【課題】静電容量型加速度センサにおいて可動部の許容変位量を超える加速度が加わった時の可動部と固定部の衝突による破壊を防止すること。
【解決手段】基板３５上に離間状態で配置された変位可能な重錘体３６と、この重錘体３６に設けられた可動電極３４と、この可動電極３４に対向して配置された固定電極３３とを備え、両電極３３，３４間の静電容量の変化を重錘体３６の変位に基づいて検出する。重錘体３６と基板３５の双方に重錘体３６の水平方向の変位を規制する相補型係止手段と、この相補型係止手段に電位を固定するための電位固定手段とを設ける。相補型係止手段は、重錘体３６に設けられた貫通孔３８と、基板３５上に設けられ、貫通孔３８に挿入する係止部材３７とからなっているので、衝突時の接触面積が大きく、応力集中による破壊を防止する。 （もっと読む）

【課題】短時間で製造することができ、十分な気密性を有するとともに、基板の反りを低減させることができる貫通電極、微小構造体及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】導電性を有する基板１０の所定領域を貫通トレンチ２１で囲み、貫通トレンチ２１内に絶縁膜５０を形成して周囲から絶縁分離した貫通電極６０において、絶縁膜５０は、貫通トレンチ２１の側面から化学気相成長させたシリコン膜４０を熱酸化したシリコン熱酸化膜５０である。 （もっと読む）

【課題】Ｚ軸方向の影響をクーロン力により打ち消して、水平方向の加速度を正確に検出するようにした高感度の静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】本発明の静電容量型加速度センサは、重錘体４１に設けられた可動電極４１ａと、可動電極４１ａに対向して配置された固定電極４２ａとを備え、両電極４１ａ，４２ａ間の静電容量の変化を重錘体４１の変位に基づいて加速度を検出する。重錘体４１のＺ軸方向に働く加速度の影響を排除するためにＺ軸加速度検出部４４が設けられ、Ｚ軸加速度検出部４４により検出された出力電圧に合わせて、重錘体４１にクーロン力を与える電圧を印加する電圧発生部４５が設けられている。電圧発生部４５からの電圧により重錘体４１にクーロン力を与えるために、Ｘ・Ｙ平面上にクーロン力供給電極４３が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 特に、内部配線層への電気的接続性及び内部空間の高さ寸法のばらつきを小さくすることが可能なＭＥＭＳセンサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 第１の基板２１と、第２の基板２２と、前記第１の基板２１の表面に形成される第１のＳｉＯ₂層２５と、前記第１の基板２１と前記第１のＳｉＯ₂層２５との間に形成される内部配線層２４と、前記第１のＳｉＯ₂層２５の表面２５ａから前記内部配線層２４にかけて形成される貫通孔２６と、前記貫通孔２６内に形成され前記内部配線層２４と電気的に接続される電気接続層２８と、前記第２の基板２２と前記第１のＳｉＯ₂層２５との間に位置し、前記第２の基板２２と前記第１の基板２１間に形成される内部空間Ｓ２の高さ寸法を規制する突出形状の第１の窒化シリコン層３３と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】強度や耐久性が高く、振動の減衰が図られるとともに、ばね定数の設定が容易な力学量センサを提供する。
【解決手段】内部ユニット３１１は、防振部材３１５により支持されている。防振部材３１５は、内部ユニット３１１を支持しつつ、内部ユニット３１１と支持面３３３との間の相対的な振動を吸収する。防振部材３１５の厚さや幅を変更することにより、防振部材３１５は強度およびばね定数を容易に変更可能である。また、パッド３２７とパッド３２８との間を接続するボンディングワイヤ３１６は、自身の外径をｄとし、パッド３２７から湾曲する頂点までの高さをｈとすると、２０×ｄ≦ｈに設定されている。これにより、内部ユニット３１１が振動した場合でも、ボンディングワイヤ３１６のひずみが緩和され、強度や耐久性の低下を招くことがない。 （もっと読む）

【課題】製造および動作信頼性の改善と共に必要とされる性能特性をもたらす、シングルチップ上に製造された１つまたは複数のセンサを提供すること。
【解決手段】センサ製造方法が開示され、一実施形態では、ダブルシリコンオンインシュレータのウェーハを備えるエッチング済み半導体基板ウェーハ（１３０）を、エッチング済みデバイスウェーハ（１４２）に接着して懸垂構造体を作製し、同構造体の撓みが、埋め込まれた圧電抵抗センサ素子（１５０）によって検知される。一実施形態では、センサは加速度を測定する。他の実施形態では、センサは圧力を測定する。 （もっと読む）

【課題】従来の領域分割基板と較べて部分領域を引き出し導電領域として利用した場合の抵抗値が小さく、導電性、半導電性または絶縁性の任意の基板材料を用いることができ、適用制限の少ない領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０の第１表面Ｓ１から第２表面Ｓ２に亘って、当該基板３０を貫通するように形成されたトレンチ３１ａによって、当該基板３０が複数の部分領域Ｃｅに分割され、トレンチ３１ａによって形成された部分領域Ｃｅの側壁に、第１表面Ｓ１の側から第２表面Ｓ２の側に亘って、当該基板３０より高い導電率を有する導電層３５が形成され、導電層３５を介して、トレンチ３１ａ内に絶縁体３１ｂが埋め込まれてなる領域分割基板Ａ１０とする。 （もっと読む）

【課題】断線の無い良好な配線パターンを形成することにより安価で信頼性の高い半導体容量式加速度センサ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による半導体容量式加速度センサの製造方法は、ガラス板２の接続孔３の加工をサンドブラスト法で行った上でガラス板２を半導体基板１に接合し、その後、ガラス板２の表面上に金属膜３３を形成して配線する半導体容量式加速度センサの製造方法であって、接続孔３のオーバハング部２８があるガラス板２の第２面２７とは反対側の第１面２６を半導体基板１に接合することを特徴とする。 （もっと読む）

応力分離部を有する微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス２０は、第１の構造層２４に形成された要素２８，３０，３２、第２の構造層２６に形成された要素６８，７０、第１の構造層２４から離間された層２６を含む。製造方法は、層２４と２６との間に接合部７２，７４を形成する工程９２，９４，１０４を含む。接合部７２，７４は、第１層２４の相当する要素３０，３２を第２層２６の要素６８，７０に接続される。製造方法８０は、すべての要素３０，３２，６８，７０がＭＥＭＳデバイス２０の基板２２上に吊らされるように下にある基板２２から構造層２４，２６を解放する工程をさらに含む。ここで、要素３０，３２，６８，７０と基板２２との取付は基板２２の中央領域４６のみに起こる。
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【課題】振動子と半導体基板間の短絡が防止され、且つ製造工程の増大を抑制できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】上面に凹部１００が形成され、凹部１００の底面１０１に半導体層が露出した半導体基板１０と、凹部１００内に配置され、且つ側面及び下面に絶縁膜が配置された梁型の可動電極２１を有し、可動電極２１より離間した位置において半導体基板１０に固定された振動子２０と、可動電極２１に対向して凹部１００内に配置され、可動電極２１と電気的に分離されて半導体基板１０に固定された梁型の固定電極３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】外力に対して出力が変化しにくく、高い感度と耐衝撃性を両立できる加速度センサーを実現する。
【解決手段】錘部と、錘部を取り囲む支持枠部と、錘部を支持枠部に接続して保持する可撓性を有する複数の梁部と、梁部上に設けられたピエゾ抵抗素子とそれらをつなぐ配線を有し、支持枠部とともに錘部の周囲を囲む上蓋と下蓋が支持枠部の表裏面に接合され、ピエゾ抵抗素子の抵抗変化から、接合厚さ方向の第１軸と、それに垂直な平面内の第２軸および前記平面内で第２軸に垂直な第３軸の３つの軸方向、あるいはそれらのいずれかの軸方向の加速度を検出する蓋付き加速度センサー素子であって、支持枠部は分離溝によって内枠と外枠とに分離され、上蓋および下蓋は外枠に接合され、内枠は可撓性を有する複数の内枠支持部により外枠に接続され、前記梁部は第２軸と第３軸に沿って錘部の両側に接続し、内枠支持部は第２軸と第３軸から略４５度回転した方向で内枠の両側に接続する蓋付き加速度センサー素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】加速度センサの位置ずれを抑制した加速度センサ装置を提供する。
【解決手段】
本発明にかかる加速度センサ装置１００は、固定部１３と、固定部１３に対し変位可能な重り部１１と、一端が固定部１１に、他端が重り部１１にそれぞれ連結され、重り部１１の変位に伴って撓む梁部１２と、を備えた加速度センサ２０と、固定部１３の底面と対向配置される主面１Ａを有し、加速度センサ２０が収容される凹部２を有する基体１と、加速度センサ２０と基体１とを接合する接着材４と、を備え、固定部１３は、底面の外周辺に少なくとも一部に面取り部５を有し、接着材４は、面取り部５と主面１Ａとの間に介在するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】２枚の基板が一体化されたものに外力が加わっても、接合界面における密着力の低下を抑制することができる構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサ部１０とキャップ部２０との積層体に、センサ部１０とキャップ部２０との界面４０を貫く凹部４１を設け、この凹部４１内に封止部材として絶縁膜４２および封止用外周金属層４３を設ける。これによると、凹部４１に配置された封止部材４２、４３が盾となるので、凹部４１よりも内側の界面４０に外力が直接伝わらない。したがって、センサ部１０とキャップ部２０との密着力の低下が抑制される。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い加速度センサを提供する。
【解決手段】
固定部と、前記固定部に対して変位可能な錘部と、第１端が前記固定部に、第２端が前記錘部に接続される梁部と、前記梁部に配置され、前記梁部の撓みに応じて抵抗値が変化する抵抗素子と、前記抵抗素子の抵抗値を外部回路に接続するための導体層であって、前記抵抗素子に電気的に接続され、前記錘部の変位によりかかる応力が前記抵抗素子よりも小さい位置に配置された接続部と、前記接続部から延び、前記抵抗素子と異なる厚み位置に広がる面に配置される配線部と、を有する導体層と、を含む加速度センサ。 （もっと読む）

【課題】 ＭＥＭＳチップとシリコン製キャップチップを接合したＭＥＭＳ組立体を樹脂
モールドすると、樹脂モールド時にワイヤーが動きシリコン製キャップチップの側面と接
触して、ノイズの発生や線間短絡の不具合がある。
【解決手段】 シリコン製キャップチップの側面をウェットエッチングで形成し、ウェッ
トエッチング面に絶縁性保護膜を形成することで、密着力の高い絶縁性保護膜が形成でき
、樹脂モールド時にワイヤーが動いてキャップチップ側面に接触しても、ノイズの発生や
線間短絡を防止できる。 （もっと読む）

【課題】静電容量を含むＭＥＭＳセンサーにおいて、可動電極部の面積と可動錘部の質量の設計に関して、さらに好ましくはバネ特性の設計に関して、ＭＥＭＳセンサーの設計の自由度を向上させること。
【解決手段】基板上に形成される多層の積層構造体を加工して製造されるＭＥＭＳセンサーは、基板に形成された固定枠部１１０と、弾性変形部１３０を介して固定枠部に連結され、周囲に空洞部が形成された可動錘部１２０と、固定枠部より空洞部に向けて突出形成された固定電極部１５０と、可動錘部と一体的に移動し、固定電極部と対向する可動電極部１４０と、を有し、可動錘部１２０は、多層の積層構造体により形成される第１可動錘部１２０Ａと、第１可動錘部の下方に位置し、前記基板の材料にて形成される第２可動錘部１２０Ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】力学量の検出を行う感知部を有するセンサチップを、基板に搭載したものを、封止部材により封止してなるセンサ装置において、封止部材によってセンサチップに発生する応力を極力低減する。
【解決手段】感知部１１を表面に有するセンサチップ１０を、基板２０の一面側に搭載した後、センサチップ１０および基板２０を封止部材３０により被覆して封止するセンサ装置の製造方法であって、基板２０の一面側にセンサチップ１０を搭載するとともに、センサチップ１０の表面に揮発性を有する樹脂５０を配置して、当該表面を樹脂５０で被覆した後、これらセンサチップ１０および基板２０を封止部材３０によって封止し、その後、封止部材３０を硬化するとともに、樹脂５０を加熱して揮発させてセンサチップ１０の表面のうち封止部材３０で被覆されている部位と封止部材３０との間に空隙４０を設ける。 （もっと読む）

【課題】 生産性が高く、信頼性の高い加速度センサを提供する。
【解決手段】
固定部と、前記固定部に対して変位可能な錘部と、一方端が前記錘部に、他方端が前記固定部に接続された梁部と、前記錘部の変位に応じた信号を出力する変位検出手段と、を有する加速度センサ素子と、平面視で、前記加速度センサ素子の前記錘部が配置される第１領域と、前記第１領域に隣接し、前記加速度センサ素子を外部回路に接続するための配線層を有する第２領域と、を有する基板と、前記加速度センサ素子を空隙を介して封止するように、前記基板の上面に固定されたキャップ型の封止部材と、有する加速度センサである。 （もっと読む）

【課題】配線導体による起伏の影響を抑えつつ、小型化に対応した加速度センサおよび加速度センサの製造方法を提供する
【解決手段】固定部３と、加速度が加わったときに固定部３に対し変位する重り部１と、一端が固定部３に、他端が重り部１にそれぞれ連結され、重り部１の変位に伴って撓む梁部２と、を有するセンサ素子２０と、センサ素子２０が実装される平板状の第１の基板３０と、第１の基板３０が実装される基体４０であって、内部または第１の基板３０が実装される面４０Ｓに配線導体４１が配置されている基体４０と、第１の基板３０と基体４０との間に介在され、第１の基板３０を基体４０に固定するための第１の接着材１０と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性に優れた加速度センサーを得ること。
【解決手段】固定電極４１と可動電極２１との間の距離が変化するＸ軸方向の加速度印加時において、固定電極４１と可動電極２１との間隙７０に存在する気体の流れは、対向面に形成された一方向に向かって延びる凸部４３によって一方向への流れが発生する。この気体の流れによるスクイーズフィルムダンピングにより、大きな減衰定数ｃを得ることができる。したがって、可動部２０と支持体１０との間隔を狭くすることなく、固定電極４１と可動電極２１との間隙７０の構造によって減衰定数ｃの調節を可能にでき、可動部２０と支持体１０との衝突破壊が低減した耐衝撃性の優れた加速度センサー１００を得ることができる。 （もっと読む）