【課題】 半導体センサチップの特性不良の発生を抑制することができる半導体センサを提供すること。
【解決手段】 半導体センサ１００は、パッケージ部材１０、ＩＣチップ３０、半導体センサチップ５０、蓋７０などを備える。ＩＣチップ３０は、パッケージ部材１０内の底面におけるチップ搭載部に、接着フィルム２０を介して搭載される。そして、ＩＣチップ３０の上に、接着フィルム４０を介して半導体センサチップ５０が搭載される。また、ワイヤ６０ａ、ワイヤ６０ｂによってパッケージ部材１０とＩＣチップ３０、ＩＣチップ３０と半導体センサチップ５０とが電気的に接続される。そして、蓋７０は、半導体センサチップ５０の梁構造体５１を囲う仕切部材９０を備え、パッケージ部材１０の接続部材８０と溶接によって接続される。 （もっと読む）

【課題】 歪み抵抗素子と同等の熱影響を受ける位置であって応力の影響を受けない位置に温度補償用抵抗素子を設け、高精度な応力検出を行える多軸力センサ用チップと多軸力センサを提供する。
【解決手段】 多軸力センサ用チップは、外力作用領域部４Ａと非変形領域部４ｂを有する作用部４と、作用部を支持する支持部３と、作用部と支持部を連結する連結部５Ａ〜５Ｄとを備える半導体基板２と、連結部の変形発生部に設けられる歪み抵抗素子Ｓxa1〜Ｓxa3，Ｓya1〜Ｓya3，Ｓxb1〜Ｓxb3，Ｓyb1〜Ｓyb3と、作用部の非変形領域部上に設けられる温度補償用抵抗素子１１とを備えるように構成される。 （もっと読む）

【課題】 接着材を介して積層されるとともにボンディングワイヤを介して接続された回路チップおよびセンサチップを有するセンサ装置において、センサチップが過大変位することで生じるワイヤ接続部の機械的な変形やそれに付随して生じるセンサ特性の変動を抑制する。
【解決手段】 回路チップ３００の上に接着材４００を介してセンサチップ２００が積層され接着されており、センサチップ２００と回路チップ３００とがボンディングワイヤ５００を介して接続されてなるセンサ装置Ｓ１において、接着材４００の変形によるセンサチップ２００の変位を規制するためのストッパとして、回路チップ３００のうちセンサチップ２００の外周に位置する部位に設けられたボンディングワイヤからなるワイヤ１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 可動電極と固定電極との間の容量変化に基づいて加速度検出を行うセンサチップと回路チップとを積層してなる容量式加速度センサ装置において、両チップの積層方向にて可動電極が変位して固定電極に乗り上げるのを防止する。
【解決手段】 可動電極２４とこれに対向する固定電極３１を有するセンサチップ１００は、両電極２４、３１と回路チップ２００とを対向させた状態で回路チップ２００に積層され、両チップ１００、２００は互いの対向面にてバンプ電極３００を介して電気的に接続されており、両チップ１００、２００の積層方向における可動電極２４の厚さをａ、可動電極２４と回路チップ２００とのギャップの距離をｂ、可動電極２４と第１シリコン基板１１の一面１３とのギャップの距離をｃとしたとき、距離ｂおよび距離ｃは厚さａよりも小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】 センサチップと回路チップ間を電気的に接続するボンディングワイヤ間に発生する寄生容量による悪影響を防止して容量型半導体力学量センサの特性の向上を図る。
【解決手段】 センサチップ１２と回路チップ１３とを接続する接着フィルム１６として、弾性率が２００ＭＰａ以下のものを用いることで、温度特性を低減する。そして、センサチップ１２と回路チップ１３とを接続する４本のボンディングワイヤ１７が、センサチップ１２の各辺部の中央部もしくは各角部に１本ずつ配置されるようにする。これにより、ボンディングワイヤ１７相互間の間隔を十分に広げることができ、発生する寄生容量の絶対値を十分に小さくすることができる。このため、４本のボンディングワイヤ１７の相互間の寄生容量が変動することがあっても、その変動はごく僅かなものとなり、センサ特性に対する影響を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】より小型化された加速度センサチップパッケージ及びその製造方法。
【解決手段】加速度センサチップパッケージ１０は、フレーム部１３、開口部１６内に延在している梁部１４ａと、梁部により可動に支持されている可動部１４ｂを含む可動構造体１５、この可動構造体１５の変位を検出する検出素子１９を有する加速度センサチップ１１と、閉環状のリング部２０と、リング部の上面２０ａに接合され、可動構造体を開口部の上面側から封止する薄板状部材３０と、フレーム部の外側領域１３ａから露出する複数の電極パッド１８と、複数の配線部１７ａを有する再配線層１７と、外側領域上に設けられている外部端子７０と、外部端子を露出させて設けられていて、リング部、薄板状部材、電極パッド及び再配線層を封止する封止部５０と、加速度センサチップの下面に接して、開口部を下面側から封止する基板１２とを具えている。 （もっと読む）

【課題】 基板に振動体を設けてなり当該基板と垂直な軸回りの角速度を検出するようにした角速度検出素子を、回路基板上に接着剤を介して積層してなる角速度検出装置において、接着剤の接着面積を小さくし構造体の共振周波数を低下させるとともに、ワイヤボンディングを容易に可能にする。
【解決手段】 基板１０に当該基板１０と水平な面内にて振動可能な振動体を設け、当該振動体の振動に基づいて基板１０と垂直な軸回りの角速度を検出するようにした角速度検出素子１００を備え、角速度検出素子１００が、回路基板２００上に接着剤３００を介して積層されている角速度検出装置Ｓ１において、角速度検出素子１００の基板１０の上面と回路基板２００とをボンディングワイヤ７０により結線し、接着剤３００を、角速度検出素子１００の基板１０におけるボンディングワイヤ７０の接続部の下方に、部分的に配置する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に形成した三次元構造体を封止する中空構造のサイズを小さく、かつ簡素化する。また、前記構造体と半導体チップとの熱膨張係数の差による熱応力等に起因する特性の変化を防止する。
【解決手段】半導体基板に三次元構造体を形成した半導体チップを中空構造で封止した半導体装置において、前記半導体基板に、前記三次元構造体を囲む凸部を形成し、この凸部と蓋部材とによって前記中空構造を構成する。また、その製造方法において、前記半導体基板に、前記三次元構造体を囲む凸部を形成する工程と、前記凸部に蓋部材を接着する工程とを有し、この凸部と蓋部材とによって前記中空構造を構成する。上述した本発明によれば、半導体チップの凸部と蓋部材とによって中空構造を構成するため、中空構造に要するスペースが小さくなり、凸部が半導体チップと同一材料であり、熱膨張による応力を防止することが可能となる。 （もっと読む）