【課題】虫等のリードへの侵入を防止することができ、湿気等によるリードのトラッキングを防止でき、低コストかつ組立て容易な電子部品、電子装置、電子機器および電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品１は、回路部２と、回路部２を封止する第１樹脂３と、回路部２に電気的に接続され、かつ第１樹脂３から突出するように延びる端部４ａを有するリード４と、リード４より小さいヤング率を有する第２樹脂５とを備えている。第２樹脂５は、端部４ａの先端部分４ｂ以外を接して覆うように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 高温下での滞留があってもゲル化懸念が少なく、なおかつ、アルミニウム材への初期密着強度に優れ、冷熱サイクル負荷等の環境負荷に対する耐久性に優れる電気電子部品封止用樹脂組成物、およびこれを用いた電気電子部品封止体を提供する。
【解決手段】 ポリエーテルジオールが共重合されている結晶性ポリエステル樹脂（Ａ）、 エポキシ樹脂（Ｂ）、 フッ素樹脂（Ｃ）、 を含有し、 水分率０．１％以下に乾燥して２２０℃に加熱し圧力１ＭＰａを付与し、孔径１．０ｍｍ、厚み１０ｍｍのダイより押し出したときの溶融粘度が５ｄＰａ・ｓ以上３０００ｄＰａ・ｓ以下である、電気電子部品封止用樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 成形性と耐半田性に優れ、耐湿信頼性にも優れた封止用エポキシ樹脂組成物、及びこの封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で素子が封止されている電子部品装置を提供する。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）無機充填材、及び、（Ｄ）一般式（１）で示されるシラン化合物、を含有する封止用エポキシ樹脂組成物であって、前記（Ｄ）成分が、純度が９８．５〜９９．５質量％であり、炭素数１〜５の一価のアルコールの含有量が１０００〜２５００ｐｐｍであり、分子内にメルカプト基を有しないシラン化合物の含有量が８０００ｐｐｍ未満であることを特徴とする、封止用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】
発光素子保護材としての硬度、耐久性を有すると同時に高い光取り出し効率をもたらす封止層を具備する発光装置を提供すること。
【解決手段】
発光素子（１）と封止層（２）を具備する発光装置であって、封止層（２）が、透光性樹脂（２Ａ）、平均１次粒子径が100nm以下の金属酸化物粒子（２Ｂ）及び平均粒子径が200nm以上、3μm以下の粒子（２Ｃ）を含有する封止用樹脂組成物から形成される封止層（２）を具備する発光装置。 （もっと読む）

【課題】過電流が流れた際に確実に電流を遮断することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】第１半導体部材１０と、第２半導体部材２０と、第１半導体部材１０と第２半導体部材２０とを一体的にモールドするモールド樹脂４０と、を備えた半導体装置１００であって、第１半導体装置１０の第１接続部１２ａと第２半導体装置２０の第２接続部２１ａとは、モールド樹脂４０から露出した位置において互いに対向して配置された対向部を有し、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａにおける各対向部は、互いに電気的及び機械的に接続された接触部１２ａ１，２１ａ１と、互いに接触しておらず、互いに流れる電流の向きが逆方向となることで互いに斥力が働く非接触部１２ａ２，２１ａ２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】水素雰囲気下での使用において耐久性に優れるガラス封止型サーミスタを提供する。
【解決手段】水素ガスの温度を測定するためのガラス封止型サーミスタ１であって、サーミスタ素子２とサーミスタ素子２に接続されたリード線３とを有するセンサ部８と、サーミスタ素子２を囲繞する第１ガラス封止体４と、リード線３を囲繞し所定の熱処理により第１ガラス封止体４に溶着されるとともにリード線３に密接および圧接される第２ガラス封止体５と、第２ガラス封止体５を囲繞し、第２ガラス封止体５と組み合わせられた後、所定の熱処理を加えられて収縮することで第２ガラス封止体５に対し圧着して圧縮応力を与える金属製の締め付け部材６と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】封止体の剥離を防止し、信頼性の高い電力用半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】電力用半導体素子４と、主面１ｆに電力用半導体素子４が接合された回路基板１と、回路基板１の主面１ｆの反対側の面１ｒを除き、少なくとも電力用半導体素子４を含む主面１ｆを封止する封止体７と、を備え、回路基板１の主面１ｆの、少なくとも周縁部よりも電力用半導体素子４が接合された部分に近い領域Ｌ１には、封止体７内に食い込む突起２が電力用半導体素子４を囲むように形成されているとともに、突起２は、主面１ｆから離れるにつれて主面１ｆに平行な断面が広がる拡張部２ｅを有するように構成した。 （もっと読む）

【課題】圧縮成形時におけるワイヤーの変形を低減できる封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本発明の粉粒状の封止用エポキシ樹脂組成物は、平坦な底面を有するアルミ箔容器の前記底面の全面を覆うようにエポキシ樹脂組成物をアルミ箔容器に収容し、大気圧下１７５℃の雰囲気下で３分間加熱することにより前記エポキシ樹脂組成物を硬化させたとき、硬化した前記エポキシ樹脂組成物の前記底面に接する面において形成された空隙の面積が、硬化した前記エポキシ樹脂組成物の前記底面に接する面の総面積に対して４０％以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの一部を露出させつつ樹脂で封止してなる半導体パッケージにおいて、外部の異物等による露出部への影響を極力抑える。
【解決手段】半導体チップ１０と、半導体チップ１０を封止する樹脂２０と、を備え、半導体チップ１０の一面１０ａの一部が露出部１１として樹脂２０より露出している半導体パッケージにおいて、半導体チップ１０の一面１０ａ側にて、露出部１１の周囲に位置する樹脂２０は、露出部１１側が広く露出部１１から離れるにつれて狭まり且つ頂部が外部に開口する穴２２とされた錐体形状をなす空間部２１を形成しており、露出部１１は空間部２１に位置し、穴２２を介して樹脂２０の外部に露出している。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの両面冷却により効率的な放熱が可能な積層構造を有する半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は第１半導体チップ１０ａと、前記第１半導体チップ１０ａの一方の面に設けられた放熱作用を有する第１エミッタ電極１４ａと、第２半導体チップ１０と、前記第２半導体チップ１０ｂの一方の面に設けられた放熱作用を有する第２エミッタ電極１４ｂとを有する。また、放熱作用を有する取り出しエミッタ電極１４を介して、前記第１エミッタ電極１４ａと前記第２エミッタ電極１４ｂが接するように設けられる。半導体装置１の製造方法は、第１半導体チップ１０ａの一方の面に放熱作用を有する第１エミッタ電極１４ａを接合する工程と、第２半導体チップ１０ｂの一方の面に放熱作用を有する第２エミッタ電極１４ｂを接合する工程と、前記第１エミッタ電極１４ａと前記第２エミッタ電極１４ｂを接合する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を用いたＦＥＴを樹脂封止パッケージに搭載した半導体装置の耐湿性を向上させること。
【解決手段】本発明は、窒化物半導体を用いたＦＥＴが形成されたチップ３０と、前記チップがＡｇペースト２２を用い搭載されたベース１２と、前記チップ３０を封止するガラス転移温度が１９０℃以上の樹脂２０と、を具備する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】高温側で従来よりも大きな実効電流を流すことができる。
【解決手段】電力素子チップ１３が搭載された素子搭載パッド１７に、タイバーで接続された放熱部材１８を設け、放熱部材１８をタイバーで折り曲げて素子搭載パッド１７に重ね合わせる。こうして、放熱部材１８と素子搭載パッド１７とでなる放熱部の熱容量を増加し、放熱面積を拡張している。したがって、本光結合装置を基板に実装した際の実装基板への熱伝達性を高めることができ、従来よりも放熱効果を高めることができる。これにより、高温側で従来よりも大きな実効電流を流すことができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス転移温度の高い成形品を得ることができ、成形時の流動性に優れ、保存安定性も良好な半導体封止用エポキシ樹脂組成物とその製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体封止のための成形材料として用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、４級ホスホニウム化合物、および無機充填剤を含有し、フェノール樹脂硬化剤として結晶性フェノール化合物を含有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置と外部回路とを接続させる際、モールドパッケージの外側において余分なスペースが発生せず、またはんだを用いず当該接続を可能せしめる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体素子１，２および電極端子部３，４，６がモールドパッケージ部９により覆われている。また、モールドパッケージ部９の第一の主面内には、底面から電極端子部３，４，６が露出している第一の開口孔１０，１１が形成されている。そして、第一の開口孔１０，１１の開口部を塞ぐように、第一の主面上に固定される外部接続部材１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃと、第一の開口孔１０，１１の内部に配設され、弾性を有し、電極端子部３，４，６と外部接続部材１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃとを電気的に接続する第一のコンタクト部材１６Ａ，１６Ｂ，１９とを、備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造において半導体装置の形状や意匠への制限を抑制でき、高生産性、かつ低コストで高品質の半導体装置の製造を可能にする半導体装置用パッケージの製造方法及び半導体装置用パッケージを提供することを目的とする。
【解決手段】成型部を成型するためのキャビティ凹部を有する上金型と平坦面を有する下金型との間にリードフレームをチップ搭載領域が上側になるようにセットし、キャビティ凹部内で連結部と該連結部に隣接する信号接続端子との一部を押圧ブロックによりクランプしながらキャビティ凹部内に成型材料を充填し、複数のチップ搭載領域のダイパッド部と押圧ブロックによりクランプした信号接続端子の一部とが上面に対して露出し、チップ搭載領域の反対側の信号接続端子が下面に対して露出して上下両面に複数の外部電極が露出するように成型部を成型する工程を含む半導体装置用パッケージの製造方法。 （もっと読む）

【課題】外部リード間の沿面距離を大きくするための絶縁性突起部の強度が高く、製造が容易な半導体装置の提供。
【解決手段】パッケージ本体から複数の外部リードが外側に突出している半導体装置であって、上記パッケージ本体に、互いに隣り合う外部リードの間に位置する絶縁性突起部が形成され、上記絶縁性突起部は、いずれか一方の外部リードにのみ接していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造可能なＬＥＤパッケージ用基板を提供する。
【解決手段】ＬＥＤパッケージを製造するために用いられるＬＥＤパッケージ用基板であって、ＬＥＤチップの第１の電極に電気的接続するためのダイパッドおよびＬＥＤチップの第２の電極に電気的接続するためのリードを備えたリードフレームと、トランスファ成形によりダイパッドとリードとの間の抜き孔に充填され、かつ、リードフレームの表面上の端部にダム部を成形する樹脂とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、常温でのハンドリング性と高温での溶融性が両立でき、反射率が高く、耐熱耐光性が良好な硬化物を与える熱硬化性組成物を提供する。
【解決手段】本発明の特徴は、（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有する化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、（Ｄ）白色顔料、（Ｅ）無機充填材、（Ｆ）ＳｉＨ基もしくはＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも１個含有するシリコーン化合物、（Ｇ）平均粒径１〜１００ｎｍのナノ粒子、を含有することを特徴とする熱硬化性樹脂組成物であって、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｆ）の少なくとも１成分が２３℃において液体であり、かつ熱硬化性樹脂組成物としては２３℃において固体であることを特徴とする熱硬化性樹脂組成物である。 （もっと読む）