【課題】スイッチング素子のゲート電圧閾値が変動しても、スイッチング素子が十分な放電能力を発揮できる、電力変換装置を提供すること。
【解決手段】ハイサイドのスイッチング素子Ｑ１とローサイドのスイッチング素子Ｑ２が直列に接続された直列回路１１を備え、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２が両サイドとも重複してオンすることで、直列回路１１に接続されるコンデンサ１２を放電させる電力変換装置であって、スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２に所定の電流値が流れるゲート電圧を測定し、コンデンサ１２を放電させるとき、測定したゲート電圧測定値にスイッチング素子Ｑ１のゲート電圧を制御する制御部とを備えることを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】モジュール式のマルチレベル電力変換器に関し変換器における故障を識別する手段を提供する。
【解決手段】変換器１は、複数のブリッジブランチ２を具備し、複数のブリッジブランチ２は、直列接続された１つ以上のスイッチングセル３を有し、各ブリッジブランチ２は、変換器１の複数の入力のうちの１つを複数の出力のうちの１つに接続し、この方法は、故障を決定するために、スイッチングセル３の各々を監視するステップと、スイッチングセル３のうちの１つにおいて故障が識別された場合に、その１つのスイッチングセル３において識別された故障の後で、特に所定の期間内に、スイッチングセル３のうちの別の１つにおける故障を識別しないならば、スイッチングセル接続を短絡させるトリガリング要素のうちの１つをトリガするステップと、を含む、方法に関する。 （もっと読む）

【課題】過電流が流れた際に確実に電流を遮断することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】第１半導体部材１０と、第２半導体部材２０と、第１半導体部材１０と第２半導体部材２０とを一体的にモールドするモールド樹脂４０と、を備えた半導体装置１００であって、第１半導体装置１０の第１接続部１２ａと第２半導体装置２０の第２接続部２１ａとは、モールド樹脂４０から露出した位置において互いに対向して配置された対向部を有し、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａにおける各対向部は、互いに電気的及び機械的に接続された接触部１２ａ１，２１ａ１と、互いに接触しておらず、互いに流れる電流の向きが逆方向となることで互いに斥力が働く非接触部１２ａ２，２１ａ２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】構成を簡易化できるとともに、他の電源との併用を容易に実現可能な無停電電源装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る無停電電源装置１は、第１の２次電池１１と、第１の２次電池１１と直列に接続される第２の２次電池１２と、第１の２次電池１１および第２の２次電池１２を商用交流電力により充電する充電器１３と、第１の２次電池１１および第２の２次電池１２により供給される直流電力から商用交流電力に同期した交流電力を生成するハーフブリッジ型インバータ１４と、商用交流電力およびハーフブリッジ型インバータ１４により生成された交流電力をカップリングコンデンサにより合成する交流電力合成回路１５とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】電力を電力系統に供給する電力変換システムを提供する。
【解決手段】システム１４は、直流電源１２に結合された電力変換器１６を含んでおり、電力変換器１６及び電力系統２２に結合され、電力変換器１６を電力系統２２に選択的に電気的に結合するように構成されたＡＣ接触器２４も含んでいる。システムは、電力変換器１６及びＡＣ接触器２４に通信可能に結合され、供給される直流電圧１２が、ある長さの時間中、ある電圧レベルより高いままであった場合、電力変換器１６を電力系統２２に電気的に結合し、電力変換器１６を活性化するために、ＡＣ接触器２４を閉じるように構成されたシステムコントローラ１８も含んでいる。システムコントローラ１８は、交流電力出力が、ある長さの時間中、ある電力レベルより小さいままであった場合、ＡＣ接触器２４を閉じた位置に維持すると同時に、電力変換器１６を不活性化するようにも構成されている。 （もっと読む）

【課題】主回路インダクタンスを低減でき、かつ、電流振動が発生する周波数帯域で高抵抗になる導体形態を有する電力変換器を提供することにある。
【解決手段】上記の課題を解決する手段として、正極側電流を流す導体と絶縁シートと負極側電流を流す導体とを積層接着させ、各々の導体に流れる電流の経路を対向させた電力変換器の主回路配線において、積層された導体の表面のうち、他方の導体側の面について、導体内部よりも高周波帯域において高抵抗な部材を用いる。 （もっと読む）

【課題】トランスの偏磁を未然に抑止できる電力変換装置や電源システムを提供する。
【解決手段】スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４とトランスＴｒ１とを少なくとも含む電力変換装置２０において、トランスＴｒ１の二次端子から出力される交流電力を整流する二以上のダイオードＤ２１，Ｄ２２（整流部）と、整流された直流電力を個別に積分して得られる波形を出力する積分波形出力部２２，２３と、積分波形出力部２２，２３から出力される二以上の波形のうちで一の波形にかかるピーク値Ｗｐを保持するピークホールド部２４と、上記二以上の波形のうちで他の波形にかかる波形値Ｗ２とピークホールド部２４によって保持されるピーク値Ｗｐとの差分値Δｄを検出する差分値検出部２５と、検出された差分値Δｄに基づいてスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４を操作する操作信号を制御する操作信号制御部２１とを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｙ結線部分の間の直流の制御を行う。
【解決手段】電力変換部２０の２重のＹ結線回路２３の各相の電圧および電流を検出し、電力変換部２０の２重のＹ結線回路２３の各相の電圧および電流と、当該２重のＹ結線回路を、直流回路を含む等価回路で示した場合の当該直流回路の電圧および電流との関係を示す関係情報に基づいて、検出結果から導出される直流回路の電圧および電流の少なくとも一方が一定となるように電力変換部２０のスイッチング素子２５を制御する。 （もっと読む）

【課題】低出力におけるターンオフ時のスイッチング速度を速められるようにしたハーフブリッジ回路を提供する。
【解決手段】モード１〜３において誘導性負荷Ｌの通電方向が第１方向（図示左方向）であるとき、ＭＯＳトランジスタＳ１にオフ制御信号を印加するときには、ＭＯＳトランジスタＳ２にオン制御信号を印加するまでの間に、第１方向と同一方向に通電するようにＭＯＳトランジスタＳ３、Ｓ４に制御信号（Ｓ３＝オン制御信号：Ｓ４＝オフ制御信号）を一方向通電制御信号として印加する。モード４〜６において誘導性負荷Ｌの通電方向が第２方向（図示右方向）であるとき、ＭＯＳトランジスタＳ２にオフ制御信号を印加するときには、ＭＯＳトランジスタＳ１にオン制御信号を印加するまでの間に、第２方向と同一方向に通電するようにＭＯＳトランジスタＳ３、Ｓ４に制御信号（Ｓ３＝オフ制御信号：Ｓ４＝オン制御信号）を一方向通電制御信号として印加する。 （もっと読む）

【課題】コストの増大を招くことなく、スイッチングデバイスのターンオン、ターンオフ時のリンギングを抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】端子Ｐ’とトランジスタＴ１のコレクタとの間には、端子Ｐ’にカソードが接続され、コレクタにアノードが接続されたダイオードＤが設けられている。また、端子Ｐと端子Ｎとの間には、端子Ｐ側から抵抗ＲおよびコンデンサＣが、この順に直列に接続されており、コンデンサＣと平滑コンデンサＣ０とはＰＮ線間に並列に接続された構成となっている。なお、端子Ｐ’は、抵抗ＲとコンデンサＣとの間に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 蛍光灯管が寿命終了または故障したとき自己保護機能を提供できる電子安定器を提供する。
【解決手段】 蛍光灯管２０の両端は、それぞれ第１フィラメント２０１と第２フィラメント２０２が設けられる。電子安定器１は、制御回路１０、第１パワースイッチ１１および第２パワースイッチ１２、一つの直流障壁容量コンデンサーＣｂ、共振回路２、電圧検出回路６１、ならびに整流フィルタ回路６２を備える。整流フィルタ回路６２は、交流電圧を直流電圧に変換して、直流電圧を制御回路１０の入力端に伝送する。制御回路１０内部の比較器６３は、直流電圧が許容電圧レベルＶｒｅｆを超えていると判断したとき、中断の制御信号を発生し、制御回路１０の稼動をただちに中止する。 （もっと読む）

【課題】大型の放熱部材を用いることなく高い性能を発揮可能なパワー半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】本発明のパワー半導体モジュール（１）は、第１セラミック基板（１１）と、第１セラミック基板の一方の主面に配置された第１導電層（２１）と、第１セラミック基板の他方の主面において第１導電層と対向する領域に配置された第２導電層（２２）と、シリコンよりバンドギャップの広い材料で構成され、第１導電層の表面に配置されたトランジスタ（３３ａ、３３ｂ）と、前記トランジスタのスイッチングによって第１導電層及び第２導電層に逆向きの電流変化が発生するように第１導電層と第２導電層とを電気的に接続する接続部材（３５ａ）と、第２導電層の表面に一方の主面が接触するように配置された第２セラミック基板（１２）と、第２導電層と絶縁されるように第２セラミック基板の他方の主面に配置された第３導電層（２３）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＭＭＣＣ−ＤＳＣＣにおいて、電力系統の事故などに起因する過電流による電力用半導体素子の破損を防止するためには、過電流が流れることを想定して、より電流耐量の大きな電力用半導体素子を用いなければならないため、電力変換装置の体格が大型化してしまう。
【解決手段】本発明は、単位変換器を複数カスケード接続した複数のアームを、スター結線、デルタ結線、またはブリッジ状に接続して構成される電力変換装置において、該電力変換装置が少なくとも２種類以上の制御周期で動作する少なくとも２つ以上の部分演算装置を有する制御装置を備えていることを特徴とする電力変換装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】機器小型化を図ることができるとともに高温下であってもコモンモードノイズを十分に抑制することができるノイズ低減回路を提供する。
【解決手段】バッテリ１９からの電力を半導体素子からなる半導体スイッチング素子１１，１２を介して電力変換して電力駆動する負荷に出力する高圧電力系統と、ボディ１７との間に、半導体スイッチング素子１１，１２の駆動による発熱温度上限値以上の耐熱温度を有するダイオード２６，２７を、それらの導通方向が逆向きになるように直列接続したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置を構成するＦＥＴの発熱を低下させ、最大出力電力を高めた改良された電力変換装置を得る。
【解決手段】ＦＥＴ１ａ、ＦＥＴ１ｂとＦＥＴ１ａ、ＦＥＴ１ｂに逆並列接続された還流ダイオードＤ１ａ、Ｄ１ｂとにより半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂを構成し、スイッチング動作を行う２個１組の半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂと、平滑コンデンサＣ１とを有し、半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂのＦＥＴ１ａ、ＦＥＴ１ｂの相補的スイッチング動作により電力変換を行う電力変換装置１０において、半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂに流れる電流の向きを検出する電流センサＣＳ１と、半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂに流れる電流の向きが負であるときに、半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂのＰＷＭゲート信号のオン信号を間引くゲート生成部１１を備えた。 （もっと読む）

【課題】パワーＭＯＳＦＥＴを高速駆動する場合であっても、寄生インダクタンスに流れる電流の時間変化に応じて発生する電圧に起因したセルフターンオンの発生を防止できるようにしたパワーＭＯＳＦＥＴの駆動回路、また、その素子値決定方法を提供する。
【解決手段】制御回路が、駆動回路によってスイッチを駆動制御することで、（２）区間においてスイッチＳ２ＨおよびＳ２Ｌをオンすると共にその他をオフとし、（３）区間においてスイッチＳ１ＬおよびＳ３Ｈをオンすると共にその他をオフとする。すると、（２）〜（３）区間にかけて、ハイサイド側のＭＯＳＦＥＴのゲートソース間を所定のインピーダンスに切り替えることができ、リカバリー後半に至ったとしてもハイサイド側のＭＯＳＦＥＴのゲートソース間電圧Ｖｇｓ１を閾値電圧Ｖｔ未満に抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ノイズやサージを対策しつつ、温度上昇を抑制可能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】パワーモジュール４は基板２０の第１面Ｓ１に実装され、ゲートドライブ回路６、複数の電解コンデンサＣ１およびスナバ回路８の構成部品は基板２０の第２面Ｓ２に実装される。複数の電解コンデンサＣ１は、基板２０の中心にクリアランス２１を有するように２つの領域２３、２５に隔てて配置される。スナバ回路の構成部品は、複数の電解コンデンサＣ１に囲まれる領域２９に配置される。 （もっと読む）

【課題】ノイズやサージを対策しつつ、温度上昇を抑制可能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】電解コンデンサＣ１は、上側電源ラインと下側電源ラインの間に電気的に接続される。パワーモジュール４は、少なくともひとつのパワートランジスタを内蔵する。ゲートドライブ回路６は、少なくともひとつのパワートランジスタを駆動する。スナバ回路８は、上側電源ラインおよび下側電源ラインと電気的に接続される。第１基板２０は、その第１面Ｓ１にパワーモジュール４が実装され、その第２面Ｓ２にゲートドライブ回路６およびスナバ回路８の構成部品が実装される。第２基板２２は、その第１面Ｓ３に電解コンデンサＣ１が実装される。 （もっと読む）

【課題】ハーフブリッジ回路のメインスイッチング素子が同時オンになることを確実に防止する。
【解決手段】ローサイド側の入力信号を遅延させてローサイド側遅延信号として出力する遅延回路２０と、ハイサイド側の入力信号からハイサイド側セット出力信号と予備リセット信号とを生成して出力するパルス発生回路１２と、ローサイド側の入力信号がアクティブになってからローサイド側遅延信号がアクティブになるまでの期間、又は予備リセット信号がアクティブである期間にハイサイド側リセット出力信号をアクティブにするリセット信号生成回路３０と、を備えるハーフブリッジドライバとする。 （もっと読む）

【課題】 スイッチング時間のばらつきを簡単かつ安価な回路にて抑制できるスイッチング回路を提供する。
【解決手段】
スイッチング回路は、電力用スイッチング素子S1、S2をそれぞれ有する上アームA1および下アームA2と、電力用スイッチング素子S1、S2のスイッチング動作に応じてこの電力用スイッチング素子S1、S2を有するアームA1、A2とは反対側のアームA2、A1にそれぞれ設けられた追加スイッチング素子M2、M1を動作させることで電力用スイッチング素子S1、S2の出力容量を充電する出力容量充電促進回路と、
を備える。 （もっと読む）