等方性移動層を有する電磁放射及びイオン化放射線検出デバイス
【課題】電磁放射線及びイオン化放射線、特にＸ−線及び／又はγ線を検出するデバイスに関する。
【解決手段】電磁放射線、特にＸ−線又はγ線を検出するデバイスであって、検出される前記電磁放射線と相互作用することが可能な少なくとも１つの材料から構成され、可動電荷キャリアを解放するためのものであり、前記可動電荷キャリアの移動が電流を発生する検出層（２１）；前記解放された電荷キャリアの複数の基本コレクター（２３，２９）を備えて提供され、前記基本コレクターが、離散的に分配された基板（２２）；前記検出層によって解放された前記電荷キャリアを、前記基本コレクターに移動させるのに適しており、前記検出層（２１）に接続されている移動層（２５）；前記複数の基本コレクター（２３，２９）及び前記移動層（２５）を接合させるための、絶縁性の接着性接合層（２６）；を含む。
【解決手段】電磁放射線、特にＸ−線又はγ線を検出するデバイスであって、検出される前記電磁放射線と相互作用することが可能な少なくとも１つの材料から構成され、可動電荷キャリアを解放するためのものであり、前記可動電荷キャリアの移動が電流を発生する検出層（２１）；前記解放された電荷キャリアの複数の基本コレクター（２３，２９）を備えて提供され、前記基本コレクターが、離散的に分配された基板（２２）；前記検出層によって解放された前記電荷キャリアを、前記基本コレクターに移動させるのに適しており、前記検出層（２１）に接続されている移動層（２５）；前記複数の基本コレクター（２３，２９）及び前記移動層（２５）を接合させるための、絶縁性の接着性接合層（２６）；を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁放射線及びイオン化放射線、特にＸ−線及び／又はγ線を検出するデバイスに関する。従って、本発明は、センサー分野に関し、これらが、１つ若しくは２つの方向性を有するマトリクスセンサーであるか又は他の構造のセンサーである。
【０００２】
特に、本発明は、電気相互接続及びこのようなセンサーの部材間における接合のための構造に関する。
【背景技術】
【０００３】
デジタル画像を生成するために設計されたセンサーの分野において、従来技術では、電磁波を電子に、従ってデジタル信号に変換するための２つの異なる原理を含んでいる。これらの２つのうちの第一の原理は、“間接変換”と呼ばれるものであり、Ｘ−線をシンチレーター材料における可視光量子に変換し、その後、アモルファスシリコンのような、半導体材料のボード上に作成された光ダイオードを用いて可視光量子を電子に変換する。
【０００４】
しかしながら、本来周知の方法では、この第一の原理に従って操作するセンサーは、低い照射線量に対する解像度及び感度の観点では性能を制限する。本来周知の方法では、解像度は、２つの点−生成されるデジタル画像におけるオブジェクトを区別するためのセンサーの能力として定義される。本来周知の方法では、感度は、ある量の入射光子を検出するためのセンサーの能力として定義される。
【０００５】
つい最近に開発及び実施された第二の変換原理は、“直接変換”と呼ばれる。この第二の原理に従って操作するセンサーは、以前のセンサーよりも優れた性能、特に低い量に対するより上質な解像度及びより高い感度を有することが必要とされる。
【０００６】
これは、センサーの基礎的な性能であるため、この性能に対するいずれの改良は、センサーが、デジタル画像を生成するために使用される、特に医療画像、科学的な及び宇宙計測又は非破壊試験の分野の全ての分野に関係しうる。
【０００７】
直接変換原理は、従来技術のセンサーの断面の略図である図１に関連して本願明細書に記述される。直接変換は、Ｘ又はγ型の入射電磁放射線の周波数レンジにかかわらず達成される。
【０００８】
図１に示される直接変換センサーが、作製され及び“フリップチップ”と呼ばれる技術によって操作される。ＣｄＴｅのような高原子密度、又はＰｂＩ２及びＨｇＩ２等のようなハロゲン化鉛又は水銀を有する材料から通常作製される検出層１１内において、入射電磁波が、直接的に、電子に変換される。従って、入射光子と検出層１１との相互作用によって生成される電子が、電流を形成し、その強さは、入射光子のエネルギー及び数に比例する。これらの電流は、集められ、リード回路に移動するために導電性パッド１５内に流れるが、これは定量化され及び従ってその中で“デジタル化”させるためである。
【０００９】
本来周知の方法では、それぞれの導電性パッド１５が、デジタル画像を形成するマトリクスのピクセルに対応する。そのため、導電性パッド１５が、離散的に分配され、センサーの２つの面積において一定である。
【００１０】
それぞれのパッド１５と検出層１１との間には、電極１６が通常配置され、この電極１６は、金のような導電材料から形成され、光子と物体との間の相互作用に由来する電荷キャリア、電子又はホールの効果的な収集に適している。
【００１１】
導電性パッド１５は、それぞれ、例えばアルミニウムのような導電性パッド１３上に備え付けられ、導電性パッド１３の役割は、集められた電流をリード基板１２に送ることである。リード基板１２が、アモルファス又は多結晶シリコンから形成されるボード、又はさらには“特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）”、又はＣＭＯＳ半導体型のものを含んでよい。その結果、観察されるシーンのデジタル画像表現を実現するために、リード回路による本来周知の方法で、電流がリードされ及び使用されてよい。
【００１２】
さらに、導電性パッド１５が、等方性の導電性を有する接着材料から形成される。このような接着材料は、均一に分配された金属電荷を含むポリマーマトリクスから通常構成され、その金属電荷の役割は、電気伝導を提供することである。
【００１３】
パッド１５を形成する接着材料が、リード回路のパッド１３と、通常電極１６を備えて提供される検出層１１との間の機械的接着を提供する機能も有する。従って、図１に示されるセンサーが、センサーのマトリクスのピクセルの配置に対応する規則的なグリッドに分配された多数の接着点を用いた２つの平面部材の相互接合及び結合によって作製される。
【００１４】
センサーの製造の間、導電性パッド１５が、リード回路のそれぞれのパッド１３に配置され、その後、検出層１１が導電性パッド上に追加され、その後、全体のアセンブリに、接着パッド１５の硬化のための処理が施される。
【００１５】
従って、図１に示されるセンサーの構造が、上記の機械的接合に加え、検出層１１からリード回路１２−１３への信号又は電流の完全な伝送に役立つ。本発明の範囲において、“完全な（ｉｎｔｅｇｒａｌ）”は、インター−ピクセル（ｉｎｔｅｒ−ｐｉｘｅｌ）リーク電流、すなわち、隣接する導電性パッド１５間のリーク電流を発生しない伝送を意味する。
【００１６】
実際には、検出層１１の１つのような連続する平面構造において、電荷キャリアが存在し、最も近いピクセル又は導電性パッド１５に向かって移動する代わりに、相互作用部位の隣接するピクセルに向かって導かれる。本来周知の方法において、これらのインター−ピクセルリーク電流又は検出層１１内のリーク電流が、画質の劣化を引き起こす、すなわち、望ましくないノイズに対するコヒーレント信号の割合が低下する。この劣化が、可能ならばいつでも、複雑な及びそれ故に高価な画像処理によって弱められなければならない。
【００１７】
従って、図１に関して記述された構造が、導電性パッド１５を互いに分離させる利点を有し、それ故に、それらのレベルにリーク電流を防ぐ。従って、電極１６に達する電子が、隣接する導電性パッド１５によって“捕獲され”、これによって、デジタル画像の信号対ノイズ比を最大化する傾向がある。
【００１８】
しかしながら、導電性接着部１５のそれぞれのパッドを離散的に配置するセンサーの製造段階が、所望の解像度がより上質となるように、特に高い正確性を要求する。
【００１９】
さらに、接合される部分間における効果的な電気的接続を保障するために、それぞれのパッド１５に対して、同一量の接着材料を堆積することが重要である。従って、この量の材料のバッチングが、正確でなければならない。
【００２０】
実際には、パッド１５のバッチング及び配置に対して正確性が必要とされるため、使用される技術（スクリーン−印刷、ディスペンス等）にかかわらず、しばしば調達が困難となり、常に、センサーの製造コストを増加させる。
【００２１】
さらに、パッド１５を作製するために選択される接着材料によって、全てのパッド１５の堆積速度が、接合の質及びそれ故に電気伝導にある影響を及ぼしうる。センサーの寸法がさらに大きくなるにつれ、この速度が、ましてやさらに重要なパラメータを示す。
【００２２】
さらに、このタイプの接続は、十分な全体的な機械的強度を可能としない。
【００２３】
２つの部材の電気的相互接続との関連で、特許文献１には、等方性の抵抗率を有し、同時に、相互接続の機能を行い、前記部材の接合を行う導電層の使用が記載されている。修復の可能性が記述されており、電気的導電層として、周知の低接着能を有する熱可塑性材料を使用する。
【００２４】
従って、この文献の教示の適応は、均一な導電性及び接合特性の完全な制御に対する大きな困難性に直面する。
【００２５】
特許文献２には、検出される放射線に透明な基板上に作製されるＣｄＴｅから形成されるセンサーを含む電磁波検出デバイスが記載されており、それぞれＣｄＳ及びａ−Ｓｉ：Ｈ、すなわち、アモルファスシリコンから形成され、それぞれ電子停止層及び電荷蓄積層の役割を行うそのそれぞれの面上に連続する電極を備えて提供される。電極及び離散的に分配された接続パッドを介したリード回路への電荷の移動を可能にするために、この後者は、電気的導電性である。
【００２６】
アモルファスシリコンとの接触を形成するために、センサーのピクセライゼーション（ｐｉｘｅｌｉｚａｔｉｏｎ）が必要である場合において、このタイプのデバイスは、ある制限を有する。実際には、このピクセライゼーションが、複雑な接合整合装置に加え、フォトリソグラフィー技術を使用する慎重且つ高価な段階を構成する。さらに、この接合は、この接続パッドを介してのみ効果的となり、この重要な点が、機械的強度及びセンサー全体の信頼性に影響を及ぼす。加えて、センサー材料と接触する電極の作製が、この材料への局所的なダメージのリスクを招く。
【００２７】
最後に、特許文献３には、透明な導体及び光伝導体と関連する透明な基板を含む撮像装置が記載されており、この透明な導体及び光伝導体は、電子ホールブロッキング層、即ち、電気的キャリアをブロックするための層、及び電気的ブロッキング層を備えてその末端に提供される。また、例えばａ−Ｓｅ又はａ−Ｓｉのようなアモルファス半導体材料から作製される抵抗性保護層が記載されている。インジウムから形成される導電性ハイブリッド化ビーズが、接合機能を提供し、この結果、形成されたアセンブリをリード回路に配置される電極に結合する。
【００２８】
この構造からすると、このインヂウムの場合において、積層を実行するためには、軟質材料と共にリード回路をハイブリッド化する必要があると考えられる。
【００２９】
アモルファス半導体の抵抗性保護層上の結合層が存在しない場合には、結局、全体の機械的強度が極めて低下する。
【００３０】
要するに、我々は、現在、正確性及び性能の問題を克服し、信頼性のある機械的強度、長寿命、及びまた使用の単純さを備え、並びにある実施形態に従い容易に修復可能なアセンブリを生成するために役立つ、検出層とリード回路との間における電気的な相互接続のための技術を持っていない。
【００３１】
従って、本発明は、電磁放射線を検出し、及び従来技術のセンサーの欠点を有しないデバイスに関する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００３２】
【特許文献１】米国特許第６３９６７１２号明細書
【特許文献２】特開平０５−１６７０５７号明細書
【特許文献３】特開２００２−３３４９８３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００３３】
直接変換を伴う、放射線、特にＸ−線又はγ線のセンサーの構成を提案し、通常１０×１０ｃｍ以上の大きな撮像装置を製造し、及びさらに、フォトリソグラフィーのような高価な方法の技術を使用しない、単純で、丈夫で及び効果的な方法を提供することにより、本発明が、特に、上述された技術的課題を解決するために役立つ。さらに具体的には、本発明が、相互接続の機能を切り離すことを提案する、すなわち、リード回路に向かう光検出層内における放射線の作用下において形成された電荷の接続、及びリード回路への前記光検出層の接合が、そうすることにより、それぞれの機能、収集及び接合の性能をそれぞれ最適化することが可能となる。
【課題を解決するための手段】
【００３４】
この目的のために、本発明が、電磁放射線及びイオン化放射線、特にＸ−線又はγ線を検出するデバイスを提案する。このデバイスは以下を含む。
−検出される前記電磁放射線と相互作用することが可能な少なくとも１つの材料から構成され、可動電荷キャリアを解放するためのものであり、その移動が電流を発生する検出層；
−上に説明したように解放された電荷キャリアの複数の基本コレクターを備えて提供され、前記基本コレクターが、離散的に分配される基板；
−検出層に接続され、検出層によって解放された電荷キャリアを、基本コレクターに移動させるのに適している電気的導電性の等方性接着性移動層；
−複数の基本コレクター及び移動層を接合させるための、電気的絶縁性の接着性接合層。
【００３５】
本発明によると、移動層が、検出層と接触する電気的導電性の接着性ポリマー層から構成され、接合層が、前記第一層及びその基本コレクターを備えて提供される基板に接触する絶縁性の接着性ポリマー層から構成される。
【００３６】
換言すると、本発明は、相互接続機能と、一方が抵抗性であり他方が絶縁性である２つの接着性ポリマーを用いた及び接着性機能とを分離することにある。
【００３７】
そうすることにより、接合機能とは無関係に、相互接続層（抵抗性層）の抵抗性挙動の均一性を最適化することが可能になる。
【００３８】
本発明によると、導電性、又は抵抗性の接着性ポリマー層が、連続し、及び等方抵抗性を有する。
【００３９】
換言すると、本発明のセンサーが、全ての基本コレクターに共通である移動又は相互接続層を有し、電荷キャリアが、いずれの優先的な方向を持つことなくに移動することが出来る。
【００４０】
本発明によると、抵抗性の接着性ポリマー層の移動率が、５０％よりも高く、及び特に７５％よりも高く、前記移動率が、
式：（ＲＨ＋ＲＶ＋Ｒｉｎ）／［ＲＨ＋（ＲＶ＋Ｒｉｎ）・（１＋Ｋ）］
によって定義される。ここで、ＲＶは、基本コレクターと実質的に垂直に測定される移動層（２５）の抵抗であり；、ＲＨは、検出層と実質的に平行な面を含む方向に測定される移動層（２５）の抵抗であり、リーク電流が斜めの経路に移動しうるが、この抵抗が、“水平の”として限定されてよく；、Ｒｉｎは、入力抵抗であり、基本コレクターのいずれか１つの“入力インピーダンス”とも呼ばれ、これは、接続されるデバイスから見た抵抗であり；、Ｋは４の倍数の数であり、考慮される基本コレクターに隣接する基本コレクターの数を表す。
【００４１】
換言すると、電流によって横断される抵抗が、“実用的な（ｕｓｅｆｕｌ）”又は“横方向（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ）”電流を最大化するために、“平面（ｐｌａｎａｒ）”リーク電流を制限する抵抗性及び寸法を有する。
【００４２】
実際には、移動層の抵抗が、移動層の基本コレクターに実質的に垂直に測定され、これは、同じ基本コレクターに実質的に垂直に測定された検出層の抵抗と比較すると、ごくわずかである。さらに、それぞれの基本コレクターの固有の抵抗は、上記２つの抵抗の合計と比較すると、ごくわずかである。さらに、検出層に実質的に平行な面を含む方向に測定された移動層の抵抗による分子と、基本コレクターのいずれか１つの入力抵抗及び基本コレクターに実質的に垂直に測定された移動層の抵抗の合計による分母と、において定義された商が、３よりも大きい、及び特に最も近くに隣接する４つのみを考慮する場合（すなわち、Ｋ＝４）、１１よりも大きい。
【００４３】
本発明によると、抵抗性の接着性ポリマーが、有機物、熱可塑性又は熱硬化性材料であり、例えば、エポキシ，アクリレート，ポリウレタン，及びシリコーンを含む群から選択されるポリマーから構成される。この材料が、例えばカーボン，金，白金，銀，ニッケル，アルミニウム及び銅を含む群から選択された原子から構成される導電性粒子を含む。
【００４４】
有利に、これらの導電性粒子が、サブミクロンサイズを有する。
【００４５】
有利に、結果として生じる接着材料が、重合化された場合、１００未満のショアＤ硬度を有する。
【００４６】
あるいは、抵抗性の接着性ポリマー層を構成する材料が、従って、エポキシ又はアクリレート型のポリマー接着材料に組み込まれるポリマーのような、ポリアニリン，ポリピロール，ポリチオフェンを含む群から選択される真性導電性のポリマーから構成されてよい。
【００４７】
本発明の他の特徴によると、電気的に絶縁性の接着性ポリマー層が、エポキシ，アクリレート，及びシリコーンを含む群から選択される有機物、熱可塑性又は熱硬化性材料から構成される。
【００４８】
有利に、それが、１００Ｐａ．ｓ未満の、又はさらには１０Ｐａ．ｓ未満の粘度を有する。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】従来技術によるセンサーの断面の略図である。
【図２】抵抗等方性移動層を使用したセンサーのモデルの略図である。
【図３】本発明によるセンサーの簡易化した断面の略図である。
【図４】本発明によるセンサーのマッチング方法を示す略図である。
【発明を実施するための形態】
【００５０】
本発明を実施することが出来る方法及びその利点が、添付した図面とともに、参考のために提供され、制限するものではない以下の例となる実施形態からより明確になるだろう。
【００５１】
図３は、本発明による電磁放射線及びイオン化放射線を検出するデバイスを示す。この場合において、このデバイスは、特に、Ｘ−線又はγ線を検出を対象とするが、本発明は、異なるエネルギースペクトル又は荷電粒子を有する電磁放射線の検出にも適用しうる。
【００５２】
本発明によると、センサーは、光検出器とも呼ばれる検出層２１を含み、この検出層２１は、可動電荷キャリアを解放するために、入射線と相互に作用することが可能な１つ以上の材料から構成される。これらの可動電荷キャリアが、電子又はホールであってよく、従って、負又は正の電荷を運ぶ。
【００５３】
本来周知の方法では、バイアス電圧２８の動作下における、これらの可動電荷キャリアの移動が、電流を発生し、その強さが、入射線によって蓄えられたエネルギー、従って観察されるシーンのエネルギーを表す。
【００５４】
２次元の画像を再現するために、検出層２１内のこの直接変換段階の後、電荷キャリア又は電流が、入射線の衝突領域において局所的に集められなければならない。この目的のため、本発明の検出器が、グリッド又はマトリクスを形成するために、離散的に分配された多数の基本コレクター２３を有する基板２２を含む。この基本コレクター２３が、光子と物体との間の相互作用によって解放された電荷キャリアを集める又は排出するのに役立つ。
【００５５】
記載された実施例では、基本コレクター２３は、突起したパッドから構成される。これらのパッド又は基本コレクター２３は、それぞれが、それらのピクセルで生成された電荷キャリアのみを集めるように、互いに独立しており、すなわち、これらは、互いに電気的に絶縁されている。本質的に、ピクセルが、画像の、ひいてはセンサーの基本領域を表す。この基本領域は、通常、正方形に構成される。従って、それぞれの基本コレクター２３は、その側面上で電気絶縁によって囲まれており、その基部が、リード基板２２を構成する。
【００５６】
検出層２１と基本コレクター２３との間において、本発明によるセンサーは、以下を備える。
・移動層２５、それが実行する機能のためこのように呼ばれ、光子と物体との間の相互作用によって解放された電荷キャリアの、検出層２１から様々な基本コレクター２３への
移動を可能にする。
・及び接合層２６、コレクター２３と移動層２５とを接合する。
【００５７】
本発明によると、相互接続層２５が、検出層２１と基本コレクター２３との間に連続的に広がる。従って、これは、検出層２１とリード基板の基本コレクター２３との間の電気的接触を確保する。
【００５８】
相互接続層２５の構造的な特徴が、自動的に、従来技術のセンサーの欠点を排除するために役立つ。実際には、前記層が、センサーの全体表面、この場合では、検出層２１の全体表面上に連続的にこれ以降に堆積されるため、高い位置決めの正確性又はバッチングと伴う操作は、もはや必要ではない。この層が、例えば、制御され且つ等方抵抗性を備えた接着ポリマー膜の形状を有してよい。
【００５９】
換言すると、それを通り抜けて流れる電流の方向にかかわらず、相互接続層２５の抵抗性が、同一である。この特徴が、検出層２１から基本コレクター２３に向う電流の適切な循環を保証するために役立ち、これによって、センサーの正しい一般操作を確保する。
【００６０】
従って、この等方抵抗性が、前記相互接続層２５における、１つのピクセルから他のピクセルに向うのと実質的に同様な電荷キャリアの道程時間を保証し、これによって、最終的なデジタル画像の質を保証する。
【００６１】
この連続する相互接続層２５の抵抗性が、また、相互接続パッドに垂直に向う電荷の移動を可能にするほど十分に低くなければならないが、隣接するピクセル間の絶縁を確保するほど十分に高くなければならない。
【００６２】
換言すると、記述された実施例において、検出層２１から信号処理基板の基本コレクター２３への垂直な電荷移動を同時に可能にすることが出来、非−物理的なピクセル化光検出器からの機能的なピクセル化画像センサーの製造を可能にするために、検出層２１のそれぞれの仮想のピクセル（ｆｉｃｔｉｖｅ ｐｉｘｅｌ）間におけるある電気的絶縁を同時に提供するように、この連続する相互接続層によって構成される電極（及び例えば負の電荷キャリアの場合におけるアノード）が、高い抵抗性導電挙動を有する材料から形成される。
【００６３】
さらに、本発明の他の特徴によると、相互接続層２５の移動率が、５０％よりも高く、及びさらには７５％よりも高い。この移動率が、隣接する基本コレクターに向かうリーク電流の形態で分散された電荷キャリアの量に対する、検出層２１から基本コレクター２３に効果的に移動された電荷キャリアの量の比に対応する。この移動率が、式：（ＲＨ＋ＲＶ＋Ｒｉｎ）／［ＲＨ＋（ＲＶ＋Ｒｉｎ）・（１＋Ｋ）］によって定義されることが出来る。ここで、ＲＶは、基本コレクター２３と実質的に垂直に測定される相互接続層２５の抵抗であり；、ＲＨは、検出層２１と実質的に平行な面を含む方向に測定される相互接続層２５の抵抗であり；、Ｒｉｎは、基本コレクター２３のいずれか１つの固有抵抗であり；、Ｋは４の倍数の数であり、考慮される基本コレクターに隣接する基本コレクター２３の数を表す。
【００６４】
従って、本発明による相互接続層２５が、５０％よりも高く、及びさらには７５％よりも高い移動率を有し、センサーが、デジタル画像を生成するために十分な信号対ノイズ比を有する。明らかに、適用及びそれ故の所望の画質により、高い又は低い移動率を有する移動層を選択することが可能である。
【００６５】
このような移動率を達成するために、本発明の原理のモデリングに従い、図２に示されるセンサーが、以下の特徴を有する。
【００６６】
第一に、基本コレクター２３に実質的に垂直に測定される相互接続層２５の抵抗は、同じ基本コレクター２３に実質的に垂直に測定される検出層２１の抵抗と比較すると、ごくわずかである。本発明との関連において、ごくわずかは、これらの２つの抵抗間の比が、１０よりも高い、又はさらには１００よりも高いことを意味する。
【００６７】
この特徴は、センサーに加えられるバイアス電圧２８が、検出層２１において高い電位差から構成されることを意味する。これによって、光子と物体との間における相互作用の間に、リード回路を構成する基本コレクター２３に向かって解放された電荷キャリアをシフトさせるために十分な強度を持った、電界が生成される。
【００６８】
さらに、それぞれの基本コレクター２３の固有抵抗は、相互接続層２５の垂直抵抗と検出層２１の垂直抵抗の合計と比較して、ごくわずかである。この特徴により、基本コレクター２３が、検出層２１に由来する電荷キャリアを効果的に集めるためのリード回路を構成することが可能である。実際には、この結果、可動電荷キャリアが、パッド又は基本コレクター２３内に容易に浸入することが出来る。
【００６９】
さらに、図２にモデル化されたセンサーは、検出層２１に実質的に平行な面を含む方向に測定された相互接続層２５の抵抗による分子と、基本コレクター２３のいずれか１つの固有抵抗及び基本コレクター２３に実質的に垂直に測定された相互接続層２５の抵抗の合計による分母と、において定義された商が、３よりも大きい、及び特に７よりも大きいことを特徴とする。
【００７０】
この特徴が、５０％よりも大きな移動率を確保するために貢献し、すなわち、考慮される基本コレクター２３において生成され、隣接する基本コレクターによって集められる電荷キャリアと比較して、言い換えれば、リーク電流と比較して、基本コレクター２３においてさらに電荷キャリア又は電流が集められる。
【００７１】
換言すると、平らな水平型のセンサーを考慮する場合、これは、実質的に斜めの、又はさらには水平のリーク電流に対する、基本コレクターに垂直に集められる電流の比である。
【００７２】
この比が１００％である理論上の場合では、信号対ノイズ比が、最大であり、実質的には完全な画質に達する。逆に、この比が小さく、例えば５０％よりも小さい場合、この効果が、画像の解像度を実質的に下げるリーク電流のスケールを説明するための、“空間的活発化（ｓｐａｔｉａｌ ｂｌｏｓｓｏｍｉｎｇ）”と呼ばれる。
【００７３】
それにもかかわらず、ピクセルが、互いに完全に電気的に絶縁されている場合の従来技術のセンサーの場合においてさえも、理論上は１００％の移動率又はこのような比を得ることは不可能であると考えられているが、これは、電荷キャリアの活発化（ｂｌｏｓｓｏｍｉｎｇ）が、その高い抵抗性にもかかわらず検出層においても発生することが可能であるためである。
【００７４】
この結果、相互接続層２５の抵抗性が、従って、本発明のこれらの抵抗に関する特徴を得るように選択される。換言すると、移動層の抵抗性が、解放された電荷キャリアの図２の意味における“垂直な”収集を可能にするように十分に小さく、これらの電荷キャリアが、光子と物体の間における相互作用の代わりに隣接するパッドに向かう水平方向にそって“活発化（ｂｌｏｓｓｏｍｉｎｇ）”しないように十分に大きくなければならない。この移動層の電気的挙動が、完全に特有のものであり、従って、導電材料の抵抗性と、半導体材料の抵抗性との間の、特に、半導体材料の抵抗性に近い、中間の抵抗性を示さなければならない。
【００７５】
上に示したように、移動率が、式：（ＲＨ＋ＲＶ＋Ｒｉｎ）／［ＲＨ＋（ＲＶ＋Ｒｉｎ）・（１＋Ｋ）］によって表現される。
【００７６】
実際には、隣接する基本コレクターの数が、３（関係している基本コレクターが、マトリクスの角の１つを占める場合）から８（関係している基本コレクターが、マトリクス内のいずれの箇所に存在する場合）に及んでよい。後者の場合、これらは、関係している基本コレクターから同じ距離に全てが配置されるとは限らないので、隣接する基本コレクター間に区別を設けることが必要である。従って、パッドの周囲の正方形に位置された８つの隣接するものの中で、この正方形の角を占める４つのパッドが、中心のパッドから遠く、他の４つは、近い。
【００７７】
固有抵抗Ｒｉｎが、抵抗ＲＨ及びＲＶと比較してごくわずかである特定の場合が存在する。この場合、移動率を定義する式が、単純化されることが可能であり、その結果、抵抗ＲＨ及びＲＶのみに依存する。この単純化された式は、：（ＲＨ＋ＲＶ）／［ＲＨ＋（ＲＶ）・（１＋Ｋ）］として記述される。
【００７８】
通常、相互接続層２５の抵抗が、１０５と１０８Ω．ｃｍの間であり、検出層２１が、通常、１０８と１０１２Ω／ｃｍの間の抵抗を有する。
【００７９】
本発明の他の不可欠な特徴によると、接合及びその後の検出層２１と基本コレクター２３を備えて提供される基板２２に対する相互接続層２５とから構成されるアセンブリのメンテナンスを実行するために、また、センサーが、接合層２６を含む。
【００８０】
従って、この接合層２６が、制限的に、この接合機能のみのために設けられる。電気的絶縁が、基本コレクター２３による電荷の収集の妨害することを回避する。
【００８１】
当然の結果として、相互接合層２５が、検出層２１に接続される。これは、検出層２１と基本コレクター２３との間の電気的な相互接続を提供する。
【００８２】
この配置、相互接続及び接合機能が、物理的に分離される。
【００８３】
相互接続層２５に関して、接合層２６に対しては接着ポリマー膜が使用されるが、この場合、これは電気的絶縁性である。
【００８４】
特に、及び有利に、等方性相互接続層を構成するために使用される接着材料は、実際の接合段階の前に、部分的にのみ又は全面的に重合化され、これによって、相互接続機能にのみ従う範囲において、広い範囲の接着の使用を可能にし、これが、接合の制限を排除する。
【００８５】
そうすることで、高い重合温度において接着材料が使用されることが出来、また、溶剤を含む接着材料も使用されることが出来る。
【００８６】
さらに、いったん架橋されると、この相互接続層を構成する接着材料の電気的挙動の良好な均一性を得ることが出来る。
【００８７】
さらに、所望のインターピクセル抵抗に関して排他的に、及び接合されるための部材の平面性（ｐｌａｎｅｉｔｙ）と無関係に、これが、相互接続層２５の厚さの調整を可能にする。
【００８８】
機械的接合を提供する絶縁性接着層２６を用いた熱−圧縮プロセスによって、検出層２１及び相互接続層２５から構成されるアセンブリが、基板２２及び基本コレクター２３から構成されるリード回路に接合される。
【００８９】
リード回路２２の基本コレクター２３と相互接続層２５との間の電気的接触を可能にするために、突起部２９が、基本コレクター２３上に提供される。
【００９０】
そうすることによって、熱−圧縮により、相互接続層２５と基本コレクター２３の突起部２９との間の相互接続が、直接的な接触により得られる。
【００９１】
図４に関連して、本発明による電磁放射線センサーを作製する方法が、これから記載される。
【００９２】
相互接続層２５を構成する接着材料が、第一に作製される。上述した数値例における目的は、この層に対して１０５と１０８Ω．ｃｍの間の抵抗を得ることである。
【００９３】
この目的のため、ＥＰＯＴＥＫよりリファレンスＥ３２０で販売されるような、接着材料が使用される。この等方性接着材料は、接着性エポキシ型マトリクスに組み込まれるサブミクロン−スケールの粒子から構成される。この複合材料が、ベースと約２０重量％のサブミクロン−スケールカーボン粒子を含んだ硬化剤とを含む。
【００９４】
この接着材料が、他のエポキシ系接着材料、化学的相溶性物質、完全な誘電体、及びＥＰＯＴＥＫより販売されるリファレンスＥ３０１のようなものと共に混合される。これらの２つの接着材料の混合物の相対的比率は、上述した範囲内に存在する所望の抵抗が得られるように選択される。
【００９５】
インターピクセルの絶縁を最大化するために、誘電接着材料Ｅ３０１の重量比は、５０％を超えないようにすべきである。
【００９６】
すでに記載したように、検出層２１が、放射線、この場合には、Ｘ−線又はγ線を検出することが出来る材料から構成される。これらの材料は、周知であり、ＩＩ−ＶＩ又はＩＩＩ−Ｖ族に属し、通常、大きな原子番号を有する高抵抗性半導体から構成される。最も知られている及び最も一般的に使用されるのは、特にＣｄＴｅ，塩素がドープされたＣｄＴｅ，ＣｄＺｎＴｅ，ＨｇＣｄＴｅ，シリコン、ヒ化ガリウム（ＡｓＧａ），酸化鉛（ＰｂＯ），ヨウ化鉛（ＰｂＩ２），ヨウ化水銀（ＨｇＩ２），セレニウム等である。
【００９７】
光伝導体２１が、自己支持型（ｓｅｌｆ−ｓｕｐｐｏｒｔｉｖｅ ｔｙｐｅ）であり、半導体を生成するための従来技術によって製造されてよい。
【００９８】
しかしながら、グラファイト，アルミニウム，及びさらに一般的には、光伝導体と化学的に相溶性のある、いずれの導電性低原子量要素のような、検出される放射線に透明な基板上の厚い層に堆積されてもよい。例えば、この使用が、昇華近接法（ＣＳＳ）によってグラファイト基板上に得られるＣｄＴｅをベースとする光伝導体層からなされることが可能である。
【００９９】
Ｘ−線又はγ放射線の検出に関する適用のために、検出層２１の厚さが、通常、５０マイクロメートルと１センチメートルの間である。この厚さを、他の適用に対しては、増加又は減少させることが出来る。その抵抗は、通常、１０８と１０１２Ω．ｃｍの間である。
【０１００】
前記光検出器２１が自己支持型である場合、共通の電極２７が、特に金属薄膜堆積のいずれの技術によって、特に、蒸着、スパッタリング、又は無電解成長（ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ ｇｒｏｗｔｈ）でも堆積される。
【０１０１】
次の段階は、相互接続層２５を構成する接着材料の堆積である（図４Ｃ）。
【０１０２】
前述したように作製され重合化されていない接着材料が、膜の形態で光伝導体２１上に広げられる。前記接着材料を堆積するために、いずれのスクリーン印刷技術、特にコーティング、スピンコーティング、又はさらに一般的には、粘稠液の薄膜を形成するために適したいずれの技術が、使用される。
【０１０３】
この膜の厚さは、通常、１から２０μｍの間である。厚い層が、光検出器の平面性に関してアセンブリをさらに耐性の高いものにする、及び／又はリード回路のパッド又は基本コレクター２３の突起部２９の厚さを均一にするのに対し、実際には、極めて薄い厚さが、インターピクセルの漏れを制限するために役立つ。
【０１０４】
いったんポリマー層が、膜の形態で堆積されると、それが、熱サイクルによって部分的に又は全面的に重合化される。しかしながら、その後、リード回路の基本コレクター２３の突起部２９との密接な接触を得るために、この層が、ある柔軟性、それ故に前記層の架橋又は部分的な重合化の利点を保つことが重要であるが、一方、以下に記載するように、全体の架橋が、接合段階の間又はその後に得られる。
【０１０５】
次に、リード回路が作製される（図４Ｄ）。
【０１０６】
リード回路は、導電性パッド２３を備えて提供される基板である。既に記載したように、これらの導電性パッド又は基本コレクター２３が、相互接続層２５を介して光検出器２１に光形成された電荷を集めることを可能にする。その最も単純な形態では、これらのパッドが、試験又は出力パッド（相互接続パッドと呼ばれる基板）に個々に接続されている。さらに発展した形態では、基板が、電気的信号処理部品を含む。これは、ＡＳＩＣ，ＣＭＯＳ回路，ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）をベースとしたボード，電荷結合素子（ＣＣＤ）ボード等であってよい。通常、導電の明白な理由のために、リード回路の相互接続パッド２３が、アルミニウム又は銅仕上げを有する。
【０１０７】
突起部２９を生成するために、仕上げとして、数十マイクロメートルの導電性金属特性を有する、酸化されない金属が、好ましくは選択される。この金属は、金、白金、パラジウム又は銀であってよい。リード回路の仕上げと突起部の仕上げとの間において、通常厚い（通常１０マイクロメートル未満の）、例えば、ニッケル、銅、チタン、ジルコニウム、タンタル、タングステン、モリブデン、バナジウム、クロム、又は、これらの原子の１つ以上の合金若しくは窒化物のような、仕上げのそれと異なる金属を使用することも可能である。
【０１０８】
リード回路は、通常、金属パッドを分離する無機物パッシベーションを備えて提供される。このパッドが、無電解（ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｓｉｓ）によって生成されてよく、これによって、数マイクロメートルの厚さ、通常１から１０マイクロメートルのＮｉ／Ａｕパッドを生成するのに役立つ。
【０１０９】
次に、実際の接合が、実行される（図４Ｅ）。
【０１１０】
光検出器２１及び相互接続層２５、並びにリード回路２２、２３から構成されるアセンブリを接合するために、２つの代替案が使用可能である。
【０１１１】
第一の代替案では、部分的に重合化された（例として５０℃で１時間）等方抵抗性相互接続層２５を備えて提供される光伝導体２１が、そのパッド又は基本コレクター２３を備えて提供されるリード基板に面して配置され、及び、例えば７５マイクロメートルのステップにパッドのマトリックスを有するＣＭＯＳ画像回路から構成される。光伝導体２５上に電極が存在しない場合、リード回路の基板２２を備えた相互接続層２５を備えて提供される光検出器２１の配置が、比較的精密でない（ｃｏａｒｓｅ）ことが強調されるべきである。
【０１１２】
熱−圧縮サイクルが、低い圧力、通常、１０−１ＭＰａ未満において５０℃で１時間の間適応される。このサイクルが、等方抵抗性相互接続層２５の完全な架橋をえるために役立ち、接合点のみが、突起部２９に位置されるため、アセンブリの中程度の機械的強度を確保する。強化された機械的強度を得るために、アセンブリの一側面からの毛管現象によって、接着材料が浸透させられ、等方性ポリマー層２５とリード回路との間の空間を満たす。結果として、この組み込まれた接着材料が、その後重合化される。
【０１１３】
このような構成において、極めて流動性の接着材料が、有利に使用されることが出来、これは、既に記載したＥＰＯＴＥＫからのリファレンスＥ３０１のようなものであり、例えば５０℃で２時間といった、低温で重合化することも出来る。
【０１１４】
この接合プロセスが、小さな面積（数平方ミリメートル）を有するセンサーを接合する場合に適している。
【０１１５】
大きな接合面積の場合、毛管現象の制御が複雑であり、以下に記載する他の技術の使用につながる泡の形成に有利である。
【０１１６】
この第二の構成において、リード回路が、前述したタイプの絶縁性接着材料（Ｅ３２０−ＥＰＯＴＥＫ）の薄膜でコーティングされる。リード回路と等方抵抗性相互接続層２５との間の空間を完全にではあるが過剰になることなく満たすために、この膜厚、及びそれによる接着材料の量が、突起部２３の高さに従って計算される。完全に重合化された等方抵抗性層２５を備えて提供される光伝導体２１が、その後、反対に配置され、例えば、５０℃の温度に２時間の間さらされ、リード基板が、絶縁性接着材料２６でコーティングされる。ここでまた、光伝導体が電極を有しない場合、一方の他方に対する配置が、比較的精密でないことに注目すべきである。
【０１１７】
機械的接合を確保する絶縁層２６の完全な架橋を達成するために、熱−圧縮サイクルが、低い圧力、通常、１０−１ＭＰａ未満において５０℃で２時間の間適応される。
【０１１８】
場合によっては突起部２９の上に位置される絶縁性接着材料２６が、熱−圧縮プロセスの間にそこから排除され、これによって、前記突起部２９と移動又は相互接続層２５との間の電気的接触を確保する。
【０１１９】
熱−圧縮段階において、基本コレクター２３の突起部２９が、等方抵抗性相互接続層２５との接触領域からまばらな泡を排除し、これによって、良好な電気的接触を確保することが注意されるべきである。この方法のみが、アセンブリ内における泡を制限された数にし、さらに、機械的接合の質に対して害を及ぼさない。
【０１２０】
この代替案のアセンブリを最適化し、アセンブリ内における泡の出現をさらに減少するために、中程度の真空下における熱−圧縮を実行することも可能である。
【０１２１】
本発明による方法及びセンサーが、以下に記載するいくつかの利点を有する。
【０１２２】
第一に、実際の相互接続機能と接合機能との間のアンカップリングに圧力を加えることが重要である。そうすることにより、特に、その界面において捕えられて残る傾向があり、導電接着材料を使用する場合における相互接続の欠陥を増加させる泡の消滅又は劇的な減少によって、接合機能とは無関係に相互接続層２５の抵抗挙動の均一性を最適化することが可能となる。この創意、発明力のある方法との関連で、等方導電性相互接続層２５が、接合される前に、少なくとも部分的に重合化され、これによって、光検出器２１との接触においてそのような泡が存在しないことを保証する。熱−圧縮段階の間、いずれの泡が、突起部２９の外側に排除され、リード回路のパッド２３の間において、相互接続層２５とリード回路との間の電気的相互接続に影響を及ぼさず、機械的接着を著しく減少させることもない。
【０１２３】
接合（絶縁）層として修復材料（ｒｅｐａｒａｂｌｅ ｍａｔｅｒｉａｌ）を使用することが考慮されてもよい。この場合、この使用が、適当な溶剤内でその接着特性を失う特定のシリコーンからなされることが可能であり、この溶媒が例えばトリクロロエチレン（ＣＨＣｌ３）から構成されてよい。
【０１２４】
本発明のセンサーにおいては、アノードのピクセライゼーションが存在せず、センサーのバイアス電圧２８から生じる電解の向きの線が、前記センサーを全体的に覆い、これによって、光伝導体の“デッド（ｄｅａｄ）”領域を排除し、これによって、光形成電荷の収率、その結果として、信号対ノイズ比を最大化するために役立つ。これは、光伝導体内において生成される電荷が、電解の向きの線に沿ってアノードによって集められ、“デッド”領域の形成を引き起こし、テーリング（ｔａｉｌｉｎｇ）及びゴースト効果を生じさせる従来技術のセンサーに反する。
【０１２５】
換言すると、本発明のセンサーにおいては、前記センサーのデピクセライゼーション（ｄｅｐｉｘｅｌｉｚａｔｉｏｎ）が存在せず、画像のピクセライゼーションが、センサーによってではなく、信号処理基板（リード回路）の電極のジオメトリーによって、与えられる。
【０１２６】
本発明の前記センサーの関連において、電荷が、等方抵抗性層（相互接続層２５）を用いて直接的に集められる。電極が、光検出器上又は中間の半導体層上に直接的に生成され、高価なフォトリソグラフィープロセスの使用を必要とし、光検出器の性能を低下させる傾向がある従来技術に反する。
【０１２７】
さらに、この抵抗性層２５が、アモルファスシリコン又は他の材料の薄膜から構成されず、単に、接着性ポリマー材料から構成され、簡単な、例えばスクリーン印刷、及び全てのコーティング技術、又はさらに一般的には、粘稠液の薄膜の形成に適したいずれの技術のような安価な技術によって得ることが出来る。
【０１２８】
さらに、相互接続抵抗性層として接着性ポリマー材料を使用することは、通常１００℃未満、又はさらには５０℃未満の低温下において重合化される接着材料を使用するために役立ち、これによって、これが、硬質材料（リード回路のパッド）／軟質材料（接着性ポリマーの層）の接触を含みながら、光伝導体の電気的特性にダメージを与えるリスクを制限し、重合化後においてさえも、結果として生成される層内おけるいくらかの柔軟性を維持し、過度の圧力を加えることなく、リード回路の突起部２９上のその後の熱−圧縮による良好な電気的接触を獲得しそして保証するために役立つ。
【０１２９】
加えて、接着性ポリマー材料といったものの使用により、単独で、低い加圧によって、試験基板上のセンサーの性能を試験することが可能である。
【０１３０】
さらに、柔軟性及び圧縮性ポリマー層を使用することは、センサー及び／又はリード基板の製造に内在する全ての平面性の欠点を許容するために役立つ。
【０１３１】
相互接続層２５を構成する等方性接着材料内に含まれるフィラーに対して、カーボン又は本質的に安定性があり光伝導体２１と化学的に相溶性のある導電ポリマーのような他の導電材料を使用することが可能であることが強調されてもよい。これは、拡散によってセンサーと反応する金属電極材料の使用を回避するために役立つ。
【０１３２】
実際に接合するために絶縁性接着材料を使用することにより、それが、通常１００℃未満、又はさらには５０℃未満の低い重合化温度を有するように、選択されることが可能となり、これは、大きな寸法の部材（数百平方センチメートル）を接合するために特に有利である。実際には、光伝導体２１及びリード回路を構成するシリコンが、同じ熱膨張係数を有さず、これが、高温で接合された場合における熱機械応力、又はダメージさえも生成しうる。さらに、低温重合化が、検出層にダメージを与えるリスクを制限するために役立つ。
【０１３３】
さらに、本発明において、相互接続材料（層２５）が、固体層に堆積され、これは、フォトリソグラフィーによる減法の技術、又はスクリーン若しくはインクジェット印刷による追加法の技術のいずれかによって相互接続材料を離散的に構造化することが必要であって、これらの技術は全て、それぞれの相互接続パッド用の材料の量を制御する必要があり、この制御が、ピクセルステップが、通常、１００マイクロメートル未満となり及び５０マイクロメール未満のステップに対しては実質的に実現不可能となる場合に特に重要となる従来技術と反する。
【０１３４】
上記から、本発明が、電磁放射線を検出するためのシステムの生成、特に、小さなステップ（１００マイクロメートル未満）に対するものであるが、大きなステップに対しても適応可能なシステムの生成に対して、特に使いやすいものであることを立証すると考えられる。
【０１３５】
相互接続（層２５）材料が、固体層に堆積されるという事実に加え、同じ光検出器が、同様に、異なるマトリクスサイズ又はピクセルステップを有し、センサーの個別の作製を必要としない様々なリード回路と共に組み込まれることが出来る。
【０１３６】
上記に記載された本発明が、同様に、半導体材料内におけるイオン化放射線の相互作用によって形成された電荷キャリアを、これらの電荷が正であるか又は負であるかによらず、うまく集めるように適応されることが出来る。記載された形状及び実施例は、負電荷の収集を示すものであるが、本発明が、正電荷の収集にも適応するものであることが理解されうる。
【符号の説明】
【０１３７】
１１ 検出層
１２ リード基板
１３ 導電性パッド
１５ 導電性パッド
１６ 電極
２１ 検出層
２２ 基板
２３ 基本コレクター
２５ 移動層
２６ 接合層
２７ 電極
２８ バイアス電圧
２９ 突起部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁放射線及びイオン化放射線、特にＸ−線及び／又はγ線を検出するデバイスに関する。従って、本発明は、センサー分野に関し、これらが、１つ若しくは２つの方向性を有するマトリクスセンサーであるか又は他の構造のセンサーである。
【０００２】
特に、本発明は、電気相互接続及びこのようなセンサーの部材間における接合のための構造に関する。
【背景技術】
【０００３】
デジタル画像を生成するために設計されたセンサーの分野において、従来技術では、電磁波を電子に、従ってデジタル信号に変換するための２つの異なる原理を含んでいる。これらの２つのうちの第一の原理は、“間接変換”と呼ばれるものであり、Ｘ−線をシンチレーター材料における可視光量子に変換し、その後、アモルファスシリコンのような、半導体材料のボード上に作成された光ダイオードを用いて可視光量子を電子に変換する。
【０００４】
しかしながら、本来周知の方法では、この第一の原理に従って操作するセンサーは、低い照射線量に対する解像度及び感度の観点では性能を制限する。本来周知の方法では、解像度は、２つの点−生成されるデジタル画像におけるオブジェクトを区別するためのセンサーの能力として定義される。本来周知の方法では、感度は、ある量の入射光子を検出するためのセンサーの能力として定義される。
【０００５】
つい最近に開発及び実施された第二の変換原理は、“直接変換”と呼ばれる。この第二の原理に従って操作するセンサーは、以前のセンサーよりも優れた性能、特に低い量に対するより上質な解像度及びより高い感度を有することが必要とされる。
【０００６】
これは、センサーの基礎的な性能であるため、この性能に対するいずれの改良は、センサーが、デジタル画像を生成するために使用される、特に医療画像、科学的な及び宇宙計測又は非破壊試験の分野の全ての分野に関係しうる。
【０００７】
直接変換原理は、従来技術のセンサーの断面の略図である図１に関連して本願明細書に記述される。直接変換は、Ｘ又はγ型の入射電磁放射線の周波数レンジにかかわらず達成される。
【０００８】
図１に示される直接変換センサーが、作製され及び“フリップチップ”と呼ばれる技術によって操作される。ＣｄＴｅのような高原子密度、又はＰｂＩ２及びＨｇＩ２等のようなハロゲン化鉛又は水銀を有する材料から通常作製される検出層１１内において、入射電磁波が、直接的に、電子に変換される。従って、入射光子と検出層１１との相互作用によって生成される電子が、電流を形成し、その強さは、入射光子のエネルギー及び数に比例する。これらの電流は、集められ、リード回路に移動するために導電性パッド１５内に流れるが、これは定量化され及び従ってその中で“デジタル化”させるためである。
【０００９】
本来周知の方法では、それぞれの導電性パッド１５が、デジタル画像を形成するマトリクスのピクセルに対応する。そのため、導電性パッド１５が、離散的に分配され、センサーの２つの面積において一定である。
【００１０】
それぞれのパッド１５と検出層１１との間には、電極１６が通常配置され、この電極１６は、金のような導電材料から形成され、光子と物体との間の相互作用に由来する電荷キャリア、電子又はホールの効果的な収集に適している。
【００１１】
導電性パッド１５は、それぞれ、例えばアルミニウムのような導電性パッド１３上に備え付けられ、導電性パッド１３の役割は、集められた電流をリード基板１２に送ることである。リード基板１２が、アモルファス又は多結晶シリコンから形成されるボード、又はさらには“特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）”、又はＣＭＯＳ半導体型のものを含んでよい。その結果、観察されるシーンのデジタル画像表現を実現するために、リード回路による本来周知の方法で、電流がリードされ及び使用されてよい。
【００１２】
さらに、導電性パッド１５が、等方性の導電性を有する接着材料から形成される。このような接着材料は、均一に分配された金属電荷を含むポリマーマトリクスから通常構成され、その金属電荷の役割は、電気伝導を提供することである。
【００１３】
パッド１５を形成する接着材料が、リード回路のパッド１３と、通常電極１６を備えて提供される検出層１１との間の機械的接着を提供する機能も有する。従って、図１に示されるセンサーが、センサーのマトリクスのピクセルの配置に対応する規則的なグリッドに分配された多数の接着点を用いた２つの平面部材の相互接合及び結合によって作製される。
【００１４】
センサーの製造の間、導電性パッド１５が、リード回路のそれぞれのパッド１３に配置され、その後、検出層１１が導電性パッド上に追加され、その後、全体のアセンブリに、接着パッド１５の硬化のための処理が施される。
【００１５】
従って、図１に示されるセンサーの構造が、上記の機械的接合に加え、検出層１１からリード回路１２−１３への信号又は電流の完全な伝送に役立つ。本発明の範囲において、“完全な（ｉｎｔｅｇｒａｌ）”は、インター−ピクセル（ｉｎｔｅｒ−ｐｉｘｅｌ）リーク電流、すなわち、隣接する導電性パッド１５間のリーク電流を発生しない伝送を意味する。
【００１６】
実際には、検出層１１の１つのような連続する平面構造において、電荷キャリアが存在し、最も近いピクセル又は導電性パッド１５に向かって移動する代わりに、相互作用部位の隣接するピクセルに向かって導かれる。本来周知の方法において、これらのインター−ピクセルリーク電流又は検出層１１内のリーク電流が、画質の劣化を引き起こす、すなわち、望ましくないノイズに対するコヒーレント信号の割合が低下する。この劣化が、可能ならばいつでも、複雑な及びそれ故に高価な画像処理によって弱められなければならない。
【００１７】
従って、図１に関して記述された構造が、導電性パッド１５を互いに分離させる利点を有し、それ故に、それらのレベルにリーク電流を防ぐ。従って、電極１６に達する電子が、隣接する導電性パッド１５によって“捕獲され”、これによって、デジタル画像の信号対ノイズ比を最大化する傾向がある。
【００１８】
しかしながら、導電性接着部１５のそれぞれのパッドを離散的に配置するセンサーの製造段階が、所望の解像度がより上質となるように、特に高い正確性を要求する。
【００１９】
さらに、接合される部分間における効果的な電気的接続を保障するために、それぞれのパッド１５に対して、同一量の接着材料を堆積することが重要である。従って、この量の材料のバッチングが、正確でなければならない。
【００２０】
実際には、パッド１５のバッチング及び配置に対して正確性が必要とされるため、使用される技術（スクリーン−印刷、ディスペンス等）にかかわらず、しばしば調達が困難となり、常に、センサーの製造コストを増加させる。
【００２１】
さらに、パッド１５を作製するために選択される接着材料によって、全てのパッド１５の堆積速度が、接合の質及びそれ故に電気伝導にある影響を及ぼしうる。センサーの寸法がさらに大きくなるにつれ、この速度が、ましてやさらに重要なパラメータを示す。
【００２２】
さらに、このタイプの接続は、十分な全体的な機械的強度を可能としない。
【００２３】
２つの部材の電気的相互接続との関連で、特許文献１には、等方性の抵抗率を有し、同時に、相互接続の機能を行い、前記部材の接合を行う導電層の使用が記載されている。修復の可能性が記述されており、電気的導電層として、周知の低接着能を有する熱可塑性材料を使用する。
【００２４】
従って、この文献の教示の適応は、均一な導電性及び接合特性の完全な制御に対する大きな困難性に直面する。
【００２５】
特許文献２には、検出される放射線に透明な基板上に作製されるＣｄＴｅから形成されるセンサーを含む電磁波検出デバイスが記載されており、それぞれＣｄＳ及びａ−Ｓｉ：Ｈ、すなわち、アモルファスシリコンから形成され、それぞれ電子停止層及び電荷蓄積層の役割を行うそのそれぞれの面上に連続する電極を備えて提供される。電極及び離散的に分配された接続パッドを介したリード回路への電荷の移動を可能にするために、この後者は、電気的導電性である。
【００２６】
アモルファスシリコンとの接触を形成するために、センサーのピクセライゼーション（ｐｉｘｅｌｉｚａｔｉｏｎ）が必要である場合において、このタイプのデバイスは、ある制限を有する。実際には、このピクセライゼーションが、複雑な接合整合装置に加え、フォトリソグラフィー技術を使用する慎重且つ高価な段階を構成する。さらに、この接合は、この接続パッドを介してのみ効果的となり、この重要な点が、機械的強度及びセンサー全体の信頼性に影響を及ぼす。加えて、センサー材料と接触する電極の作製が、この材料への局所的なダメージのリスクを招く。
【００２７】
最後に、特許文献３には、透明な導体及び光伝導体と関連する透明な基板を含む撮像装置が記載されており、この透明な導体及び光伝導体は、電子ホールブロッキング層、即ち、電気的キャリアをブロックするための層、及び電気的ブロッキング層を備えてその末端に提供される。また、例えばａ−Ｓｅ又はａ−Ｓｉのようなアモルファス半導体材料から作製される抵抗性保護層が記載されている。インジウムから形成される導電性ハイブリッド化ビーズが、接合機能を提供し、この結果、形成されたアセンブリをリード回路に配置される電極に結合する。
【００２８】
この構造からすると、このインヂウムの場合において、積層を実行するためには、軟質材料と共にリード回路をハイブリッド化する必要があると考えられる。
【００２９】
アモルファス半導体の抵抗性保護層上の結合層が存在しない場合には、結局、全体の機械的強度が極めて低下する。
【００３０】
要するに、我々は、現在、正確性及び性能の問題を克服し、信頼性のある機械的強度、長寿命、及びまた使用の単純さを備え、並びにある実施形態に従い容易に修復可能なアセンブリを生成するために役立つ、検出層とリード回路との間における電気的な相互接続のための技術を持っていない。
【００３１】
従って、本発明は、電磁放射線を検出し、及び従来技術のセンサーの欠点を有しないデバイスに関する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００３２】
【特許文献１】米国特許第６３９６７１２号明細書
【特許文献２】特開平０５−１６７０５７号明細書
【特許文献３】特開２００２−３３４９８３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００３３】
直接変換を伴う、放射線、特にＸ−線又はγ線のセンサーの構成を提案し、通常１０×１０ｃｍ以上の大きな撮像装置を製造し、及びさらに、フォトリソグラフィーのような高価な方法の技術を使用しない、単純で、丈夫で及び効果的な方法を提供することにより、本発明が、特に、上述された技術的課題を解決するために役立つ。さらに具体的には、本発明が、相互接続の機能を切り離すことを提案する、すなわち、リード回路に向かう光検出層内における放射線の作用下において形成された電荷の接続、及びリード回路への前記光検出層の接合が、そうすることにより、それぞれの機能、収集及び接合の性能をそれぞれ最適化することが可能となる。
【課題を解決するための手段】
【００３４】
この目的のために、本発明が、電磁放射線及びイオン化放射線、特にＸ−線又はγ線を検出するデバイスを提案する。このデバイスは以下を含む。
−検出される前記電磁放射線と相互作用することが可能な少なくとも１つの材料から構成され、可動電荷キャリアを解放するためのものであり、その移動が電流を発生する検出層；
−上に説明したように解放された電荷キャリアの複数の基本コレクターを備えて提供され、前記基本コレクターが、離散的に分配される基板；
−検出層に接続され、検出層によって解放された電荷キャリアを、基本コレクターに移動させるのに適している電気的導電性の等方性接着性移動層；
−複数の基本コレクター及び移動層を接合させるための、電気的絶縁性の接着性接合層。
【００３５】
本発明によると、移動層が、検出層と接触する電気的導電性の接着性ポリマー層から構成され、接合層が、前記第一層及びその基本コレクターを備えて提供される基板に接触する絶縁性の接着性ポリマー層から構成される。
【００３６】
換言すると、本発明は、相互接続機能と、一方が抵抗性であり他方が絶縁性である２つの接着性ポリマーを用いた及び接着性機能とを分離することにある。
【００３７】
そうすることにより、接合機能とは無関係に、相互接続層（抵抗性層）の抵抗性挙動の均一性を最適化することが可能になる。
【００３８】
本発明によると、導電性、又は抵抗性の接着性ポリマー層が、連続し、及び等方抵抗性を有する。
【００３９】
換言すると、本発明のセンサーが、全ての基本コレクターに共通である移動又は相互接続層を有し、電荷キャリアが、いずれの優先的な方向を持つことなくに移動することが出来る。
【００４０】
本発明によると、抵抗性の接着性ポリマー層の移動率が、５０％よりも高く、及び特に７５％よりも高く、前記移動率が、
式：（ＲＨ＋ＲＶ＋Ｒｉｎ）／［ＲＨ＋（ＲＶ＋Ｒｉｎ）・（１＋Ｋ）］
によって定義される。ここで、ＲＶは、基本コレクターと実質的に垂直に測定される移動層（２５）の抵抗であり；、ＲＨは、検出層と実質的に平行な面を含む方向に測定される移動層（２５）の抵抗であり、リーク電流が斜めの経路に移動しうるが、この抵抗が、“水平の”として限定されてよく；、Ｒｉｎは、入力抵抗であり、基本コレクターのいずれか１つの“入力インピーダンス”とも呼ばれ、これは、接続されるデバイスから見た抵抗であり；、Ｋは４の倍数の数であり、考慮される基本コレクターに隣接する基本コレクターの数を表す。
【００４１】
換言すると、電流によって横断される抵抗が、“実用的な（ｕｓｅｆｕｌ）”又は“横方向（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ）”電流を最大化するために、“平面（ｐｌａｎａｒ）”リーク電流を制限する抵抗性及び寸法を有する。
【００４２】
実際には、移動層の抵抗が、移動層の基本コレクターに実質的に垂直に測定され、これは、同じ基本コレクターに実質的に垂直に測定された検出層の抵抗と比較すると、ごくわずかである。さらに、それぞれの基本コレクターの固有の抵抗は、上記２つの抵抗の合計と比較すると、ごくわずかである。さらに、検出層に実質的に平行な面を含む方向に測定された移動層の抵抗による分子と、基本コレクターのいずれか１つの入力抵抗及び基本コレクターに実質的に垂直に測定された移動層の抵抗の合計による分母と、において定義された商が、３よりも大きい、及び特に最も近くに隣接する４つのみを考慮する場合（すなわち、Ｋ＝４）、１１よりも大きい。
【００４３】
本発明によると、抵抗性の接着性ポリマーが、有機物、熱可塑性又は熱硬化性材料であり、例えば、エポキシ，アクリレート，ポリウレタン，及びシリコーンを含む群から選択されるポリマーから構成される。この材料が、例えばカーボン，金，白金，銀，ニッケル，アルミニウム及び銅を含む群から選択された原子から構成される導電性粒子を含む。
【００４４】
有利に、これらの導電性粒子が、サブミクロンサイズを有する。
【００４５】
有利に、結果として生じる接着材料が、重合化された場合、１００未満のショアＤ硬度を有する。
【００４６】
あるいは、抵抗性の接着性ポリマー層を構成する材料が、従って、エポキシ又はアクリレート型のポリマー接着材料に組み込まれるポリマーのような、ポリアニリン，ポリピロール，ポリチオフェンを含む群から選択される真性導電性のポリマーから構成されてよい。
【００４７】
本発明の他の特徴によると、電気的に絶縁性の接着性ポリマー層が、エポキシ，アクリレート，及びシリコーンを含む群から選択される有機物、熱可塑性又は熱硬化性材料から構成される。
【００４８】
有利に、それが、１００Ｐａ．ｓ未満の、又はさらには１０Ｐａ．ｓ未満の粘度を有する。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】従来技術によるセンサーの断面の略図である。
【図２】抵抗等方性移動層を使用したセンサーのモデルの略図である。
【図３】本発明によるセンサーの簡易化した断面の略図である。
【図４】本発明によるセンサーのマッチング方法を示す略図である。
【発明を実施するための形態】
【００５０】
本発明を実施することが出来る方法及びその利点が、添付した図面とともに、参考のために提供され、制限するものではない以下の例となる実施形態からより明確になるだろう。
【００５１】
図３は、本発明による電磁放射線及びイオン化放射線を検出するデバイスを示す。この場合において、このデバイスは、特に、Ｘ−線又はγ線を検出を対象とするが、本発明は、異なるエネルギースペクトル又は荷電粒子を有する電磁放射線の検出にも適用しうる。
【００５２】
本発明によると、センサーは、光検出器とも呼ばれる検出層２１を含み、この検出層２１は、可動電荷キャリアを解放するために、入射線と相互に作用することが可能な１つ以上の材料から構成される。これらの可動電荷キャリアが、電子又はホールであってよく、従って、負又は正の電荷を運ぶ。
【００５３】
本来周知の方法では、バイアス電圧２８の動作下における、これらの可動電荷キャリアの移動が、電流を発生し、その強さが、入射線によって蓄えられたエネルギー、従って観察されるシーンのエネルギーを表す。
【００５４】
２次元の画像を再現するために、検出層２１内のこの直接変換段階の後、電荷キャリア又は電流が、入射線の衝突領域において局所的に集められなければならない。この目的のため、本発明の検出器が、グリッド又はマトリクスを形成するために、離散的に分配された多数の基本コレクター２３を有する基板２２を含む。この基本コレクター２３が、光子と物体との間の相互作用によって解放された電荷キャリアを集める又は排出するのに役立つ。
【００５５】
記載された実施例では、基本コレクター２３は、突起したパッドから構成される。これらのパッド又は基本コレクター２３は、それぞれが、それらのピクセルで生成された電荷キャリアのみを集めるように、互いに独立しており、すなわち、これらは、互いに電気的に絶縁されている。本質的に、ピクセルが、画像の、ひいてはセンサーの基本領域を表す。この基本領域は、通常、正方形に構成される。従って、それぞれの基本コレクター２３は、その側面上で電気絶縁によって囲まれており、その基部が、リード基板２２を構成する。
【００５６】
検出層２１と基本コレクター２３との間において、本発明によるセンサーは、以下を備える。
・移動層２５、それが実行する機能のためこのように呼ばれ、光子と物体との間の相互作用によって解放された電荷キャリアの、検出層２１から様々な基本コレクター２３への
移動を可能にする。
・及び接合層２６、コレクター２３と移動層２５とを接合する。
【００５７】
本発明によると、相互接続層２５が、検出層２１と基本コレクター２３との間に連続的に広がる。従って、これは、検出層２１とリード基板の基本コレクター２３との間の電気的接触を確保する。
【００５８】
相互接続層２５の構造的な特徴が、自動的に、従来技術のセンサーの欠点を排除するために役立つ。実際には、前記層が、センサーの全体表面、この場合では、検出層２１の全体表面上に連続的にこれ以降に堆積されるため、高い位置決めの正確性又はバッチングと伴う操作は、もはや必要ではない。この層が、例えば、制御され且つ等方抵抗性を備えた接着ポリマー膜の形状を有してよい。
【００５９】
換言すると、それを通り抜けて流れる電流の方向にかかわらず、相互接続層２５の抵抗性が、同一である。この特徴が、検出層２１から基本コレクター２３に向う電流の適切な循環を保証するために役立ち、これによって、センサーの正しい一般操作を確保する。
【００６０】
従って、この等方抵抗性が、前記相互接続層２５における、１つのピクセルから他のピクセルに向うのと実質的に同様な電荷キャリアの道程時間を保証し、これによって、最終的なデジタル画像の質を保証する。
【００６１】
この連続する相互接続層２５の抵抗性が、また、相互接続パッドに垂直に向う電荷の移動を可能にするほど十分に低くなければならないが、隣接するピクセル間の絶縁を確保するほど十分に高くなければならない。
【００６２】
換言すると、記述された実施例において、検出層２１から信号処理基板の基本コレクター２３への垂直な電荷移動を同時に可能にすることが出来、非−物理的なピクセル化光検出器からの機能的なピクセル化画像センサーの製造を可能にするために、検出層２１のそれぞれの仮想のピクセル（ｆｉｃｔｉｖｅ ｐｉｘｅｌ）間におけるある電気的絶縁を同時に提供するように、この連続する相互接続層によって構成される電極（及び例えば負の電荷キャリアの場合におけるアノード）が、高い抵抗性導電挙動を有する材料から形成される。
【００６３】
さらに、本発明の他の特徴によると、相互接続層２５の移動率が、５０％よりも高く、及びさらには７５％よりも高い。この移動率が、隣接する基本コレクターに向かうリーク電流の形態で分散された電荷キャリアの量に対する、検出層２１から基本コレクター２３に効果的に移動された電荷キャリアの量の比に対応する。この移動率が、式：（ＲＨ＋ＲＶ＋Ｒｉｎ）／［ＲＨ＋（ＲＶ＋Ｒｉｎ）・（１＋Ｋ）］によって定義されることが出来る。ここで、ＲＶは、基本コレクター２３と実質的に垂直に測定される相互接続層２５の抵抗であり；、ＲＨは、検出層２１と実質的に平行な面を含む方向に測定される相互接続層２５の抵抗であり；、Ｒｉｎは、基本コレクター２３のいずれか１つの固有抵抗であり；、Ｋは４の倍数の数であり、考慮される基本コレクターに隣接する基本コレクター２３の数を表す。
【００６４】
従って、本発明による相互接続層２５が、５０％よりも高く、及びさらには７５％よりも高い移動率を有し、センサーが、デジタル画像を生成するために十分な信号対ノイズ比を有する。明らかに、適用及びそれ故の所望の画質により、高い又は低い移動率を有する移動層を選択することが可能である。
【００６５】
このような移動率を達成するために、本発明の原理のモデリングに従い、図２に示されるセンサーが、以下の特徴を有する。
【００６６】
第一に、基本コレクター２３に実質的に垂直に測定される相互接続層２５の抵抗は、同じ基本コレクター２３に実質的に垂直に測定される検出層２１の抵抗と比較すると、ごくわずかである。本発明との関連において、ごくわずかは、これらの２つの抵抗間の比が、１０よりも高い、又はさらには１００よりも高いことを意味する。
【００６７】
この特徴は、センサーに加えられるバイアス電圧２８が、検出層２１において高い電位差から構成されることを意味する。これによって、光子と物体との間における相互作用の間に、リード回路を構成する基本コレクター２３に向かって解放された電荷キャリアをシフトさせるために十分な強度を持った、電界が生成される。
【００６８】
さらに、それぞれの基本コレクター２３の固有抵抗は、相互接続層２５の垂直抵抗と検出層２１の垂直抵抗の合計と比較して、ごくわずかである。この特徴により、基本コレクター２３が、検出層２１に由来する電荷キャリアを効果的に集めるためのリード回路を構成することが可能である。実際には、この結果、可動電荷キャリアが、パッド又は基本コレクター２３内に容易に浸入することが出来る。
【００６９】
さらに、図２にモデル化されたセンサーは、検出層２１に実質的に平行な面を含む方向に測定された相互接続層２５の抵抗による分子と、基本コレクター２３のいずれか１つの固有抵抗及び基本コレクター２３に実質的に垂直に測定された相互接続層２５の抵抗の合計による分母と、において定義された商が、３よりも大きい、及び特に７よりも大きいことを特徴とする。
【００７０】
この特徴が、５０％よりも大きな移動率を確保するために貢献し、すなわち、考慮される基本コレクター２３において生成され、隣接する基本コレクターによって集められる電荷キャリアと比較して、言い換えれば、リーク電流と比較して、基本コレクター２３においてさらに電荷キャリア又は電流が集められる。
【００７１】
換言すると、平らな水平型のセンサーを考慮する場合、これは、実質的に斜めの、又はさらには水平のリーク電流に対する、基本コレクターに垂直に集められる電流の比である。
【００７２】
この比が１００％である理論上の場合では、信号対ノイズ比が、最大であり、実質的には完全な画質に達する。逆に、この比が小さく、例えば５０％よりも小さい場合、この効果が、画像の解像度を実質的に下げるリーク電流のスケールを説明するための、“空間的活発化（ｓｐａｔｉａｌ ｂｌｏｓｓｏｍｉｎｇ）”と呼ばれる。
【００７３】
それにもかかわらず、ピクセルが、互いに完全に電気的に絶縁されている場合の従来技術のセンサーの場合においてさえも、理論上は１００％の移動率又はこのような比を得ることは不可能であると考えられているが、これは、電荷キャリアの活発化（ｂｌｏｓｓｏｍｉｎｇ）が、その高い抵抗性にもかかわらず検出層においても発生することが可能であるためである。
【００７４】
この結果、相互接続層２５の抵抗性が、従って、本発明のこれらの抵抗に関する特徴を得るように選択される。換言すると、移動層の抵抗性が、解放された電荷キャリアの図２の意味における“垂直な”収集を可能にするように十分に小さく、これらの電荷キャリアが、光子と物体の間における相互作用の代わりに隣接するパッドに向かう水平方向にそって“活発化（ｂｌｏｓｓｏｍｉｎｇ）”しないように十分に大きくなければならない。この移動層の電気的挙動が、完全に特有のものであり、従って、導電材料の抵抗性と、半導体材料の抵抗性との間の、特に、半導体材料の抵抗性に近い、中間の抵抗性を示さなければならない。
【００７５】
上に示したように、移動率が、式：（ＲＨ＋ＲＶ＋Ｒｉｎ）／［ＲＨ＋（ＲＶ＋Ｒｉｎ）・（１＋Ｋ）］によって表現される。
【００７６】
実際には、隣接する基本コレクターの数が、３（関係している基本コレクターが、マトリクスの角の１つを占める場合）から８（関係している基本コレクターが、マトリクス内のいずれの箇所に存在する場合）に及んでよい。後者の場合、これらは、関係している基本コレクターから同じ距離に全てが配置されるとは限らないので、隣接する基本コレクター間に区別を設けることが必要である。従って、パッドの周囲の正方形に位置された８つの隣接するものの中で、この正方形の角を占める４つのパッドが、中心のパッドから遠く、他の４つは、近い。
【００７７】
固有抵抗Ｒｉｎが、抵抗ＲＨ及びＲＶと比較してごくわずかである特定の場合が存在する。この場合、移動率を定義する式が、単純化されることが可能であり、その結果、抵抗ＲＨ及びＲＶのみに依存する。この単純化された式は、：（ＲＨ＋ＲＶ）／［ＲＨ＋（ＲＶ）・（１＋Ｋ）］として記述される。
【００７８】
通常、相互接続層２５の抵抗が、１０５と１０８Ω．ｃｍの間であり、検出層２１が、通常、１０８と１０１２Ω／ｃｍの間の抵抗を有する。
【００７９】
本発明の他の不可欠な特徴によると、接合及びその後の検出層２１と基本コレクター２３を備えて提供される基板２２に対する相互接続層２５とから構成されるアセンブリのメンテナンスを実行するために、また、センサーが、接合層２６を含む。
【００８０】
従って、この接合層２６が、制限的に、この接合機能のみのために設けられる。電気的絶縁が、基本コレクター２３による電荷の収集の妨害することを回避する。
【００８１】
当然の結果として、相互接合層２５が、検出層２１に接続される。これは、検出層２１と基本コレクター２３との間の電気的な相互接続を提供する。
【００８２】
この配置、相互接続及び接合機能が、物理的に分離される。
【００８３】
相互接続層２５に関して、接合層２６に対しては接着ポリマー膜が使用されるが、この場合、これは電気的絶縁性である。
【００８４】
特に、及び有利に、等方性相互接続層を構成するために使用される接着材料は、実際の接合段階の前に、部分的にのみ又は全面的に重合化され、これによって、相互接続機能にのみ従う範囲において、広い範囲の接着の使用を可能にし、これが、接合の制限を排除する。
【００８５】
そうすることで、高い重合温度において接着材料が使用されることが出来、また、溶剤を含む接着材料も使用されることが出来る。
【００８６】
さらに、いったん架橋されると、この相互接続層を構成する接着材料の電気的挙動の良好な均一性を得ることが出来る。
【００８７】
さらに、所望のインターピクセル抵抗に関して排他的に、及び接合されるための部材の平面性（ｐｌａｎｅｉｔｙ）と無関係に、これが、相互接続層２５の厚さの調整を可能にする。
【００８８】
機械的接合を提供する絶縁性接着層２６を用いた熱−圧縮プロセスによって、検出層２１及び相互接続層２５から構成されるアセンブリが、基板２２及び基本コレクター２３から構成されるリード回路に接合される。
【００８９】
リード回路２２の基本コレクター２３と相互接続層２５との間の電気的接触を可能にするために、突起部２９が、基本コレクター２３上に提供される。
【００９０】
そうすることによって、熱−圧縮により、相互接続層２５と基本コレクター２３の突起部２９との間の相互接続が、直接的な接触により得られる。
【００９１】
図４に関連して、本発明による電磁放射線センサーを作製する方法が、これから記載される。
【００９２】
相互接続層２５を構成する接着材料が、第一に作製される。上述した数値例における目的は、この層に対して１０５と１０８Ω．ｃｍの間の抵抗を得ることである。
【００９３】
この目的のため、ＥＰＯＴＥＫよりリファレンスＥ３２０で販売されるような、接着材料が使用される。この等方性接着材料は、接着性エポキシ型マトリクスに組み込まれるサブミクロン−スケールの粒子から構成される。この複合材料が、ベースと約２０重量％のサブミクロン−スケールカーボン粒子を含んだ硬化剤とを含む。
【００９４】
この接着材料が、他のエポキシ系接着材料、化学的相溶性物質、完全な誘電体、及びＥＰＯＴＥＫより販売されるリファレンスＥ３０１のようなものと共に混合される。これらの２つの接着材料の混合物の相対的比率は、上述した範囲内に存在する所望の抵抗が得られるように選択される。
【００９５】
インターピクセルの絶縁を最大化するために、誘電接着材料Ｅ３０１の重量比は、５０％を超えないようにすべきである。
【００９６】
すでに記載したように、検出層２１が、放射線、この場合には、Ｘ−線又はγ線を検出することが出来る材料から構成される。これらの材料は、周知であり、ＩＩ−ＶＩ又はＩＩＩ−Ｖ族に属し、通常、大きな原子番号を有する高抵抗性半導体から構成される。最も知られている及び最も一般的に使用されるのは、特にＣｄＴｅ，塩素がドープされたＣｄＴｅ，ＣｄＺｎＴｅ，ＨｇＣｄＴｅ，シリコン、ヒ化ガリウム（ＡｓＧａ），酸化鉛（ＰｂＯ），ヨウ化鉛（ＰｂＩ２），ヨウ化水銀（ＨｇＩ２），セレニウム等である。
【００９７】
光伝導体２１が、自己支持型（ｓｅｌｆ−ｓｕｐｐｏｒｔｉｖｅ ｔｙｐｅ）であり、半導体を生成するための従来技術によって製造されてよい。
【００９８】
しかしながら、グラファイト，アルミニウム，及びさらに一般的には、光伝導体と化学的に相溶性のある、いずれの導電性低原子量要素のような、検出される放射線に透明な基板上の厚い層に堆積されてもよい。例えば、この使用が、昇華近接法（ＣＳＳ）によってグラファイト基板上に得られるＣｄＴｅをベースとする光伝導体層からなされることが可能である。
【００９９】
Ｘ−線又はγ放射線の検出に関する適用のために、検出層２１の厚さが、通常、５０マイクロメートルと１センチメートルの間である。この厚さを、他の適用に対しては、増加又は減少させることが出来る。その抵抗は、通常、１０８と１０１２Ω．ｃｍの間である。
【０１００】
前記光検出器２１が自己支持型である場合、共通の電極２７が、特に金属薄膜堆積のいずれの技術によって、特に、蒸着、スパッタリング、又は無電解成長（ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ ｇｒｏｗｔｈ）でも堆積される。
【０１０１】
次の段階は、相互接続層２５を構成する接着材料の堆積である（図４Ｃ）。
【０１０２】
前述したように作製され重合化されていない接着材料が、膜の形態で光伝導体２１上に広げられる。前記接着材料を堆積するために、いずれのスクリーン印刷技術、特にコーティング、スピンコーティング、又はさらに一般的には、粘稠液の薄膜を形成するために適したいずれの技術が、使用される。
【０１０３】
この膜の厚さは、通常、１から２０μｍの間である。厚い層が、光検出器の平面性に関してアセンブリをさらに耐性の高いものにする、及び／又はリード回路のパッド又は基本コレクター２３の突起部２９の厚さを均一にするのに対し、実際には、極めて薄い厚さが、インターピクセルの漏れを制限するために役立つ。
【０１０４】
いったんポリマー層が、膜の形態で堆積されると、それが、熱サイクルによって部分的に又は全面的に重合化される。しかしながら、その後、リード回路の基本コレクター２３の突起部２９との密接な接触を得るために、この層が、ある柔軟性、それ故に前記層の架橋又は部分的な重合化の利点を保つことが重要であるが、一方、以下に記載するように、全体の架橋が、接合段階の間又はその後に得られる。
【０１０５】
次に、リード回路が作製される（図４Ｄ）。
【０１０６】
リード回路は、導電性パッド２３を備えて提供される基板である。既に記載したように、これらの導電性パッド又は基本コレクター２３が、相互接続層２５を介して光検出器２１に光形成された電荷を集めることを可能にする。その最も単純な形態では、これらのパッドが、試験又は出力パッド（相互接続パッドと呼ばれる基板）に個々に接続されている。さらに発展した形態では、基板が、電気的信号処理部品を含む。これは、ＡＳＩＣ，ＣＭＯＳ回路，ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）をベースとしたボード，電荷結合素子（ＣＣＤ）ボード等であってよい。通常、導電の明白な理由のために、リード回路の相互接続パッド２３が、アルミニウム又は銅仕上げを有する。
【０１０７】
突起部２９を生成するために、仕上げとして、数十マイクロメートルの導電性金属特性を有する、酸化されない金属が、好ましくは選択される。この金属は、金、白金、パラジウム又は銀であってよい。リード回路の仕上げと突起部の仕上げとの間において、通常厚い（通常１０マイクロメートル未満の）、例えば、ニッケル、銅、チタン、ジルコニウム、タンタル、タングステン、モリブデン、バナジウム、クロム、又は、これらの原子の１つ以上の合金若しくは窒化物のような、仕上げのそれと異なる金属を使用することも可能である。
【０１０８】
リード回路は、通常、金属パッドを分離する無機物パッシベーションを備えて提供される。このパッドが、無電解（ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｓｉｓ）によって生成されてよく、これによって、数マイクロメートルの厚さ、通常１から１０マイクロメートルのＮｉ／Ａｕパッドを生成するのに役立つ。
【０１０９】
次に、実際の接合が、実行される（図４Ｅ）。
【０１１０】
光検出器２１及び相互接続層２５、並びにリード回路２２、２３から構成されるアセンブリを接合するために、２つの代替案が使用可能である。
【０１１１】
第一の代替案では、部分的に重合化された（例として５０℃で１時間）等方抵抗性相互接続層２５を備えて提供される光伝導体２１が、そのパッド又は基本コレクター２３を備えて提供されるリード基板に面して配置され、及び、例えば７５マイクロメートルのステップにパッドのマトリックスを有するＣＭＯＳ画像回路から構成される。光伝導体２５上に電極が存在しない場合、リード回路の基板２２を備えた相互接続層２５を備えて提供される光検出器２１の配置が、比較的精密でない（ｃｏａｒｓｅ）ことが強調されるべきである。
【０１１２】
熱−圧縮サイクルが、低い圧力、通常、１０−１ＭＰａ未満において５０℃で１時間の間適応される。このサイクルが、等方抵抗性相互接続層２５の完全な架橋をえるために役立ち、接合点のみが、突起部２９に位置されるため、アセンブリの中程度の機械的強度を確保する。強化された機械的強度を得るために、アセンブリの一側面からの毛管現象によって、接着材料が浸透させられ、等方性ポリマー層２５とリード回路との間の空間を満たす。結果として、この組み込まれた接着材料が、その後重合化される。
【０１１３】
このような構成において、極めて流動性の接着材料が、有利に使用されることが出来、これは、既に記載したＥＰＯＴＥＫからのリファレンスＥ３０１のようなものであり、例えば５０℃で２時間といった、低温で重合化することも出来る。
【０１１４】
この接合プロセスが、小さな面積（数平方ミリメートル）を有するセンサーを接合する場合に適している。
【０１１５】
大きな接合面積の場合、毛管現象の制御が複雑であり、以下に記載する他の技術の使用につながる泡の形成に有利である。
【０１１６】
この第二の構成において、リード回路が、前述したタイプの絶縁性接着材料（Ｅ３２０−ＥＰＯＴＥＫ）の薄膜でコーティングされる。リード回路と等方抵抗性相互接続層２５との間の空間を完全にではあるが過剰になることなく満たすために、この膜厚、及びそれによる接着材料の量が、突起部２３の高さに従って計算される。完全に重合化された等方抵抗性層２５を備えて提供される光伝導体２１が、その後、反対に配置され、例えば、５０℃の温度に２時間の間さらされ、リード基板が、絶縁性接着材料２６でコーティングされる。ここでまた、光伝導体が電極を有しない場合、一方の他方に対する配置が、比較的精密でないことに注目すべきである。
【０１１７】
機械的接合を確保する絶縁層２６の完全な架橋を達成するために、熱−圧縮サイクルが、低い圧力、通常、１０−１ＭＰａ未満において５０℃で２時間の間適応される。
【０１１８】
場合によっては突起部２９の上に位置される絶縁性接着材料２６が、熱−圧縮プロセスの間にそこから排除され、これによって、前記突起部２９と移動又は相互接続層２５との間の電気的接触を確保する。
【０１１９】
熱−圧縮段階において、基本コレクター２３の突起部２９が、等方抵抗性相互接続層２５との接触領域からまばらな泡を排除し、これによって、良好な電気的接触を確保することが注意されるべきである。この方法のみが、アセンブリ内における泡を制限された数にし、さらに、機械的接合の質に対して害を及ぼさない。
【０１２０】
この代替案のアセンブリを最適化し、アセンブリ内における泡の出現をさらに減少するために、中程度の真空下における熱−圧縮を実行することも可能である。
【０１２１】
本発明による方法及びセンサーが、以下に記載するいくつかの利点を有する。
【０１２２】
第一に、実際の相互接続機能と接合機能との間のアンカップリングに圧力を加えることが重要である。そうすることにより、特に、その界面において捕えられて残る傾向があり、導電接着材料を使用する場合における相互接続の欠陥を増加させる泡の消滅又は劇的な減少によって、接合機能とは無関係に相互接続層２５の抵抗挙動の均一性を最適化することが可能となる。この創意、発明力のある方法との関連で、等方導電性相互接続層２５が、接合される前に、少なくとも部分的に重合化され、これによって、光検出器２１との接触においてそのような泡が存在しないことを保証する。熱−圧縮段階の間、いずれの泡が、突起部２９の外側に排除され、リード回路のパッド２３の間において、相互接続層２５とリード回路との間の電気的相互接続に影響を及ぼさず、機械的接着を著しく減少させることもない。
【０１２３】
接合（絶縁）層として修復材料（ｒｅｐａｒａｂｌｅ ｍａｔｅｒｉａｌ）を使用することが考慮されてもよい。この場合、この使用が、適当な溶剤内でその接着特性を失う特定のシリコーンからなされることが可能であり、この溶媒が例えばトリクロロエチレン（ＣＨＣｌ３）から構成されてよい。
【０１２４】
本発明のセンサーにおいては、アノードのピクセライゼーションが存在せず、センサーのバイアス電圧２８から生じる電解の向きの線が、前記センサーを全体的に覆い、これによって、光伝導体の“デッド（ｄｅａｄ）”領域を排除し、これによって、光形成電荷の収率、その結果として、信号対ノイズ比を最大化するために役立つ。これは、光伝導体内において生成される電荷が、電解の向きの線に沿ってアノードによって集められ、“デッド”領域の形成を引き起こし、テーリング（ｔａｉｌｉｎｇ）及びゴースト効果を生じさせる従来技術のセンサーに反する。
【０１２５】
換言すると、本発明のセンサーにおいては、前記センサーのデピクセライゼーション（ｄｅｐｉｘｅｌｉｚａｔｉｏｎ）が存在せず、画像のピクセライゼーションが、センサーによってではなく、信号処理基板（リード回路）の電極のジオメトリーによって、与えられる。
【０１２６】
本発明の前記センサーの関連において、電荷が、等方抵抗性層（相互接続層２５）を用いて直接的に集められる。電極が、光検出器上又は中間の半導体層上に直接的に生成され、高価なフォトリソグラフィープロセスの使用を必要とし、光検出器の性能を低下させる傾向がある従来技術に反する。
【０１２７】
さらに、この抵抗性層２５が、アモルファスシリコン又は他の材料の薄膜から構成されず、単に、接着性ポリマー材料から構成され、簡単な、例えばスクリーン印刷、及び全てのコーティング技術、又はさらに一般的には、粘稠液の薄膜の形成に適したいずれの技術のような安価な技術によって得ることが出来る。
【０１２８】
さらに、相互接続抵抗性層として接着性ポリマー材料を使用することは、通常１００℃未満、又はさらには５０℃未満の低温下において重合化される接着材料を使用するために役立ち、これによって、これが、硬質材料（リード回路のパッド）／軟質材料（接着性ポリマーの層）の接触を含みながら、光伝導体の電気的特性にダメージを与えるリスクを制限し、重合化後においてさえも、結果として生成される層内おけるいくらかの柔軟性を維持し、過度の圧力を加えることなく、リード回路の突起部２９上のその後の熱−圧縮による良好な電気的接触を獲得しそして保証するために役立つ。
【０１２９】
加えて、接着性ポリマー材料といったものの使用により、単独で、低い加圧によって、試験基板上のセンサーの性能を試験することが可能である。
【０１３０】
さらに、柔軟性及び圧縮性ポリマー層を使用することは、センサー及び／又はリード基板の製造に内在する全ての平面性の欠点を許容するために役立つ。
【０１３１】
相互接続層２５を構成する等方性接着材料内に含まれるフィラーに対して、カーボン又は本質的に安定性があり光伝導体２１と化学的に相溶性のある導電ポリマーのような他の導電材料を使用することが可能であることが強調されてもよい。これは、拡散によってセンサーと反応する金属電極材料の使用を回避するために役立つ。
【０１３２】
実際に接合するために絶縁性接着材料を使用することにより、それが、通常１００℃未満、又はさらには５０℃未満の低い重合化温度を有するように、選択されることが可能となり、これは、大きな寸法の部材（数百平方センチメートル）を接合するために特に有利である。実際には、光伝導体２１及びリード回路を構成するシリコンが、同じ熱膨張係数を有さず、これが、高温で接合された場合における熱機械応力、又はダメージさえも生成しうる。さらに、低温重合化が、検出層にダメージを与えるリスクを制限するために役立つ。
【０１３３】
さらに、本発明において、相互接続材料（層２５）が、固体層に堆積され、これは、フォトリソグラフィーによる減法の技術、又はスクリーン若しくはインクジェット印刷による追加法の技術のいずれかによって相互接続材料を離散的に構造化することが必要であって、これらの技術は全て、それぞれの相互接続パッド用の材料の量を制御する必要があり、この制御が、ピクセルステップが、通常、１００マイクロメートル未満となり及び５０マイクロメール未満のステップに対しては実質的に実現不可能となる場合に特に重要となる従来技術と反する。
【０１３４】
上記から、本発明が、電磁放射線を検出するためのシステムの生成、特に、小さなステップ（１００マイクロメートル未満）に対するものであるが、大きなステップに対しても適応可能なシステムの生成に対して、特に使いやすいものであることを立証すると考えられる。
【０１３５】
相互接続（層２５）材料が、固体層に堆積されるという事実に加え、同じ光検出器が、同様に、異なるマトリクスサイズ又はピクセルステップを有し、センサーの個別の作製を必要としない様々なリード回路と共に組み込まれることが出来る。
【０１３６】
上記に記載された本発明が、同様に、半導体材料内におけるイオン化放射線の相互作用によって形成された電荷キャリアを、これらの電荷が正であるか又は負であるかによらず、うまく集めるように適応されることが出来る。記載された形状及び実施例は、負電荷の収集を示すものであるが、本発明が、正電荷の収集にも適応するものであることが理解されうる。
【符号の説明】
【０１３７】
１１ 検出層
１２ リード基板
１３ 導電性パッド
１５ 導電性パッド
１６ 電極
２１ 検出層
２２ 基板
２３ 基本コレクター
２５ 移動層
２６ 接合層
２７ 電極
２８ バイアス電圧
２９ 突起部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁放射線及びイオン化放射線、特にＸ−線又はγ線を検出するデバイスであって、
検出される前記電磁放射線と相互作用することが可能な少なくとも１つの材料から構成され、可動電荷キャリアを解放するためのものであり、前記可動電荷キャリアの移動が電流を発生する検出層（２１）；
前記解放された電荷キャリアの複数の基本コレクター（２３，２９）を備えて提供され、前記基本コレクターが、離散的に分配された基板（２２）；
−電気的導電性のポリマー層から構成され、前記検出層によって解放された前記電荷キャリアを、前記基本コレクターに移動させるのに適しており、前記検出層（２１）に接続されている移動層（２５）；
−前記複数の基本コレクター（２３，２９）及び前記移動層（２５）を接合させるための、絶縁性の接着性接合層（２６）；
を含む電磁放射線及びイオン化放射線を検出するデバイス。
【請求項２】
前記移動層が、接着材料であり、前記接合層（２６）が、絶縁性の接着性ポリマー層から構成されたことを特徴とする請求項１に記載の電磁放射線及びイオン化放射線を検出するデバイス。
【請求項３】
前記移動層（２５）が、連続しており、及び等方抵抗性を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の電磁放射線及びイオン化放射線を検出するデバイス。
【請求項４】
前記移動層（２５）の移動率が、５０％よりも高く、及び特に７５％よりも高く、前記移動率が、
式：（ＲＨ＋ＲＶ＋Ｒｉｎ）／［ＲＨ＋（ＲＶ＋Ｒｉｎ）・（１＋Ｋ）］
によって定義され、
ＲＶは、前記基本コレクター（２３）と実質的に垂直に測定される前記移動層（２５）の抵抗であり；
ＲＨは、前記検出層（２１）と実質的に平行な面を含む方向に測定される前記移動層（２５）の抵抗であり；
Ｒｉｎは、前記基本コレクター（２３）のいずれか１つの“入力インピーダンス”とも呼ばれる入力抵抗であり；
Ｋは、考慮される前記基本コレクターに隣接する基本コレクターの数を表す、４の倍数の数であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電磁放射線及びイオン化放射線を検出するデバイス。
【請求項５】
前記移動層（２５）が、有機物熱可塑性又は熱硬化性材料から構成されたことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電磁放射線及びイオン化放射線を検出するデバイス。
【請求項６】
前記有機物材料が、導電性粒子を組み込む、エポキシ，アクリレート，ポリウレタン及びシリコーンを含む群から選択されたポリマーから構成されたことを特徴とする請求項５に記載の電磁放射線及びイオン化放射線を検出するデバイス。
【請求項７】
前記導電性粒子が、サブミクロンサイズを有し、及びカーボン，金，白金，銀，ニッケル，アルミニウム及び銅を含む群から選択されたことを特徴とする請求項６に記載の電磁放射線及びイオン化放射線を検出するデバイス。
【請求項８】
前記移動層（２５）を構成する前記接着材料が、重合化された場合に、１００未満のショアＤ硬度を有することを特徴とする請求項５から７のいずれか一項に記載の電磁放射線及びイオン化放射線を検出するデバイス。
【請求項９】
前記移動層（２５）が、真性導電性ポリマーを組み込む有機物熱可塑性又は熱硬化性材料から構成されたことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電磁放射線及びイオン化放射線を検出するデバイス。
【請求項１０】
前記有機物材料が、エポキシ，アクリレート，ポリウレタン及びシリコーンを含む群から選択されたポリマーから構成されたことを特徴とする請求項９に記載の電磁放射線及びイオン化放射線を検出するデバイス。
【請求項１１】
前記真性導電性ポリマーが、ポリアニリン，ポリピロール，ポリチオフェンを含む群から選択されたことを特徴とする請求項９又は１０に記載の電磁放射線及びイオン化放射線を検出するデバイス。
【請求項１２】
前記電気的絶縁性の接着性ポリマー層（２６）が、エポキシ，アクリレート及びシリコーンを含む群から選択された材料から構成されたことを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の電磁放射線及びイオン化放射線を検出するデバイス。
【請求項１】
電磁放射線及びイオン化放射線、特にＸ−線又はγ線を検出するデバイスであって、
検出される前記電磁放射線と相互作用することが可能な少なくとも１つの材料から構成され、可動電荷キャリアを解放するためのものであり、前記可動電荷キャリアの移動が電流を発生する検出層（２１）；
前記解放された電荷キャリアの複数の基本コレクター（２３，２９）を備えて提供され、前記基本コレクターが、離散的に分配された基板（２２）；
−電気的導電性のポリマー層から構成され、前記検出層によって解放された前記電荷キャリアを、前記基本コレクターに移動させるのに適しており、前記検出層（２１）に接続されている移動層（２５）；
−前記複数の基本コレクター（２３，２９）及び前記移動層（２５）を接合させるための、絶縁性の接着性接合層（２６）；
を含む電磁放射線及びイオン化放射線を検出するデバイス。
【請求項２】
前記移動層が、接着材料であり、前記接合層（２６）が、絶縁性の接着性ポリマー層から構成されたことを特徴とする請求項１に記載の電磁放射線及びイオン化放射線を検出するデバイス。
【請求項３】
前記移動層（２５）が、連続しており、及び等方抵抗性を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の電磁放射線及びイオン化放射線を検出するデバイス。
【請求項４】
前記移動層（２５）の移動率が、５０％よりも高く、及び特に７５％よりも高く、前記移動率が、
式：（ＲＨ＋ＲＶ＋Ｒｉｎ）／［ＲＨ＋（ＲＶ＋Ｒｉｎ）・（１＋Ｋ）］
によって定義され、
ＲＶは、前記基本コレクター（２３）と実質的に垂直に測定される前記移動層（２５）の抵抗であり；
ＲＨは、前記検出層（２１）と実質的に平行な面を含む方向に測定される前記移動層（２５）の抵抗であり；
Ｒｉｎは、前記基本コレクター（２３）のいずれか１つの“入力インピーダンス”とも呼ばれる入力抵抗であり；
Ｋは、考慮される前記基本コレクターに隣接する基本コレクターの数を表す、４の倍数の数であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電磁放射線及びイオン化放射線を検出するデバイス。
【請求項５】
前記移動層（２５）が、有機物熱可塑性又は熱硬化性材料から構成されたことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電磁放射線及びイオン化放射線を検出するデバイス。
【請求項６】
前記有機物材料が、導電性粒子を組み込む、エポキシ，アクリレート，ポリウレタン及びシリコーンを含む群から選択されたポリマーから構成されたことを特徴とする請求項５に記載の電磁放射線及びイオン化放射線を検出するデバイス。
【請求項７】
前記導電性粒子が、サブミクロンサイズを有し、及びカーボン，金，白金，銀，ニッケル，アルミニウム及び銅を含む群から選択されたことを特徴とする請求項６に記載の電磁放射線及びイオン化放射線を検出するデバイス。
【請求項８】
前記移動層（２５）を構成する前記接着材料が、重合化された場合に、１００未満のショアＤ硬度を有することを特徴とする請求項５から７のいずれか一項に記載の電磁放射線及びイオン化放射線を検出するデバイス。
【請求項９】
前記移動層（２５）が、真性導電性ポリマーを組み込む有機物熱可塑性又は熱硬化性材料から構成されたことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電磁放射線及びイオン化放射線を検出するデバイス。
【請求項１０】
前記有機物材料が、エポキシ，アクリレート，ポリウレタン及びシリコーンを含む群から選択されたポリマーから構成されたことを特徴とする請求項９に記載の電磁放射線及びイオン化放射線を検出するデバイス。
【請求項１１】
前記真性導電性ポリマーが、ポリアニリン，ポリピロール，ポリチオフェンを含む群から選択されたことを特徴とする請求項９又は１０に記載の電磁放射線及びイオン化放射線を検出するデバイス。
【請求項１２】
前記電気的絶縁性の接着性ポリマー層（２６）が、エポキシ，アクリレート及びシリコーンを含む群から選択された材料から構成されたことを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の電磁放射線及びイオン化放射線を検出するデバイス。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００９−１６４６０２（Ｐ２００９−１６４６０２Ａ）
【公開日】平成２１年７月２３日（２００９．７．２３）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２００８−３２４６２６（Ｐ２００８−３２４６２６）
【出願日】平成２０年１２月１９日（２００８．１２．１９）
【出願人】（５９００００５１４）コミツサリア タ レネルジー アトミーク (429)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年７月２３日（２００９．７．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３２４６２６（Ｐ２００８−３２４６２６）
【出願日】平成２０年１２月１９日（２００８．１２．１９）
【出願人】（５９００００５１４）コミツサリア タ レネルジー アトミーク (429)
【Ｆターム（参考）】
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