【課題】フォトダイオードに蓄積された電荷をより正確に読み出す。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１１と、半導体基板１１内に設けられ、第１導電型の半導体層を有するフォトダイオード１６と、フォトダイオード１６上に設けられ、上部又は全体が第２導電型の半導体層からなるシールド層２７と、半導体基板１１に設けられ、フォトダイオード１６に蓄積された電荷を浮遊拡散層に転送する転送トランジスタ２０とを含む。シールド層２７の上面は、半導体基板１１の上面より高い。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の複数の異なる領域に異なる条件でイオンを注入するために必要な工程を低減する技術を提供する。
【解決手段】形成工程で形成されるレジストパターンＲＰは、半導体基板１０１を第１方向から見た場合に、隣接する蓄積領域の間に位置する分離領域を開口から露出し、半導体基板を第１方向とは異なる方向から見た場合に、１つ以上のＭＯＳトランジスタのチャネル領域を開口から露出するとともに、分離領域を遮蔽部ＳＤにより遮る。注入工程では、第１方向に沿って照射されたイオンが分離領域に注入され、異なる方向に沿って照射されたイオンが１つ以上のＭＯＳトランジスタのチャネル領域に注入される。 （もっと読む）

【課題】 ＢＰＤに濃度勾配を設ける特別なウェハプロセスを用いることなく、感度が高く規定の時間内にＢＰＤ内の信号電荷がＦＤに転送される光電変換回路を得る。
【解決手段】 受光領域への入射光により電荷が生成され蓄積される複数のＢＰＤと、一方の端子に少なくとも２つの前記ＢＰＤが接続され、オン状態／オフ状態に切り替える制御信号が入力される制御端子が共通接続された少なくとも１つのＴＧと、各々の前記ＴＧの他方の端子が接続され、各々の前記ＴＧが同時にオン状態に切り替わることにより、各々の前記ＢＰＤの前記電荷が同時に転送され集約するＦＤとを備え、前記ＦＤから各々の前記ＢＰＤの前記受光領域の最遠部の間の最大距離が、規定の時間内で各々の前記ＢＰＤの前記電荷の全てが各々の前記ＢＰＤから前記ＦＤに転送される距離である。 （もっと読む）

【課題】より良好な画質を得る。
【解決手段】シリコン基板の内部に形成されるＮ型領域を有する第１のＰＤと、第１のＰＤよりもシリコン基板の深部に形成されるＮ型領域を有する第２のＰＤと、シリコン基板に対して積層され、第１のＰＤおよび第２のＰＤにより光電変換された電荷に応じた信号を読み出す電荷転送時に、所定の電圧が印加されるゲート電極と、電荷転送時に、第１のＰＤおよび第２のＰＤに蓄積されている電荷が転送されるＦＤと、転送ゲートと平面的に見て重なり合うように、シリコン基板の深さ的にＮ型領域とＮ型領域との間に配置されるＮ型領域とを備える。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOS型固体撮像素子に適用できる。 （もっと読む）

【課題】１パケットを構成する水平画素数が小さくても同色転送が可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】複数の光電変換部と、複数の垂直転送部２と、転送制御部６と、水平転送部３（第１水平転送部４、第２水平転送部５）とを備え、複数の垂直転送部２のそれぞれは、光電変換部の各列に対応して設けられ、動画モード（画素加算モード）においては、同色の信号電荷が、水平転送部３による１水平転送期間あたりの転送行数ｎと同じ行数分、垂直方向に連続させるように、垂直ブランキング期間内に、垂直転送部２内で、光電変換部から読み出された信号電荷の加算及び並び替えを行い、転送制御部６は、第１水平転送部４及び第２水平転送部５のそれぞれが、同色の信号電荷を転送するように、垂直転送部２から第１水平転送部４及び第２水平転送部５へ信号電荷を転送する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の深さ位置によらずに光電変換領域の信号電荷を全て読み出すことが可能で、これにより残像のない撮像特性の向上が図られた固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１３に形成したトレンチ１７ｒ内にゲート絶縁膜１９を介して埋め込まれた読出ゲート２１ｒと、半導体基板１３の内部に設けられた光電変換領域１５ｒとを備えている。さらに、光電変換領域１５ｒとの間に間隔を保って、半導体基板１３の表面層にフローティングディフュージョン２３が設けられている。そして特に、光電変換領域１５ｒとゲート絶縁膜１９とに接して、ポテンシャル調整領域２５ｒが設けられている。このポテンシャル調整領域２５ｒは、半導体基板１３および光電変換領域１５ｒと同一の導電型で、かつ半導体基板１３および光電変換領域１５ｒよりも導電型の濃度が低い不純物領域である。 （もっと読む）

【課題】複数の水平シフトレジスタから同時に出力される電気信号の間で画像の水平座標を等しく維持したまま、複数の水平シフトレジスタ間で信号電荷を確実に移動させることのできる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】垂直シフトレジスタは、光電変換部の各列から出力される信号電荷を列方向に転送する。水平シフトレジスタは、垂直シフトレジスタから転送される信号電荷を行方向に転送する。転送制御ゲートは、第１水平シフトレジスタ内の３個の連続するゲートの下に位置するチャネルから、第２水平シフトレジスタ内の１個のゲートの下に位置するチャネルへ、信号電荷を転送する。転送制御ゲートの電位がハイレベルである期間に、第１水平シフトレジスタ内のゲートの電位を順番にハイレベルに切り換え、その切り換えの間に、それらのゲート全ての電位をローレベルにする。 （もっと読む）

【課題】暗電流の発生を抑制しながらも、転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】光電変換部（ＰＤ）を構成する第１暗電流抑制領域２１を、転送ゲート電極２６と一部重なるように形成する。また、その下層に、第１暗電流抑制領域２１と同導電型で構成され、第１暗電流抑制領域２１よりも低濃度の不純物領域からなる転送補助領域２２を形成する。また、この第１暗電流抑制領域２１と転送補助領域２２との転送ゲート電極２６下の端部は同一位置となるように位置あわせして形成されている。第１暗電流抑制領域２１により暗電流の抑制が図られ、また、転送補助領域２２により、転送効率の向上が図られる。 （もっと読む）

【課題】垂直転送レジスタから第一水平転送レジスタへの転送不良と、第一水平転送レジスタから第二水平転送レジスタへの転送不良とを抑えた、高画質な複数の水平転送レジスタを有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】第一水平転送レジスタ３０４の第一、第三転送電極２０３，２０５は垂直転送レジスタ側の方が第二水平転送レジスタ３０５側よりも幅広に形成されているので、垂直転送レジスタ側のポテンシャルが深く、第二水平転送レジスタ３０５側のポテンシャルが浅く形成される。他方、第一水平転送レジスタ３０４の第二、第四転送電極２０４，２０６は垂直転送レジスタ側よりも第二水平転送レジスタ３０５側の方が幅広に形成されているため、垂直転送レジスタ側のポテンシャルが浅く、第二水平転送レジスタ３０５側のポテンシャルが深く形成される。 （もっと読む）

【課題】垂直転送部における転送効率劣化による縦線などの画像不良を低減することが可能な固体撮像装置及び撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、垂直転送部２と水平転送部４と駆動制御部７とを備え、垂直転送部２は複数の垂直転送部２をグループとして有し、駆動制御部７は、出力によって、垂直転送部２、動画部２２、および水平転送部４のタイミングを変更して、垂直転送部内で発生した取り残し電荷を再転送する駆動、回収する駆動および通常の駆動を選択し、低照度から高照度までの領域で常に転送効率が最大になるように制御する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子で発生した光電子の転送の際に、光電変換素子に残留する光電子数を軽減させるとともに、光電子の転送の高速化を図る固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光を検知して光電子を発生する光電変換素子を有する単位画素と、前記単位画素を駆動する画素駆動部と、を備え、前記光電変換素子は、フォトゲート構造により形成され、前記画素駆動部は、３値の電圧のうち、いずれかの電圧を前記光電変換素子のフォトゲートに印加させることで、前記光電子の発生、転送を行い、前記３値の電圧は、少なくとも、第１電圧と、前記第１電圧より高い第２電圧と、前記第１電圧より大きく且つ前記第２電圧より小さい第３電圧とを有する。 （もっと読む）

【課題】 電荷伝送効率及びフィルファクタを向上可能なイメージセンサを提供する。
【解決手段】 イメージセンサ５は、第１面１及び第２面２を有する半導体層１００、半導体層１００の第１面１上に配置される配線層２００、および半導体層１００の第２面２上に配置される光透過層３００を有する。半導体層１００は、光電変換部１１０を構成するｐ型不純物層１１３、及びｎ型不純物層１１１を有する。ｐ型不純物層１１３内に形成されるフローティング拡散領域１３１、及びフローティング拡散領域１３１を囲むように形成されるトランスファーゲート電極１２３は、ｎ型不純物層１１１上の第１面１側に形成される。これにより、光電変換部１１０で電位が最も高い地点とトランスファーゲート電極１２３との間の距離が小さくなるため、フローティング拡散領域１３１への電荷伝送効率が向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 光電変換部の電荷の転送効率を向上させることを目的とする。
【解決手段】 活性領域１１５にＮ型半導体領域１０１及びフローティングディフュージョン１０５が配される。ＰＤからＦＤ１０５に電荷を転送するための転送ゲート電極１０３が半導体基板上に絶縁体を介して配される。ＰＤを構成するＮ型半導体領域１０１の一部と転送ゲート電極１０３の一部とが互いに重なる。活性領域１１５にＰ型半導体領域１０６が配される。Ｐ型半導体領域１０６と、Ｎ型半導体領域１０１の転送ゲート電極１０３と重なった部分とは、半導体基板と絶縁体との界面に平行な方向において互いに隣接して配される。Ｎ型半導体領域１０１の不純物濃度ピークの位置とＰ型半導体領域１０６の不純物濃度ピークの位置とが異なる深さである。 （もっと読む）

【課題】ラインレートを犠牲にすることなく、飽和電荷量を高めることが可能な固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】固体撮像装置１は、光感応領域１５と、電位勾配形成領域１７と、をそれぞれ有すると共に、所定の方向に交差する方向に沿うように併置された複数の光電変換部３と、光電変換部３にそれぞれ対応し且つ光感応領域１５の平面形状を成す他方の短辺側に配置され、対応する光電変換部３の光感応領域１５で発生した電荷を蓄積する複数のバッファゲート部５と、複数のバッファゲート部５からそれぞれ転送された電荷を取得し、所定の方向に交差する方向に転送して出力するシフトレジスタ９と、を備え、バッファゲート部５は、所定の方向に沿って配置されると共に所定の方向に向かってポテンシャルを高くするように所定の電位がそれぞれ与えられる少なくとも二つのゲート電極を有する。 （もっと読む）

【課題】飽和電荷量、転送性能および感度に対する要求を満たすために有利な技術を提供する。
【解決手段】、固体撮像装置は、第１導電型の第１半導体領域と、前記第１半導体領域の下面に接するように配置され電荷蓄積領域として機能する第２導電型の第２半導体領域と、前記第２半導体領域によって取り囲まれた側面を含む第３半導体領域と、前記第２半導体領域から離隔して配置された第２導電型の第４半導体領域と、前記第２半導体領域に蓄積された電荷を前記第４半導体領域に転送するためのチャネルを形成する転送ゲートとを含み、前記第３半導体領域は、第１導電型の半導体領域であるか、第２導電型の不純物濃度が前記第２半導体領域よりも低い第２導電型の半導体領域である。 （もっと読む）

【課題】スミア特性の向上と転送効率の向上とを両立させる。
【解決手段】固体撮像装置１００は、複数のフォトダイオード１１０と、第１垂直ＣＣＤ１３０と、水平ＣＣＤ１４０と、ドレイン１７０と、複数の転送制御部２００とを備え、複数の転送制御部２００のそれぞれは、水平ＣＣＤ１４０及びドレイン１７０の少なくとも１つに電荷を転送する分岐部２１１と、分岐部２１１と水平ＣＣＤ１４０との間にポテンシャルバリアを形成する垂直ＣＣＤ最終ゲート２１２と、分岐部２１１とドレイン１７０との間にポテンシャルバリアを形成するドレインゲート２３０とを備え、固体撮像装置１００は、さらに、電荷をドレイン１７０に掃き捨てる第１駆動モードと、電荷をドレイン１７０に掃き捨てない第２駆動モードのいずれかを固体撮像装置１００からの信号量に応じて選択し、選択した駆動モードに応じて印加する電圧を制御するタイミング発生回路１６０を備える。 （もっと読む）

【課題】ホトダイオードと転送スイッチ間のバイパス領域の濃度と幅を精度よく形成し、ダイナミックレンジを広げる。
【解決手段】第一導電型の半導体領域１１０２、半導体領域中に形成されたホトダイオード１１０４、ホトダイオード内に蓄積された光電荷を転送する転送ＭＯＳトランジスタ１１０３、および転送された光電荷を受け取る領域を画素内に有する固体撮像素子において、ホトダイオード１１０４から連続する領域１１０６は、転送ＭＯＳトランジスタ１１０３の制御電極の下まで及んでおり、光電荷を受け取る領域としての拡散浮遊領域１１０７はＬＤＤ構造を有する。 （もっと読む）

【課題】画素の微細化および／または電荷の完全転送に有利な技術を提供する。
【解決手段】電荷蓄積領域を含む光電変換部と、浮遊拡散領域と、前記電荷蓄積領域に蓄積された電荷を前記浮遊拡散領域に転送するためのチャネルを形成するためのゲート電極とを含む固体撮像装置を製造する方法は、半導体基板の上にゲート絶縁層を介して前記ゲート電極を含むゲート電極構造体を形成する工程と、前記ゲート電極構造体および前記ゲート絶縁層を介して前記半導体基板の第１領域および第２領域に対して同時にイオンを注入する工程とを含み、前記第１領域は、前記電荷蓄積領域を形成すべき領域であり、前記第２領域は、前記電荷蓄積領域から前記ゲート電極の下方の部分に延びた拡張領域を形成すべき領域であり、前記イオンを注入する工程におけるイオンの平均投影飛程は、前記ゲート電極および前記ゲート絶縁層の厚さの合計よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】画素セルの微細化に伴う感度低下を抑制することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体層１と、半導体層１に設けられた、第２導電型の不純物領域からなる電荷蓄積領域７とを備える。電荷蓄積領域７に蓄積された信号電荷が転送される、第２導電型の不純物領域からなる検出部８が、電荷蓄積領域７に対応して、電荷蓄積領域７と間隔をおいて半導体層１に設けられている。さらに、半導体層１の表面には、電荷蓄積領域７と重なる状態で絶縁膜４を介して設けられ、当該重なり部分の少なくとも一部が、可視光に対して透過性を有する透明導電体からなる転送ゲート電極５を備える。 （もっと読む）

【課題】電荷転送チャネルの各転送ゲート下の領域に、電荷転送方向に沿って電位が傾斜した電荷転送井戸を精度よくしかも再現性よく形成することができ、これにより電荷転送部での信号電荷の転送効率を改善した信頼性の高い固体撮像装置を得る。
【解決手段】入射光の光電変換により信号電荷を生成する複数の受光部５と、各受光部列に対応して設けられ、対応する受光部列の受光部から読み出された信号電荷を垂直方向Ｘに転送する垂直転送部１００ｂと、該垂直転送部１００ｂから転送されてきた信号電荷を水平方向Ｙに転送する水平転送部１００ｃとを備えたＣＣＤ型の固体撮像装置１００において、垂直転送部および水平転送部にて転送ゲート下のゲート絶縁膜１０２を、その膜厚が、転送ゲート毎に電荷転送方向Ｘに向かって薄くなるよう、該ゲート絶縁膜の表面を傾斜させた断面構造とした。 （もっと読む）