【課題】良好な超電導特性の酸化物超電導導体を提供可能な酸化物超電導導体用基材、及び該酸化物超電導導体用基材を工程時間を短縮して効率的に製造することができる酸化物超電導導体用基材の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、良好な超電導特性の酸化物超電導導体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体用基材１０は、金属基材１上に、第１拡散防止層１１と、第２拡散防止層１２と、第３拡散防止層１３と、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された中間層４とがこの順に設けられてなり、第２拡散防止層１２の表面粗さＲａが、金属基材１の表面粗さＲａよりも低く設定されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ホウ化マグネシウム超伝導体の微細パターンの作製方法において、超伝導特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】結晶基板１０１の上に、電子線レジストからなる微細パターン１０２を形成する（図１（ａ））。次に、微細パターン１０２の上に、室温においてアモルファス状炭素１０３及びアモルファス状珪素１０４を蒸着する（図１（ｂ））。その後、電子線レジストの微細パターン１０２をリフトオフして、炭素および珪素からなる微細パターン１０６を形成する（図１（ｃ））。次に、微細パターン１０６を設けた基板１０１の上にホウ化マグネシウム１０５を蒸着する（図１（ｅ））。ここで、蒸着時の基板温度は２８０℃であることが好ましい。最後に、ホウ化マグネシウム１０５が形成された基板１０１の超音波洗浄を行うことにより微細パターン１０６をリフトオフして、ホウ化マグネシウム１０５の微細パターンを得る（図１（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】広い範囲の印加磁場角度に対して高い臨界電流密度を示す二ホウ化マグネシウム（ＭｇＢ_２）超電導薄膜を提供すること。
【解決手段】高真空中において、マグネシウム（Ｍｇ）蒸気とホウ素（Ｂ）蒸気を基板法線軸に対して傾いた方向から供給することで、ＭｇＢ_２の柱状結晶粒を基板法線に対して傾けて成長させる。基板に対するマグネシウム（Ｍｇ）蒸気とホウ素（Ｂ）蒸気の供給角度を制御することで、粒界の傾き角度が互いに異なるＭｇＢ_２柱状結晶粒を含んだ複数の層から成るＭｇＢ_２超電導薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】マグネシウムの酸化を引き起こしにくい緩衝膜を用いてより超伝導性のよいホウ化マグネシウムの薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】サファイア（酸化アルミニウム）からなり主表面がＣ面とされた基板１０１の上に例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）などのガリウムと窒素とから構成された緩衝層１０２が形成され、緩衝層１０２の上に接してホウ化マグネシウムからなる超伝導体層１０３が形成されている。緩衝層１０２は、膜厚２５０ｎｍ程度に形成され、超伝導体層１０３は、膜厚１００〜１２０ｎｍ程度に形成されている。 （もっと読む）

低損失、大電流対応可能な酸化物超伝導体を用いた伝送線路を提供する。超伝導体伝送線路は、内部導体と、該内部導体の周囲を囲み、断面が中空４角形の各角部が除去された形状を有する４つの面を有し、隣接する面間にλ／４（但し、λは伝送する高周波の波長）未満のスリットが形成されている、酸化物超伝導体で形成された外部導体と、を有する。
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【課題】ホウ化マグネシウムを用いた積層型ジョセフソントンネル接合が、より高い温度で動作できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に超伝導体層１０２が形成された後、アルミニウム単体を蒸着源とした蒸着法により、超伝導体層１０２の上に、膜厚１．４ｎｍ程度のアルミニウムの膜が形成された状態とし、ついで、アルミニウム膜の上に酸素ガスが供給された状態としてアルミニウム膜が酸化された状態とすることで、超伝導体層１０２の上にバリア層１０３が形成された状態とする。この後、Ｍｇ及びＢ単体各々を蒸着源とした電子ビーム共蒸着法により、バリア層１０３の上に超伝導体層１０４が形成された状態とする。 （もっと読む）