【課題】過電流が流れた際に確実に電流を遮断することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】第１半導体部材１０と、第２半導体部材２０と、第１半導体部材１０と第２半導体部材２０とを一体的にモールドするモールド樹脂４０と、を備えた半導体装置１００であって、第１半導体装置１０の第１接続部１２ａと第２半導体装置２０の第２接続部２１ａとは、モールド樹脂４０から露出した位置において互いに対向して配置された対向部を有し、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａにおける各対向部は、互いに電気的及び機械的に接続された接触部１２ａ１，２１ａ１と、互いに接触しておらず、互いに流れる電流の向きが逆方向となることで互いに斥力が働く非接触部１２ａ２，２１ａ２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】屈折率が低く、かつ透明性が高く、更には、耐熱性にも優れ、また、高耐熱性、可視光領域での透明性、低誘電率及び可撓性に優れる硬化物を形成でき、更には物理的、化学的安定性にも優れる含フッ素ポリマー、硬化性樹脂組成物、及び、硬化物を提供する。
【解決手段】本発明は、下記式（Ｌ）：
［化１］


（式中、Ｘ^１及びＸ^２は、同一又は異なり、Ｈ又はＦである。Ｘ^３は、Ｈ、Ｆ、ＣＨ_３又はＣＦ_３である。Ｘ^４及びＸ^５は、夫々同一又は異なり、Ｈ、Ｆ又はＣＦ_３である。Ｒｆは、炭素数４〜４０の含フッ素炭化水素基、又は、炭素数５〜１００のエーテル結合を有する含フッ素炭化水素基である。ａは０〜３の整数である。ｂ及びｃは同一又は異なり、０又は１である。）で表される構造単位を有する含フッ素ポリマーである。 （もっと読む）

【課題】ＥＭＩシールドされた半導体パッケージ及びＥＭＩシールドされた基板モジュールを提供する。
【解決手段】本発明のＥＭＩ（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）シールドされた半導体パッケージは、半導体パッケージと、その表面の少なくとも一部に形成されたＥＭＩシールド層と、を有し、ＥＭＩシールド層は、マトリックス層と、マトリックス層の上部に配置された金属層と、マトリックス層と金属層との界面に配置された第１シード粒子と、を含む。これにより、半導体パッケージ及び基板モジュールは、従来デバイス単位で行われたシールディング工程を、実装基板のレベルで進められるように拡張可能なため、短時間で高い生産性をもって廉価で製造することができる。 （もっと読む）

【課題】銅ワイヤを用いた場合に耐湿信頼性を向上することができ、成形時の銅ワイヤの変形とパッケージの反りも抑制することができる半導体封止用エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、および無機充填剤を必須成分として含有し、半導体素子の電気接続に銅ワイヤを用いたエリア実装型パッケージの成形材料として用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂として、次の式（I）：
【化１】


で表わされ、加水分解性塩素量が１０〜２０ｐｐｍのビフェニル型エポキシ樹脂を含有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】エポキシ樹脂組成物にした際に溶解性が良好であり、かつ、エポキシ樹脂硬化物に高い耐熱性を付与できるエポキシ樹脂用硬化剤として用いることができる、新規なカリックスアレーン系化合物を提供する。
【解決手段】下記式（Ｉ−１）で示される特定構造を有するカリックスアレーン系化合物。
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【課題】センサチップの一端側をモールド樹脂で封止してモールド樹脂で片持ち支持するようにしたモールドパッケージの製造方法において、モールド樹脂による封止前におけるセンサチップのぐらつきを防止して、工程中のワークの取り扱い性に優れた製造方法を実現する。
【解決手段】センサチップ２０の一端２３側をモールド樹脂５０で封止してモールド樹脂５０で片持ち支持するようにしたモールドパッケージＳ１の製造方法においてリードフレーム３０として、センサチップ２０の他端２４側を支持する支持部３３を有するものを用意し、センサチップ２０の他端２３側を支持部３３で受けて支持するようにし、支持部３３による支持を維持した状態にてモールド樹脂５０による封止を行った後に、リードフレーム３０から支持部３３をカットして、センサチップ２０の他端２４側から支持部３３を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージを傷つけることなく安定した状態で確実に持ち上げて搬送でき、また、半導体パッケージを搬送する搬送装置の製造コストや維持費も低く抑えることができるようにする。
【解決手段】半導体チップ４を含む板状のパッケージ本体２を備え、当該パッケージ本体２の側部に、パッケージ本体２の板厚方向に段差が形成されることで、搬送用の治具１００をパッケージ本体２の板厚方向の一方側から当接させる支持用段差部８が画成され、この支持用段差部８が、少なくとも平面視したパッケージ本体２を側部から挟み込むような位置に形成された半導体パッケージ１を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、硬化物が２００℃以上の大気雰囲気下において劣化がほとんど観測されず、かつ粘度が低い熱硬化性樹脂組成物を提供する事を目的とする。
【解決手段】（Ａ）一分子中に平均して２個以上のシアナト基を有するシアン酸エステル化合物１００重量部、（Ｂ）フェノール化合物１〜５００重量部、（Ｃ）トリアリルイソシアヌレート１〜５００重量部、（Ｄ）無機充填剤１〜８００重量部を含有し、さらに（Ａ）成分と（Ｂ）成分と（Ｃ）成分の合計量１００重量部に対して（Ｅ）エポキシ樹脂０〜２０重量部を含有し、２０〜８０℃における最低粘度が５Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする熱硬化性樹脂組成物により達成できる。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基材の上に熱分解性の樹脂層を形成する工程と、熱分解性の樹脂層上に、主面から裏面まで貫通する貫通プラグが設けられた複数の基板を配置し、熱分解性の樹脂層を介して、基板と基材とを固定する工程と、基板の裏面上に、貫通プラグに電気的に接続するように第１の半導体素子を設けて、基板および第１の半導体素子を含む構造体を形成する工程と、半導体封止用樹脂組成物を用いて、熱分解性の樹脂層上の複数の前記構造体を封止する封止材層を形成する工程と、加熱処理により熱分解性の樹脂層を分解して、封止材層から基材を分離することにより、構造体の基板の主面を露出させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性能及び冷却性能を低下させることなく、パワーモジュールに冷却器を半田接合して構成される半導体装置を得る。
【解決手段】 ベース板２と、ベース板２の一方の主面上に設けられたパワー半導体素子３と、ベース板２の他方の主面にその一方の主面が固着された絶縁樹脂層４ａと、絶縁樹脂層４ａの他方の主面にその一方の主面が固着された金属層４ｂと、金属層４ｂの他方の主面が露出するようにベース板２、パワー半導体素子３及び絶縁樹脂層４ａを被覆して筐体を形成する樹脂筐体５とを有するパワーモジュール１と、一主面に少なくとも１つの凸状段差部７ｂが形成され、凸状段差部７ｂの少なくとも上面において金属層４ｂの露出面に半田により接合される冷却器７とを備えた半導体装置であって、凸状段差部７ｂの上面の面積が金属層４ｂの他方の主面の面積より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子部品をプリント配線板などにはんだ接続する際に、溶融したはんだによる電極間のショートの発生を防ぐことができるはんだペースト、電子部品、該電子部品を用いた電子機器の提供。
【解決手段】電極パッドを有する配線基板と、前記配線基板に実装され、複数の電極を有する部品と、前記部品を覆う封止樹脂と、前記配線基板内の配線を、外部の基板と接続する複数の端子とを有し、前記複数の電極が、前記電極パッドとはんだにより接続されており、前記はんだと前記封止樹脂との間に、前記はんだ側から、第１のヤング率を有する第１の樹脂層と、前記第１のヤング率よりも大きな値の第２のヤング率を有する第２の樹脂層とが順に形成されている電子部品である。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド回路基板において好適に使用できるポリイミド系のアンダーフィル材であり、高周波領域において発生しやすいノイズを抑制し、消費電力を抑えることができる、低誘電性アンダーフィル用樹脂組成物およびその硬化膜を提供する。
【解決手段】ポリイミドまたはその前駆体であるポリアミド酸（Ａ）と、平均粒子径が１００μｍ以下のポリオレフィン粒子（Ｂ）、溶媒（Ｃ）とを混合して得られるアンダーフィル用樹脂組成物であって、前記樹脂組成物を加熱乾燥して得られる硬化膜は、ポリイミドの連続相と、前記ポリオレフィン粒子（Ｂ）から得られる分散相とを有し、硬化膜の比誘電率は、前記ポリイミドの比誘電率よりも低いアンダーフィル用樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】長期耐熱性を有し、かつ高い接着性を有する樹脂組成物及びそれを用いた半導体封止材料を提供する。
【解決手段】（Ａ）一分子中に平均して２個以上のシアナト基を有するシアン酸エステル化合物１００重量部、（Ｂ）フェノール化合物１０〜５００重量部、（Ｃ）トリアリルイソシアヌレート１〜５００重量部、（Ｄ）無機充填剤１〜１０００重量部を含有し、さらに（Ａ）成分と（Ｂ）成分と（Ｃ）成分の合計量１００重量部にたいして（Ｅ）エポキシ樹脂０〜２０重量部を含有する熱硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ＰｏＰ構造の上パッケージの構成の自由度を向上させることができると共に、比較的低コストで製造することが可能である、半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１２と、この基板１２上に実装された半導体チップ１１と、基板１２の上面及び半導体チップ１１が絶縁材１５により封止されて成るパッケージ１０と、このパッケージ１０の上面に露出したモールド材３２と、一端がこのモールド材３２に接続され、他端が基板１２に電気的に接続され、モールド材３２との接続部から基板１２との接続部まで、同一材料により一体に形成され、モールド材３２との接続部がパッケージ１０の上面に露出したリード３１とを含む、半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの表面の一部がモールド樹脂から露出した、チップ露出面を有する半導体装置およびその製造方法であって、モールド樹脂がチップ露出面にはみ出ないモールド成形が可能で、安価に製造することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１１の表面の一部がモールド樹脂３２から露出した、チップ露出面１１ａを有する半導体装置であって、モールド樹脂３２が、高分子５１ａでできた殻の中に炭化水素５１ｂを内包するマイクロバルーン５１と熱硬化性樹脂５２の複合樹脂からなる半導体装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】大きなアース面によるアースシーリングを備えたモジュールを提供すること。
【解決手段】内側ハウジンと外側ハウジングの間に設けられたバスタブ状の合成構成部分を有しており、当該合成構成部分内に、前記内側ハウジングが背面以って組み込まれており、前記合成構成部分は絶縁バスタブと、絶縁バスタブの内面に、少なくともバスタブ底面に形成されたアース面とを有しており、当該アース面は前記電気的構成部分の背面のシーリングを形成する、ことを特徴とするモジュール。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージからの不要電磁波の漏洩を抑制すると共に、シールド層とインターポーザ基板のグランド配線との密着性を向上させた半導体パッケージを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体パッケージ１はインターポーザ基板２上に搭載された半導体チップ４と、封止樹脂層５およびインターポーザ基板２の側面の少なくとも一部を覆う導電性シールド層７とを具備する。インターポーザ基板２は絶縁基材２１を貫通する複数のビア２４を有する。複数のビア２４の一部（２４Ａ）は、インターポーザ基板２の側面に露出し、かつインターポーザ基板２の厚さ方向に切断された切断面Ｃを有する。ビア２４Ａの切断面Ｃは、導電性シールド層７と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】配置板の主面に固定された半導体チップと接続端子とをワイヤで電気接続した上で、配置板の主面、半導体チップ及びワイヤを樹脂封止してなる半導体装置において、その安全性を確保しながらも、半導体チップと配置板とを接合する接合剤にクラックが発生することを抑制し、信頼性向上を図る半導体装置を提供する。
【解決手段】配置板１２の主面１２ａ、半導体チップ１３及びワイヤ１５を封止する硬質樹脂層２１と、流動性を有すると共に硬質樹脂層２１よりも柔らかい軟質樹脂層２２とを、配置板１２の主面１２ａに順次積層し、硬質樹脂層２１内に位置するワイヤ１５から軟質樹脂層２２までの距離を、ワイヤ１５の断線時に発生するエネルギーに基づいて硬質樹脂層２１に生じる亀裂が軟質樹脂層２２まで到達するように設定する。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を抑制し、インダクタンスの増大を抑制できるパワー半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるパワー半導体装置は、パワー半導体素子４と、パワー半導体素子４上面に選択的に形成された第１上面電極パターンとしての上面電極パターン１００を介してパワー半導体素子４と接続された、第１金属ブロックとしての金属ブロック７と、パワー半導体素子４と金属ブロック７とを覆って充填されたモールド樹脂９とを備え、金属ブロック７は、その上面がモールド樹脂９表面から露出する。 （もっと読む）