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Fターム[4M118CA26]の内容

固体撮像素子 (108,909) | 受光部構造 (13,175) | 光電変換部 (1,837) | 各受光部の大きさ、特性を異ならせたもの (490) | 中央部と端部で異ならせたもの (101)

Fターム[4M118CA26]に分類される特許

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【課題】加工精度を維持しつつ、固体撮像装置の特性劣化を抑制する。
【解決手段】固体撮像装置に設けられるカラーフィルタは、格子状に形成される、複数の画素のうちの所定の画素に対応した所定の色成分のフィルタと、所定の色成分のフィルタが形成される領域以外の領域に形成される、他の画素に対応した他の色成分のフィルタと、所定の色成分のフィルタと他の色成分のフィルタとの境界に、光透過率を減衰させる光減衰膜とを備え、所定の色成分のフィルタが形成される領域は、少なくとも一部で互いに結合し、他の色成分のフィルタおよび光減衰膜の底面は、所定の色成分のフィルタの底面より低い。本技術は、例えばCMOSイメージセンサに適用することができる。 (もっと読む)


【課題】製造工程を増加させることなく、スミアシェーディングを抑制し、画質を向上させる。
【解決手段】画素領域にて行列状に配列される複数の電荷蓄積部3と、半導体基板11に設けられる電荷転送部13、および半導体基板11上に設けられる転送電極14を有する複数の垂直転送部と、電荷蓄積部3とこの電荷蓄積部3により生成された信号電荷が読み出される垂直転送部との間に設けられる読み出し部6と、電荷蓄積部3の読み出し部6が設けられる側と反対側にて電荷蓄積部3と垂直転送部との間に設けられるチャネルストップ部7と、半導体基板11の入射光が入射する側に設けられ、電荷蓄積部3に対応する位置に開口部を有する遮光膜16と、を備え、電荷蓄積部3、電荷転送部13、読み出し部6、およびチャネルストップ部7は、水平方向について、画素領域の中央部に対して画素領域の周辺部では、開口部に対して外側へずれた位置に設けられている。 (もっと読む)


【課題】画素部面内でのスミア比の差が抑制され、出力画像の画質が高い固体撮像素子を提供する。
【解決手段】マイクロレンズ16と、赤色、緑色、青色の波長を選択するカラーフィルター17とを有し、カラーフィルター17透過後の入射光を、屈折率が周辺部よりも大きな材料を用いて画素開口部へ伝搬させる光導波路構造(光導波路13、・・)を備える。そして、光導波路13の開口径が、画素中心部から周辺部に行くに従って小さくなっている。具体的には、画素中心部における開口径dG1が、外周における開口径dG2よりも大きくなっている。なお、R画素およびB画素においても、同様の関係を以って光導波路の開口径が設定されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、固体撮像装置とその製造方法、およびこの固体撮像装置を備えた撮像モジュールに関する。
【解決手段】撮像エリアに複数の画素が二次元配列されてなる固体撮像装置であって、画素毎に光電変換部が形成された半導体基板と、半導体基板上に形成され、光電変換部上の領域毎に凹部を有する第1屈折率膜と、第1屈折率膜の凹部に一部が埋め込まれた、第1屈折率よりも高い屈折率を有する第2屈折率膜とを備え、複数の画素には、撮像エリアの中央領域にある第1の画素と、撮像エリアの周辺領域にある第2の画素とが含まれ、第2の画素における第2屈折率膜の上面は、第1の画素側の端部が、第1の画素側とは反対側の端部よりも低くなるように傾斜していることを特徴とする固体撮像装置。 (もっと読む)


【課題】簡易な加工プロセスにより、高感度化および微細化を実現することが可能な撮像素子を提供する。
【解決手段】イメージセンサ1は、2次元配置された複数の画素Pを備え、各画素Pが、フォトダイオードを含む受光部20と、入射光を受光部20へ向けて集光する集光部10とを有する。集光部10では、その画素位置に応じた特定の凹凸構造11Aを表面に有する1または複数の光学機能層(例えばオンチップレンズ11)を含んでいる。特定の凹凸構造11Aを有することにより、オンチップレンズ11表面における反射率が低減すると共に、瞳補正の効果が得られる。 (もっと読む)


【課題】各受光素子の出力信号のゲインを調整しつつ、コストが嵩むことが抑制された光センサを提供する。
【解決手段】受光量に応じた電荷を蓄積する複数の受光素子と、全ての受光素子それぞれの受光面に入射する光の入射角度が異なるように、光の入射角度を規定する規定部と、全ての受光素子それぞれと共通して電気的に接続された共通配線と、対応する受光素子と共通配線との間に設けられた転送スイッチと、各受光素子に対して設けられ、受光素子に蓄積された電荷をリセットするリセット部と、転送スイッチの開閉、及び、リセット部の駆動を制御する制御部と、を有し、制御部が、転送スイッチの開閉とリセット部の駆動を調整することで、各受光素子から共通配線に出力される電荷の量を調整する。 (もっと読む)


【課題】イメージエリアへの光の入射効率を向上させることが可能な固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、基板15内に設けられ、かつ第1導電型の半導体領域17をそれぞれが有する複数のフォトダイオードPDと、基板15内に設けられ、かつ第2導電型の半導体領域から構成され、かつ複数のフォトダイオードPDをそれぞれ分離する素子分離領域19とを含む。素子分離領域19は、複数のフォトダイオードPDが配列されたイメージエリアの中心方向に傾いている。 (もっと読む)


【課題】受光領域全域での集光率を向上させた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、基板の受光領域の中央部25に配置された受光部と、受光領域の周縁部26に配置された受光部と、中央部25に配置された受光部に対応する位置に形成されたマイクロレンズ2と、周縁部26に配置された受光部に対応する位置に形成されたマイクロレンズ2とを備え、中央部25に配置された受光部に対応する位置に形成されたマイクロレンズ2の形状と周縁部26に配置された受光部に対応する位置に形成されたマイクロレンズ2の形状とは、受光領域の中央部25への光の入射角と受光領域の周縁部26への光の入射角との差異に応じて異なっている。 (もっと読む)


【課題】カメラの光学レンズからの入射光がより広い入射角度範囲であっても撮像領域にわたり高感度が維持され、感度ムラが低減された固体撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像領域に行列状に配置された複数の単位画素11を有する固体撮像装置であって、単位画素11は、撮像領域の面方向に互いに異なる実効屈折率分布を有する、単位画素11内の境界線50において互いに接する集光素子101Aと集光素子101Bとを有する集光部101と、集光部101で集光された入射光を受光する受光部104とを備え、集光部101は、受光部104に対して、撮像領域の中心方向へシフトして配置される。 (もっと読む)


【課題】マイクロレンズアレイまたは固体撮像装置の製造工程の単純化および/またはマイクロレンズ間のアライメントずれの防止に有利な技術を提供する。
【解決手段】マイクロレンズアレイまたは固体撮像装置の製造方法は、複数の受光部を含む構造体の上にレジスト膜を形成する工程と、複数のマイクロレンズを形成するための複数のレンズパターンが配列されたフォトマスクを用いて前記レジスト膜を露光する工程と、露光された前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを熱処理して前記複数のマイクロレンズを形成する工程とを含み、前記複数のレンズパターンは、露光光の光透過率分布が互いに異なるレンズパターンを含む。 (もっと読む)


【課題】撮像素子によって受光される光が少ないといった課題がある。
【解決手段】撮像装置は、被写体が配される被写体領域の一方側に配され、受光面での受光量に応じた電気信号を出力する撮像素子が複数個整列した撮像素子アレイと、前記被写体領域の前記一方側において、前記撮像素子アレイの各々の前記撮像素子に対応して前記受光面側に配され、前記撮像素子の前記受光面の面積よりも小さいピンホールを複数個整列したピンホールアレイと、前記被写体領域の他方側において、前記ピンホールアレイの各々の前記ピンホールに対応して配され、前記ピンホールに集光する集光素子が複数配列した集光素子アレイとを備え、前記被写体および前記ピンホールアレイの少なくともいずれか一方を移動させつつ前記撮像素子アレイにより複数の画像を撮像して出力する。 (もっと読む)


【課題】受光素子の出力信号に外乱出力が含まれることが抑制された光センサを提供する。
【解決手段】半導体基板の一面側に、光を電気信号に変換する受光素子が複数形成され、半導体基板における受光素子の形成面上に、透光膜を介して遮光膜が形成され、遮光膜に、受光素子それぞれに対応して、透光用の開口部が形成された光センサであって、ある受光素子に対応する開口部から入射した光が、それと隣接する受光素子に入射することを妨げる遮光部を有し、遮光部は、互いに隣接する開口部の対向領域を跨ぐように、透光膜に形成されている。 (もっと読む)


【課題】撮像素子における位相差特性を均一化させる。
【解決手段】マイクロレンズ350は、被写体光を集光する。受光素子370は、マイクロレンズ350により集光された被写体光を受光することにより位相差検出による合焦判定を行うための信号を生成する。遮光層362は、マイクロレンズ350と受光素子370との間に配置されてマイクロレンズ350により集光された被写体光の一部を遮光する。撮像素子において、マイクロレンズ350の光軸方向における遮光層362とマイクロレンズ350との間の距離が、像高の増加に応じて短くなるように設定される。 (もっと読む)


【課題】配線や遮光膜などの光のケラレがあっても、同色受光素子で点対称または線対称となるようにレンズ中心から周囲にかけて受光素子を配置することにより、レンズ中心からのシェーディング特性をより容易かつ正確に均一にする。
【解決手段】光学中心を横軸Xと縦軸Yの交点として第1象限A〜第4象限Dとする。受光部3の受光面に対して読み出しゲート3aの位置や配線および遮光膜の位置などによって、受光部平面視形状の配列方向に差が生じるが、配列方向の差をレンズ中心(交点P)から4象限方向に点対象に均一に形成する。これによって、レンズ中心(交点P)からその周辺部にかけて、輝度シェーディングおよび色シェーディングがきれいな同心円状となる。 (もっと読む)


【課題】外乱赤外線をより適切に遮断することができ、画像劣化を抑制することができる赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板1の表面には、空洞部1aの開口を覆うように面状に遮蔽膜7及び反射膜8が形成されている。即ち、遮蔽膜7は、半導体基板1における光学系150と対向する面に、機械的でかつ熱的に接続されている。反射膜8は、遮蔽膜7の表面の全体を覆うように形成されている。撮像画素開口101aは、遮蔽膜7及び反射膜8に空けられている。遮蔽膜7及び反射膜8は、撮像画素開口101aで、光学系通過赤外線152のみを空洞部1a内の温度検出部5へ通す。遮蔽膜7及び反射膜8は、これらの面全体における撮像画素開口101a以外の箇所で、外乱赤外線を遮断・反射する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、構造を複雑化することなく、入射光を利用効率するのに適した構成の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】本発明を例示する固体撮像素子は、同一基板上に配列された画素群と、前記画素群を構成する各々の画素(20)に設けられたマイクロレンズ(65)とを備え、前記各々の画素(20)には、少なくとも2つの受光部(41、42)が配列されており、前記各々の画素(20)のマイクロレンズ(65)には、入射光に対して正の屈折力を有したメインレンズ面(65M)と、入射光に対して前記屈折力より弱い屈折力を有したサブレンズ面(65S)とが形成されている。 (もっと読む)


【課題】MOS撮像装置におけるセンサー部から信号電荷が、低い読み出し電圧で完全に読み出せないことの改善を図る。
【解決手段】光電変換領域20を有するセンサー部Sと、このセンサー部Sから信号電荷を読み出す絶縁ゲートトランジスタMOSとを有する複数の単位画素が配列された構成において、センサー部Sの光電変換領域は、信号電荷に対する単一のポテンシャルの窪みを形成する構成とし、絶縁ゲートトランジスタMOSのゲート電極18を、そのチャネル幅方向の中間部が、ポテンシャルの窪みの中心部上もしくはその近傍上に位置するパターンに形成する。 (もっと読む)


【課題】裏面照射型の固体撮像素子であって、チップの端部に位置する画素においても、配線層からの反射による光クロストークを抑制する構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板1の裏面への入射光Lを光電変換する受光部2a、2bを含み、半導体基板の表面上に形成された絶縁膜7、10aと、配線膜9を含む配線層8とを備える。チップの端部において、配線層8内には、配線膜9が存在しない絶縁膜10aからなる領域22Aと、受光部2bと隣り合う受光部2a上における配線膜9が存在しない絶縁膜10aからなる領域22Bとが形成されており、領域22Aの間隔は、領域22Bの間隔よりも広い。 (もっと読む)


【課題】各画素電極膜を分離する隙間による影響を抑制した製造精度の高い光電変換膜積層型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】信号読出手段が形成された半導体基板2と、半導体基板2の光入射側の表面に絶縁層4を介し画素毎に分離して形成され前記信号読出手段と電気的に接続された複数の画素電極膜5と、該複数の画素電極膜5の上に積層された光電変換膜8と、隣接する画素電極膜5の間の隙間9を埋めることで光電変換膜8の表面部に形成された凹部を埋める絶縁材10と、光電変換膜8の上に積層された対向電極膜12とを備える。 (もっと読む)


【課題】光学系とセンサ受光部との距離に対応して各画素における適正な入射状態を得ることができ、各画素の受光効率の改善や感度の均一化を図る。
【解決手段】光電変換部を含む複数の画素が2次元配列された撮像領域を有し、前記複数の画素における光電変換部の上層には、それぞれ集光レンズが設けられており、前記集光レンズは前記撮像領域の中央部分から外側へ離れて位置する画素の集光レンズほど前記撮像領域の中央部分側へシフトして形成され、前記集光レンズのシフト量は、前記集光レンズから前記光電変換部の受光面までの距離と、前記光電変換部の半導体層への形成深さとに基づき、当該光電変換部内に光が集光されるように設定されている。 (もっと読む)


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