【課題】本発明に係る静電容量型の物理量センサは、センサ特性の低下を招くことなく、小型化あるいはセンサの感度を向上させる物理量センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】物理量センサは、フレーム部と、フレーム部の内側に配置された錘部と、錘部とフレーム部とを接続する可撓部と、を備えた半導体基板と、フレーム部の一方の側に接合された第１支持基板と、フレーム部の他方の側に接合された第２支持基板と、第１支持基板と第２支持基板の少なくとも一方に設けられ、第１支持基板又は第２支持基板の一方の側と他方の側を導通する配線用端子と、第１支持基板の面上に設けられ、錘部と対向する第１電極と、第２支持基板の面上に設けられ、錘部と対向する第２電極と、を備え、フレーム部には前記フレーム部の一方の側と他方の側を導通する貫通配線部が配設され、貫通配線部と前記配線用端子とは電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】導線とリード線等との電気的接続強度を確実に維持できると共に、導線やリード線等の接続作業性を向上させることができる接触センサを提供する。
【解決手段】弾性変形可能な外側電極と、この外側電極の軸線上に配置された内側電極と、これら外側電極と内側電極との間に螺旋状に配索されたスペーサとを有し、外側電極の弾性変形に基づいてこの外側電極に異物が接触したことを検出する接触センサであって、外側電極の端末部に配置される端末処理装置５を備え、この端末処理装置５は、外部電極の外側導線や内部電極の内側導線が接続される導線接続部８と、外側電極内に挿入される挿入部７とを有し、挿入部７の外周面７ｂに、外部電極とスペーサとの相互位置関係を維持可能な螺旋溝部１０を形成した。 （もっと読む）

【課題】導通不良を起こしてしまうのを抑制することのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサは、固定板２と半導体基板とを接合した際に、固定電極に形成された固定電極側金属接触部２５と、半導体基板に形成された半導体基板側金属接触部１３とが接触するようになっている。そして、固定電極側金属接触部２５および半導体基板側金属接触部１３の少なくとも互いに接触する部位をバリアメタル１４で被覆するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を実装する部材と信号入出力手段を設けている部材とが別部材となったパッケージ構造を有する半導体装置の構造を簡略にする。
【解決手段】マイクロフォン４１のパッケージを、カバー４４と基板４５によって構成する。カバー４４に設けた凹部４６内にはマイクチップ４２と回路素子４３を納めて凹部４６の天面に接着固定する。凹部４６の外側においてカバー４４の下面には複数個のボンディング用パッド４８を設ける。回路素子４３にボンディングワイヤ５１ａの一端を接続し、その他端をボンディング用パッド４８に接続する。基板４５は信号入出力手段として信号入出力端子５８を有しており、基板４５の上面には信号入出力端子５８と導通した接続電極５４がボンディング用パッド４８と対向して設けられている。基板４５とカバー４４は、接続電極５４とボンディング用パッド４８を導電性接着剤やハンダなどの導電性部材６０により接合される。 （もっと読む）

【課題】 特に、内部配線層への電気的接続性及び内部空間の高さ寸法のばらつきを小さくすることが可能なＭＥＭＳセンサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 第１の基板２１と、第２の基板２２と、前記第１の基板２１の表面に形成される第１のＳｉＯ₂層２５と、前記第１の基板２１と前記第１のＳｉＯ₂層２５との間に形成される内部配線層２４と、前記第１のＳｉＯ₂層２５の表面２５ａから前記内部配線層２４にかけて形成される貫通孔２６と、前記貫通孔２６内に形成され前記内部配線層２４と電気的に接続される電気接続層２８と、前記第２の基板２２と前記第１のＳｉＯ₂層２５との間に位置し、前記第２の基板２２と前記第１の基板２１間に形成される内部空間Ｓ２の高さ寸法を規制する突出形状の第１の窒化シリコン層３３と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】実装が容易であり、且つ、極めて小さな表面積を占める、例えばオシレータ型の共振装置を提供する。
【解決手段】共振装置は、可動素子（３）と固定素子（４）とを備えるナノメータサイズ又はマイクロメータサイズの電気機械共振器（１）を備える。検出手段は、共振器（１）の励振入力（Ｅ）に接続されるフィードバックループに、固定素子（４）に対する可動素子（３）の動きを表す検出信号を供給する。共振器（１）は、検出手段及びフィードバックループと同じ基板上に形成される。フィードバックループは、多くとも、基準電圧（ＧＮＤ）と励振入力（Ｅ）との間に直列に接続される第１トランジスタ（６）及び第２トランジスタ（７）を備える。容量性負荷（５）は、励振入力（Ｅ）と基準電圧（ＧＮＤ）との間に接続される。検出信号は、第１トランジスタ（６）の導電率を制御する。 （もっと読む）

【課題】ハウジング内に配置されるセンサチップの配線部を測定媒体に曝すことなくハウジングの配線部に容易かつ確実に接続し得るセンサ装置の製造方法およびセンサ装置を提供する。
【解決手段】中空部１１ａが形成される略円筒状のハウジング１１に対して、この中空部１１ａ内に環状凸部１５を形成するとともにこの環状凸部１５の第１環状面１５ｂに絶縁膜１６を介して各ハウジング側配線部１７を形成する。そして、センサチップ２０に対して、各配線２７の一部である露出配線部２７ａを一側面２０ｂのうち外縁を除く部位にて露出するように形成する。そして、センサチップ２０を、一側面２０ｂの外縁にて第２環状面１５ｃに接合してハウジング１１の中空部１１ａ内に配置する。そして、各露出配線部２７ａおよび各ハウジング側配線部１７を電気的に接続する電極３０を両配線部２７ａ，１７上にそれぞれ蒸着（堆積）させる。 （もっと読む）

【課題】 ＭＥＭＳチップとシリコン製キャップチップを接合したＭＥＭＳ組立体を樹脂
モールドすると、樹脂モールド時にワイヤーが動きシリコン製キャップチップの側面と接
触して、ノイズの発生や線間短絡の不具合がある。
【解決手段】 シリコン製キャップチップの側面をウェットエッチングで形成し、ウェッ
トエッチング面に絶縁性保護膜を形成することで、密着力の高い絶縁性保護膜が形成でき
、樹脂モールド時にワイヤーが動いてキャップチップ側面に接触しても、ノイズの発生や
線間短絡を防止できる。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ抵抗素子とコンタクトホール内の配線との電気的接続箇所における剥離や分離等のコンタクト不良を防止する。
【解決手段】ピエゾ抵抗型３軸加速度センサは、錘部と、この錘部の周辺に配置された台座部５１と、この台座部５１上に固定された周辺固定部４２と、錘部を周辺固定部４２に可撓的に連結する梁部４４とを備えている。梁部４４と周辺固定部４２との境界線Ｐ１１を跨ぐ位置に、一方のピエゾ抵抗素子４５−１が設けられ、梁部４４と錘部との境界線を跨ぐ位置に、他方のピエゾ抵抗素子が設けられている。各ピエゾ抵抗素子４５−１の両端部には、接合部４６−１，４６−２がそれぞれ形成され、この接合部４６−１，４６−２と、この上層に複数個直列に配列されたコンタクトホール４７ａ内の配線４８とが、電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 接着材を介して積層されるとともにボンディングワイヤを介して接続された回路チップおよびセンサチップを有するセンサ装置において、センサチップが過大変位することで生じるワイヤ接続部の機械的な変形やそれに付随して生じるセンサ特性の変動を抑制する。
【解決手段】 回路チップ３００の上に接着材４００を介してセンサチップ２００が積層され接着されており、センサチップ２００と回路チップ３００とがボンディングワイヤ５００を介して接続されてなるセンサ装置Ｓ１において、接着材４００の変形によるセンサチップ２００の変位を規制するためのストッパとして、回路チップ３００のうちセンサチップ２００の外周に位置する部位に設けられたボンディングワイヤからなるワイヤ１が設けられている。 （もっと読む）