【課題】 基板に振動体を設けてなり当該基板と垂直な軸回りの角速度を検出するようにした角速度検出素子を、回路基板上に接着剤を介して積層してなる角速度検出装置において、接着剤の接着面積を小さくし構造体の共振周波数を低下させるとともに、ワイヤボンディングを容易に可能にする。
【解決手段】 基板１０に当該基板１０と水平な面内にて振動可能な振動体を設け、当該振動体の振動に基づいて基板１０と垂直な軸回りの角速度を検出するようにした角速度検出素子１００を備え、角速度検出素子１００が、回路基板２００上に接着剤３００を介して積層されている角速度検出装置Ｓ１において、角速度検出素子１００の基板１０の上面と回路基板２００とをボンディングワイヤ７０により結線し、接着剤３００を、角速度検出素子１００の基板１０におけるボンディングワイヤ７０の接続部の下方に、部分的に配置する。 （もっと読む）

【課題】 振動型の角速度センサにおいて、重力による振動子の変位をキャンセルして振動子の適切な振動状態を実現する。
【解決手段】 基部２０と、基部２０に連結された振動子３０、４０と、振動子３０、４０をｘ方向へ駆動振動させるための加振手段３４、４４、２１１〜２１４、２２０と、振動子３０、４０の駆動振動のもと角速度が印加されたときにｘ方向と直交するｙ方向への振動子３０、４０の振動に基づいて角速度を検出する検出手段６０、７０、２３１〜２３４とを備える角速度センサ１００において、重力によって振動子３０、４０が重力方向へ変位した変位量をキャンセルするように、振動子３０、４０の位置を調整する位置調整手段８１、８２、２５０が備えられている。 （もっと読む）

【課題】 圧力検出用のダイアフラムを有する金属ステムのダイアフラムの表面に、歪みゲージを有する半導体基板を固定してなる圧力センサにおいて、感度の向上および精度の向上に適した構成を実現する。
【解決手段】 金属ステム１０のダイアフラム１１の表面に、歪みゲージ２４を有する半導体基板２０が取り付けられてなる圧力センサ１００において、半導体基板２０は、絶縁層２３を第１および第２の半導体層２１、２２で挟んでなる積層構造を有し、第１の半導体層２１には、第１の半導体層２１の表面から絶縁層２３にまで到達するトレンチ２５により絶縁分離されたパターン形状を有する歪みゲージ２４が形成され、第２の半導体層２２のうち歪みゲージ２４に対応する部位には、絶縁層２３にまで達する凹部２８が形成され、ダイアフラム１１は凹部２８内に入り込み凹部２８の底面を構成する絶縁層２３に取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】非常に小型の半導体圧力センサーにおいて、ダイヤフラムに対して十分に強い強度を確保しつつ、高感度を達成する。
【解決手段】被測定圧力を受けて変位可能なダイヤフラム１が、ｎ型シリコン単結晶領域２とその表裏に形成された絶縁膜によって形成されている。ｎ型シリコン単結晶領域２には、ダイヤフラム１の部分において、歪み検出素子として機能する拡散抵抗層７が形成されている。ｎ型シリコン単結晶領域２の、拡散抵抗層７が形成された表面上の絶縁膜であるＳｉＯ膜４とＳｉＮ膜５の合計膜厚は、裏面上の絶縁膜であるＳｉＯＮ膜３の膜厚より薄い。 （もっと読む）

【課題】小さなダイヤフラムサイズであっても高感度の半導体圧力センサを提供する。
【解決手段】半導体圧力センサ１は、ダイヤフラム３が形成されたＳＯＩ基板２と、ＳＯＩ基板２上に設けられた４つのピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４とを有する。各ピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４のうち互いに対向する２つのピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４は、ダイヤフラム３のエッジから中心へ向かう方向と平行な部分の、ダイヤフラム３の内側でのダイヤフラム３のエッジからの距離ＬX≦２０μｍとなるように、ダイヤフラム３の内側と外側とに跨って、かつ、ダイヤフラム３のエッジから中心へ向かう向きと平行に配置されている。 （もっと読む）

この発明の実施例は、基準圧力室の中の１つ以上の検出要素から信号を受取るためのインターフェースプリント回路基板（「ＰＣＢ」）がダイヤフラム圧力ゲージの基準圧力室内に入れられたダイヤフラム圧力ゲージを提供する。検出要素は、たとえば、圧電式ひずみゲージ、圧電抵抗式ひずみゲージ、キャパシタ要素、またはダイヤフラムの反り（撓み）を求めるのに使用される他の要素を含み得る。インターフェースＰＣＢは、基準圧力室のハウジングにおいて貫通する電気的接続部に検出要素を接続するように構成され得る。したがって、信号は検出要素からインターフェース基板を通り、貫通する電気的接続部を介して基準圧力室の外へ伝えられることができる。 （もっと読む）

耐衝撃性が高く、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸ピエゾ抵抗素子の出力の差が小さく、小型で高感度、高出力の半導体型３軸加速度センサを提供する。 可撓腕が可撓幅広部と可撓平行部で構成され、可撓幅広部に最大応力部があり、最大応力部にピエゾ抵抗素子の一端が来るように可撓腕上面上にピエゾ抵抗素子を設ける。可撓腕の幅中心線の近傍にＺ軸ピエゾ抵抗素子、幅中心線から離れてＸ軸／Ｙ軸ピエゾ抵抗素子を設ける。また、最大応力部から可撓腕の長さ方向にＺ軸ピエゾ抵抗素子をずらすことで、Ｘ軸とＹ軸、Ｚ軸ピエゾ抵抗素子間の出力差を小さくする。 （もっと読む）

振動する回転センサは、「ｚ軸」周りの回転を感知するために記述される。それは、構造的結合、及び２つのプルーフ・マスの基本的な反位相振動が機械的結合により実現されるような力学を有するチューニングフォークである。

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本発明は、第１主要面および第２主要面とを有する、絶縁性材料からなる第１ウェハーを提供する工程と、第１ウェハーの第１主要面に２つ以上のキャビティをエッチングして形成する工程と、第１ウェハーの第１主要面上の金属層をパターニングして、第３加速度計用の電気接点を形成する工程と、半導体材料からなる第２ウェハーを提供する工程と、第２ウェハーの第１主要面の一部をエッチングする工程と、第２ウェハーのエッチングされた部分の少なくとも一部分が、第１ウェハー上の金属層の一部分の上に少なくとも重なるように第１ウェハーの第１主要面を第２ウェハーの第１主要面に接合する工程と、第２ウェハーの第２主要面上に金属層を堆積してパターニングする工程と、第１ウェハーの第１主要面にエッチングで形成されたキャビティの上に第１加速度計および第２加速度計が形成されるように第１加速度計、第２加速度計、および第３加速度計を画定するマスク層を第２ウェハーの第２主要面上に堆積してパターニングする工程と、第２ウェハーの第２主要面をエッチングして、第１加速度計および第２加速度計の各々が独立した２以上の梁の組を有するように加速度計を形成する工程と、第２ウェハーの第２主要面からマスク層を除去する工程とを有する三軸加速度計の製造方法に係る。
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【課題】半導体基板に形成した三次元構造体を封止する中空構造のサイズを小さく、かつ簡素化する。また、前記構造体と半導体チップとの熱膨張係数の差による熱応力等に起因する特性の変化を防止する。
【解決手段】半導体基板に三次元構造体を形成した半導体チップを中空構造で封止した半導体装置において、前記半導体基板に、前記三次元構造体を囲む凸部を形成し、この凸部と蓋部材とによって前記中空構造を構成する。また、その製造方法において、前記半導体基板に、前記三次元構造体を囲む凸部を形成する工程と、前記凸部に蓋部材を接着する工程とを有し、この凸部と蓋部材とによって前記中空構造を構成する。上述した本発明によれば、半導体チップの凸部と蓋部材とによって中空構造を構成するため、中空構造に要するスペースが小さくなり、凸部が半導体チップと同一材料であり、熱膨張による応力を防止することが可能となる。 （もっと読む）

シリコンマイクは、高濃度にドープされたシリコン層、シリコン層、２つのシリコン層の間の中間酸化物層とを含む第１ウェハーを提供するステップを有する方法で形成される。第１ウェハーは、高濃度にドープされたシリコン層の１面上の第１主要面と、シリコン層の１面上の第２主要面とを有する。第２シリコンウェハーは、第１主要面と第２主要面とを有する。酸化物層が、第１および第２シリコンウェハーの少なくとも第１主要面上に形成される。第１ウェハーの第１主要面上の酸化物層を貫通し、高濃度にドープされたシリコン層まで到るキャビティがエッチングにより形成される。第１ウェハーの第１主要面が、第２ウェハーの第１主要面に、貼り合わされる。金属層が、第２ウェハーの第２主要面上に形成される。金属層および第２ウェハーの第２主要面がパターンニングの後、アコースティック・ホールがエッチングにより形成される。少なくとも１つの電極が第１ウェハーの高濃度にドープされたシリコン層上に形成され、少なくとも１つの電極が第２ウェハー上に形成される。第１ウェハーの酸化層は、シリコンマイクの製造中、少なくともダイアフラムの背面からエッチングされる。
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【課題】測定精度の長期安定性を保証することができる静電容量型圧力センサ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明の静電容量型圧力センサは、圧力に応じて変形する上部電極が形成された第１の基板と、下部電極が形成された第２の基板とが誘電体膜を介して対向配置され、ダイアフラムの押圧により変化する第１の基板と第２の基板とで形成される静電容量の変化に応じて圧力を検出する静電容量型圧力センサであって、下部電極が、第２の基板に形成された溝を導電性材料で埋めて形成され、かつ形成された下部電極の表面が第２の基板の表面と同じ高さを有することで第１の基板と第２の基板の接合性を高めることができるので、測定精度の長期安定性を保証することができる静電容量型圧力センサを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 小規模な回路構成であるにも拘わらず、Ｘ、Ｙ及びＺ軸方向といった３次元方向の正確な加速度を検出できる３軸加速度センサ及びそのＺ軸依存性の補正方法を提供する。
【解決手段】 Ｘ軸方向に配置された一対の静電容量素子Ｃx+及びＣx-の容量比に基づいてＸ軸方向の加速度を検出する第１スイッチトキャパシタ回路４１と、Ｙ軸方向に配置された一対の静電容量素子Ｃy+及びＣy-の容量比に基づいてＹ軸方向の加速度を検出する第２スイッチトキャパシタ回路４２と、Ｚ軸方向に配置された静電容量素子Ｃzと基準容量を有する静電容量素子Ｃrefの容量比に基づいてＺ軸方向の加速度を検出する第３スイッチトキャパシタ回路４３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 金属ダイヤフラムの表面にシリコンチップをガラス層を介して接合してなる圧力センサにおいて、ガラス層に生じる気泡によってセンサ出力が影響を受けないようにする。
【解決手段】 金属製のセンシングボディ２におけるダイヤフラム２ａの表面にシリコンチップ４をガラス層５を介して接合し、この接合後に、ガラス層５の気泡を検査する検査工程を設け、その検査結果が良好とされたセンシングボディ２についてハウジングへの組付けを行う。 （もっと読む）