【課題】本発明は、加速度センサ全体の大きさの増大を抑制しつつ、電極部を臨む開口部を上基板に形成することができる加速度センサの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る加速度センサの製造方法では、第二基板２０は、次の（Ａ）から（Ｅ）の工程により作成される。（Ａ）ガラスを構成要素として含み、第一基板１より厚さの薄い第一の層２０Ｄを用意する。（Ｂ）ガラスを構成要素として含み、第一の層２０Ｄよりも横幅の狭い、第二の層２０Ｕを用意する。（Ｃ）サンドブラスト加工処理により、第一の層２０Ｄに開口部２０ａを形成する。（Ｄ）工程（Ｃ）の後に、第一の層２０Ｄ上面におけるセンサ部の上方となる位置に、第二の層２０Ｕを配設する。（Ｅ）工程（Ｄ）の後、加熱による溶融接合または陽極接合により、第一の層２０Ｄと第二の層２０Ｕとを接合する。 （もっと読む）

【課題】ベース材の表面に接着されて加速度等の物理量を検出する半導体センサチップの特性変化を抑制し、ベース材に対する半導体センサチップの共振周波数が物理量の検出を阻害しないようにする。
【解決手段】平面視矩形環状に形成された板状の支持枠部２１と、その内縁２１ａに連結されて物理量を検出するセンサ部２２とを備える半導体センサチップ３において、支持枠部２１の一辺３１の幅寸法を他の辺３２〜３４の幅寸法ｗ１よりも大きく設定して一辺３１のうちその内縁２１ａから他の辺３２〜３４の幅寸法ｗ１分だけ差し引いた部分を延長部３５とし、延長部３５には支持枠部２１の外縁から支持枠部２１の面方向に窪む切欠部３７を形成する。半導体センサチップ３とベース材Ｐとは、その表面Ｐ１に対向する延長部３５の主面うち切欠部３７よりも一辺３１の内縁２１ａから離れた外側領域Ｓ１において、接着剤Ｇにより複数個所で点接着する。 （もっと読む）

【課題】質量部の変位感度比率を均一化することにより、Ｚ軸方向の加速度が加わってもＸＹ軸方向の加速度検出精度が悪くなってしまうことのない多軸加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】ＸＹＺ座標系におけるＸＹ平面に沿って配置され加速度に応じて変位する質量部１２を複数の梁部１４を介して周囲の支持部１３に支持する可動基板１１と、この可動基板１１における支持部１３と接合され、かつ可動基板１１における質量部１２と所定間隔を有する固定電極１６を上面に設けた固定基板１５とを備え、前記複数の梁部１４を、支持部１３からＸ軸あるいはＹ軸と平行方向に延びた第１の梁部１７と、質量部１２に連結され、かつＸＹ軸と４５°方向に斜めに延びた第２の梁部１８とにより構成し、前記第２の梁部１８の長手方向と垂直な断面２次モーメントを第１の梁部１７の長手方向と垂直な断面２次モーメントより小さくしたものである。 （もっと読む）

【課題】加速度等の検出に用いる半導体センサにおいて、これをベース材の表面に固定しても、半導体センサに備える錘部とベース材の表面との間隔を高精度に設定できるようにする。
【解決手段】環状の枠体部Ｓと、その内側に間隔をあけて配される錘部Ｍと、可撓性を有して枠体部Ｓと錘部Ｍとを一体に連結する可撓部Ｆと、可撓部Ｆの変形又は変位を検出する検出手段１２１と、一部が枠体部Ｓ内に埋設されると共に平面視環状に形成された枠体部Ｓの一端面１１３から突出するスペーサ突起部１３とを備え、スペーサ突起部１３が枠体部Ｓと異なる材料からなり、スペーサ突起部１３の先端をベース材の表面に当接させた状態でベース材に固定する半導体センサ１を提供する。 （もっと読む）

【課題】可動部とストッパとの間のギャップを精度良く確実に設定でき製造歩留まりが高いＭＥＭＳを提供する。
【解決手段】支持部と、前記支持部に対して相対的に運動する可動部と、を有するダイと、前記可動部の運動範囲を制限する位置において前記可動部に対向するストッパと、前記可動部の運動範囲が制限される方向において前記ストッパと前記支持部とに挟まれている樹脂であって封止樹脂よりも硬質の硬質樹脂からなるスペーサと、前記スペーサより前記可動部とは反対側において前記支持部と前記ストッパとを結合している接着層と、を備え、前記スペーサは前記接着層と前記可動部との間において前記接着層と前記可動部との間を遮る方向に延びている、ＭＥＭＳ。 （もっと読む）

【課題】可動部の運動範囲を規制するストッパ基板部と可動部との空隙の幅を精度よく調整することができなかった。
【解決手段】支持部と、前記支持部に支持され前記支持部に対して運動する可動部と、を有する構造体と、前記構造体の前記支持部の底面が接合される平坦な接合面と、前記可動部と対向する領域において底部が前記接合面より後退している凹部と、を有するストッパ基板部と、前記ストッパ基板部の材料に対してエッチング選択性を有する材料からなり、前記凹部を前記接合面よりも後退した位置まで満たすことによって前記可動部の底面と予め決められた所定距離で対向する距離調整部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 加速度の検出感度の低下、オフセット電圧の増加、温度ドリフトの悪化などが発生して電気的特性が劣化するのを抑制することができる加速度センサ装置を提供する。
【解決手段】 加速度センサ装置５０は、加速度センサ素子１０と、加速度センサ素子１０が実装される実装面を有する基板２１と、加速度センサ素子１０と基板２１とを接続する接着剤４１とを備える。加速度センサ素子１０は、錘部１１と、錘部１１を囲繞する枠状の枠部１２と、枠部１２の下面に設けられる凸部１２ａと、一方端が錘部１１に、他方端が枠部１２にそれぞれ接続され、かつ可撓性を有する梁部１３と、梁部１３に設けられる抵抗素子１４とを有する。そして、前記接着剤４１は、前記凸部１２ａの下面と前記基板２１の実装面との間に介在され、加速度センサ素子１０と基板２１とを接続するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】フレームと可動部とを連結する連結部のバネ定数の変動を抑制するのに適したマイクロ可動素子、および、そのようなマイクロ可動素子を備える光スイッチング装置を提供する。
【解決手段】本発明のマイクロ可動素子Ｘ１は、フレーム３０、可動部２０、及びこれらを連結する連結部４２が形成されているマイクロ可動基板Ｓ１と、支持基材Ｓ２と、マイクロ可動基板Ｓ１のフレーム３０および支持基材Ｓ２の間に介在してフレーム３０および支持基材Ｓ２に接合する複数のスペーサ９０Ａ，９０Ｂと、フレーム３０および支持基材Ｓ２の間に介在してフレーム３０および支持基材Ｓ２に接合するスペーサ部９１Ｃ，９２ならびに当該スペーサ部を覆ってフレーム３０および支持基材Ｓ２に接合する接着剤部９３を有する少なくとも一つの強固定部９０Ｃとを備える。強固定部９０Ｃは、二つのスペーサ９０Ａ，９０Ｂの間に位置する。 （もっと読む）

ＭＥＭＳセンサは、基板と、基板に連結されたＭＥＭＳ構造とを含む。ＭＥＭＳ構造は、基板に対して可動な質量を有する。また、ＭＥＭＳセンサは、ＭＥＭＳ構造から半径方向外側に位置付けられる基準構造を含む。基準構造は、その測定の正確性を向上させるために、ＭＥＭＳセンサに影響を及ぼし得る任意の環境変化を補償するための基準を提供するために使用される。一実施形態において、前基準構造は、前ＭＥＭＳ構造を実質的に包囲する。
（もっと読む）

【課題】測定すべき信号以外の振動外乱に影響を受けるＭＥＭＳの実装工程において、ワイヤボンディング時の信頼性確保と同時に外部からの振動外乱を遮断するＭＥＭＳの実装構成を提供する。
【解決手段】ワイヤボンディングの信頼性を向上するための支持部１１と、振動外乱を遮断するための弾性支持部１３により可動部を備える半導体チップＣＨＰ１を外枠体１０に固定する。そして、ワイヤボンディングを行なった後、最終的に、支持部１１は熱により変形して分離するため、半導体チップＣＨＰ１は外枠体１０の内部で柔らかい弾性支持部１３のみで接続され、宙吊り構造が実現できる。そのため、自発振動や振動外乱の伝達を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】検出感度を低下させることなく、大きな物理量が加わった場合にマス部が固定電極に貼り付くことを防止する。
【解決手段】マス部５と下ガラス基板４の間には、通常の加速度ではマス部５が下ガラス基板４に接触しないように溝部９が形成されている。マス部５の溝部９の底面との対向面には金属膜１２が形成され、溝部９の底面には金属膜１３が形成されている。金属膜１３は下ガラス基板４に形成されたスルーホール１４においてフリップ実装用バンプ１５に接続されている。このような構成によれば、金属膜１２と金属膜１３間に電圧を印加することによりマス部５を静電気力によって下ガラス基板４側に吸引し、マス部５が固定電極８に貼り付いたとしても固定電極８からマス部５を剥がすことができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳの製造歩留まりを高める。
【解決手段】深さが均等でない複数の溝を第一の板形部品に形成し、前記第一の板形部品と第二の板形部品とを接合し、相対的に浅い前記溝に沿って前記第一の板形部品を切削した後に相対的に深い前記溝に沿って前記第一の板形部品を切削することにより、前記第二の板形部品が接合された構造要素を分断された前記第一の板形部品の一部から形成する、ことを含むＭＥＭＳ製造方法。 （もっと読む）

【課題】低背小型化しても実装後の検出感度を高く維持することができる加速度センサ装置を提供する。
【解決手段】重り部１１と、重り部１１を囲繞する枠状の固定部１３と、一方端が固定部１３に連結され、且つ他方端が重り部１１に連結される梁部１２と、梁部１２に設けられる抵抗素子１５と、を有するセンサ素子２０と、センサ素子２０が載置される基板１と、固定部１３の下面と基板１の上面との間に複数箇所に分かれた状態で介在され、センサ素子２０と基板１とを複数箇所で接合する接着剤８と、を備え、固定部１３の下面には、接着剤８が付着する領域を囲むようにして溝部７が設けられている （もっと読む）

【課題】錘部、梁部及びピエゾ抵抗素子の破損や特性変化を防止し、加速度センサ装置の信頼性を向上する。
【解決手段】加速度センサ装置は、錘部１１、この錘部１１の周囲に離間して配置された台座部１２、及び、錘部１１と台座部１２とを可撓的に接続する複数の梁部１３を有する加速度センサチップ１０と、錘部１１の変位を規制するために加速度センサチップ１０上に設けられるストッパ板２０とを備えている。ストッパ板２０は、梁部１３に対向する位置に凹部２５を有しているので、梁部１３に衝撃を与えることなく錘部１１の変位を制限することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】接着剤側における対策によることなく、温度変化に伴うセンサエレメント部分の変形に起因した検出精度の低下を効果的に防止する。
【解決手段】支持基板８ａ上に絶縁層８ｂを介して単結晶シリコン層８ｃを有するＳＯＩ基板８に、溝や開口部８ｄを形成することにより、可動電極部１０及び左右の固定電極部１１，１２からなるセンサエレメント９を設ける。可動電極部１０は、支持基板８ａに片持ち状に支持される可動電極支持部１３を有し、固定電極部１１，１２は、支持基板８ａに片持ち状に支持される固定電極支持部１５，１７を夫々有し、それらを支持基板８ａ（ＳＯＩ基板８）の前辺部に並べて設ける。可動電極支持部１３の配線部１３ａ、固定電極支持部１５，１７の配線部１５ａ，１７ａを近接して設ける。 （もっと読む）

【課題】撓みを抑えた支持基板、またこの支持基板を用いて、センサ特性不良を抑制した静電容量型力学量検出センサを提供する。
【解決手段】支持基板１の上下を貫通する貫通孔１０を複数備えた静電容量型力学量検出センサ用支持基板１であって、前記複数の貫通孔１０は、開口幅が前記支持基板１の一方の面から他方の面に向かって狭くなっている順テーパー孔と、開口幅が前記支持基板１の一方の面から他方の面に向かって広くなっている逆テーパー孔と、を含む。つまり、支持基板１は異なる向きのテーパーの貫通孔１０を有している。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡素化するために樹脂封止型のパッケージ形態に構成した場合でも、信頼性の低下を抑制することが可能な半導体センサ装置を提供する。
【解決手段】枠体部１１と、枠体部１１の内側に配置される重り部１２と、重り部１２を枠体部１１に揺動可能に支持する撓み部１３とを含み、重り部１２の変位量に応じて物理量を検出するセンサ素子１０と、上面上に、接着層２を介してセンサ素子１０が固定されるリードフレーム１と、少なくとも、センサ素子１０を封止する樹脂封止層３０とを備え、センサ素子１０は、接着層２によって、リードフレーム１の上面から上方に所定の距離だけ離間するように固定されており、接着層２は、センサ素子１０の枠体部１１とリードフレーム１との間の領域に、平面的に見て、枠体部１１に沿った枠状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 センサ部を複数個共通の半導体基板上に形成した温度特性が良好な容量式半導体加速度センサを実現する。
【解決手段】 センサチップ１１には、センサ部１２及びセンサ部１３が長手方向に並んで形成されている。センサ部１２及びセンサ部１３の間の領域には、素子形成基板２０ｃの表面２０ｅから埋込酸化膜２０ｂに向かって、センサチップ１１の厚さを薄く形成するための溝状の薄肉部３１が短手方向に略平行に形成されており、薄肉部３１に対向して、支持基板２０ａの表面２０ｄから埋込酸化膜２０ｂに向かって、溝状の薄肉部３２が形成されている。センサチップ１１に、薄肉部３１及び薄肉部３２を形成することにより、センサチップ１１の内部応力や接着層３０に起因する温度変化に伴うセンサチップ１１の反りを、長手方向において減少させることができるので、温度特性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】センサチップを回路チップに対してバンプを介してフリップチップ接続するものにあって、それらの接合強度を高める。
【解決手段】センサチップ１２を回路チップ１３に対しフェースダウン状態とし、４個のバンプ２９により接続する。このとき、センサチップ１２と回路チップ１３との間に、バンプ２９に加えて、両者の機械的な接続を行う８個のダミーバンプ３１を設ける。ダミーバンプ３１（ダミーパッド２３）を、第１〜第４の仮想線Ｌ１〜Ｌ４が形成する仮想四角形の各頂点部に４個配置すると共に、第３の仮想線Ｌ３に沿って、各頂点と第３の電極パッド２１との中間点に位置して２個、第４の仮想線Ｌ４に沿って、各頂点と第４の電極パッド２２との中間点に位置して２個配置する。各バンプ２９及び各ダミーバンプ３１の、原点ＯからのＸ軸方向の距離の総和ΣＸと、原点ＯからのＸ軸方向の距離の総和ΣＹとの関係が、ΣＸ＞ΣＹとなる。 （もっと読む）

【課題】パッケージで可動部の移動を規制しかつフリップチップ実装を行うことにより、低背化が可能なセンサ装置を提供する。
【解決手段】センサチップ１は半導体基板により形成され、センシング部Ｄｓを備えるとともに電極１９を備える。センシング部Ｄｓはセンサチップ１の厚み方向への変位が許容された質量体１２と撓み部１３とを備える。センサチップ１は、電極形成基板２とカバー基板３とからなるパッケージに収納され、パッケージの内側面であってセンサチップ１と対向する一面にはバンプ２１が形成される。バンプ２１は、センサチップ１のフリップチップ実装に用いられ、バンプ２１の突出寸法は、質量体１２の変位を許容し、かつ質量体１２の変位量を規制するように設定される。したがって、電極形成基板２が質量体１２の移動を規制するストッパとして機能する。 （もっと読む）