【課題】封止体の剥離を防止し、信頼性の高い電力用半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】電力用半導体素子４と、主面１ｆに電力用半導体素子４が接合された回路基板１と、回路基板１の主面１ｆの反対側の面１ｒを除き、少なくとも電力用半導体素子４を含む主面１ｆを封止する封止体７と、を備え、回路基板１の主面１ｆの、少なくとも周縁部よりも電力用半導体素子４が接合された部分に近い領域Ｌ１には、封止体７内に食い込む突起２が電力用半導体素子４を囲むように形成されているとともに、突起２は、主面１ｆから離れるにつれて主面１ｆに平行な断面が広がる拡張部２ｅを有するように構成した。 （もっと読む）

【課題】熱放散性や製造容易性に優れ、かつ水分等の異物の侵入を抑えたＣＳＰ構造の半導体装置、並びにその半導体装置を構成するリードフレームを形成するための異形断面条及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様において、突起３が形成された部分であるアウターリードとしての２つの厚肉部２Ａ、及び２つの厚肉部２Ａの間のインナーリードとしての薄肉部２Ｂを有するリードフレーム５Ａと、ボンディングワイヤ１２を介して薄肉部２Ｂに電気的に接続される半導体チップ１１と、リードフレーム５Ａ及び半導体チップ１１を封止する樹脂パッケージ１４と、を含み、リードフレーム５Ａの上面及び下面の樹脂パッケージ１４に接触する部分に、突起３に平行な線状の微小溝４Ａ、４Ｂが形成され、微小溝４Ａ、４Ｂの深さは前記突起の高さよりも小さく、２つの厚肉部２Ａの一部が樹脂パッケージ１４の底面及び側面に露出する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】充填材の漏れに起因する導通不良を防止する電子機器を提供する。
【解決手段】電子機器１は、例えば、図１（ａ）、（ｂ）及び図２（ａ）に示すように、複数の溝を有する２つのリードフレーム２及びリードフレーム３と、半導体装置５が収容される収容部１２、外部の端子と接続する接続部１４、及び収容部１２に充填される充填材４が接続部１４に漏れ出すのを防止する防止壁１３を有し、リードフレーム２及びリードフレーム３と一体に形成される本体１０と、を備えて概略構成されている。また、この電子機器１は、例えば、リードフレーム２及びリードフレーム３の溝に沿って防止壁１３が位置する。 （もっと読む）

【課題】モールド樹脂の剥離を抑制可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ２０と、一面１０ａを有すると共に一面１０ａに導電性部材搭載領域を有し、導電性部材搭載領域に半導体チップ２０が導電性部材３０を介して搭載される搭載部材１０と、搭載部材１０の少なくとも一部および半導体チップ２０を封止するモールド樹脂４０と、を有し、搭載部材１０の一面１０ａのうちモールド樹脂４０と接する部位が凹凸形状とされている半導体装置において、搭載部材１０のうちモールド樹脂４０と接する部位の表面に水酸化物１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の小型化を図るとともに半導体素子の多ピン化に対応することが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置２０は、ダイパッド１５とリード部１６とを有するリードフレーム１０と、半導体素子２１と、導電部２２と、封止樹脂部２３とを備えている。リード部１６は、複数の放射状部分４１、４２と、複数の中継部分４３、４４とを含み、半導体素子２１の各端子部２１ａは、導電部２２により放射状部分４２または中継部分４３、４４に接続されている。放射状部分４１、４２および中継部分４４の裏面にハーフエッチング部１７を形成し、中継部分４３およびダイパッド１５の裏面に、基板側端子５１と接続可能な接続端子部２９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】エポキシ樹脂を封止材とした絶縁シート構造のパワーモジュールにおいて、吸湿による絶縁シートの絶縁性能低下を防止することにより、長期的信頼性を向上させる。
【解決手段】金属基板１１と、絶縁シート２と、ヒートスプレッタ３と、半導体素子４と、リードフレーム５と、配線６と、封止樹脂７とを備え、金属基板１１は、その端部が湾曲形状を有するとともに封止樹脂７内に封止される。これにより、外部から絶縁シート２までの水分浸入経路を長くすることができ、吸湿による絶縁シート２の絶縁性低下を防止して、パワーモジュールの長期信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】装置全体の大型化を招かず、放熱性を向上し、高剛性で反りを発生しにくくする。歩留まり良く高品質に製造する。
【解決手段】複数のリードフレーム３０１−３０４はそれぞれ、内部接続部３０１ｂ−３０４ｂが略同一面上に面するように配置されるとともに所定の配列方向Ｘに並べられ、内部リード１０９−１１１は、半導体素子１０６−１０８とこれに隣接する内部接続部との間に架設されてこの両者を機械的・電気的に接続し、複数の半導体素子の配列方向と、複数の内部リードの配列方向と、各内部リードの架設延在方向とが所定の配列方向Ｘとされ、リードフレームは、封止樹脂３０５により封止されたその一部が所定の配列方向Ｘに沿った軸回りで曲げられることで構成された蛇腹部３０１ｃ−３０４ｃ，３０１ｄ−３０４ｄを有し、該蛇腹部は、半導体素子が搭載された側に凸である。 （もっと読む）

【課題】ハーフモールド構造のＱＦＰタイプの電子装置において、モールド樹脂の成形時に、ゲートから遠い位置にある機能リードにてモールド樹脂の端面にボイドが発生するのを極力防止する。
【解決手段】リード端子３０のうちモールド樹脂５０における第１のコーナー部５０ａと対角線上に位置する第２のコーナー部５０ｂを挟んで隣り合う２辺に位置するものについては、リード端子３０におけるモールド樹脂５０の端面に位置する部位では、リード端子３０の一方の板面から他方の板面まで貫通する貫通穴３１が、インナーリード部からアウターリード部に渡って開口するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において搭載可能チップサイズの拡大化を図る。
【解決手段】半導体チップ２が搭載されたタブ１ｂと、半導体チップ２が樹脂封止されて形成された封止部３と、封止部３の裏面３ａの周縁部に露出する被実装面１ｄとその反対側に配置された封止部形成面１ｇとを有した複数のリード１ａと、半導体チップ２のパッド２ａとリード１ａとを接続するワイヤ４とからなり、複数のリード１ａのうち、対向して配置されたリード１ａ同士における封止部形成面１ｇの内側端部１ｈ間の長さ（Ｍ）が被実装面１ｄの内側端部１ｈ間の長さ（Ｌ）より長くなるように形成され、これにより、各リード１ａの封止部形成面１ｇの内側端部１ｈによって囲まれて形成されるチップ搭載領域を拡大することができ、搭載可能チップサイズの拡大化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】半田を介して半導体チップをダイパッドの上面に接合した状態で封止樹脂により封止した半導体パッケージにおいて、ダイパッドと半導体チップとの剥離を防止する。
【解決手段】ダイパッド３に、その厚さ方向に貫通すると共に前記ダイパッド３の側面３ｄに開口する凹部１３と、前記ダイパッド３の上面３ａから前記ダイパッド３の厚さ方向に窪むと共に前記凹部１３に対して前記上面３ａの周縁よりも内側に間隔をあけて配される有底の係合穴１５とが形成され、前記凹部１３及び前記係合穴１５が、それぞれ前記上面３ａの周縁に沿って複数配列されている半導体パッケージを提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低コスト、高歩留りで製造でき、配線簡略化、小型化もできるパワーモジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】第１半導体素子と、該第１半導体素子を搭載または該第１半導体素子とワイヤ接続された第１リードフレームと、第２半導体素子と、該第２半導体素子を搭載または該第２半導体素子とワイヤ接続された第２リードフレームと、該第１半導体素子、該第１リードフレーム、該第２半導体素子、該第２リードフレームを該第１リードフレームおよび該第２リードフレームの一部を外部に露出させて一体的に覆うモールド体とを備える。該モールド体の一部であって、該第１半導体素子および該第１リードフレームと、該第２半導体素子および該第２リードフレームとの間の部分には他の部分よりも厚さが薄い強度低減部が形成され、該強度低減部の一部には貫通孔又は溝が形成される。 （もっと読む）

【課題】センサチップと制御チップとをケースに取り付けてなるセンサ装置において、両チップの接続部を封止部材で封止する際に封止部材のセンサチップ側への流出を止めるカバーが不要な構成を実現する。
【解決手段】制御チップ３０を、ケース１０を構成する樹脂に封止してケースに埋設し、センサチップ２０をケースの外表面上に配置し、両チップ間にリードフレーム４０を介在させ、リードフレームにおける制御チップ寄りの部位を、制御チップ封止部１２内で制御チップと電気的に接続し、リードフレームにおけるセンサチップ寄りの部位を、ケースの外表面にてボンディングワイヤ５０を介してセンサチップに電気的に接続し、ケースの外表面に、ワイヤによるリードフレームとセンサチップとの接続部を封止する封止部材７０を設けた。 （もっと読む）

少なくとも１個のリード構造と、このリード構造に実装されて導電接続されている１個の半導体素子と、を有する半導体構造、を開示する。リード構造にソルダーレジスト層および封止材が塗布されており、封止材は、半導体素子を覆っており、ソルダーレジスト層の少なくとも一部分の上に延在している。対応する製造方法も開示する。
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【課題】半導体素子の固着に用いられる固着材の外部への漏出が防止された半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、主面に電極が配置された半導体素子１８と、半導体素子１８と電気的に接続されて一部が外部に導出するリード１２Ａと、これらを一体的に被覆する封止樹脂２４とを備えている。更、細長い連結部２２を経由してタブ２０が連続しており、このタブ２０は封止樹脂２４から外部に露出する。そして、アイランド１４および連結部２２の周辺部を厚み方向に突出させて突出部３０が形成されている。また、連結部２２の上面を窪ませて段差部３８が設けられており、この段差部３８は、連結部２２の両側に設けた突出部３０まで到達している。 （もっと読む）

【課題】アイランドと封止樹脂との密着強度が向上された回路装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】回路装置１０は、アイランド１６と、アイランド１６の周囲に配置されて下面が外部に露出するリード１２と、アイランド１６に実装されて金属細線を経由してリード１２と電気的に接続された半導体素子２０とを備えている。そして、アイランド１６の上面には、溝状に形成された凹状部２８が設けられており、この凹状部２６に封止樹脂１４が密着することで、アイランド１６と封止樹脂１４との密着強度が向上されている。 （もっと読む）

【課題】装置サイズを維持しつつ、樹脂封止部の剥離を防止することで高い信頼性を確保することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、絶縁性基板２１に配線パターン２２が形成された配線基板２と、配線基板２に搭載された半導体素子３と、半導体素子３を封止する樹脂封止部４とを備えている。配線パターン２２としては、搭載面Ｆ側に形成されたワイヤ接続電極２２ｂと、裏面Ｒ側に形成された外部端子２２ｃと、絶縁性基板２１を貫通して、ワイヤ接続電極２２ｂおよび外部端子２２ｃを接続するスルーホール電極２２ｄとが設けられている。そして、スルーホール電極２２ｄ上には、樹脂封止部４との接合面積を増加させるために金属製の突起部２３が設けられている。突起部２３はスタッドバンプで形成するのが望ましい。 （もっと読む）

【課題】位置決めの障害となる樹脂バリが発生せず、光半導体装置の生産性向上および製品品質向上を図り、ケースマウント時の位置決め精度の向上を図ることができる光半導体装置用パッケージと製造方法および光半導体装置を提供する。
【解決手段】光半導体素子９を搭載するダイパッド２およびダイパッド２の所定辺２ａの側に配置したリード４、５を有するリードフレーム１と、所定辺２ａを含んでリードフレーム１と一体的に成形する樹脂成形体６とを備え、リードフレーム１が所定辺２ａにおいて樹脂成形体６に隣接して切欠き部１３を有する。 （もっと読む）

【課題】アウターリードレスタイプのモールドパッケージを外部の接続部材に接続する実装構造において、溶接を行うことなく、モールドパッケージと接続部材とを電気的に接続可能な構成を実現する。
【解決手段】パッケージ１００においてモールド樹脂５０の下面５２にて露出するリード部４０の下面４２およびこれに対向する接続部材２００の対向面２０１のうちリード部４０側には凸部３００が設けられ、接続部材２００側には凹部３１０が設けられており、凸部３００が凹部３１０に挿入されてこれら両部３００、３１０が嵌合している嵌合部３２０が形成されており、この嵌合部３２０にてリード部４０と接続部材２００とが電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】側面発光型光半導体パッケージおよび側面発光型光半導体装置の外形寸法の特に高さ寸法を抑えるとともに、樹脂外囲器の破損を防止した側面発光型光半導体パッケージおよび側面発光型光半導体装置を提供すること。
【解決手段】少なくとも一対の実装部１ａと実装端子１ｂを有したリードフレーム１と、実装部１ａを底部４ａとした凹部４が形成された樹脂外囲器５とからなり、樹脂外囲器５の凹部４には光の出射窓３を備えている。全高寸法を抑えるために実装端子１ｂは、樹脂外囲器５の実装面側から突出し直ぐに樹脂外囲器５の外壁面５ａに沿うように折り曲げ加工され外部回路（図示せず）と接続される側面発光型光半導体パッケージ６である。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】リードフレームに直接接合される表面実装素子に応力が加わって予期せぬ不都合が発生しないようにすることができる回路装置を提供すること。
【課題を解決するための手段】２つの端子３１及び３２をもつ表面実装素子３０と、表面実装素子３０の端子３１及び３２を端子接合部１０ａ及び２０ａのそれぞれに直接接合されたリードフレーム１０及び２０と、表面実装素子３０及びリードフレーム１０、２０を封止する封止材６０と、を有し、リードフレーム１０及び２０は封止材６０にて封止するときに挟持して支持できる支持部４０と、表面実装素子３０に対して電気的に直列な部位に隣接する部分よりも容易に変形可能な応力緩和部１１及び１２をもつことにある。 （もっと読む）