【課題】被測定圧力媒体に対する耐久性能を向上させることができ、しかも小型で安価な圧力センサを提供する。
【解決手段】ガラス台座１０´と、圧力により変位するダイアフラム２６及び該ダイアフラム２６に設けられダイアフラム２６の変位により抵抗値が変化するピエゾ抵抗素子２２を有するセンサ回路が形成され、且つ該センサ回路が形成された面がガラス台座１０´に対向して空間を形成するようにガラス台座１０´に接合されたシリコンチップ２０´とを備えている。また、シリコンチップ２０´には、シリコンチップ２０´に形成されたセンサ回路からの信号を引き出すための貫通孔２７が形成されている。 （もっと読む）

第１の面と、環境と連通している第２の面とを有する基板を含む過酷な環境用のトランスデューサである。このトランスデューサは、環境と関連したパラメータを測定するための、基板上に配置されたデバイス層センサ手段を含む。このセンサ手段は、約０．５ミクロン未満の厚さを有する単結晶半導体材料を含む。トランスデューサは、基板上に配置され、センサ手段と電気的に連通している出力コンタクトをさらに含む。トランスデューサは、内部パッケージ空間と、環境と連通するためのポートとを有するパッケージを含む。このパッケージは、基板を内部パッケージ空間内に受けるので、基板の第１の面は環境から実質的に分離され、基板の第２の面は、ポートを通して環境に実質的に露出される。トランスデューサは、パッケージに結合された連結部品と、センサ手段の出力を伝達できるように連結部品及び出力コンタクトを電気的に結合するワイヤとをさらに含む。ワイヤの外面は、実質的に白金であり、出力コンタクト及び連結部品の少なくとも一方は、実質的に白金である。 （もっと読む）

【課題】構成部材の熱膨張係数の差から生じる機械的応力による温度に依存した検出誤差を可及的に低減できる物理量検出装置を提供する。
【解決手段】検出すべき物理量に応じて変位する質量体１０を持つ検出素子１と、該検出素子１が接着される回路素子４と、前記検出素子１及び回路素子４が収容ないし搭載される外装ケース７と、を備え、前記回路素子４は、弾性を有する板ばね状の梁状部材６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄを介して前記外装ケース７に支持されてなる。 （もっと読む）

基板とセンサダイの間に置かれた結合フレームによって、基板に直接結合された基板とセンサを含む苛酷な環境における使用のための圧力センサ。センサダイは、それを横切る十分な圧力差に露出されるとき、屈曲するように構成された概ねフレキシブルなダイヤフラムを含んでいる。センサはさらに、感知素子がダイヤフラムの屈曲作用の電気的信号を提供するように、ダイヤフラムに少なくとも部分的に配置された圧電性またはピエゾ抵抗の感知素子を含んでいる。また、センサは、結合フレームによってダイヤフラムから流体的に隔離される接続位置の感知素子と電気的に接続された接続コンポーネントを含んでいる。結合フレームは、材料で作られている。そして、接続コンポーネントは、結合フレームと同じ材料によって感知素子と電気的に接続される。
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本発明は、センサ・カプセル内（３）内に配置され、基体（５）上に配置されているセンサ領域（６）を有するセンサ（４）を備える、媒体（２）、特にアグレッシブな液体又はガス状媒体内の測定変数を測定するためのセンサ・ユニットに関する。この場合、センサ領域（６）内の測定変数を検出するために、センサ・カプセル（３）内には、測定開口部（７）が設けられる。測定開口部（７）の方を向いている側面上に、センサ領域（６）は、測定用電子装置（８）を備えている測定面（９）を有する。この場合、測定用電子装置（８）が発生するセンサ信号を伝達するために、給電線（１０）がセンサ（４）上に設けられる。本発明によれば、めっきスルーホール（１１）が、基体（５）内に設けられ、このめっきスルーホールは、測定開口部（７）の反対方向を向いているセンサ（４）のベース面（１２）上の基体（５）を通る信号を介して、測定用電子装置（８）を給電線（１０）に接続するために使用される。
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【課題】腐食性ガス雰囲気中に置かれても電極パッドの腐食を防止可能であると共に機能を阻害せずコンパクトな配線基板を低コストに提供する。
【解決手段】第２配線層１６が層間絶縁膜１３のビアホール１３ａにて第１配線層１５と接続され、その第２配線層１６が第１配線層１５から離れた位置まで延出されて引き出され、その第２配線層１６の延出部分１６ａの一部が保護絶縁膜１４の開口部１４ａから露出して電極パッドPadが形成されている。そのため、半導体チップ１０が腐食性ガス雰囲気中に置かれると、電極パッドPadが腐食性ガスに直接晒される。しかし、電極パッドPadは腐食性ガスに耐性のある形成材料を用いた第２配線層１６の一部であるため、腐食性ガスにより電極パッドPadが腐食されることはなく、電極パッドPadの断線不良を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 湿度の高い環境においても劣化が少なく、信頼性の高いセンサを実現することを目的とする。
【解決手段】 基板と、基板上に形成された配線と、配線上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に所定の領域を囲むように形成されたポリシリコン枠と、ポリシリコン枠上に密着されポリシリコン枠とともに密閉構造体を形成するキャップと、密閉構造体の内側に設置され配線と電気的に接続されるセンサ素子と、密閉構造体の外側を覆う封止層と、密閉構造体と封止層との間に封止層よりも水分が透過しない防湿膜とを備えたセンサとした。 （もっと読む）

【課題】半導体圧力センサ部を収容したセンサモジュールを外装ケース内に一体モールドした構造の半導体圧力センサ装置において、気密不良やリード腐食の問題を防止して、封止性能の信頼性を向上せしめた半導体圧力センサ装置を提供するものである。
【解決手段】
圧力を電気信号に変換する半導体圧力センサ部と、この半導体圧力センサ部と一部が外部に導出されるターミナルとを第一の樹脂でインサートモールドされたセンサモジュールと、前記センサモジュールに収納され、前記センサモジュールを第二の樹脂でさらにインサートモールドしてコネクタ部を形成した外装ケースとから構成され、センサモジュールの第二の樹脂からの露出部分と第二の樹脂との境界が接着剤で覆われていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】一面が被測定圧力を受ける受圧面となっている受圧用ダイアフラムを有する圧力センサにおいて、受圧用ダイアフラムの強度を確保しつつ、その耐食性を向上させる。
【解決手段】ケース１の一端部に、受圧面１１を有する受圧用ダイアフラム１０を設けてなる圧力センサにおいて、受圧用ダイアフラム１０は、本体をなす本体部１２とこの本体部１２における受圧面１１側の表面を被覆する被覆層１３とからなり、本体部１２は被覆層１３よりも機械的強度が大きいステンレスなどからなり、被覆層１３は本体部１２よりも耐食性に優れたチタンまたはチタン化合物などからなる。 （もっと読む）

【課題】マイクロマシニング型の圧力センサであって、基板の表側が、媒体に面しており、センサ領域を備えたセンサダイヤフラムが、表側に配置された形式のものに関して、パッシベーションゲルを使用することなしに、電気的なコンタクティング部が媒体にさらされないようにする。
【解決手段】センサ領域と裏側との間の電気的なコンタクティング部を、少なくとも１つのコンタクトホールを裏側から基板に加工することにより、センサ領域が、裏側に電気的にコンタクティングされているようにした。 （もっと読む）

【課題】 自動車の排気ガス環境のように、酸や上昇された温度環境に露出される半導体圧力センサー装置に適した強度な耐腐食性の電気的導電性コンタクトシステムを提供する。
【解決手段】 好ましい実施例（１０）は、プラチナ最上層（２６）、タンタル下部層（２４）を有する。双方ともに、高い電気的導電性の層であり、酸性の環境に対し耐腐食性を示す。金属化の最上層はまた、外部接続（例えば、ワイヤボンディング、はんだバンプ、チップーチップ融合）のために好ましい金属を提供する。金属化の下部層はまた、上層金属と下部層、典型的にシリコンベースのグラスとの間の接着層としても機能し、ある場合には、拡散バリアとして機能する。 （もっと読む）

【課題】厳環境で用いられることが可能な圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力センサが、キャップ基材にシリコン溶融結合された底部基材を含んでおり、底部基材とキャップ基材との間にチャンバが配設されている。底部基材及びキャップ基材の各々はシリコンを含んでいる。底部基材は、空洞を画定する壁と、空洞を覆うように配置された隔膜部とを含んでおり、空洞は検知対象の環境に対して開放されている。チャンバは環境から気密封止されている。 （もっと読む）

【課題】耐薬品性の結晶材料の化学的ウェットエッチング法に用いるエッチング剤の提供。
【解決手段】クライオライト（Ｎａ_３ＡｌＦ_６）及びテトラフルオロホウ酸カリウム（ＫＢＦ_４）のようなハロゲン塩を含有するエッチング剤を提供する。塩は、支持層のエッチングに十分な量でエッチング剤中に存在し、約２００℃を上回る溶融温度を有し得る。ウェットエッチング法は、多層積層体の酸化アルミニウムを含有する支持層１３０の１以上の表面にクライオライト及び／又はテトラフルオロホウ酸カリウムを含有するエッチング剤を接触させ、次いで支持層１３０の少なくとも一部をエッチングする工程を含む。酸化アルミニウム支持層１３０上での結晶成長によって製造された窒化ガリウムを含有する自立積層体を提供する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高温の雰囲気内においても長期に亘り良好な検出精度を維持する圧力センサを提供する。
【解決手段】 抵抗素子３０は、支持基板１０上に形成した酸化膜２０上に形成されている。当該抵抗素子３０は、ピエゾ抵抗体３１、リード３２及び両パッド３３でもって構成されており、ピエゾ抵抗体３１及びリード３２は、半導体材料にボロンを注入して形成されている。ここで、当該ボロンの濃度は、ピエゾ抵抗体３１及びリード３２の各深さ方向において略一定となっている。 （もっと読む）

均一なめっき膜厚み、ウェハ裏面へのめっき析出防止および後工程への汚染防止を低コストで可能にしうる半導体ウェハのめっき方法を提供する。本発明は、半導体ウェハのＡｌ電極上に接続用端子をダイレクト形成する際に、ウェハ裏面を絶縁物で覆った状態で無電解めっき処理することを特徴とする半導体ウェハのめっき方法に関する。この絶縁物としては、製品の構成部品であるガラス基板であるのが好適である。 さらに、腐食性媒体に対する耐腐食性を向上させた半導体式センサを提供する。本発明は、半導体基板に、腐食性媒体の物理量もしくは化学成分を検出する構造部および電気量変換素子を有し、かつ検出した電気信号の外部導出端子であるパッド部を有する半導体式センサにおいて、該パッド部が貴金属で保護された半導体式センサに関する。
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【課題】 耐食性、耐熱性等の耐久性に優れ、構造が簡単で微細加工ができ、しかも安価に製造することができるダイアフラムチップとそれを用いた圧力センサ及びダイアフラムチップの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のダイアフラムチップ１５は、Ｓｉ基板１２の表面１２ａに断面矩形状の凹部１３が形成され、この凹部１３の上方かつ表面１２ａ上に、膜厚が０．０５μｍ以上かつ５０μｍ以下のＳｉＣ薄膜１４が形成され、このＳｉＣ薄膜１４の凹部１３上の領域がダイアフラム部１４ａとされたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に形成した三次元構造体を封止する中空構造のサイズを小さく、かつ簡素化する。また、前記構造体と半導体チップとの熱膨張係数の差による熱応力等に起因する特性の変化を防止する。
【解決手段】半導体基板に三次元構造体を形成した半導体チップを中空構造で封止した半導体装置において、前記半導体基板に、前記三次元構造体を囲む凸部を形成し、この凸部と蓋部材とによって前記中空構造を構成する。また、その製造方法において、前記半導体基板に、前記三次元構造体を囲む凸部を形成する工程と、前記凸部に蓋部材を接着する工程とを有し、この凸部と蓋部材とによって前記中空構造を構成する。上述した本発明によれば、半導体チップの凸部と蓋部材とによって中空構造を構成するため、中空構造に要するスペースが小さくなり、凸部が半導体チップと同一材料であり、熱膨張による応力を防止することが可能となる。 （もっと読む）