【課題】低周波ノイズ除去に伴う消費電力の増加を最小限に抑えることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】画素部100は、入射した光の大きさに応じた画素信号を出力する画素101と、補正用基準電圧に応じた補正用画素信号を出力する補正用画素102とを有する。AD変換回路105は、複数の遅延素子が接続された遅延回路を有し、画素信号または補正用画素信号のレベルに対応する数の遅延素子をパルス信号が通過すると、パルス信号が通過した遅延素子の数に応じたデジタル信号を出力する。制御部111は、1フレーム内でｍ（mは2以上の自然数）行の画素信号のAD変換に対応して1行の補正用画素信号のAD変換を行うように垂直走査部103およびAD変換部105を制御する。ノイズ除去部109は、補正用画素信号のAD変換結果を用いて画素信号のAD変換結果からノイズを除去する。 （もっと読む）

【課題】狭帯域化された特殊な光を照射して撮影画像を得る場合に、消費電力の削減、または高画質の撮影画像の取得を行うことができる撮像装置および撮像システムを提供する。
【解決手段】第１の波長帯域の光の入射量に応じた第１の電気信号を発生する第１の受光部を有する第１の画素と、第１の波長帯域と異なる第２の波長帯域の光の入射量に応じた第２の電気信号を発生する第２の受光部を有する第２の画素とが、行列状に複数配置された画素部と、画素部の列毎に配置され、第１の波長帯域の光が照射されているときに、画素部から、少なくとも、第１の電気信号に応じた第１の画素信号を読み出し、少なくとも、該読み出した第１の画素信号に対して信号処理を行って出力する信号処理回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 内部電界が弱い領域では、ホトダイオードＰＤより深い領域で発生した光電荷は横方向に拡散してしまい、隣接画素等への光電子流入（クロストーク）により感度低下が生じていた。
【解決手段】 クロスストーク防止層ＤＮＷ９をホトダイオードＰＤ形成部及び、画素−周辺回路間に設ける。
【効果】 画素−画素間または画素領域−周辺回路領域間のクロストークを低減し、光感度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物絶縁膜上に、半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてエネルギーギャップの異なる少なくとも２層の酸化物半導体層を含み、かつ積層された酸化物半導体層の間に混合領域を有する酸化物半導体積層を用いる。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサにおいて、トランジスタのオフ電流を低減することで、低消費電力化を図る。
【解決手段】フォトダイオード１３、第１のトランジスタ１４、及び第２のトランジスタ１５を有するフォトセンサと、読み出し制御トランジスタ１８を有する読み出し制御回路と、を有する。フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を第１のトランジスタのゲートに供給する機能を有する。第１のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能と、蓄積された電荷を出力信号に変換する機能とを有する。第２のトランジスタは、出力信号の読み出しを制御する機能を有する。読み出し制御トランジスタは、出力信号を電圧値の信号に変換する抵抗素子としての機能を有し、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、及び読み出し制御トランジスタの半導体層は、酸化物半導体を用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】信号品質の劣化を低減すると共にチップ面積の増大を抑制し、かつ、消費電流の増大を抑制する。
【解決手段】本発明の一態様に係る固体撮像装置は、画素を構成する回路要素が配置された第１の基板と第２の基板とが電気的に接続されている固体撮像装置であって、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の画素に分類された複数の画素を有し、当該複数の画素のそれぞれは、前記第１の基板に配置された光電変換素子と、前記光電変換素子で発生した信号を増幅して増幅信号を出力する増幅回路と、前記第２の基板に配置され、前記増幅回路から出力された前記増幅信号を蓄積する信号蓄積回路と、を有し、前記第１〜第ｎの画素の前記増幅回路に排他的に駆動電流を供給する制御を行う制御部を有する。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、異なる種類の半導体素子のそれぞれに適合した厚さを有する半導体層が１つの絶縁膜上に設けられた半導体基板およびその製造方法、その半導体基板を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体基板１０は、第１絶縁層５と、前記第１絶縁層の上に設けられた半導体層７とを有する半導体基板であって、前記半導体層の中に選択的に設けられ、前記半導体層の表面に平行に延在し、その延在方向の長さが前記第１絶縁層よりも短い第２絶縁層１３と、前記半導体層の表面から前記第１絶縁膜に至る深さに延設され、前記半導体層の前記第２絶縁層を含む部分と、前記半導体層の残りの部分と、を電気的に分離する第３絶縁層１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】出力分解能を犠牲にすることなく、消費電力を低減することができるＡ／Ｄ変換装置、Ａ／Ｄ変換方法および固体撮像装置を提供する。
【解決手段】
アナログ入力信号に応じてパルス信号を遅延させるｎ（ｎ：正の整数、ｎ≧２）個の遅延素子が円環状に接続され、第１の時刻から第２の時刻までパルス信号を伝播させるパルス遅延回路と、第１の時刻から第２の時刻よりも短い第３の時刻までの周回数をカウントするカウンタ回路と、第３の時刻までの周回数を上位ビットラッチ値として出力する上位ビットラッチ回路と、第３の時刻の位置を第１の下位ビットラッチ値として出力し、第２の時刻の位置を第２の下位ビットラッチ値として出力する下位ビットラッチ回路と、第１の時刻から第２の時刻までの周回数の上位ビット推定値と第２の下位ビットラッチ値とに基づいて、アナログ入力信号の大きさに応じたデジタル出力値を生成するデジタル演算回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】対象物からの反射光を精度よく受光できるようにしつつ装置を薄型化する。
【解決手段】センシング装置において発光部２０は受光部３０より対象物Ｆ側に位置する。発光部２０は、照射光ＩＬを発する発光層２６と、照射光ＩＬと反射光ＲＬを透過する第１電極２２と、照射光ＩＬと反射光ＲＬを遮光すると共に開口部が形成された第２電極２４と、第２電極２４の開口部に対応する位置に設けられ、照射光ＩＬと反射光ＲＬを遮光すると共に第１電極２２と第２電極２４とを部分的に絶縁する絶縁層２８とを備える。受光部３０は反射光ＲＬを受光する受光素子Ｄを備える。遮光層ＢＭは、第２電極２４の開口部に対応する位置に設けられ、照射光ＩＬと反射光ＲＬを遮光すると共に開口部が形成されている。対象物Ｆ側から平面視した場合に、遮光層ＢＭは第２電極２４の開口部と重なり、受光素子Ｄの受光面は遮光層ＢＭの開口部内に位置する。 （もっと読む）

【課題】 参照信号Ｖｒｅｆの開始電圧と、画素からの輝度信号電圧に差がある場合においては、カウンタ動作時間Ｔｃが長くなり、消費電流が多くなってしまう。これが、選択行での全てのカウンタが、同様に動作時間が長くなると、さらにカウンタの個数分消費電流が積算されてしまうといった問題があった。
【解決手段】得られた画像データを元に、カウンタの参照信号Ｖｒｅｆの初期値を制御することで、輝度信号電圧と、参照信号Ｖｒｅｆの初期値Ｖｉとの電圧差が少なくして、カウンタ動作が早めに停止するカウンタを多くする事で、列毎にあるカウンタで消費する電流を減らす （もっと読む）

【課題】カウンタ動作の低速化を抑制しつつ、カウンタ回路の消費電流を低減する。
【解決手段】各カウンタ回路ＣＵ内において、Ｓ個のクロックＣＫ_１〜ＣＫ_ｓによるカウント動作の起動および停止を順次伝播させることで、クロックＣＫ_ｎによるカウント動作が行われている時は、クロックＣＫ_１〜ＣＫ_１−ｎ、ＣＫ_１＋ｎ〜ＣＫ_ｓによるカウント動作を停止させる。 （もっと読む）

【課題】面積の増大、制御の複雑化を招くことなく電源投入時のラッシュ電流を的確に抑制することが可能なパワーゲート回路、固体撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】適用回路１１の基準電位端子と基準電位間および適用回路の電源端子と電源間の少なくとも一方に接続されるパワーゲートスイッチ１２と、パワーゲートスイッチ１２のゲートに接続された容量Ｃ１１と、制御信号に応じてパルス信号をパワーゲートスイッチのゲートに供給するパルス生成部１３と、パワーゲートスイッチをオンにするときに、制御信号をパルス生成部に出力してパルス信号をパワーゲートスイッチのゲートに供給し、容量Ｃ１１に電荷を蓄積させて上記パワーゲートスイッチのゲート電位を、パワーゲートスイッチがオンとなる電位に徐々に近づくように制御するパワーゲート制御部１４とを有する。 （もっと読む）

【課題】撮像された画像の品質を向上させる固体撮像装置、或いは半導体表示装置を提供する。
【解決手段】グローバルシャッタ方式で駆動を行うことで、電荷の蓄積動作を制御するための電位を全画素で共有することができる。さらに、出力信号が与えられる一の配線に接続されている複数のフォトセンサを第１のフォトセンサ群とし、出力信号が与えられる他の配線に接続されている複数のフォトセンサを第２のフォトセンサ群とすると、電荷の蓄積動作を制御するための電位または信号を第１のフォトセンサ群に与える配線と、上記電位または信号を第２のフォトセンサ群に与える配線とを、接続する。 （もっと読む）

【課題】リフレッシュ動作を不要とする酸化物半導体を利用した光センサ、当該光センサを搭載した半導体装置、及び光センサを利用した光の測定方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体を用いて形成されたチャネルを含むトランジスタに、ゲート電圧をパルス状に印加することにより、一定のゲート電流が得られることを見出し、これを光センサに応用した。当該光センサはリフレッシュ動作を要さないため、少ない消費電力で、高速かつ簡易な測定手順にて光の照度を測定できる。比較的高い移動度と低いＳ値、低いオフ電流を有する酸化物半導体を利用したトランジスタにより光センサを形成できるため、少ない工程で多機能を有する半導体装置を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】電圧降下が小さい整流素子を得ること、及び、コンバータ回路の作製コストを抑制することを課題とする。
【解決手段】光電変換素子と、当該光電変換素子の出力を昇圧又は降圧し、スイッチング素子及び整流素子を有するコンバータ回路と、を有する光電変換装置において、当該スイッチング素子として、ノーマリオフの第１の酸化物半導体トランジスタと、当該整流素子として、ダイオード接続されたノーマリオンの第２の酸化物半導体トランジスタとを有する光電変換装置に関する。 （もっと読む）

【課題】グランド線上で発生するＩＲドロップの問題を解消するとともに、レイアウトサイズの増大を抑制し且つ消費電力を低減する。
【解決手段】撮像素子１００を、画素アレイ部１と、第１電流源２１と、第１グランド線ＧＬと、第１スイッチ２２と、第１容量素子２４と、第２スイッチ２３と、電流制御回路５とを備える構成とする。そして、電流制御回路５は、第１容量素子２４の充電動作を行う第１期間では第１スイッチ２２をオフ状態にし且つ第２スイッチ２３をオン状態にし、画素信号を読み出す第２期間では第１スイッチ２２をオン状態にし且つ第２スイッチ２３をオフ状態にする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、キャパシタを用いて半導体装置内で信号レベルをシフトさせた場合の帯域、感度の特性劣化を抑制する。
【解決手段】半導体装置１は、第１回路５１から第２回路５２までの信号の信号経路８１，８２に対して直列に接続された一対の対向電極１１２，１１３を有し、信号経路８１，８２を伝播する信号のレベルをシフトするキャパシタ５３と、一対の対向電極と重ねて形成されるシールド部５５とを有する。シールド部５５の電位は、信号経路８１，８２を伝播する信号に追従して変化する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタを製造する際に熱処理による電気特性のバラツキが抑制され、特に大面積のデバイスの作製に適した薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、酸化物半導体層１２と、ソース電極１３と、ドレイン電極１４と、ゲート絶縁膜１５と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタを製造する方法であって、隣接する層の組成が異なる３層以上の積層構造を有し、かつ、ゲート電極に最も近い側に配置された層１２Ｃとゲート電極から最も遠い側に配置された層１２Ａとの間に、ゲート電極に最も近い側に配置された層及びゲート電極から最も遠い側に配置された層よりも比抵抗が小さい低抵抗層１２Ｃが少なくとも１層存在する酸化物半導体層を形成する工程と、前記酸化物半導体層を形成した後、熱処理する工程と、を含む薄膜トランジスタ１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】撮像準備期間中の消費電力を抑制でき、薄膜トランジスタの閾値変動を抑制できる電磁波情報検出装置および電磁波情報検出方法を提供する。
【解決手段】第１の電極３４６と複数の第２の電極３３６と光電変換層３４０とを有する複数の光電変換器３０４と、複数の第２の電極に接続された複数のノーマリーオン型のトランジスタ３２０と、複数のトランジスタ３２０のゲート電圧を制御するゲート電圧制御手段２４２と、第１の電極３４６に所定の電位を供与する電位供与手段２４６と、ゲート電圧制御手段２４２と電位供与手段２４６とを制御する制御手段２１０とを備え、制御手段２１０は、撮像準備期間に、第１の電極に撮像用の電位を供与すると共に複数のトランジスタのゲート電圧を０Ｖとし、撮像期間に、第１の電極に撮像用の電位を供与すると共に複数のトランジスタのゲート電圧にオフ電圧を供給するように制御する。 （もっと読む）

【課題】 低消費電力動作を実現した固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る固体撮像装置は、光電変換部と、前記光電変換部で発生した電荷量に基づく信号を増幅して第１増幅信号を出力する第１増幅手段と、前記第１増幅信号を増幅して第２増幅信号を出力する第２増幅手段と、前記第１増幅手段と前記第２増幅手段とが共有する電流源と、前記第１増幅手段及び第２増幅手段のそれぞれを単独で非動作状態とすることが可能な選択手段とを有する。第１増幅手段と第２増幅手段の電流源を共有することで、電流源数削減による低消費電力化を図る。 （もっと読む）