【課題】パッケージで可動部の移動を規制しかつフリップチップ実装を行うことにより、低背化が可能なセンサ装置を提供する。
【解決手段】センサチップ１は半導体基板により形成され、センシング部Ｄｓを備えるとともに電極１９を備える。センシング部Ｄｓはセンサチップ１の厚み方向への変位が許容された質量体１２と撓み部１３とを備える。センサチップ１は、電極形成基板２とカバー基板３とからなるパッケージに収納され、パッケージの内側面であってセンサチップ１と対向する一面にはバンプ２１が形成される。バンプ２１は、センサチップ１のフリップチップ実装に用いられ、バンプ２１の突出寸法は、質量体１２の変位を許容し、かつ質量体１２の変位量を規制するように設定される。したがって、電極形成基板２が質量体１２の移動を規制するストッパとして機能する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子外部及び半導体素子内部に発生する熱膨張による歪みが半導体素子の電気的特性に与える影響を抑制することができる半導体装置を提供することにある。
【解決手段】開口部を有する固定部１２と、固定部１２に対して変位可能な錘部１４と、一方の端が錘部１４に連結され且つ他方の端が固定部１２に連結された可撓性の梁部１３と、固定部１２の底面に固定された複数の支持基板５０と、を備えたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】回路基板への実装面積をより小さくすることができるセンサモジュールおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサモジュールは、加速度センサエレメントからなるセンサ素子Ａと、センサ素子Ａの出力信号を信号処理する信号処理回路が形成されたＩＣチップ４と、センサ素子ＡおよびＩＣチップ４を外部回路と接続するための配線が形成されセンサ素子Ａが収納されるパッケージ５とを備える。パッケージ５は、センサ素子Ａが内側に配置される筒状基板５ａと、筒状基板５ａの軸方向の一端側に配置される板状基板５ｂとで構成され、板状基板５ｂの一面側にセンサ素子Ａがフリップチップ実装されるとともに、他面側にＩＣチップ４がフリップチップ実装され、上記配線と電気的に接続された外部回路接続用の端子５５が筒状基板５ａの軸方向の他端側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】回路基板への実装面積をより小さくすることができ且つ実装基板や回路基板からセンサ素子へ伝達される応力を低減することができるセンサモジュールを提供する。
【解決手段】センサモジュールは、加速度センサエレメントからなるセンサ素子Ａと、センサ素子Ａがフリップチップ実装される実装基板５とを備える。センサ素子Ａは、一表面側に複数の外部接続用電極２５を有し、実装基板５は、各外部接続用電極２５それぞれが電気的に接続される複数のセンサ接続用電極５３を有する。センサ素子Ａと実装基板５とは、接続関係が規定された外部接続用電極２５とセンサ接続用電極５３との組ごとに実装基板５の厚み方向において重なる複数のバンプ９ａ，９ｂを介して接合されている。 （もっと読む）

【課題】回路基板への実装面積をより小さくすることができるセンサモジュールを提供する。
【解決手段】センサモジュールは、加速度センサエレメントからなるセンサ素子Ａと、センサ素子Ａの出力信号を信号処理する信号処理回路が形成されたＩＣチップ４と、センサ素子ＡおよびＩＣチップ４が実装される実装基板５とを備える。実装基板５は、一面が開放された矩形箱状に形成され、当該矩形箱状の実装基板５の内部空間５１にセンサ素子Ａが収納されて内側面とセンサ素子Ａの側面との間にギャップが形成される形でセンサ素子Ａが内底面５ａ側にフリップチップ実装されるとともに、外底面５ｂ側にＩＣチップ４がフリップチップ実装され、外部回路接続用の端子５５が上記一面側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】センサ素子のセンサ特性の変動を抑制することができ、且つ、実装基板とセンサ素子およびＩＣチップとの接続信頼性を高めることができるセンサモジュールの製造方法、センサモジュールを提供する。
【解決手段】実装基板５のセンサ接続用電極５３上に第１のＡｕバンプ９を形成し、実装基板５の外底面５ｂ側にアンダーフィル用樹脂材８１を貼着し、ＩＣチップ４を位置合わせしてから、ＩＣチップ４に対して加熱および荷重の印加を行うことでＩＣチップ４のパッド４１上の第２のＡｕバンプ７をＩＣ接続用電極５４に熱圧着するのと同時にアンダーフィル用樹脂材８１を熱硬化させることでアンダーフィル８を形成する。次に、センサ素子である加速度センサエレメントＡの外部接続用電極２５と実装基板５の内底面側のセンサ接続用電極５３とを第１のＡｕバンプ９を介して常温接合する。 （もっと読む）

【課題】センサチップへの振動や衝撃の影響を抑制すると共に、温度が変化する環境下においてもセンサチップを安定して動作させる手段を提供する。
【解決手段】有底のケース体と、ケース体に収納されるセンサチップとを備えた半導体パッケージにおいて、ケース体の底板に、センサチップより大きい凹部を設けると共に、凹部の内壁に固定される支持枠と、センサチップを貼付する取付部と、弾性を有し、取付部と支持枠とを接続する梁部とを備えた衝撃吸収部材を設ける。 （もっと読む）

【課題】角速度検出用のセンサチップと回路チップとが積層されバンプ接続されてなるセンサ装置において、センサチップのセンシング部を樹脂フィルムで覆いつつ回路チップに対向させた場合に、センサチップと樹脂フィルムとの線膨張係数の差によるセンサチップの変形を抑制する。
【解決手段】半導体チップとしてのセンサチップ１０を、センシング部としての振動体１１を回路チップ２０の一面に対向させた状態でバンプ４０を介して回路チップ２０に積層し、センサチップ１０の一面に、振動体１１を被覆する樹脂よりなる第１のフィルム５１を接合し、センサチップ１０における一面とは反対側の他面に、樹脂よりなる第２のフィルム５２を接合した。 （もっと読む）

【課題】重錘体を有するセンサモジュールにおいて、センサ素子への熱履歴影響の低減と、センサモジュールの低背化を図る。
【解決手段】センサモジュール１は、厚み方向に変位する重錘体Ｇが形成されたセンサ素子１１と、センサ素子１１を収納するための貫通空間１２ａが形成された回路基板１２と、貫通空間１２ａの上方の開口を閉塞するように、回路基板１２にバンプ２３を介して接合される板状の半導体素子１３と、センサ素子１１を収納した貫通空間１２ａの下方の開口を閉塞するように、回路基板１２及びセンサ素子１１にそれぞれバンプ２２，２１を介して接合される薄板状部材からなるインターポーザ１４と、を備える。インターポーザ１４は、センサ素子１１との対向面である上面が、重錘体Ｇの一定以上の下方への変位を規制するストッパ部となっている。 （もっと読む）

【課題】 パッケージへ伝達された熱や応力に対して安定した動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体加速度センサ装置１は、内部にキャビティ２１ｃを有し、下部容器２１と上部蓋２５とからなるパッケージと、半導体加速度センサチップ１０と、上面のチップ搭載領域３２ａに半導体加速度センサチップ１０が固着されたスペーサ３２と、スペーサ３２の下面におけるチップ搭載領域３２ａ下以外の領域（糊代３２ｂ、離間領域３２ｃ）とキャビティ２１ｃの底面２１ａとを接着する接着部３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 パッケージへ伝達された熱に対して安定した動作が可能な半導体装置およびその製造方法、ならびにそれに使用される接着材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体加速度センサ装置１は、内部にキャビティ２１ｃを有し、下部容器２１と上部蓋２５とからなるパッケージと、半導体加速度センサチップ１０と、フレーク状の金属片である粒子３１ｂが添加されたシリコーン樹脂などの比較的低弾性率の樹脂３１ａよりなり、半導体加速度センサチップ１０をキャビティ２１ｃ内部に固着する接着部３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】 超音波の振動によるＭＥＭＳ素子の損傷を防ぎ、容易に製造することのできるチップサイズパッケージおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電子部品のパッケージング１００は、ＭＥＭＳ素子として加速度センサ１０１を有するセンサ基板１と、センサ基板１を封止する封止基板２とが、第１接着層２２を介して、互いに接着されている。さらに、第１接着層２２は、センサ基板１と封止基板２との間に、エアダンピング効果が得られる程度の空隙Ｇが形成されている。また、加速度センサ１０１は、互いに対向する封止基板２とシリコン基板２０との間に挟持され、シリコン基板２０と加速度センサ１０１とは、第２接着層２１により接着されている。 （もっと読む）

【課題】 気密封止の信頼性が向上したマイクロ構造体を提供する。
【解決手段】 凹部を有する第１の基板１と、多層基板からなり第１の基板１に結合して凹部を密封し第１の基板１との間に密閉空間１０を形成する第２の基板２とを備える。第２の基板２の両面には、第１及び第２の導電パターン３１，３２と、第２の基板２の内部に設けられた第３の導電パターン３３を露出させるビアホール２ａとがそれぞれ設けられている。第１及び第２の導電パターン３１，３２は、ビアホール２ａ内に設けられた第４の導電パターン３４と第３の導電パターン３３を介して互いに連結されている。第２の基板２を貫通するスルーホールを設けてスルーホール内面に設けた導電パターンを介して第１の導電パターン３１と第２の導電パターン３２とを電気的に接続する場合に比べ、気密封止の信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】周囲の温度が変化した場合に加速度センサチップに生ずる歪みを抑制し、検出精度が高い半導体加速度センサ装置を提供する。
【解決手段】加速度センサチップを内部に収容する中空のパッケージであって、パッケージ内部の底面の所定領域内に凹部が形成されているパッケージと、凹部に充填されており、接着性を有する低弾性部材と、低弾性部材上に配置された加速度センサチップであって、低弾性部材と加速度センサチップとの接着面が底面よりも高い加速度センサチップと、からなる半導体加速度センサ装置。 （もっと読む）

【課題】センサ全体の薄型化を図りつつクラックなどの発生を防止することができる物理量センサを提供する。
【解決手段】矩形枠状のフレーム部１１の内側に配置される重り部１２が可撓性を有する４つの撓み部１３を介してフレーム部１１に揺動自在に支持され各撓み部１３にゲージ抵抗が設けられたセンサ部１０と、センサ部１０の厚み方向の一表面側に配置され周部がフレーム部１１に固着された第１のカバー部２０と、センサ部１０の厚み方向の他表面側に配置され周部がフレーム部１１に固着された第２のカバー部３０とを具備するセンサ本体部Ｂを備えている。センサ本体部Ｂが矩形枠状の外側フレーム部Ｃの内側に配置されるとともにセンサ本体部Ｂが連結部Ｄを介して外側フレーム部Ｃに支持され、センサ本体部Ｂの周囲には連結部Ｄを除いて外側フレーム部Ｃとの間にスリットＥが形成されている。 （もっと読む）

【課題】加速度センサチップのパッドとパッケージの電極との接続に伴う出力特性の変動を抑制することが可能で且つ重り部の過度な変位を抑制することが可能な加速度センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】パッケージ３は、パッケージ本体３１における収納凹所３２の内底面３２ａ上に加速度センサチップ１の主表面側の複数のパッド１６それぞれと電気的に接続する複数の電極３３を有する。パッド１６と電極３３とが導電性接着剤からなる応力緩和層４を介して電気的に接続される。パッケージ本体３１の収納凹所３２の内底面３２ａと加速度センサチップ１との間に重り部１２を変位可能とする空間が形成され且つパッケージ本体３１が重り部１２の過度な変位を規制するストッパとして機能するように厚み方向において重なるパッド１６と応力緩和層４と電極３３との厚みの総和を設定してある。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板とシリコン基板とを陽極接合するにあたって、ガラス基板の表層に偏析されるアルカリ金属によって発生してしまうリーク電流を抑止して、ノイズに対する検出信号の比率を向上させる。
【解決手段】 一対のガラス基板２０と、前記一対のガラス基板２０の間に挟まれた状態で陽極接合により接合されたシリコン基板２１と、前記シリコン基板２１と電気的に接続されると共に前記シリコン基板２１が接合された面とは逆側の前記一対の一方のガラス基板２０ｂの面５１に形成された複数の薄膜端子３６ａ等と、前記複数の薄膜端子３６ａ等が形成された面の該複数の薄膜端子３６ａ等間のそれぞれに形成された面切り欠き部６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ抵抗素子とコンタクトホール内の配線との電気的接続箇所における剥離や分離等のコンタクト不良を防止する。
【解決手段】ピエゾ抵抗型３軸加速度センサは、錘部と、この錘部の周辺に配置された台座部５１と、この台座部５１上に固定された周辺固定部４２と、錘部を周辺固定部４２に可撓的に連結する梁部４４とを備えている。梁部４４と周辺固定部４２との境界線Ｐ１１を跨ぐ位置に、一方のピエゾ抵抗素子４５−１が設けられ、梁部４４と錘部との境界線を跨ぐ位置に、他方のピエゾ抵抗素子が設けられている。各ピエゾ抵抗素子４５−１の両端部には、接合部４６−１，４６−２がそれぞれ形成され、この接合部４６−１，４６−２と、この上層に複数個直列に配列されたコンタクトホール４７ａ内の配線４８とが、電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】高性能の微小電気機械要素と集積回路とが集積化された微小電気機械デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】微小電気機械要素であるジャイロセンサＳと集積回路３とが集積化された微小電気機械デバイスの製造にあたって、半導体基板であるシリコン基板１Ａの一表面側にシリコン基板１Ａよりも抵抗率の高い半導体層であるシリコン層１Ｂを成膜してから、シリコン層１Ｂに集積回路３を形成し、その後、シリコン層１Ｂのうちシリコン基板１ＡにおけるジャイロセンサＳの形成予定領域に重複している部分を除去してから、シリコン基板１Ａを加工することによりジャイロセンサＳの大部分を構成する３次元構造体を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体センサチップの特性不良の発生を防止することができる半導体センサ及び半導体センサの製造方法を提供すること。
【解決手段】
半導体センサ１００は、パッケージ部材１０、ＩＣチップ３０、半導体センサチップ５０、蓋７０などを備える。ＩＣチップ３０は、パッケージ部材１０内の底面におけるチップ搭載部に、シリコン系樹脂等などからなる接着剤２０を介して搭載される。そして、ＩＣチップ３０の上に、接着フィルム４０を介して半導体センサチップ５０が搭載される。また、ワイヤ６０ａ、ワイヤ６０ｂによってパッケージ部材１０とＩＣチップ３０、ＩＣチップ３０と半導体センサチップ５０とが電気的に接続される。そして、パッケージ部材１０、ＩＣチップ３０、半導体センサチップ５０、ワイヤ６０ａ、６０ｂにおける表面、及び蓋７０におけるパッケージ部材１０内と対向する面に絶縁膜９０が形成される。 （もっと読む）