【課題】
読み出し回路を備えた第一基板と受光素子を備えた第二基板をバンプ接続した量子型赤外線熱感知デバイスにおいて、HgCdTe等で構成された第二基板に影響を与えることなくシリコン基板等で構成された第一基板と、第二基板の熱膨張係数の違いに起因する隣接バンプ間の接触を防止する。
【解決手段】
量子型撮像素子は、読み出し回路を備えた第一基板と、前記第一基板とフリップチップボンディング（FCB）によって電気的に接続された、受光素子を備えた第二基板と、前記第一基板と前記第二基板をFCBによって電気的に接続する導体バンプ群と、各バンプの周囲を囲むように存在し、前記第一基板側にのみ固定され、前記第二基板との間に空隙を設けた絶縁壁とを有する。 （もっと読む）

【課題】暗電流によるノイズを低減することにより、充分なＳ／Ｎ比を確保することを可能にする固体撮像素子を提供する。
【解決手段】シリコンから成る半導体層１１と、この半導体層１１内に形成された光電変換素子ＰＤと、半導体層１１の、少なくとも光電変換素子ＰＤが形成された部分の上に形成された、ＳｉＧｅＣから成る単結晶層２５とを含む固体撮像素子１を構成する。 （もっと読む）

一実施形態において、読み出し集積チップ等の集積チップとの酸化物結合に適した検出器の作製方法は、バンプを有する複数の検出素子を備える基板を準備する。前記バンプの上部を取り囲むフローティング酸化物層が形成される。前記フローティング酸化物層と前記集積チップの酸化物層との間に酸化物−酸化物結合が形成される。前記集積チップの酸化物層は、前記集積チップの対応バンプに備えられる。前記酸化物−酸化物結合によって、前記検出素子の前記バンプと前記集積チップの前記対応バンプとが互いに密接に接触でき、前記バンプへの機械的応力及び前記バンプ間の機械的応力を本質的に全て除去できる。他の実施形態においては、装置が相互接続インタフェースを有し、この相互接続インタフェースが、前記酸化物−酸化物結合、及び、前記検出素子の前記バンプと前記集積チップの前記対応バンプとの間の電気的接触を含む。
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【課題】電磁放射線及びイオン化放射線、特にＸ−線及び／又はγ線を検出するデバイスに関する。
【解決手段】電磁放射線、特にＸ−線又はγ線を検出するデバイスであって、検出される前記電磁放射線と相互作用することが可能な少なくとも１つの材料から構成され、可動電荷キャリアを解放するためのものであり、前記可動電荷キャリアの移動が電流を発生する検出層（２１）；前記解放された電荷キャリアの複数の基本コレクター（２３，２９）を備えて提供され、前記基本コレクターが、離散的に分配された基板（２２）；前記検出層によって解放された前記電荷キャリアを、前記基本コレクターに移動させるのに適しており、前記検出層（２１）に接続されている移動層（２５）；前記複数の基本コレクター（２３，２９）及び前記移動層（２５）を接合させるための、絶縁性の接着性接合層（２６）；を含む。 （もっと読む）

【課題】安価な薄膜堆積技術を使用してイメージセンサのピクセルを形成すること
【解決手段】ピクセル(30/130/230)は、基板(32,132,232)と、基板上に、及び基板にほぼ平行に順次的に堆積されて、入射電磁放射線(70)を受け取るように構成された複数の光導電層(34/36/38,134/136/140/142/144,234/236/238)を含む。光導電層はそれぞれ、異なる波長範囲の入射電磁放射線を吸収するように構成され、層の伝導性の変化に基づいて、層により吸収された対応する波長範囲内の入射電磁放射線の量を示すように構成される。 （もっと読む）

【課題】 微弱光についても高精度に検出することができ、２次元アレイ化にも対応可能な、高感度な光検出素子を提供する。
【解決手段】 光検出素子１は、光を吸収して光電子を発生する光電子発生体１０と、光電子発生体１０で発生した光電子の量に応じた電流が流れるトランジスタ３０とを備えた光検出素子であり、トランジスタ３０は、光電子発生体１０の表面に絶縁体２０を介して形成されたソース電極３１とドレイン電極３２とを有し、ソース電極３１とドレイン電極３２とが、導電性又は半導電性のナノチューブを含むチャネル部３３を介して接続されたものである。 （もっと読む）

本発明は、パターン加工済みのシリコン上でのテルル化カドミウム水銀（ＣＭＴ）の製造に関し、特に集積回路を有するシリコン基板上へのＣＭＴの成長に関する。本発明の方法は、最初にＭＢＥによって１つ以上のバッファ層を成長させ、次いでＭＯＶＰＥによってＣＭＴを成長させることによって、シリコン基板上の選択された成長窓にて成長を行うことを含む。成長窓は、成長窓以外の領域をマスクすることによって定めることができる。成長窓での成長が結晶構造であるのに対し、成長窓の外部での成長は、多結晶であってエッチングで取り除くことができる。本発明は、集積回路上にＣＭＴ構造を直接成長させる方法を提供し、ハイブリッド化の必要をなくしている。
【その他】 本願に係る特許出願人の国際段階での記載住所は「イギリス国、ロンドン・エス・ダブリユ・１・イー・６・ピー・デイ、バツキンガム・ゲート・８５」ですが、識別番号５０１３５２８８２を付与された国内書面に記載の住所が適正な住所表記であります。
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本発明は、存在する場合もあるドープ剤を別にして、実験式Ｉ：
Ｆe_{３−（ｘ＋ｙ）}Ｍ_ｘＡ_ｙＯ_４＋δ （Ｉ）
を満足する化学組成のスピネル型フェライト構造を有する材料の使用であって、赤外線のボロメーター検出用の薄層における感光材料としての使用に関する。また、本発明は、前記の薄層の形の感応素子を具備した少なくとも一つのセンサーを含む赤外線検出用又は赤外線画像作成用のボロメーター装置を提供する。 （もっと読む）

電離放射線を監視するためのアセンブリ（13）は、入射電離放射線に応答して電荷を生成すると共に、その中に形成された電離放射線検出ボリューム（12）のアレイを有する検出基板（2）を備える。検出ボリュームのアレイに対応する読出し回路（16）のアレイを支持するための回路基板（14）は、検出基板（14）に機械的かつ電気的に接続されている。各読出し回路（16）は、対応する検出ボリュームから電荷を受取るため、第一と第二の電荷集積モード間で切替え可能である。電荷集積回路（30）は、第一の電荷集積モードにおいて、対応する検出ボリュームにおける単一の電離放射線検出イベントの検出に対応して電荷を集積するとともに、第二の電荷集積モードにおいて、対応する検出ボリュームにおける複数の電離放射線検出イベントの検出に対応して電荷を集積するように、構成されている。別の実施例において、読出し回路構成は、光子計数回路構成（140）を含む。

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