けする際には、例えばディップ半田付けを採用することができる。これによって、上アーム回路部１０と下アーム回路部２０は、図２（ｂ）に示すような状態となる。
【００７７】
その後、上アーム回路部１０と下アーム回路部２０とをモールド樹脂４０によってモールド成型する。モールド成型が完了すると、信号端子１６，２６などにおける不要な接続部をカットする。
【００７８】
なお、モールド成型後に、第１接続部１２ａの接触部１２ａ１と第２接続部２１ａの接触部２１ａ１とを半田３０で電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。
【００７９】
ここまで説明したように、本実施形態における半導体装置１００では、斥力が働く非接触部１２ａ２，２１ａ２を設けているため、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとに過電流（所定値よりも大きな電流値の電流）が流れたときに、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａ、及び非接触部１２ａ２、及び非接触部２１ａ２の少なくとも一つを切断させることができる。特に、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとが接続された部位（半田３０の部分）は、比較的切断しやすい。つまり、一体物を切断させるよりも、容易に切断させることができる。
【００８０】
つまり、非接触部１２ａ２，２１ａ２は、斥力によって互いに離れる方向に力が加わる。さらに、これに伴って、接触部１２ａ１，２１ａ１に対しても、互いに離れる方向に力が加わる。この力によって、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａ、及び非接触部１２ａ２、及び非接触部２１ａ２の少なくとも一つを切断させることができる。
【００８１】
また、接触部１２ａ１，２１ａ１及び非接触部１２ａ２，２１ａ２は、モールド樹脂４０から露出した位置に設けられている。このため、非接触部１２ａ２，２１ａ２又は接触部１２ａ１，２１ａ１は、非接触部１２ａ２，２１ａ２に斥力が働いた際に、モールド樹脂４０からの応力を受けにくい。よって、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａが切断される際に、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａの切断された部位同士を離れやすくすることができる。従って、過電流が流れた際に、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとに流れる電流を確実に遮断することができる。換言すると、過電流が流れた際に、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとを確実にオープン故障とすることができる。
【００８２】
また、本実施形態で採用したように、上アーム回路部１０と下アーム回路部２０とをモールド樹脂４０によって、一体的にモールドすることによって、２ｉｎ１構造の半導体装置１００とすることができる。そして、この半導体装置１００に本発明の技術的特徴を適用することによって、２ｉｎ１構造の半導体装置１００であっても、過電流が流れた際に、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとに流れる電流を確実に遮断することができる。
【００８３】
なお、本実施形態においては、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとを半田３０で電気的及び機械的に接続する例を採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとは、例えば溶接や勘合などで電気的及び機械的に接続されてもよい。
【００８４】
また、本実施形態においては、本発明の技術的特徴をＮ字２ｉｎ１構造の半導体装置１００に適用した例を採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、Ｕ字２ｉｎ１構造の半導体装置に適用しても、本発明の目的は達成できる。このＵ字２ｉｎ１構造の半導体装置は、例えば図２（ｂ）などに示す上アーム回路部１０と下アーム回路部２０のいずれか一方を逆さまに配置したものである。
【００８５】
また、本実施形態においては、半導体素子１３（ＲＣ−ＩＧＢＴ）を含む上アーム回路部１０と、半導体素子２３（ＲＣ−ＩＧＢＴ）を含む下アーム回路部２０とを１パッケージにした半導体装置１００を採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、半導体素子（ＩＧＢＴなど）１３とダイオードとを含む上アーム回路部１０と、同様の半導体素子（ＩＧＢＴなど）２３とダイオードとを含む下アーム回路部２０とを１パッケージ（２ｉｎ１）にした半導体装置を採用しても本発明の目的は達成できる。さらに、６個の半導体素子を内蔵する所謂６ｉｎ１型の半導体装置に本発明の技術的特徴を適用しても、本発明の目的は達成できる。
【００８６】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に何ら制限されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。
【００８７】
（変形例１）
上述の実施形態においては、上アーム回路部１０と下アーム回路部２０とがモールド樹脂４０によって一体的にモールドされた構造（２ｉｎ１構造）の半導体装置１００を採用したが本発明はこれに限定されるものではない。
【００８８】
例えば、上アーム回路部１０と下アーム回路部２０とは、モールド樹脂４０によって、別体としてモールドされるようにしてもよい。つまり、変形例１における半導体装置１００は、１ｉｎ１構造の半導体部材（ここでは上アーム１０ａと下アーム２０ａ）を上述の実施形態のように、第１接続部１２ａの接触部１２ａ１と第２接続部２１ａの接触部２１ａ１とで電気的及び機械的に接続した構成を有する。
【００８９】
図４は、変形例１における半導体装置１００の平面図である。図４における符号１０ａは、上述の上アーム回路部１０に相当する上アーム（第１半導体部材）１０ａである。上アーム１０ａは、上述の上アーム回路部１０と同様に、一対の上アーム側ヒートシンク１１，１２、上アーム側上下アーム接続部（第１接続部）１２ａ、半導体素子１３などを主に備えている。また、第１接続部１２ａに関しても、上述の実施形態と同様に、接触部１２ａ１及び非接触部１２ａ２を含むものである。また、上アーム１０ａは、この他に、Ｐ端子１１ａ、ターミナル１４、ボンディングワイヤ１５、信号端子１６などを備えていてもよい。そして、これらの構成要素は、上アーム側ヒートシンク１１，１２の表面やＰ端子１１ａや信号端子１６の一部がモールド樹脂４０の外部に露出した状態でモールド樹脂４０によって一体的にモールドされている。ただし、変形例１における半導体装置１００は、第１接続部１２ａがＯ端子を兼ねる点で上述の実施形態における半導体装置１００と異なる。
【００９０】
また、図４における符号２０ａは、上述の下アーム回路部２０に相当する下アーム（第２半導体部材）２０ａである。下アーム２０ａは、上述の下アーム回路部２０と同様に、一対の下アーム側ヒートシンク２１，２２、下アーム側上下アーム接続部（第２接続部）２１ａ、半導体素子２３などを主に備えている。また、第２接続部２１ａに関しても、上述の実施形態と同様に、接触部２１ａ１及び非接触部２１ａ２を含むものである。また、下アーム２０ａは、この他に、Ｎ端子２２ａ、ターミナル２４、ボンディングワイヤ２５、信号端子２６などを備えていてもよい。そして、これらの構成要素は、下アーム側ヒートシンク２１，２２の表面やＮ端子２２ａや信号端子２６の一部がモールド樹脂４０の外部に露出した状態でモールド樹脂４０によって一体的にモールドされている。ただし、変形例１における半導体装置１００は、第２接続部２１ａがＯ端子を兼ねる点で上述の実施形態における半導体装置１００と異なる。
【００９１】
このようにしても、上述の実施形態と同様の効果を奏することができる。つまり、このようにすることによって、モールド樹脂４０でモールドされた上アーム１０ａ（所謂１ｉｎ１構造の半導体部材）と、モールド樹脂４０でモールドされた下アーム２０ａ（所謂１ｉｎ１構造の半導体部材）とが接続された半導体装置とすることができる。そして、この半導体装置１００に本発明の技術的特徴を適用することによって、１ｉｎ１構造の半導体部材を電気的及び機械的に接続してなる半導体装置１００であっても、過電流が流れた際に、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとに流れる電流を確実に遮断することができる。
【００９２】
また、上述の実施形態においては、接触部１２ａ１，２１ａ１にて接続された第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとは別に、Ｏ端子２１ｂを設ける例を採用したが本発明はこれに限定されるものではない。図４に示すように、接触部１２ａ１，２１ａ１にて接続された第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとが、上アーム１０ａと下アーム２０ａの出力端子（Ｏ端子）をなすものであってもよい。
【００９３】
このようにすることによって、上アーム１０ａと下アーム２０ａの出力端子であるＯ端子（ここでは第１接続部１２ａ及び第２接続部２１ａ）の他に、上アーム１０ａと下アーム２０ａとを電気的及び機械的に接続する接続部を別途設ける必要がない。また、このようにすることで、工数も削減することができる。
【００９４】
（変形例２）
また、変形例１における半導体装置１００は、第１接続部１２ａの先端と第２接続部２１ａの先端とが接続されている例を採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。図５に示す変形例２における半導体装置１００のように、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとは、第２接続部２１ａ（上述の実施形態におけるＯ端子に相当）の先端以外で接続されていてもよい。つまり、上述の実施形態のように、下アーム２０ａにＯ端子２１ｂを設け、このＯ端子２１ｂを第２接続部２１ａとして用いるようにしてもよい。なお、変形例２における半導体装置１００と変形例１における半導体装置１００とは、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａ以外の構成は同様である。このようにしても、変形例１と同様の効果を奏することができる。
【００９５】
（変形例３）
また、変形例１においては、２つの１ｉｎ１構造の半導体部材（上アーム１０ａと下アーム２０ａ）を有する半導体装置１００において、接触部１２ａ１，２１ａ１にて接続された第１接続部１２ａと第２接続部２１ａによって出力端子（Ｏ端子）を構成する例を採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。図６に示す変形例３における半導体装置のように、２ｉｎ１構造の半導体装置（上述の実施形態における半導体装置１００）においても、接触部１２ａ１，２１ａ１にて接続された第１接続部１２ａと第２接続部２１ａによって出力端子（Ｏ端子）を構成してもよい。なお、図６においては、図面を簡略化するために、モールド樹脂４０の図示は省略している。このようにしても、変形例１と同様の効果を奏することができる。
【００９６】
（変形例４）
また、変形例３における半導体装置は、第１接続部１２ａの先端と第２接続部２１ａとの先端とが接続されている例を採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。図７に示す変形例４における半導体装置のように、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとは、第２接続部２１ａ（上述の実施形態におけるＯ端子に相当）の先端以外で接続されていてもよい。つまり、上述の実施形態のように、下アーム回路部２０にＯ端子２１ｂを設け、このＯ端子２１ｂを第２接続部２１ａとして用いるようにしてもよい。なお、変形例４における半導体装置と変形例３における半導体装置とは、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａ以外の構成は同様である。また、図７においては、図面を簡略化するために、モールド樹脂４０の図示は省略している。このようにしても、変形例３と同様の効果を奏することができる。
【００９７】
（変形例５）
また、上述の実施形態や変形例１〜４においては、第１金属体１２と第１接続部１２ａとは一体的に（一体物として）設けられており、第２金属体２１と第２接続部２１ａとは一体的に（一体物として）設けられている例を採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。図８に示す変形例５における半導体装置のように、第１金属体１２と第１接続部１２ａとは別部材からなり、第２金属体２１と第２接続部２１ａとは別部材からなるものであってもよい。なお、図８においては、図面を簡略化するために、モールド樹脂４０の図示は省略している。
【００９８】
上述の実施形態においては、図２（ｂ）に示すように、第１金属体１２と第１接続部１２ａや、第２金属体２１と第２接続部２１ａは、異形条（断面の形状に段差（凹凸）がある金属条）で形成している。このように、異形条で形成すると、第１金属体１２と第１接続部１２ａの厚み、第２金属体２１と第２接続部２１ａの厚みに制約があるばかりか、コストも高くなってしまう。
【００９９】
そこで、変形例５における半導体装置のように、第１金属体１２と第１接続部１２ａとは別部材とするとともに、第２金属体２１と第２接続部２１ａとを別部材にすると好ましい。この場合、別体の第１金属体１２と第１接続部１２ａとを半田などの導電性接続部材で接続する。同様に、別体の第２金属体２１と第２接続部２１ａとを半田などの導電性接続部材で接続する。
【０１００】
このようにすることで、上述のように異形条で形成する場合よりも、第１金属体１２と第１接続部１２ａ、及び第２金属体２１と第２接続部２１ａの寸法上の制限を軽減し、サイズを自由に設計しやすくすることができる。また、異形条で形成する場合よりも、コストを下げることができる。
【０１０１】
（変形例６）
また、上述の実施形態においては、第１接続部１２ａの対向部（接触部１２ａ１と非接触部１２ａ２）と第２接続部２１ａの対向部（接触部２１ａ１と非接触部２１ａ２）とを、並列方向に対して並列に配置することによって、モールド樹脂４０が漏れだすことを抑制していた。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１０２】
図９に示す変形例６における半導体装置のように、非接触部１２ａ２，２１ａ２間に絶縁部材（絶縁シートなど）５０を配置するようにしてもよい。なお、図９においては、図面を簡略化するために、モールド樹脂４０の図示は省略している。
【０１０３】
この絶縁部材５０は、非接触部１２ａ２，２１ａ２間におけるモールド樹脂４０が漏れだす位置、つまり、成型後のモールド樹脂４０の端部に位置するように設ける。さらに、絶縁部材５０は、斥力による第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとを離す（切断する）力をより一層働かせるために、非接触部１２ａ２，２１ａ２間におけるモールド樹脂４０が漏れだす位置であり、且つ、非接触部１２ａ２，２１ａ２の根元側にのみ設けると好ましい。
【０１０４】
このようにすることによって、モールド樹脂４０にてモールド成型する際に、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとの隙間からモールド樹脂４０が漏れ出すことを抑制できる。また、このようにすることによって、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとを積層方向に配置することが可能となる。
【０１０５】
（変形例７）
第１接続部１２ａの接触部１２ａ１と第２接続部２１ａの接触部２１ａ１とは、ディップ半田付けにて電気的及び機械的に接続することが考えられる。
【０１０６】
そこで、図１０に示す変形例７における半導体装置１００のように、第１接続部１２ａの接触部１２ａ１に上アーム側貫通孔（以下、単に貫通孔とも称する）１２ａ３を設けるとともに、第２接続部２１ａの接触部２１ａ１に下アーム側貫通孔（以下、単に貫通孔とも称する）２１ａ３を設けるようにしてもよい。
【０１０７】
この第１接続部１２ａ（接触部１２ａ１）の貫通孔１２ａ３は、接触部１２ａ１，２１ａ１同士が対向する方向（第１接続部１２ａの厚み方向）に第１接続部１２ａを貫通する穴である。第２接続部２１ａ（接触部２１ａ１）の貫通孔２１ａ３は、接触部１２ａ１，２１ａ１同士が対向する方向（第２接続部２１ａの厚み方向）に第２接続部２１ａを貫通する穴である。また、第１接続部１２ａ（接触部１２ａ１）の貫通孔１２ａ３と、第２接続部２１ａ（接触部２１ａ１）の貫通孔２１ａ３とは、例えば同軸上に設けられている。
【０１０８】
さらに、貫通孔１２ａ３と貫通孔２１ａ３は、接触部１２ａ１，２１ａ１にのみ設けられるものである。つまり、第１接続部１２ａの非接触部１２ａ２及び第２接続部２１ａの非接触部２１ａ２には、貫通孔は設けられていない。
【０１０９】
このように、各接触部１２ａ１，２１ａ１に貫通孔１２ａ３，２１ａ３を設けることで、ディップ半田付けする際に、接触部１２ａ１，２１ａ１間に半田を入り込みやすくすることができる。
【０１１０】
また、このようにすることで、接触部１２ａ１，２１ａ１同士の接触面積を小さくすることができる。よって、過電流が流れた際に、第１接続部１２ａの接触部１２ａ１と第２接続部２１ａの接触部２１ａ１とを切断しやすくすることができる。
【０１１１】
また、非接触部１２ａ２，２１ａ２にも同様の貫通孔が設けられていた場合、非接触部１２ａ２，２１ａ２間の対向面積が小さくなって、非接触部１２ａ２，２１ａ２に働く斥力が低減する可能性がある。しかしながら、貫通孔１２ａ３，２１ａ３は、非接触部１２ａ２，２１ａ２には設けられていない。よって、非接触部１２ａ２，２１ａ２に働く斥力が低減することを抑制できる。
【０１１２】
（変形例８）
上述の実施形態における半導体装置１００では、第１金属体１２と第２金属体２１とは同電位となるが、第１金属体１２と第４金属体２２や第２金属体２１と第３金属体１１は電位が異なる。よって、第１金属体１２と第４金属体２２や第２金属体２１と第３金属体１１とは、ある程度距離を離して配置すると好ましい。
【０１１３】
そこで、図１１に示す変形例８における半導体装置のように、第１接続部１２ａに上アーム側屈曲部（以下、単に屈曲部とも称する）１２ａ４を設けるとともに、第２接続部２１ａに下アーム側屈曲部（以下、単に屈曲部とも称する）２１ａ４を設けるようにしてもよい。なお、図１１においては、図面を簡略化するために、モールド樹脂４０の図示は省略している。
【０１１４】
つまり、第１接続部１２ａは、第１金属体１２と第４金属体２２との対向領域外に配置された接触部１２ａ１及び非接触部１２ａ２に加えて、第１金属体１２と第４金属体２２との対向領域に配置され、並列方向に対して平行且つ斜めに配置された屈曲部１２ａ４を含む。換言すると、第１接続部１２ａは、第１金属体１２における第４金属体２２と対向する側面から、並列方向に対して平行且つ斜めに取り出された屈曲部１２ａ４を含む。よって、接触部１２ａ１及び非接触部１２ａ２は、この屈曲部１２ａ４を介して第１金属体１２に接続されている。
【０１１５】
同様に、第２接続部（２１ａ）は、第２金属体２１と第３金属体１１との対向領域外に配置された接触部２１ａ１及び非接触部２１ａ２に加えて、第２金属体２１と第３金属体１１との対向領域に配置され、並列方向に対して平行且つ斜めに配置された屈曲部２１ａ４を含む。換言すると、第２接続部２１ａは、第２金属体２１における第３金属体１１と対向する側面から、並列方向に対して平行且つ斜めに取り出された屈曲部２１ａ４を含む。よって、接触部２１ａ１及び非接触部２１ａ２は、この屈曲部２１ａ４を介して第２金属体２１に接続されている。
【０１１６】
このようにすることによって、第１接続部１２ａと第４金属体２２との固体絶縁距離、及び第２接続部２１ａと第３金属体１１との固体絶縁距離を長くすることができる。つまり、電位が異なる部材同士の固体絶縁距離を長くすることなできるので好ましい。
【０１１７】
（変形例９）
また、接触部１２ａ１，２１ａ１、非接触部１２ａ２，２１ａ２は、過電流によって生じる斥力によって切断されやすい構成にすると好ましい。
【０１１８】
例えば、図１２に示す変形例９における半導体装置のように、接触部１２ａ１，２１ａ１は、非接触部１２ａ２，２１ａ２よりも細くしてもよい。なお、図１２においては、図面を簡略化するために、モールド樹脂４０の図示は省略している。
【０１１９】
ここでは、接触部１２ａ１，２１ａ１と非接触部１２ａ２，２１ａ２とは、厚みは同じである。よって、接触部１２ａ１，２１ａ１は、非接触部１２ａ２，２１ａ２よりも幅（並列方向の長さ）が狭く形成されている。換言すると、接触部１２ａ１，２１ａ１は、非接触部１２ａ２，２１ａ２よりも面積が小さく形成されている。つまり、第１接続部１２ａ及び第２接続部２１ａの中でも斥力を働かせるための非接触部１２ａ２，２１ａ２は比較的（接触部１２ａ１，２１ａ１より）幅が広く（面積を大きく）、過電流が流れた時にはオープンとなって欲しい接触部１２ａ１，２１ａ１は比較的（非接触部１２ａ２，２１ａ２より）幅が広く（面積を大きく）形成されている。換言すると、非接触部１２ａ２，２１ａ２を電流が流れる方向に垂直な方向から切断した断面の面積（断面積）は、接触部１２ａ１，２１ａ１を同一方向から切断した断面の面積（断面積）よりも広く形成されている。
【０１２０】
このようにすることで、過電流が流れたときに、第１接続部１２ａの接触部１２ａ１と第２接続部２１ａの接触部２１ａ１とを切断しやすくすることができる。
【０１２１】
（変形例１０）
また、例えば、図１３に示す変形例１０における半導体装置のように、接触部１２ａ１，２１ａ１及び非接触部１２ａ２，２１ａ２は、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａにおける他の部分よりも細くしてもよい。なお、図１３においては、図面を簡略化するために、モールド樹脂４０の図示は省略している。
【０１２２】
ここでは、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとは、厚みは同じである。よって、接触部１２ａ１，２１ａ１及び非接触部１２ａ２，２１ａ２は、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａにおける他の部分よりも幅（並列方向の長さ）が狭く形成されている。
【０１２３】
換言すると、非接触部１２ａ２，２１ａ２を電流が流れる方向に垂直な方向から切断した断面の面積（断面積）と、接触部１２ａ１，２１ａ１を同一方向から切断した断面の面積（断面積）とは同じである。さらに、接触部１２ａ１，２１ａ１及び非接触部１２ａ２，２１ａ２の断面積は、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａにおける他の部分を電流が流れる方向に垂直な方向から切断した断面の面積（断面積）よりも狭く形成されている。
【０１２４】
このようにすることで、接触部１２ａ１，２１ａ１及び非接触部１２ａ２，２１ａ２における電流密度を大きくすることができ、斥力を大きくすることができる。よって、過電流が流れたときに、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとを切断しやすくすることができる。
【０１２５】
（変形例１１）
また、例えば、図１４に示す変形例１１における半導体装置のように、非接触部１２ａ２，２１ａ２は、少なくとも一部に切り込みを入れられた上アーム側切込部１２ａ５，下アーム側切込部２１ａ５を有するようにしてもよい。なお、図１４においては、図面を簡略化するために、モールド樹脂４０の図示は省略している。
【０１２６】
この上アーム側切込部１２ａ５は、非接触部１２ａ２の一部が第１接続部１２ａの厚み方向に切り込まれた部位である。なお、上アーム側切込部１２ａ５は、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとが対向する方向に周辺よりも凹んだ凹部とも言い換えることができる。
【０１２７】
同様に、下アーム側切込部２１ａ５は、非接触部２１ａ２の一部が第２接続部２１ａの厚み方向に切り込まれた部位である。なお、下アーム側切込部２１ａ５は、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとが対向する方向に周辺よりも凹んだ凹部とも言い換えることができる。
【０１２８】
また、ここでは、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとは、厚みは同じである。よって、非接触部１２ａ２，２１ａ２における上アーム側切込部１２ａ５，下アーム側切込部２１ａ５が形成された部分の断面積（第１接続部１２ａと第２接続部２１ａの厚み方向に切断した際の断面の面積）は、非接触部１２ａ２，２１ａ２における他の部分よりも小さく形成されている。つまり、上アーム側切込部１２ａ５を電流が流れる方向に垂直な方向から切断した断面の面積（断面積）は、非接触部１２ａ２における他の部分を同一方向から切断した断面の面積（断面積）よりも狭く形成されている。同様に、下アーム側切込部２１ａ５を電流が流れる方向に垂直な方向から切断した断面の面積（断面積）は、非接触部２１ａ２における他の部分を同一方向から切断した断面の面積（断面積）よりも狭く形成されている。
【０１２９】
このようにすることで、過電流が流れたときに、非接触部１２ａ２，２１ａ２における上アーム側切込部１２ａ５，下アーム側切込部２１ａ５で切断しやすくすることができる。
【０１３０】
（変形例１２）
また、上述の実施形態及び変形例１〜１１では、第１接続部１２ａの接触部１２ａ１、非接触部１２ａ２、及び第２接続部２１ａの接触部２１ａ１、非接触部２１ａ２が、第１金属体１２と第４金属体２２との対向領域、及び第２金属体２１と第３金属体１１との対向領域外に配置された例を採用した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１３１】
図１５（ａ）に示す変形例１２における半導体装置のように、第１接続部１２ａの接触部１２ａ１、非接触部１２ａ２が第１金属体１２と第４金属体２２との対向領域に配置されるようにしてもよい。同様に、第２接続部２１ａの接触部２１ａ１、非接触部２１ａ２が、第２金属体２１と第３金属体１１との対向領域に配置されるようにしてもよい。換言すると、第１接続部１２ａの接触部１２ａ１、非接触部１２ａ２、及び第２接続部２１ａの接触部２１ａ１、非接触部２１ａ２は、第１仮想平面と第２仮想平面に挟まれた領域に配置されるようにしてもよい。
【０１３２】
この場合、モールド樹脂４０は、図１５（ｂ）に示すように、開口部６０が設けられている。そして、接触部１２ａ１，２１ａ１及び非接触部１２ａ２，２１ａ２は、モールド樹脂４０に設けられた開口部６０に配置される。このように、接触部１２ａ１，２１ａ１及び非接触部１２ａ２，２１ａ２は、開口部６０からモールド樹脂４０の外部に露出するようにしてもよい。このようにすることによっても、上述の実施形態と同様の効果を奏することができる。
【０１３３】
（変形例１３）
また、図１６に示す変形例１３における半導体装置のように、接触部１２ａ１，２１ａ１間の間隔を非接触部１２ａ２，２１ａ２間の間隔よりも狭くするようにしてもよい。このようにすることによっても、過電流が流れたときに、第１接続部１２ａの接触部１２ａ１と第２接続部２１ａの接触部２１ａ１とを切断しやすくすることができる。
【０１３４】
なお、これまで説明した実施形態、変形例１〜１３は、単独で実施することも可能であるが、適宜組み合わせて実施することも可能である。
【０１３５】
この変形例１３は、上述の実施形態と組み合わせて実施することも可能である。つまり、図１に示す半導体装置において、接触部１２ａ１，２１ａ１間の間隔を非接触部１２ａ２，２１ａ２間の間隔よりも狭くするようにしてもよい。換言すると、図１６に示す変形例１３では、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとが積層方向（Ｙ軸方向）に並んだ状態において、接触部１２ａ１，２１ａ１間の間隔を非接触部１２ａ２，２１ａ２間の間隔よりも狭くする例を採用した。しかしながら、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとが積層方向に直交する方向（Ｘ軸方向）に並んだ状態において、接触部１２ａ１，２１ａ１間の間隔を非接触部１２ａ２，２１ａ２間の間隔よりも狭くするようにしてもよい。このようにすることによって、絶縁シート５０を設ける必要がない。
【０１３６】
なお、上述の実施形態、変形例１〜１３は、単独で実施することも可能であるが、適宜組み合わせて実施することも可能である。
【符号の説明】
【０１３７】
１０ 上アーム回路部（第１半導体部材）、１１ 上アーム側ヒートシンク（第２金属体）、１１ａ 外部リード（Ｐ端子）、１２ 上アーム側ヒートシンク（第１金属体）、１２ａ 上アーム側上下アーム接続部（第１接続部）、１２ａ１ 上アーム側接触部（接触部）、１２ａ２ 上アーム側非接触部（非接触部）、１３ 半導体素子（第１半導体素子）、１４ ターミナル、１５ ボンディングワイヤ、１６ 信号端子、２０ 下アーム回路部（第２半導体部材）、２１ 下アーム側ヒートシンク（第２金属体）、２１ａ 下アーム側上下アーム接続部（第２接続部）、２１ａ１ 下アーム側接触部（接触部）、２１ａ２ 下アーム側非接触部（非接触部）、２１ｂ 外部リード（Ｏ端子）、２２ 下アーム側ヒートシンク（第４金属体）、２２ａ 外部リード（Ｎ端子）、２３ 半導体素子（第２半導体素子）、２４ ターミナル、２５ ボンディングワイヤ、２６ 信号端子、１０ａ 上アーム（第１半導体部材）、２０ａ 下アーム（第２半導体部材）、１２ａ３ 上アーム側貫通孔、２１ａ３ 下アーム側貫通孔、１２ａ４ 上アーム側屈曲部、２１ａ４ 下アーム側屈曲部、１２ａ５ 上アーム側切込部、２１ａ５ 下アーム側切込部、３０ はんだ、４０ モールド樹脂、５０ 絶縁シート、６０ 開口部、１００ 半導体装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、特許文献１に示すように、過電流からの保護を図ることができる半導体装置があった。
【０００３】
特許文献１に記載された半導体装置（パワーモジュール）は、第一半導体素子と第二半導体素子とを有している。第一半導体素子は、第一エミッタ電極と第一コレクタ電極に挟まれており、第二半導体素子は、第二エミッタ電極と第二コレクタ電極に挟まれている。また、第一半導体素子側の第一エミッタ電極と第二半導体素子側の第二コレクタ電極とは、アルミリボンボンドなどからなる接続部材を介して電気的に接続されている。そして、第一半導体素子と第二半導体素子および接続部材は，モールド樹脂でモールドされることにより一体となっている。さらに、接続部材は、ヒューズ機能を兼ねており、第一半導体素子と第二半導体素子間の短絡や負荷短絡時に溶断するようになっている。つまり、この半導体装置は、過電流時に接続部材をオープン故障させることで、電流を遮断するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１２０９７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に開示された半導体装置では、接続部材がモールド樹脂でモールドされているため、過電流によって接続部材が溶断したとしても、溶断した接続部材同士がモールド樹脂によって十分に離れないことがある。このように、溶断した接続部材同士が十分に離れなかった場合、溶断した接続部材同士が接触する可能性がある。また、溶断した接続部材同士が接触しなかったとしても、接続部材同士の間隔が不十分なためにアーク放電が起こる可能性がある。よって、この半導体装置では、過電流時に電流を遮断できないことが起こりうる。
【０００６】
上記問題点に鑑み、過電流が流れた際に確実に電流を遮断することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために請求項１に記載の半導体装置は、
両面に電極を備えた第１半導体素子（１３）と、
第１半導体素子（１３）の各電極に夫々接続され、第１半導体素子（１３）の放熱部材として機能する一対の金属体（１１，１２）と、を有する第１半導体部材（１０，１０ａ）と、
両面に電極を備えた第２半導体素子（２３）と、
第２半導体素子（２３）の各電極に夫々接続され、第２半導体素子（２３）の放熱部材として機能する一対の金属体（２１，２２）と、を有する第２半導体部材（２０，２０ａ）と、
第１半導体部材（１０，１０ａ）を一体的にモールドするとともに、第２半導体部材（２０，２０ａ）を一体的にモールドするモールド樹脂（４０）と、を備え、
第１半導体部材（１０，１０ａ）の金属体（１１，１２）における一方の金属体である第１金属体と、第２半導体部材（２０，２０ａ）の金属体（２１，２２）における一方の金属体である第２金属体とが電気的に接続された半導体装置であって、
第１半導体部材（１０，１０ａ）の第１金属体に設けられた第１接続部（１２ａ）と、
第２半導体部材（２０，２０ａ）の第２金属体に設けられた第２接続部（２１ａ）と、を備え、
第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）とは、モールド樹脂（４０）から露出した位置において互いに対向して配置された対向部を有し、
第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）における各対向部は、
互いに電気的及び機械的に接続された接触部（１２ａ１，２１ａ１）と、
互いに接触しておらず、互いに流れる電流の向きが逆方向となることで互いに斥力が働く非接触部（１２ａ２，２１ａ２）と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
このように、斥力が働く非接触部（１２ａ２，２１ａ２）を設けることによって、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）とに過電流が流れたときに第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）、及び第１接続部（１２ａ）の非接触部（１２ａ２）、及び第２接続部（２１ａ）の非接触部（２１ａ２）の少なくとも一つを切断させることができる。特に、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）とが接続された部位は、比較的切断しやすい。つまり、一体物を切断させるよりも、容易に切断させることができる。特に、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）の方が容易に切断させることができる。
【０００９】
また、接触部（１２ａ１，２１ａ１）及び非接触部（１２ａ２，２１ａ２）は、モールド樹脂（４０）から露出した位置に設けられている。このため、非接触部（１２ａ２，２１ａ２）又は接触部（１２ａ１，２１ａ１）は、非接触部（１２ａ２，２１ａ２）に斥力が働いた際に、モールド樹脂（４０）からの応力を受けにくい。よって、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）が切断される際に、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）の切断された部位同士を離れやすくすることができる。従って、過電流が流れた際に、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）とに流れる電流を確実に遮断することができる。換言すると、過電流が流れた際に、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）とを確実にオープン故障とすることができる。
【００１０】
また、請求項２に示すように、第１半導体部材（１０ａ）と第２半導体部材（２０ａ）とは、モールド樹脂（４０）によって、別体としてモールドされるようにしてもよい。
【００１１】
このようにすることによって、モールド樹脂（４０）でモールドされた半導体部材（１０ａ、所謂１ｉｎ１構造の半導体部材）と、モールド樹脂（４０）でモールドされた半導体部材（２０ａ、所謂１ｉｎ１構造の半導体部材）とが接続された半導体装置とすることができる。このような構造の半導体装置であっても、過電流が流れた際に、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）とに流れる電流を確実に遮断することができる。
【００１２】
また、請求項３に示すように、第１半導体部材（１０）と第２半導体部材（２０）とは、モールド樹脂（４０）によって、一体的にモールドされるようにしてもよい。
【００１３】
このようにすることによって、第１半導体部材（１０）と第２半導体部材（２０）とが一体的にモールドされた半導体装置（所謂２ｉｎ１構造の半導体装置）とすることができる。このような構造の半導体装置であっても、過電流が流れた際に、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）とに流れる電流を確実に遮断することができる。
【００１４】
また、請求項４に示すように、接触部（１２ａ１，２１ａ１）及び非接触部（１２ａ２，２１ａ２）は、モールド樹脂（４０）に設けられた開口部（６０）に配置されることで、モールド樹脂（４０）から露出するようにしてもよい。
【００１５】
また、請求項５に示すように、非接触部（１２ａ２，２１ａ２）間におけるモールド樹脂（４０）の端部に位置する領域には、絶縁部材（５０）が配置されるようにしてもよい。
【００１６】
このようにすることによって、モールド樹脂（４０）にてモールド成型する際に、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）との隙間からモールド樹脂（４０）が漏れだすことを抑制できる。
【００１７】
また、請求項６に示すように、接触部（１２ａ１，２１ａ１）にて接続された第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）とは、第１半導体部材（１０，１０ａ）と第２半導体部材（２０，２０ａ）の出力端子をなすものであってもよい。
【００１８】
このようにすることによって、第１半導体部材（１０，１０ａ）と第２半導体部材（２０，２０ａ）の出力端子（第１接続部（１２ａ）及び第２接続部（２１ａ））の他に、第１半導体部材（１０，１０ａ）と第２半導体部材（２０，２０ａ）とを電気的及び機械的に接続する接続部を別途設ける必要がない。
【００１９】
また、請求項７に示すように、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）は、接触部（１２ａ１，２１ａ１）にのみ、接触部（１２ａ１，２１ａ１）が対向する方向に貫通する貫通孔（１２ａ３，２１ａ３）が形成されるものであってもよい。
【００２０】
このようにすることで、接触部（１２ａ１，２１ａ１）同士の接触面積を小さくすることができる。よって、過電流が流れた際に、第１接続部（１２ａ）の接触部（１２ａ１）と第２接続部（２１ａ）の接触部（２１ａ１）とを切断しやすくすることができる。
【００２１】
また、非接触部（１２ａ２，２１ａ２）にも同様の貫通孔が設けられていた場合、非接触部（１２ａ２，２１ａ２）間の対向面積が小さくなって、非接触部（１２ａ２，２１ａ２）に働く斥力が低減する可能性がある。しかしながら、非接触部（１２ａ２，２１ａ２）には、貫通孔（１２ａ３，２１ａ３）が設けられていない。よって、非接触部（１２ａ２，２１ａ２）に働く斥力が低減することを抑制できる。
【００２２】
なお、第１接続部（１２ａ）の接触部（１２ａ１）と第２接続部（２１ａ）の接触部（２１ａ１）は、ディップ半田付けで互いに接続することも考えられる。各接触部（１２ａ１，２１ａ１）に貫通孔（１２ａ３，２１ａ３）を設けることで、ディップ半田付けする際に、接触部（１２ａ１，２１ａ１）間に半田を入り込みやすくすることができる。また、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）と同じ方向にモールド樹脂（４０）から露出する信号端子(１６，２６)を備える場合、信号端子（１６，２６）にディップ半田付けするのと同時に接触部（１２ａ１）と接触部（２１ａ１）とをディップ半田付けで互いに接続することができる。なお、この信号端子（１６）は、第１半導体素子（１３）に接続されているものであり、信号端子（２６）は、第２半導体素子（２３）に接続されているものである。
【００２３】
また、請求項８に示すように、非接触部（１２ａ２，２１ａ２）を電流が流れる方向に垂直な方向から切断した断面の面積は、接触部（１２ａ１，２１ａ１）を同一方向から切断した断面の面積よりも広くしてもよい。
【００２４】
このようにすることで、過電流が流れたときに、第１接続部（１２ａ）の接触部（１２ａ１）と第２接続部（２１ａ）の接触部（２１ａ１）とを切断しやすくすることができる。
【００２５】
また、請求項９に示すように、非接触部（１２ａ２，２１ａ２）を電流が流れる方向に垂直な方向から切断した断面の面積と、接触部（１２ａ１，２１ａ１）を同一方向から切断した断面の面積とは同じであり、且つ、非接触部（１２ａ２，２１ａ２）の断面の面積及び接触部（１２ａ１，２１ａ１）の断面の面積は、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）における他の部分を電流が流れる方向に垂直な方向から切断した断面の面積よりも狭くしてもよい。
【００２６】
このようにすることで、接触部（１２ａ１，２１ａ１）及び非接触部（１２ａ２，２１ａ２）における電流密度を大きくすることができ、斥力を大きくすることができる。よって、過電流が流れたときに、第１接続部（１２ａ）と第２接続部（２１ａ）とを切断しやすくすることができる。
【００２７】
また、請求項１０に示すように、非接触部（１２ａ２，２１ａ２）は、少なくとも一部に切り込みを入れられた部分（１２ａ５，２１ａ５）を有するようにしてもよい。
【００２８】
このようにすることで、過電流が流れたときに、非接触部（１２ａ２，２１ａ２）における切り込みを入れられた部分（１２ａ５，２１ａ５）で切断しやすくすることができる。
【００２９】
また、請求項１１に示すように、
前記第１半導体部材（１０，１０ａ）と前記第２半導体部材（２０，２０ａ）は、前記第１半導体素子（１３）と一対の金属体（１１，１２）との積層方向と、前記第２半導体素子（２３）と一対の金属体（２１，２２）との積層方向とが平行となるように配置され、
第２接続部（２１ａ）が設けられた第２金属体と、第１半導体部材（１０，１０ａ）の第１接続部（１２ａ）が設けられていない第３金属体とが同一平面上に設けられ、
第１接続部（１２ａ）が設けられた第１金属体と、第２半導体部材（２０，２０ａ）の第２接続部（２１ａ）が設けられていない第４金属体とが同一平面上に設けられ、
第１接続部（１２ａ）は、
第１金属体と第４金属体との対向領域外に配置された接触部（１２ａ１）及び非接触部（１２ａ２）に加えて、
第１金属体と第４金属体との対向領域に配置され、第１半導体部材（１０，１０ａ）と第２半導体部材（２０，２０ａ）の配置方向に対して平行且つ斜めに配置された屈曲部（１２ａ４）を含み、
第２接続部（２１ａ）は、
第２金属体と第３金属体との対向領域外に配置された接触部（２１ａ１）及び非接触部（２１ａ２）に加えて、
第２金属体と第３金属体との対向領域に配置され、第１半導体部材（１０，１０ａ）と第２半導体部材（２０，２０ａ）の配置方向に対して平行且つ斜めに配置された屈曲部（２１ａ４）を含むようにしてもよい。
【００３０】
第１金属体と第２金属体とが同電位であり、第１金属体と第４金属体や第２金属体と第３金属体が異なる電位である場合、第１金属体と第４金属体、及び第２金属体と第３金属体はある程度離して配置することが要求される。そこで、請求項１１に示すようにすることによって、第１金属体における第１接続部（１２ａ）と第２半導体部材（２０）における第４金属体との固体絶縁距離、及び第２金属体における第２接続部（２１ａ）と第１半導体部材（１０）における第３金属体との固体絶縁距離を長くすることができる。つまり、電位が異なる部材同士の固体絶縁距離を長くすることなできるので好ましい。
【００３１】
また、請求項１２に示すように、第１金属体と第１接続部（１２ａ）とは別部材からなり、第２金属体と第２接続部（２１ａ）とは別部材からなるものであってもよい。
【００３２】
このようにすることで、第１金属体と第１接続部（１２ａ）、及び第２金属体と第２接続部（２１ａ）の寸法上の制限を軽減し、サイズを自由に設計しやすくすることができる。
【００３３】
また、請求項１３に示すように、接触部（１２ａ１，２１ａ１）間の間隔を非接触部（１２ａ２，２１ａ２）間の間隔よりも狭くすることによっても、過電流が流れたときに、第１接続部（１２ａ）の接触部（１２ａ１）と第２接続部（２１ａ）の接触部（２１ａ１）とを切断しやすくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の実施形態における半導体装置の概略構成を示す平面図（上面図）である。
【図２】本発明の実施形態における半導体装置のモールド樹脂内部の概略構成を示す図面であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視図である。
【図３】本発明の実施形態における半導体装置の回路構成を示す等価回路である。
【図４】変形例１における半導体装置の概略構成を示す平面図である。
【図５】変形例２における半導体装置の概略構成を示す平面図である。
【図６】変形例３における半導体装置のモールド樹脂内部の概略構成を示す平面図である。
【図７】変形例４における半導体装置のモールド樹脂内部の概略構成を示す平面図である。
【図８】変形例５における半導体装置の概略構成を示す斜視図である。
【図９】変形例６における半導体装置の概略構成を示す斜視図である。
【図１０】変形例７における半導体装置の概略構成を示す平面図である。
【図１１】変形例８における半導体装置のモールド樹脂内部の概略構成を示す平面図である。
【図１２】変形例９における半導体装置のモールド樹脂内部の概略構成を示す平面図である。
【図１３】変形例１０における半導体装置のモールド樹脂内部の概略構成を示す平面図である。
【図１４】変形例１１における半導体装置のモールド樹脂内部の概略構成を示す平面図である。
【図１５】変形例１２における半導体装置の概略構成を示す図面であり、（ａ）はモールド樹脂内部の平面図、（ｂ）はモールド樹脂が設けられた平面図である。
【図１６】変形例１３における半導体装置の概略構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、本発明の実施形態を図に基づいて説明する。
【００３６】
図１，図２，図３に示す半導体装置１００は、例えば車両のインバータ回路に組み入れられ、負荷（例えばモータ等）をＰＷＭ制御するための装置として適用される。換言すると、半導体装置１００は、パワーカードをなすものである。
【００３７】
この半導体装置１００は、主に、上アーム回路部１０（第１半導体部材）と下アーム回路部２０（第２半導体部材）とを備え、これらが一体的にモールド樹脂（絶縁性樹脂）４０にてモールドされたものである。なお、ここでは、半導体素子（第１半導体素子）１３とダイオード（図示省略）などを含む上アーム回路部１０と、半導体素子（第２半導体素子）２３とダイオード（図示省略）を含む下アーム回路部２０を１つのパッケージに収めたもの（２ｉｎ１パッケージ）を一例として採用する。
【００３８】
上アーム回路部１０は、図２（ａ），（ｂ）に示すように、主に、一対の上アーム側ヒートシンク１１，１２、上アーム側上下アーム接続部（第１接続部）１２ａ、半導体素子１３などを備えている。上アーム回路部１０は、この他に、外部リード（以下、Ｐ端子とも称する）１１ａ、ターミナル１４、ボンディングワイヤ１５、信号端子１６などを備えていてもよい。
【００３９】
半導体素子１３は、両面に電極（表面電極と裏面電極）を備えるものであり、ＩＧＢＴやＲＣ−ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴなどのスイッチング素子を採用することができる。ここでは、ＲＣ−ＩＧＢＴを採用する。この半導体素子１３は、ボンディングワイヤ２５を介して信号用端子２６と電気的に接続されている。
【００４０】
また、図２（ｂ）に示すように、上アーム側ヒートシンク１１，１２は、半導体素子１３の各電極（両面の電極の夫々）に接続され、半導体素子１３の熱を放熱する放熱部材として機能する一対の金属体である。また、上アーム側ヒートシンク１１，１２は、半導体素子１３に電気的に接続された配線（配線の一部）としても機能する。このように、半導体素子１３は、一対の上アーム側ヒートシンク１１，１２に挟みこまれている。
【００４１】
この上アーム側ヒートシンク１１は、特許請求の範囲における第３金属体に相当するものである。よって、以下の説明においては、上アーム側ヒートシンク１１を第３金属体１１とも称する。また、上アーム側ヒートシンク１２は、特許請求の範囲における第１金属体に相当するものである。よって、以下の説明においては、上アーム側ヒートシンク１２を第１金属体１２とも称する。
【００４２】
第３金属体１１は、半導体素子１３の一方の電極（ここでは裏面電極）と接続されている。一方、第１金属体１２は、金属からなるターミナル１４を介して半導体素子１３の他方の電極（ここでは表面電極）と接続されている。このターミナル１４は、信号端子１６と半導体素子１３とを電気的に接続しているボンディングワイヤ１５が第１金属体１２に接触しないようにするためのものである。また、ターミナル１４は、半導体素子１３の熱を放熱する放熱部材として機能するとともに、半導体素子１３に電気的に接続された配線（配線の一部）としても機能するものである。なお、第１金属体１２、第３金属体１１、ターミナル１４は、熱伝導性及び電気伝導性を確保すべく、例えば、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、又は、これら金属の少なくとも１種類を含む合金などの熱伝導性及び電気伝導性に優れた金属材料からなる。
【００４３】
図２（ａ），（ｂ）に示すように、第３金属体１１は、例えば直方体形状を有し、半導体素子１３の裏面電極と対向して配置され、この裏面電極と電気的に接続されている。また、この第３金属体１１には、外部リード（以下、Ｐ端子とも称する）１１ａが設けられている。Ｐ端子１１ａは、例えば第３金属体１１の側壁の一部に設けられている。なお、本実施形態における第３金属体１１とＰ端子１１ａとは、一体的に設けられている（すなわち一体物として設けられている）。よって、半導体素子１３は、Ｐ端子１１ａと電気的に接続されている。ただし、図２（ｂ）においては、図面を簡略化するために、Ｐ端子１１ａの図示は省略している。
【００４４】
また、図２（ａ），（ｂ）に示すように、第１金属体１２は、例えば直方体形状を有し半導体素子１３の表面電極と対向して配置され、この表面電極とターミナル１４を介して電気的に接続されている。また、この第１金属体１２には、上アーム側上下アーム接続部１２ａが設けられている。この上アーム側上下アーム接続部１２ａは、特許請求の範囲における第１接続部に相当するものである。よって、以下の説明においては、上アーム側上下アーム接続部１２ａを第１接続部１２ａとも称する。
【００４５】
第１接続部１２ａは、例えば第１金属体１２の側壁の一部から突出して設けられている。なお、本実施形態における第１金属体１２と第１接続部１２ａとは、一体的に設けられている（すなわち一体物として設けられている）。よって、半導体素子１３は、第１接続部１２ａと電気的に接続されていることになる。
【００４６】
この第１接続部１２ａは、上アーム側接触部１２ａ１と上アーム側非接触部１２ａ２とを含む。なお、この第１接続部１２ａに関しては、後ほど詳しく説明する。また、以下の説明においては、上アーム側接触部１２ａ１を単に接触部１２ａ１とも称する。同様に、以下の説明においては、上アーム側非接触部１２ａ２を単に非接触部１２ａ２とも称する。
【００４７】
一方、下アーム回路部２０は、図２（ａ），（ｂ）に示すように、主に、一対の下アーム側ヒートシンク２１，２２、下アーム側上下アーム接続部（第２接続部）２１ａ、半導体素子２３などを備えている。下アーム回路部２０は、この他に、外部リード（以下、Ｎ端子とも称する）２２ａ、外部リード（以下、Ｏ端子とも称する）２１ｂ、ターミナル２４、ボンディングワイヤ２５、信号端子２６などを備えていてもよい。
【００４８】
半導体素子２３は、両面に電極（表面電極と裏面電極）を備えるものであり、ＩＧＢＴやＲＣ−ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴなどのスイッチング素子を採用することができる。ここではＲＣ−ＩＧＢＴを採用する。この半導体素子２３は、ボンディングワイヤ２５を介して信号用端子２６と電気的に接続されている。
【００４９】
また、図２（ｂ）に示すように、下アーム側ヒートシンク２１，２２は、半導体素子２３の各電極（両面の電極の夫々）に接続され、半導体素子２３の熱を放熱する放熱部材として機能する一対の金属体である。また、下アーム側ヒートシンク２１，２２は、半導体素子２３に電気的に接続された配線（配線の一部）としても機能する。このように、半導体素子２３は、一対の下アーム側ヒートシンク２１，２２に挟みこまれている。
【００５０】
この下アーム側ヒートシンク２１は、特許請求の範囲における第２金属体に相当するものである。よって、以下の説明においては、下アーム側ヒートシンク２１を第２金属体２１とも称する。また、下アーム側ヒートシンク２２は、特許請求の範囲における第４金属体に相当するものである。よって、以下の説明においては、下アーム側ヒートシンク２２を第４金属体１２とも称する。
【００５１】
第２金属体２１は、半導体素子２３の一方の電極（ここでは裏面電極）と接続されている。一方、第４金属体２２は、金属からなるターミナル２４を介して半導体素子２３の他方の電極（ここでは表面電極）と接続されている。このターミナル２４は、上述のターミナル１４と同様の構成、機能を有するものである。また、第２金属体２１、第４金属体２２、ターミナル２４は、熱伝導性及び電気伝導性を確保すべく、例えば、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、又は、これら金属の少なくとも１種類を含む合金などの熱伝導性及び電気伝導性に優れた金属材料からなる。
【００５２】
図２（ａ），（ｂ）に示すように、第４金属体２２は、例えば直方体形状を有し、半導体素子２３の表面電極と対向して配置され、この表面電極とターミナル２４を介して電気的に接続されている。また、この第４金属体２２には、外部リード（以下、Ｎ端子とも称する）２２ａが設けられている。Ｎ端子２２ａは、例えば第４金属体２２の側壁の一部から突出して設けられている。なお、本実施形態における第４金属体２２とＮ端子２２ａとは、一体的に設けられている（すなわち一体物として設けられている）。よって、半導体素子２３は、Ｎ端子２２ａと電気的に接続されていることになる。ただし、図２（ｂ）においては、図面を簡略化するために、Ｎ端子２２ａの図示は省略している。
【００５３】
また、図２（ａ），（ｂ）に示すように、第２金属体２１は、例えば直方体形状を有し半導体素子２３の裏面電極と対向して配置され、この裏面電極と電気的に接続されている。また、この第２金属体２１には、下アーム側上下アーム接続部２１ａと外部リード（以下、Ｏ端子とも称する）２１ｂが設けられている。この下アーム側上下アーム接続部２１ａは、特許請求の範囲における第２接続部に相当するものである。よって、以下の説明においては、下アーム側上下アーム接続部２１ａを第２接続部２１ａとも称する。
【００５４】
第２接続部２１ａ及びＯ端子２１ｂは、例えば第２金属体２１の側壁の一部から突出して設けられている。一例としては、第２接続部２１ａとＯ端子２１ｂは、第２金属体２１の異なる側壁の一部から突出して設けられている。なお、本実施形態における第２金属体２１と第２接続部２１ａとＯ端子２１ｂとは、一体的に設けられている（すなわち一体物として設けられている）。よって、半導体素子２３は、第２接続部２１ａ及びＯ端子２１ｂと電気的に接続されていることになる。ただし、図２（ｂ）においては、図面を簡略化するために、Ｏ端子２１ｂの図示は省略している。
【００５５】
この第２接続部２１ａは、下アーム側接触部２１ａ１と下アーム側非接触部２１ａ２とを含む。なお、この第２接続部２１ａに関しては、後ほど詳しく説明する。また、以下の説明においては、下アーム側接触部２１ａ１を単に接触部２１ａ１とも称する。同様に、以下の説明においては、下アーム側非接触部２１ａ２を単に非接触部２１ａ２とも称する。
【００５６】
このように構成された上アーム回路部１０と下アーム回路部２０とは、例えば図２（ｂ）に示すように配置されている。つまり、本実施形態における上アーム回路部１０と下アーム回路部２０とは、半導体素子１３と一対の上アーム側ヒートシンク１１，１２の積層方向と、半導体素子２３と一対の下アーム側ヒートシンク２１，２２との積層方向とが平行になるように配置されている。また、第３金属体１１と第２金属体２１とが同一平面上に設けられている。さらに、第１金属体１２と第４金属体２２とが同一平面上に設けられている。
【００５７】
また、一例としては、第１金属体１２における第４金属体２２と対向する側面に沿う仮想平面と、第３金属体１１における第２金属体２１と対向する側面に沿う仮想平面とは、一致している。同様に、第４金属体２２における第１金属体１２と対向する側面に沿う仮想平面（第２仮想平面）と、第２金属体２１における第３金属体１１と対向する側面に沿う仮想平面とは、一致している。
【００５８】
なお、第１金属体１２における第４金属体２２と対向する側面に沿う仮想平面のうち、第１金属体１２の側壁から第３金属体１１の側壁までの領域を第１仮想平面とも称する。この第１仮想平面は、第１金属体１２の側壁及び第３金属体１１の側壁を含む。一方、第４金属体２２における第１金属体１２と対向する側面に沿う仮想平面のうち、第４金属体２２の側壁から第２金属体２１の側壁までの領域を第２仮想平面とも称する。この第２仮想平面は、第４金属体２２の側壁及び第２金属体２１の側壁を含む。
【００５９】
以下の説明においては、半導体素子１３と一対の上アーム側ヒートシンク１１，１２の積層方向や、半導体素子２３と一対の下アーム側ヒートシンク２１，２２との積層方向を単に積層方向とも称する。また、上アーム回路部１０と下アーム回路部２０とが並ぶ方向を並列方向（配置方向）とも称する。
【００６０】
そして、本実施形態の半導体装置１００は、上アーム回路部１０の一対の金属体１１，１２における一方の金属体である第１金属体１２と、下アーム回路部２０の一対の金属体２１，２２における一方の金属体である第２金属体２１とが電気的に接続されている。つまり、上アーム回路部１０と下アーム回路部２０とは、第１接続部１２ａの接触部１２ａ１と第２接続部２１ａの接触部２１ａ１とが導電性接続部材（ここでは半田３０を採用する）で接続されることによって電気的に接続されている。このように電気的に接続された上アーム回路部１０と下アーム回路部２０を含む半導体装置１００は、図３に示す等価回路をなす。つまり、本実施形態における上アーム回路部１０と下アーム回路部２０（すなわち半導体素子１３と半導体素子２３）とは、直列に接続されている。よって、半導体装置１００は、Ｎ字型のパワーカード（半導体装置）と言い換えることができる。
【００６１】
ただし、本発明の半導体装置１００は、これに限定されるものではなく、上アーム回路部１０と下アーム回路部２０（すなわち半導体素子１３と半導体素子２３）とが並列に接続されていても、目的を達成することができる。
【００６２】
また、図１に示すように、上アーム回路部１０と下アーム回路部２０とは、モールド樹脂４０によってモールドされて一体的に設けられている。つまり、モールド樹脂４０は、上アーム回路部１０を一体的にモールドするとともに、下アーム回路部２０を一体的にモールドするものである。
【００６３】
より詳細には、第３金属体１１と第１金属体１２とに挟まれた半導体素子１３及び第２金属体２１と第４金属体２２とに挟まれた半導体素子２３は、モールド樹脂４０にて封止されている。また、第３金属体１１の表面（半導体素子１３と対向している面の裏面）及び第１金属体１２の表面（半導体素子１３と対向している面の裏面）は、半導体素子１３の熱を効率的に放熱させるために、モールド樹脂４０から露出している。同様に、第２金属体２１の表面（半導体素子２３と対向している面の裏面）及び第４金属体２２の表面（半導体素子２３と対向している面の裏面）は、半導体素子１３の熱を効率的に放熱させるために、モールド樹脂４０から露出している。
【００６４】
なお、ターミナル１４，２４及びボンディングワイヤ１５，２５は、モールド樹脂４０にて封止されている。また、Ｐ端子１１ａ、Ｎ端子２２ａ、Ｏ端子２１ｂ、信号端子１６，２６は、半導体装置１００と外部機器との電気的な接続を行うために、一部がモールド樹脂４０内に配置され、その他の部分がモールド樹脂４０から露出している。そして、第１接続部１２ａ、第２接続部２１ａは、後ほど詳しく説明するが、モールド樹脂４０から露出した部分を有している。換言すると、Ｐ端子１１ａ、Ｎ端子２２ａ、Ｏ端子２１ｂ、信号端子１６，２６、第１接続部１２ａ、第２接続部２１ａは、一部がモールド樹脂４０の外側に取り出されている。
【００６５】
より詳細には、Ｐ端子１１ａの少なくとも一部、Ｏ端子２１ｂの少なくとも一部、及びＮ端子２２ａの少なくとも一部は、モールド樹脂４０から同じ方向（例えば積層方向に沿う方向）に露出している。また、第１接続部１２ａの少なくとも一部（後ほど説明する対向部位）、第２接続部２１ａの少なくとも一部（後ほど説明する対向部位）、及び信号端子１６，２６の少なくとも一部はモールド樹脂４０から同じ方向（例えば積層方向及び並列方向に垂直な方向）に露出している。さらに、Ｐ端子１１ａなどと、第１接続部１２ａなどとは、モールド樹脂４０から異なる方向に露出している。
【００６６】
ここで、本発明の技術的特徴である第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとに関して詳しく説明する。図１，図２に示すように、上アーム回路部１０の第１接続部１２ａと下アーム回路部２０の第２接続部２１ａとは、モールド樹脂４０から露出した位置において互いに対向して配置された対向部を有している。この第１接続部１２ａと第２接続部２１ａにおける各対向部は、半田３０によって互いに電気的及び機械的に接続された接触部１２ａ１，２１ａ１を含む。さらに、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａにおける各対向部は、互いに接触しておらず、互いに流れる電流の向きが逆方向（図２（ｂ）の矢印）となることで互いに斥力が働く非接触部１２ａ２，２１ａ２とを含む。つまり、第１接続部１２ａの接触部１２ａ１と第２接続部２１ａの接触部２１ａ１とが対向して配置され、第１接続部１２ａの非接触部１２ａ２と第２接続部２１ａの非接触部２１ａ２とが対向して配置されている。
【００６７】
よって、第１接続部１２ａの接触部１２ａ１と第２接続部２１ａの接触部２１ａ１とは、向かい合っており、且つ、互いに半田３０で接続されている。一方、第１接続部１２ａの非接触部１２ａ２と第２接続部２１ａの非接触部２１ａ２とは、向かい合ってはいるが、互いに接触していない（接続されていない）。
【００６８】
なお、図２（ｂ）に示すように、第１接続部１２ａの対向部（接触部１２ａ１と非接触部１２ａ２）と第２接続部２１ａの対向部（接触部２１ａ１と非接触部２１ａ２）とは、並列方向に対して並列に配置すると好ましい。換言すると、第１接続部１２ａの対向部（接触部１２ａ１と非接触部１２ａ２）と第２接続部２１ａの対向部（接触部２１ａ１と非接触部２１ａ２）とは、横方向に並走させて配置すると好ましい。
【００６９】
このようにすることによって、モールド樹脂４０でモールドする際に、第１接続部１２ａの対向部（接触部１２ａ１と非接触部１２ａ２）と第２接続部２１ａの対向部（接触部２１ａ１と非接触部２１ａ２）との隙間からモールド樹脂４０が漏れだすことを抑制することができる。つまり、第１接続部１２ａの対向部（接触部１２ａ１と非接触部１２ａ２）と第２接続部２１ａの対向部（接触部２１ａ１と非接触部２１ａ２）との隙間を上下型で抑え込みつつ、モールド成型することによって、モールド樹脂４０が漏れだすことを抑制することができる。
【００７０】
このように、接触部１２ａ１，２１ａ１と非接触部１２ａ２，２１ａ２とをモールド樹脂４０から露出した位置に設けるのは、過電流が流れたときに、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとを確実にオープン故障させるためである。
【００７１】
図２（ａ），（ｂ）に示すように、本実施形態における第１接続部１２ａは、第１金属体１２における下アーム回路部２０側の側壁（第４金属体２２と対向する側壁）から下アーム回路部２０側（第４金属体２２側）に突出し、且つ、積層方向及び並列方向に対して垂直な方向に延設されている。この垂直方向に設けられた部位は、直線的に設けられた棒状の部位と言い換えることができる。そして、第１接続部１２ａのうち、この垂直方向に設けられた部位に接触部１２ａ１と非接触部１２ａ２が含まれている。また、接触部１２ａ１は、例えば第１接続部１２ａにおける第１金属体１２との接続部側から非接触部１２ａ２を介して配置されている。また、接触部１２ａ１は、例えば第１接続部１２ａにおける先端（第１金属体１２との接続部側ではない端部）に配置されている。
【００７２】
また、図２（ａ），（ｂ）に示すように、本実施形態における第２接続部２１ａは、第２金属体２１における上アーム回路部１０側の側壁（第３金属体１１と対向する側壁）から上アーム回路部１０側（第３金属体１１側）に突出し、且つ、積層方向及び並列方向に対して垂直な方向に延設されている。この垂直方向に設けられた部位は、直線的に設けられた棒状の部位と言い換えることができる。そして、第２接続部２１ａのうち、この垂直方向に設けられた部位に接触部２１ａ１と非接触部２１ａ２が含まれている。また、接触部２１ａ１は、例えば第２接続部２１ａにおける第２金属体２１との接続部側から非接触部２１ａ２を介して配置されている。また、接触部２１ａ１は、例えば第２接続部２１ａにおける先端（第２金属体２１との接続部側ではない端部）に配置されている。
【００７３】
また、本実施形態における接触部１２ａ１，２１ａ１、及び非接触部１２ａ２，２１ａ２は、第１金属体１２と第４金属体２２との対向領域や第２金属体２１と第３金属体１１との対向領域の外に配置されている。換言すると、接触部１２ａ１，２１ａ１、及び非接触部１２ａ２，２１ａ２は、第１仮想平面と第２仮想平面に挟まれた領域外に配置されている。
【００７４】
なお、本発明の半導体装置１００における第１接続部１２ａと第２接続部２１ａは、これに限定されるものではない。第１接続部１２ａと第２接続部２１ａは、モールド樹脂４０から露出した位置において互いに対向して配置された対向部を有しており、この各対向部に接触部１２ａ１と非接触部１２ａ２及び接触部２１ａ１と非接触部２１ａ２を含むものであれば採用することができる。
【００７５】
ここで、図１に示す半導体装置１００の製造方法の一例を説明する。まず、上アーム回路部１０と下アーム回路部２０の夫々を、リフローなどによって作成する。このとき、上アーム回路部１０と下アーム回路部２０の夫々は、図２（ｂ）において、半田３０で接続されていない状態となる。
【００７６】
その後、第１接続部１２ａの接触部１２ａ１と第２接続部２１ａの接触部２１ａ１とを半田３０で電気的及び機械的に接続する。なお、半田３０で第１接続部１２ａの接触部１２ａ１と第２接続部２１ａの接触部２１ａ１とを半田付けする際には、例えばディップ半田付けを採用することができる。これによって、上アーム回路部１０と下アーム回路部２０は、図２（ｂ）に示すような状態となる。
【００７７】
その後、上アーム回路部１０と下アーム回路部２０とをモールド樹脂４０によってモールド成型する。モールド成型が完了すると、信号端子１６，２６などにおける不要な接続部をカットする。
【００７８】
なお、モールド成型後に、第１接続部１２ａの接触部１２ａ１と第２接続部２１ａの接触部２１ａ１とを半田３０で電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。
【００７９】
ここまで説明したように、本実施形態における半導体装置１００では、斥力が働く非接触部１２ａ２，２１ａ２を設けているため、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとに過電流（所定値よりも大きな電流値の電流）が流れたときに、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａ、及び非接触部１２ａ２、及び非接触部２１ａ２の少なくとも一つを切断させることができる。特に、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとが接続された部位（半田３０の部分）は、比較的切断しやすい。つまり、一体物を切断させるよりも、容易に切断させることができる。
【００８０】
つまり、非接触部１２ａ２，２１ａ２は、斥力によって互いに離れる方向に力が加わる。さらに、これに伴って、接触部１２ａ１，２１ａ１に対しても、互いに離れる方向に力が加わる。この力によって、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａ、及び非接触部１２ａ２、及び非接触部２１ａ２の少なくとも一つを切断させることができる。
【００８１】
また、接触部１２ａ１，２１ａ１及び非接触部１２ａ２，２１ａ２は、モールド樹脂４０から露出した位置に設けられている。このため、非接触部１２ａ２，２１ａ２又は接触部１２ａ１，２１ａ１は、非接触部１２ａ２，２１ａ２に斥力が働いた際に、モールド樹脂４０からの応力を受けにくい。よって、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａが切断される際に、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａの切断された部位同士を離れやすくすることができる。従って、過電流が流れた際に、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとに流れる電流を確実に遮断することができる。換言すると、過電流が流れた際に、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとを確実にオープン故障とすることができる。
【００８２】
また、本実施形態で採用したように、上アーム回路部１０と下アーム回路部２０とをモールド樹脂４０によって、一体的にモールドすることによって、２ｉｎ１構造の半導体装置１００とすることができる。そして、この半導体装置１００に本発明の技術的特徴を適用することによって、２ｉｎ１構造の半導体装置１００であっても、過電流が流れた際に、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとに流れる電流を確実に遮断することができる。
【００８３】
なお、本実施形態においては、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとを半田３０で電気的及び機械的に接続する例を採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとは、例えば溶接や勘合などで電気的及び機械的に接続されてもよい。
【００８４】
また、本実施形態においては、本発明の技術的特徴をＮ字２ｉｎ１構造の半導体装置１００に適用した例を採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、Ｕ字２ｉｎ１構造の半導体装置に適用しても、本発明の目的は達成できる。このＵ字２ｉｎ１構造の半導体装置は、例えば図２（ｂ）などに示す上アーム回路部１０と下アーム回路部２０のいずれか一方を逆さまに配置したものである。
【００８５】
また、本実施形態においては、半導体素子１３（ＲＣ−ＩＧＢＴ）を含む上アーム回路部１０と、半導体素子２３（ＲＣ−ＩＧＢＴ）を含む下アーム回路部２０とを１パッケージにした半導体装置１００を採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、半導体素子（ＩＧＢＴなど）１３とダイオードとを含む上アーム回路部１０と、同様の半導体素子（ＩＧＢＴなど）２３とダイオードとを含む下アーム回路部２０とを１パッケージ（２ｉｎ１）にした半導体装置を採用しても本発明の目的は達成できる。さらに、６個の半導体素子を内蔵する所謂６ｉｎ１型の半導体装置に本発明の技術的特徴を適用しても、本発明の目的は達成できる。
【００８６】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に何ら制限されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。
【００８７】
（変形例１）
上述の実施形態においては、上アーム回路部１０と下アーム回路部２０とがモールド樹脂４０によって一体的にモールドされた構造（２ｉｎ１構造）の半導体装置１００を採用したが本発明はこれに限定されるものではない。
【００８８】
例えば、上アーム回路部１０と下アーム回路部２０とは、モールド樹脂４０によって、別体としてモールドされるようにしてもよい。つまり、変形例１における半導体装置１００は、１ｉｎ１構造の半導体部材（ここでは上アーム１０ａと下アーム２０ａ）を上述の実施形態のように、第１接続部１２ａの接触部１２ａ１と第２接続部２１ａの接触部２１ａ１とで電気的及び機械的に接続した構成を有する。
【００８９】
図４は、変形例１における半導体装置１００の平面図である。図４における符号１０ａは、上述の上アーム回路部１０に相当する上アーム（第１半導体部材）１０ａである。上アーム１０ａは、上述の上アーム回路部１０と同様に、一対の上アーム側ヒートシンク１１，１２、上アーム側上下アーム接続部（第１接続部）１２ａ、半導体素子１３などを主に備えている。また、第１接続部１２ａに関しても、上述の実施形態と同様に、接触部１２ａ１及び非接触部１２ａ２を含むものである。また、上アーム１０ａは、この他に、Ｐ端子１１ａ、ターミナル１４、ボンディングワイヤ１５、信号端子１６などを備えていてもよい。そして、これらの構成要素は、上アーム側ヒートシンク１１，１２の表面やＰ端子１１ａや信号端子１６の一部がモールド樹脂４０の外部に露出した状態でモールド樹脂４０によって一体的にモールドされている。ただし、変形例１における半導体装置１００は、第１接続部１２ａがＯ端子を兼ねる点で上述の実施形態における半導体装置１００と異なる。
【００９０】
また、図４における符号２０ａは、上述の下アーム回路部２０に相当する下アーム（第２半導体部材）２０ａである。下アーム２０ａは、上述の下アーム回路部２０と同様に、一対の下アーム側ヒートシンク２１，２２、下アーム側上下アーム接続部（第２接続部）２１ａ、半導体素子２３などを主に備えている。また、第２接続部２１ａに関しても、上述の実施形態と同様に、接触部２１ａ１及び非接触部２１ａ２を含むものである。また、下アーム２０ａは、この他に、Ｎ端子２２ａ、ターミナル２４、ボンディングワイヤ２５、信号端子２６などを備えていてもよい。そして、これらの構成要素は、下アーム側ヒートシンク２１，２２の表面やＮ端子２２ａや信号端子２６の一部がモールド樹脂４０の外部に露出した状態でモールド樹脂４０によって一体的にモールドされている。ただし、変形例１における半導体装置１００は、第２接続部２１ａがＯ端子を兼ねる点で上述の実施形態における半導体装置１００と異なる。
【００９１】
このようにしても、上述の実施形態と同様の効果を奏することができる。つまり、このようにすることによって、モールド樹脂４０でモールドされた上アーム１０ａ（所謂１ｉｎ１構造の半導体部材）と、モールド樹脂４０でモールドされた下アーム２０ａ（所謂１ｉｎ１構造の半導体部材）とが接続された半導体装置とすることができる。そして、この半導体装置１００に本発明の技術的特徴を適用することによって、１ｉｎ１構造の半導体部材を電気的及び機械的に接続してなる半導体装置１００であっても、過電流が流れた際に、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとに流れる電流を確実に遮断することができる。
【００９２】
また、上述の実施形態においては、接触部１２ａ１，２１ａ１にて接続された第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとは別に、Ｏ端子２１ｂを設ける例を採用したが本発明はこれに限定されるものではない。図４に示すように、接触部１２ａ１，２１ａ１にて接続された第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとが、上アーム１０ａと下アーム２０ａの出力端子（Ｏ端子）をなすものであってもよい。
【００９３】
このようにすることによって、上アーム１０ａと下アーム２０ａの出力端子であるＯ端子（ここでは第１接続部１２ａ及び第２接続部２１ａ）の他に、上アーム１０ａと下アーム２０ａとを電気的及び機械的に接続する接続部を別途設ける必要がない。また、このようにすることで、工数も削減することができる。
【００９４】
（変形例２）
また、変形例１における半導体装置１００は、第１接続部１２ａの先端と第２接続部２１ａの先端とが接続されている例を採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。図５に示す変形例２における半導体装置１００のように、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとは、第２接続部２１ａ（上述の実施形態におけるＯ端子に相当）の先端以外で接続されていてもよい。つまり、上述の実施形態のように、下アーム２０ａにＯ端子２１ｂを設け、このＯ端子２１ｂを第２接続部２１ａとして用いるようにしてもよい。なお、変形例２における半導体装置１００と変形例１における半導体装置１００とは、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａ以外の構成は同様である。このようにしても、変形例１と同様の効果を奏することができる。
【００９５】
（変形例３）
また、変形例１においては、２つの１ｉｎ１構造の半導体部材（上アーム１０ａと下アーム２０ａ）を有する半導体装置１００において、接触部１２ａ１，２１ａ１にて接続された第１接続部１２ａと第２接続部２１ａによって出力端子（Ｏ端子）を構成する例を採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。図６に示す変形例３における半導体装置のように、２ｉｎ１構造の半導体装置（上述の実施形態における半導体装置１００）においても、接触部１２ａ１，２１ａ１にて接続された第１接続部１２ａと第２接続部２１ａによって出力端子（Ｏ端子）を構成してもよい。なお、図６においては、図面を簡略化するために、モールド樹脂４０の図示は省略している。このようにしても、変形例１と同様の効果を奏することができる。
【００９６】
（変形例４）
また、変形例３における半導体装置は、第１接続部１２ａの先端と第２接続部２１ａとの先端とが接続されている例を採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。図７に示す変形例４における半導体装置のように、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとは、第２接続部２１ａ（上述の実施形態におけるＯ端子に相当）の先端以外で接続されていてもよい。つまり、上述の実施形態のように、下アーム回路部２０にＯ端子２１ｂを設け、このＯ端子２１ｂを第２接続部２１ａとして用いるようにしてもよい。なお、変形例４における半導体装置と変形例３における半導体装置とは、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａ以外の構成は同様である。また、図７においては、図面を簡略化するために、モールド樹脂４０の図示は省略している。このようにしても、変形例３と同様の効果を奏することができる。
【００９７】
（変形例５）
また、上述の実施形態や変形例１〜４においては、第１金属体１２と第１接続部１２ａとは一体的に（一体物として）設けられており、第２金属体２１と第２接続部２１ａとは一体的に（一体物として）設けられている例を採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。図８に示す変形例５における半導体装置のように、第１金属体１２と第１接続部１２ａとは別部材からなり、第２金属体２１と第２接続部２１ａとは別部材からなるものであってもよい。なお、図８においては、図面を簡略化するために、モールド樹脂４０の図示は省略している。
【００９８】
上述の実施形態においては、図２（ｂ）に示すように、第１金属体１２と第１接続部１２ａや、第２金属体２１と第２接続部２１ａは、異形条（断面の形状に段差（凹凸）がある金属条）で形成している。このように、異形条で形成すると、第１金属体１２と第１接続部１２ａの厚み、第２金属体２１と第２接続部２１ａの厚みに制約があるばかりか、コストも高くなってしまう。
【００９９】
そこで、変形例５における半導体装置のように、第１金属体１２と第１接続部１２ａとは別部材とするとともに、第２金属体２１と第２接続部２１ａとを別部材にすると好ましい。この場合、別体の第１金属体１２と第１接続部１２ａとを半田などの導電性接続部材で接続する。同様に、別体の第２金属体２１と第２接続部２１ａとを半田などの導電性接続部材で接続する。
【０１００】
このようにすることで、上述のように異形条で形成する場合よりも、第１金属体１２と第１接続部１２ａ、及び第２金属体２１と第２接続部２１ａの寸法上の制限を軽減し、サイズを自由に設計しやすくすることができる。また、異形条で形成する場合よりも、コストを下げることができる。
【０１０１】
（変形例６）
また、上述の実施形態においては、第１接続部１２ａの対向部（接触部１２ａ１と非接触部１２ａ２）と第２接続部２１ａの対向部（接触部２１ａ１と非接触部２１ａ２）とを、並列方向に対して並列に配置することによって、モールド樹脂４０が漏れだすことを抑制していた。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１０２】
図９に示す変形例６における半導体装置のように、非接触部１２ａ２，２１ａ２間に絶縁部材（絶縁シートなど）５０を配置するようにしてもよい。なお、図９においては、図面を簡略化するために、モールド樹脂４０の図示は省略している。
【０１０３】
この絶縁部材５０は、非接触部１２ａ２，２１ａ２間におけるモールド樹脂４０が漏れだす位置、つまり、成型後のモールド樹脂４０の端部に位置するように設ける。さらに、絶縁部材５０は、斥力による第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとを離す（切断する）力をより一層働かせるために、非接触部１２ａ２，２１ａ２間におけるモールド樹脂４０が漏れだす位置であり、且つ、非接触部１２ａ２，２１ａ２の根元側にのみ設けると好ましい。
【０１０４】
このようにすることによって、モールド樹脂４０にてモールド成型する際に、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとの隙間からモールド樹脂４０が漏れ出すことを抑制できる。また、このようにすることによって、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとを積層方向に配置することが可能となる。
【０１０５】
（変形例７）
第１接続部１２ａの接触部１２ａ１と第２接続部２１ａの接触部２１ａ１とは、ディップ半田付けにて電気的及び機械的に接続することが考えられる。
【０１０６】
そこで、図１０に示す変形例７における半導体装置１００のように、第１接続部１２ａの接触部１２ａ１に上アーム側貫通孔（以下、単に貫通孔とも称する）１２ａ３を設けるとともに、第２接続部２１ａの接触部２１ａ１に下アーム側貫通孔（以下、単に貫通孔とも称する）２１ａ３を設けるようにしてもよい。
【０１０７】
この第１接続部１２ａ（接触部１２ａ１）の貫通孔１２ａ３は、接触部１２ａ１，２１ａ１同士が対向する方向（第１接続部１２ａの厚み方向）に第１接続部１２ａを貫通する穴である。第２接続部２１ａ（接触部２１ａ１）の貫通孔２１ａ３は、接触部１２ａ１，２１ａ１同士が対向する方向（第２接続部２１ａの厚み方向）に第２接続部２１ａを貫通する穴である。また、第１接続部１２ａ（接触部１２ａ１）の貫通孔１２ａ３と、第２接続部２１ａ（接触部２１ａ１）の貫通孔２１ａ３とは、例えば同軸上に設けられている。
【０１０８】
さらに、貫通孔１２ａ３と貫通孔２１ａ３は、接触部１２ａ１，２１ａ１にのみ設けられるものである。つまり、第１接続部１２ａの非接触部１２ａ２及び第２接続部２１ａの非接触部２１ａ２には、貫通孔は設けられていない。
【０１０９】
このように、各接触部１２ａ１，２１ａ１に貫通孔１２ａ３，２１ａ３を設けることで、ディップ半田付けする際に、接触部１２ａ１，２１ａ１間に半田を入り込みやすくすることができる。
【０１１０】
また、このようにすることで、接触部１２ａ１，２１ａ１同士の接触面積を小さくすることができる。よって、過電流が流れた際に、第１接続部１２ａの接触部１２ａ１と第２接続部２１ａの接触部２１ａ１とを切断しやすくすることができる。
【０１１１】
また、非接触部１２ａ２，２１ａ２にも同様の貫通孔が設けられていた場合、非接触部１２ａ２，２１ａ２間の対向面積が小さくなって、非接触部１２ａ２，２１ａ２に働く斥力が低減する可能性がある。しかしながら、貫通孔１２ａ３，２１ａ３は、非接触部１２ａ２，２１ａ２には設けられていない。よって、非接触部１２ａ２，２１ａ２に働く斥力が低減することを抑制できる。
【０１１２】
（変形例８）
上述の実施形態における半導体装置１００では、第１金属体１２と第２金属体２１とは同電位となるが、第１金属体１２と第４金属体２２や第２金属体２１と第３金属体１１は電位が異なる。よって、第１金属体１２と第４金属体２２や第２金属体２１と第３金属体１１とは、ある程度距離を離して配置すると好ましい。
【０１１３】
そこで、図１１に示す変形例８における半導体装置のように、第１接続部１２ａに上アーム側屈曲部（以下、単に屈曲部とも称する）１２ａ４を設けるとともに、第２接続部２１ａに下アーム側屈曲部（以下、単に屈曲部とも称する）２１ａ４を設けるようにしてもよい。なお、図１１においては、図面を簡略化するために、モールド樹脂４０の図示は省略している。
【０１１４】
つまり、第１接続部１２ａは、第１金属体１２と第４金属体２２との対向領域外に配置された接触部１２ａ１及び非接触部１２ａ２に加えて、第１金属体１２と第４金属体２２との対向領域に配置され、並列方向に対して平行且つ斜めに配置された屈曲部１２ａ４を含む。換言すると、第１接続部１２ａは、第１金属体１２における第４金属体２２と対向する側面から、並列方向に対して平行且つ斜めに取り出された屈曲部１２ａ４を含む。よって、接触部１２ａ１及び非接触部１２ａ２は、この屈曲部１２ａ４を介して第１金属体１２に接続されている。
【０１１５】
同様に、第２接続部（２１ａ）は、第２金属体２１と第３金属体１１との対向領域外に配置された接触部２１ａ１及び非接触部２１ａ２に加えて、第２金属体２１と第３金属体１１との対向領域に配置され、並列方向に対して平行且つ斜めに配置された屈曲部２１ａ４を含む。換言すると、第２接続部２１ａは、第２金属体２１における第３金属体１１と対向する側面から、並列方向に対して平行且つ斜めに取り出された屈曲部２１ａ４を含む。よって、接触部２１ａ１及び非接触部２１ａ２は、この屈曲部２１ａ４を介して第２金属体２１に接続されている。
【０１１６】
このようにすることによって、第１接続部１２ａと第４金属体２２との固体絶縁距離、及び第２接続部２１ａと第３金属体１１との固体絶縁距離を長くすることができる。つまり、電位が異なる部材同士の固体絶縁距離を長くすることなできるので好ましい。
【０１１７】
（変形例９）
また、接触部１２ａ１，２１ａ１、非接触部１２ａ２，２１ａ２は、過電流によって生じる斥力によって切断されやすい構成にすると好ましい。
【０１１８】
例えば、図１２に示す変形例９における半導体装置のように、接触部１２ａ１，２１ａ１は、非接触部１２ａ２，２１ａ２よりも細くしてもよい。なお、図１２においては、図面を簡略化するために、モールド樹脂４０の図示は省略している。
【０１１９】
ここでは、接触部１２ａ１，２１ａ１と非接触部１２ａ２，２１ａ２とは、厚みは同じである。よって、接触部１２ａ１，２１ａ１は、非接触部１２ａ２，２１ａ２よりも幅（並列方向の長さ）が狭く形成されている。換言すると、接触部１２ａ１，２１ａ１は、非接触部１２ａ２，２１ａ２よりも面積が小さく形成されている。つまり、第１接続部１２ａ及び第２接続部２１ａの中でも斥力を働かせるための非接触部１２ａ２，２１ａ２は比較的（接触部１２ａ１，２１ａ１より）幅が広く（面積を大きく）、過電流が流れた時にはオープンとなって欲しい接触部１２ａ１，２１ａ１は比較的（非接触部１２ａ２，２１ａ２より）幅が広く（面積を大きく）形成されている。換言すると、非接触部１２ａ２，２１ａ２を電流が流れる方向に垂直な方向から切断した断面の面積（断面積）は、接触部１２ａ１，２１ａ１を同一方向から切断した断面の面積（断面積）よりも広く形成されている。
【０１２０】
このようにすることで、過電流が流れたときに、第１接続部１２ａの接触部１２ａ１と第２接続部２１ａの接触部２１ａ１とを切断しやすくすることができる。
【０１２１】
（変形例１０）
また、例えば、図１３に示す変形例１０における半導体装置のように、接触部１２ａ１，２１ａ１及び非接触部１２ａ２，２１ａ２は、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａにおける他の部分よりも細くしてもよい。なお、図１３においては、図面を簡略化するために、モールド樹脂４０の図示は省略している。
【０１２２】
ここでは、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとは、厚みは同じである。よって、接触部１２ａ１，２１ａ１及び非接触部１２ａ２，２１ａ２は、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａにおける他の部分よりも幅（並列方向の長さ）が狭く形成されている。
【０１２３】
換言すると、非接触部１２ａ２，２１ａ２を電流が流れる方向に垂直な方向から切断した断面の面積（断面積）と、接触部１２ａ１，２１ａ１を同一方向から切断した断面の面積（断面積）とは同じである。さらに、接触部１２ａ１，２１ａ１及び非接触部１２ａ２，２１ａ２の断面積は、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａにおける他の部分を電流が流れる方向に垂直な方向から切断した断面の面積（断面積）よりも狭く形成されている。
【０１２４】
このようにすることで、接触部１２ａ１，２１ａ１及び非接触部１２ａ２，２１ａ２における電流密度を大きくすることができ、斥力を大きくすることができる。よって、過電流が流れたときに、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとを切断しやすくすることができる。
【０１２５】
（変形例１１）
また、例えば、図１４に示す変形例１１における半導体装置のように、非接触部１２ａ２，２１ａ２は、少なくとも一部に切り込みを入れられた上アーム側切込部１２ａ５，下アーム側切込部２１ａ５を有するようにしてもよい。なお、図１４においては、図面を簡略化するために、モールド樹脂４０の図示は省略している。
【０１２６】
この上アーム側切込部１２ａ５は、非接触部１２ａ２の一部が第１接続部１２ａの厚み方向に切り込まれた部位である。なお、上アーム側切込部１２ａ５は、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとが対向する方向に周辺よりも凹んだ凹部とも言い換えることができる。
【０１２７】
同様に、下アーム側切込部２１ａ５は、非接触部２１ａ２の一部が第２接続部２１ａの厚み方向に切り込まれた部位である。なお、下アーム側切込部２１ａ５は、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとが対向する方向に周辺よりも凹んだ凹部とも言い換えることができる。
【０１２８】
また、ここでは、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとは、厚みは同じである。よって、非接触部１２ａ２，２１ａ２における上アーム側切込部１２ａ５，下アーム側切込部２１ａ５が形成された部分の断面積（第１接続部１２ａと第２接続部２１ａの厚み方向に切断した際の断面の面積）は、非接触部１２ａ２，２１ａ２における他の部分よりも小さく形成されている。つまり、上アーム側切込部１２ａ５を電流が流れる方向に垂直な方向から切断した断面の面積（断面積）は、非接触部１２ａ２における他の部分を同一方向から切断した断面の面積（断面積）よりも狭く形成されている。同様に、下アーム側切込部２１ａ５を電流が流れる方向に垂直な方向から切断した断面の面積（断面積）は、非接触部２１ａ２における他の部分を同一方向から切断した断面の面積（断面積）よりも狭く形成されている。
【０１２９】
このようにすることで、過電流が流れたときに、非接触部１２ａ２，２１ａ２における上アーム側切込部１２ａ５，下アーム側切込部２１ａ５で切断しやすくすることができる。
【０１３０】
（変形例１２）
また、上述の実施形態及び変形例１〜１１では、第１接続部１２ａの接触部１２ａ１、非接触部１２ａ２、及び第２接続部２１ａの接触部２１ａ１、非接触部２１ａ２が、第１金属体１２と第４金属体２２との対向領域、及び第２金属体２１と第３金属体１１との対向領域外に配置された例を採用した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１３１】
図１５（ａ）に示す変形例１２における半導体装置のように、第１接続部１２ａの接触部１２ａ１、非接触部１２ａ２が第１金属体１２と第４金属体２２との対向領域に配置されるようにしてもよい。同様に、第２接続部２１ａの接触部２１ａ１、非接触部２１ａ２が、第２金属体２１と第３金属体１１との対向領域に配置されるようにしてもよい。換言すると、第１接続部１２ａの接触部１２ａ１、非接触部１２ａ２、及び第２接続部２１ａの接触部２１ａ１、非接触部２１ａ２は、第１仮想平面と第２仮想平面に挟まれた領域に配置されるようにしてもよい。
【０１３２】
この場合、モールド樹脂４０は、図１５（ｂ）に示すように、開口部６０が設けられている。そして、接触部１２ａ１，２１ａ１及び非接触部１２ａ２，２１ａ２は、モールド樹脂４０に設けられた開口部６０に配置される。このように、接触部１２ａ１，２１ａ１及び非接触部１２ａ２，２１ａ２は、開口部６０からモールド樹脂４０の外部に露出するようにしてもよい。このようにすることによっても、上述の実施形態と同様の効果を奏することができる。
【０１３３】
（変形例１３）
また、図１６に示す変形例１３における半導体装置のように、接触部１２ａ１，２１ａ１間の間隔を非接触部１２ａ２，２１ａ２間の間隔よりも狭くするようにしてもよい。このようにすることによっても、過電流が流れたときに、第１接続部１２ａの接触部１２ａ１と第２接続部２１ａの接触部２１ａ１とを切断しやすくすることができる。
【０１３４】
なお、これまで説明した実施形態、変形例１〜１３は、単独で実施することも可能であるが、適宜組み合わせて実施することも可能である。
【０１３５】
この変形例１３は、上述の実施形態と組み合わせて実施することも可能である。つまり、図１に示す半導体装置において、接触部１２ａ１，２１ａ１間の間隔を非接触部１２ａ２，２１ａ２間の間隔よりも狭くするようにしてもよい。換言すると、図１６に示す変形例１３では、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとが積層方向（Ｙ軸方向）に並んだ状態において、接触部１２ａ１，２１ａ１間の間隔を非接触部１２ａ２，２１ａ２間の間隔よりも狭くする例を採用した。しかしながら、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａとが積層方向に直交する方向（Ｘ軸方向）に並んだ状態において、接触部１２ａ１，２１ａ１間の間隔を非接触部１２ａ２，２１ａ２間の間隔よりも狭くするようにしてもよい。このようにすることによって、絶縁シート５０を設ける必要がない。
【０１３６】
なお、上述の実施形態、変形例１〜１３は、単独で実施することも可能であるが、適宜組み合わせて実施することも可能である。
【符号の説明】
【０１３７】
１０ 上アーム回路部（第１半導体部材）、１１ 上アーム側ヒートシンク（第２金属体）、１１ａ 外部リード（Ｐ端子）、１２ 上アーム側ヒートシンク（第１金属体）、１２ａ 上アーム側上下アーム接続部（第１接続部）、１２ａ１ 上アーム側接触部（接触部）、１２ａ２ 上アーム側非接触部（非接触部）、１３ 半導体素子（第１半導体素子）、１４ ターミナル、１５ ボンディングワイヤ、１６ 信号端子、２０ 下アーム回路部（第２半導体部材）、２１ 下アーム側ヒートシンク（第２金属体）、２１ａ 下アーム側上下アーム接続部（第２接続部）、２１ａ１ 下アーム側接触部（接触部）、２１ａ２ 下アーム側非接触部（非接触部）、２１ｂ 外部リード（Ｏ端子）、２２ 下アーム側ヒートシンク（第４金属体）、２２ａ 外部リード（Ｎ端子）、２３ 半導体素子（第２半導体素子）、２４ ターミナル、２５ ボンディングワイヤ、２６ 信号端子、１０ａ 上アーム（第１半導体部材）、２０ａ 下アーム（第２半導体部材）、１２ａ３ 上アーム側貫通孔、２１ａ３ 下アーム側貫通孔、１２ａ４ 上アーム側屈曲部、２１ａ４ 下アーム側屈曲部、１２ａ５ 上アーム側切込部、２１ａ５ 下アーム側切込部、３０ はんだ、４０ モールド樹脂、５０ 絶縁シート、６０ 開口部、１００ 半導体装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面に電極を備えた第１半導体素子（１３）と、
前記第１半導体素子（１３）の各電極に夫々接続され、当該第１半導体素子（１３）の放熱部材として機能する一対の金属体（１１，１２）と、を有する第１半導体部材（１０，１０ａ）と、
両面に電極を備えた第２半導体素子（２３）と、
前記第２半導体素子（２３）の各電極に夫々接続され、当該第２半導体素子（２３）の放熱部材として機能する一対の金属体（２１，２２）と、を有する第２半導体部材（２０，２０ａ）と、
前記第１半導体部材（１０，１０ａ）を一体的にモールドするとともに、前記第２半導体部材（２０，２０ａ）を一体的にモールドするモールド樹脂（４０）と、を備え、
前記第１半導体部材（１０，１０ａ）の金属体（１１，１２）における一方の金属体である第１金属体と、前記第２半導体部材（２０，２０ａ）の金属体（２１，２２）における一方の金属体である第２金属体とが電気的に接続された半導体装置であって、
前記第１半導体部材（１０，１０ａ）の第１金属体に設けられた第１接続部（１２ａ）と、
前記第２半導体部材（２０，２０ａ）の第２金属体に設けられた第２接続部（２１ａ）と、を備え、
前記第１接続部（１２ａ）と前記第２接続部（２１ａ）とは、前記モールド樹脂（４０）から露出した位置において互いに対向して配置された対向部を有し、
前記第１接続部（１２ａ）と前記第２接続部（２１ａ）における各対向部は、
互いに電気的及び機械的に接続された接触部（１２ａ１，２１ａ１）と、
互いに接触しておらず、互いに流れる電流の向きが逆方向となることで互いに斥力が働く非接触部（１２ａ２，２１ａ２）と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１半導体部材（１０ａ）と前記第２半導体部材（２０ａ）とは、前記モールド樹脂（４０）によって、別体としてモールドされていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１半導体部材（１０）と前記第２半導体部材（２０）とは、前記モールド樹脂（４０）によって、一体的にモールドされていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記モールド樹脂（４０）は、開口部（６０）を有し、
前記接触部（１２ａ１，２１ａ１）及び前記非接触部（１２ａ２，２１ａ２）は、前記開口部（６０）に配置されることで、前記モールド樹脂（４０）から露出していることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記モールド樹脂（４０）の端部に位置する前記非接触部（１２ａ２，２１ａ２）間には、絶縁部材（５０）が配置されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記接触部（１２ａ１，２１ａ１）にて接続された前記第１接続部（１２ａ）と前記第２接続部（２１ａ）とは、前記第１半導体部材（１０，１０ａ）と前記第２半導体部材（２０，２０ａ）の出力端子をなすことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１接続部（１２ａ）と前記第２接続部（２１ａ）は、前記接触部（１２ａ１，２１ａ１）にのみ、当該接触部（１２ａ１，２１ａ１）が対向する方向に貫通する貫通孔（１２ａ３，２１ａ３）が形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記非接触部（１２ａ２，２１ａ２）を電流が流れる方向に垂直な方向から切断した断面の面積は、前記接触部（１２ａ１，２１ａ１）を同一方向から切断した断面の面積よりも広いことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記非接触部（１２ａ２，２１ａ２）を電流が流れる方向に垂直な方向から切断した断面の面積と、前記接触部（１２ａ１，２１ａ１）を同一方向から切断した断面の面積とは同じであり、且つ、当該非接触部（１２ａ２，２１ａ２）の断面の面積及び当該接触部（１２ａ１，２１ａ１）の断面の面積は、前記第１接続部（１２ａ）と前記第２接続部（２１ａ）における他の部分を電流が流れる方向に垂直な方向から切断した断面の面積よりも狭いことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記非接触部（１２ａ２，２１ａ２）は、少なくとも一部に切り込みを入れられた部分（１２ａ５，２１ａ５）を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第１半導体部材（１０，１０ａ）と前記第２半導体部材（２０，２０ａ）は、前記第１半導体素子（１３）と一対の金属体（１１，１２）との積層方向と、前記第２半導体素子（２３）と一対の金属体（２１，２２）との積層方向とが平行となるように配置され、
前記第２接続部（２１ａ）が設けられた前記第２金属体と、前記第１半導体部材（１０，１０ａ）の前記第１接続部（１２ａ）が設けられていない第３金属体とが同一平面上に設けられ、
前記第１接続部（１２ａ）が設けられた前記第１金属体と、前記第２半導体部材（２０，２０ａ）の前記第２接続部（２１ａ）が設けられていない第４金属体とが同一平面上に設けられ、
前記第１接続部（１２ａ）は、
前記第１金属体と前記第４金属体との対向領域外に配置された前記接触部（１２ａ１）及び前記非接触部（１２ａ２）に加えて、
前記第１金属体と前記第４金属体との対向領域に配置され、当該第１半導体部材（１０，１０ａ）と当該第２半導体部材（２０，２０ａ）の配置方向に対して平行且つ斜めに配置された屈曲部（１２ａ４）を含み、
前記第２接続部（２１ａ）は、
前記第２金属体と前記第３金属体との対向領域外に配置された前記接触部（２１ａ１）及び前記非接触部（２１ａ２）に加えて、
前記第２金属体と前記第３金属体との対向領域に配置され、当該第１半導体部材（１０，１０ａ）と当該第２半導体部材（２０，２０ａ）の配置方向に対して平行且つ斜めに配置された屈曲部（２１ａ４）を含むことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第１金属体と前記第１接続部（１２ａ）とは別部材からなり、前記第２金属体と前記第２接続部（２１ａ）とは別部材からなることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記接触部（１２ａ１，２１ａ１）間の間隔は、前記非接触部（１２ａ２，２１ａ２）間の間隔よりも狭いことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１】
両面に電極を備えた第１半導体素子（１３）と、
前記第１半導体素子（１３）の各電極に夫々接続され、当該第１半導体素子（１３）の放熱部材として機能する一対の金属体（１１，１２）と、を有する第１半導体部材（１０，１０ａ）と、
両面に電極を備えた第２半導体素子（２３）と、
前記第２半導体素子（２３）の各電極に夫々接続され、当該第２半導体素子（２３）の放熱部材として機能する一対の金属体（２１，２２）と、を有する第２半導体部材（２０，２０ａ）と、
前記第１半導体部材（１０，１０ａ）を一体的にモールドするとともに、前記第２半導体部材（２０，２０ａ）を一体的にモールドするモールド樹脂（４０）と、を備え、
前記第１半導体部材（１０，１０ａ）の金属体（１１，１２）における一方の金属体である第１金属体と、前記第２半導体部材（２０，２０ａ）の金属体（２１，２２）における一方の金属体である第２金属体とが電気的に接続された半導体装置であって、
前記第１半導体部材（１０，１０ａ）の第１金属体に設けられた第１接続部（１２ａ）と、
前記第２半導体部材（２０，２０ａ）の第２金属体に設けられた第２接続部（２１ａ）と、を備え、
前記第１接続部（１２ａ）と前記第２接続部（２１ａ）とは、前記モールド樹脂（４０）から露出した位置において互いに対向して配置された対向部を有し、
前記第１接続部（１２ａ）と前記第２接続部（２１ａ）における各対向部は、
互いに電気的及び機械的に接続された接触部（１２ａ１，２１ａ１）と、
互いに接触しておらず、互いに流れる電流の向きが逆方向となることで互いに斥力が働く非接触部（１２ａ２，２１ａ２）と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１半導体部材（１０ａ）と前記第２半導体部材（２０ａ）とは、前記モールド樹脂（４０）によって、別体としてモールドされていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１半導体部材（１０）と前記第２半導体部材（２０）とは、前記モールド樹脂（４０）によって、一体的にモールドされていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記モールド樹脂（４０）は、開口部（６０）を有し、
前記接触部（１２ａ１，２１ａ１）及び前記非接触部（１２ａ２，２１ａ２）は、前記開口部（６０）に配置されることで、前記モールド樹脂（４０）から露出していることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記モールド樹脂（４０）の端部に位置する前記非接触部（１２ａ２，２１ａ２）間には、絶縁部材（５０）が配置されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記接触部（１２ａ１，２１ａ１）にて接続された前記第１接続部（１２ａ）と前記第２接続部（２１ａ）とは、前記第１半導体部材（１０，１０ａ）と前記第２半導体部材（２０，２０ａ）の出力端子をなすことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１接続部（１２ａ）と前記第２接続部（２１ａ）は、前記接触部（１２ａ１，２１ａ１）にのみ、当該接触部（１２ａ１，２１ａ１）が対向する方向に貫通する貫通孔（１２ａ３，２１ａ３）が形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記非接触部（１２ａ２，２１ａ２）を電流が流れる方向に垂直な方向から切断した断面の面積は、前記接触部（１２ａ１，２１ａ１）を同一方向から切断した断面の面積よりも広いことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記非接触部（１２ａ２，２１ａ２）を電流が流れる方向に垂直な方向から切断した断面の面積と、前記接触部（１２ａ１，２１ａ１）を同一方向から切断した断面の面積とは同じであり、且つ、当該非接触部（１２ａ２，２１ａ２）の断面の面積及び当該接触部（１２ａ１，２１ａ１）の断面の面積は、前記第１接続部（１２ａ）と前記第２接続部（２１ａ）における他の部分を電流が流れる方向に垂直な方向から切断した断面の面積よりも狭いことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記非接触部（１２ａ２，２１ａ２）は、少なくとも一部に切り込みを入れられた部分（１２ａ５，２１ａ５）を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第１半導体部材（１０，１０ａ）と前記第２半導体部材（２０，２０ａ）は、前記第１半導体素子（１３）と一対の金属体（１１，１２）との積層方向と、前記第２半導体素子（２３）と一対の金属体（２１，２２）との積層方向とが平行となるように配置され、
前記第２接続部（２１ａ）が設けられた前記第２金属体と、前記第１半導体部材（１０，１０ａ）の前記第１接続部（１２ａ）が設けられていない第３金属体とが同一平面上に設けられ、
前記第１接続部（１２ａ）が設けられた前記第１金属体と、前記第２半導体部材（２０，２０ａ）の前記第２接続部（２１ａ）が設けられていない第４金属体とが同一平面上に設けられ、
前記第１接続部（１２ａ）は、
前記第１金属体と前記第４金属体との対向領域外に配置された前記接触部（１２ａ１）及び前記非接触部（１２ａ２）に加えて、
前記第１金属体と前記第４金属体との対向領域に配置され、当該第１半導体部材（１０，１０ａ）と当該第２半導体部材（２０，２０ａ）の配置方向に対して平行且つ斜めに配置された屈曲部（１２ａ４）を含み、
前記第２接続部（２１ａ）は、
前記第２金属体と前記第３金属体との対向領域外に配置された前記接触部（２１ａ１）及び前記非接触部（２１ａ２）に加えて、
前記第２金属体と前記第３金属体との対向領域に配置され、当該第１半導体部材（１０，１０ａ）と当該第２半導体部材（２０，２０ａ）の配置方向に対して平行且つ斜めに配置された屈曲部（２１ａ４）を含むことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第１金属体と前記第１接続部（１２ａ）とは別部材からなり、前記第２金属体と前記第２接続部（２１ａ）とは別部材からなることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記接触部（１２ａ１，２１ａ１）間の間隔は、前記非接触部（１２ａ２，２１ａ２）間の間隔よりも狭いことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の半導体装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１３−１０１９９３（Ｐ２０１３−１０１９９３Ａ）
【公開日】平成２５年５月２３日（２０１３．５．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２４３６３４（Ｐ２０１１−２４３６３４）
【出願日】平成２３年１１月７日（２０１１．１１．７）
【出願人】（０００００４２６０）株式会社デンソー (27,639)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月２３日（２０１３．５．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月７日（２０１１．１１．７）
【出願人】（０００００４２６０）株式会社デンソー (27,639)
【Ｆターム（参考）】
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