【課題】性能を落とすことなく小型化が可能なセンサ、太陽電池等の電気素子と、電気素子を容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】柱状体２に、蒸着、或いは半導体の溶融、溶解又はゲル状態の半導体８をコーティングする。その回りに、４本の絶縁線６、例えば糸を縞状に接合したものを巻き付ける。次に１本の絶縁線６をはがして、その跡に銅を蒸着して銅線９を形成する。最後に銅線９に隣接しない絶縁線をはがして、その跡にアルミニウムを蒸着してアルミニウム線１０を形成する。そして銅線９、アルミニウム線１０の間の抵抗値を測ることにより、半導体８に照射している光の強度を知ることができる。４本の絶縁線の太さを調整することにより、銅線９、アルミニウム線１０のそれぞれの直径、及びその間隔を決めることができ、設計とシミュレーションの作業が容易になる。また絶縁線６として細い糸を用いることにより、小型の光センサを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】可視光を検知する光センサチップと赤外線を検知する赤外線センサチップとを備え、より小型化が可能な光半導体装置を提供することにある。
【解決手段】一表面側２ａから入射した可視光を検知するシリコン材料からなる光センサチップ２と、該光センサチップ２の厚み方向に配置され該光センサチップ２の一表面２ａ側から入射して他表面２ｂ側に透過した赤外線を検知する赤外線センサチップ１と、該赤外線センサチップ１を実装するガラスエポキシ樹脂基板（基体）３と、光センサチップ２、赤外線センサチップ１およびガラスエポキシ樹脂基板３の一部を封止する封止樹脂部４と、を有する光半導体装置１０である。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウム単結晶基板とのオーミック性に優れると共に簡便な方法で得ることができる酸化ガリウム単結晶基板用オーミック電極を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶基板上にインジウムからなる電極材を配置し（Ｓ１）、温度200℃程度で電極材を酸化ガリウム単結晶基板の表面上に溶着し（Ｓ２）、その後、温度600℃〜1000℃で少なくとも20分の熱処理を施して酸化ガリウム単結晶基板と電極材との界面部を合金化する（Ｓ３）ことにより酸化ガリウム単結晶基板用オーミック電極を製造する。 （もっと読む）

【課題】高密度化が可能で、実用性の高い金属錯体化合物、電子素子、およびこれを具備するデバイスを提供する。また、当該電子素子を駆動させるのに最適な電子素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】多点吸着することで固体表面に直立して単分子層を形成し、当該単分子層が他の金属イオンと錯形成することで積層化が可能で、かつ、レドックス応答性と光電子移動性とを有することを特徴とする金属錯体化合物である。金属錯体化合物が固体基板上に直立した分子配向をとる単分子層を形成しており、前記単分子層がレドックス応答性と光電子移動性とを有することを特徴とする電子素子である。また、本発明の電子素子を具備することを特徴とするデバイスである。さらに、本発明の電子素子に電位を印加した後、光を照射することで電流を検出する電子素子の駆動方法である。 （もっと読む）

【課題】シリコン・オン・インシュレータ技術を使用して形成した放射線検出器を提供すること。
【解決手段】この放射線検出器は、絶縁基板上に形成され、ＰＮＰＮ構造を有するシリコン層と、このＰＮＰＮ構造上に形成され、ＰＮゲートを有するゲート層とを備える。放射線検出器内の入射放射線に応答してのみ、ラッチアップが生じる。第２の態様は、シリコン・オン・インシュレータＰＮＰＮダイオード構造を備えており、放射線検出器内で入射放射線に応答してのみラッチアップが生じる、放射線検出器である。第３の態様は、絶縁基板上に形成されたシリコン層を備えており、このシリコン層が、ＰＮＰＮ構造とＰＮＰＮ構造の上に形成されたゲート層とを備え、このゲート層がＰＮゲートを備えており、放射線検出器内で入射放射線に応答してのみラッチアップが生じる、シリコン・オン・インシュレータ放射線検出器である。 （もっと読む）

【課題】 感度が高く、色分離能に優れ、偽色のない撮像素子及び受光素子を提供する。
【解決手段】 第１の波長域の光を検出する第１の受光部１０１と第２の波長域の光を検出する第２の受光部１０２を有した撮像素子であって、入射光の内の少なくとも一部の光が第１の受光部１０１を透過後に第２の受光部１０２で受光されるように構成されており、第１の波長域の中心波長が第２の中心波長よりも長いことを特徴とする。 （もっと読む）