説明

Fターム[5F088KA08]の内容

受光素子−共通事項、放射線検出 (20,668) | 周辺回路 (670) | 読出し回路 (275)

Fターム[5F088KA08]に分類される特許

1 - 20 / 275


【課題】センサ部での光の利用効率の低下を防止することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】互いに交差して配設された複数の走査配線及び複数の信号配線の各交差部と、2次元状に配列された複数のセンサ部であって、各々が、検出対象とする画像を示す電磁波が照射されることにより電荷が発生する半導体層、半導体層の電磁波が照射される照射面側に電磁波に対して透過性を有する導電性部材により形成され、半導体層に対してバイアス電圧を印加する第1電極、及び半導体層の電磁波に対する非照射面側に形成され、半導体層に発生した電荷を収集する第2電極を備えた複数のセンサ部と、センサ部よりも電磁波の下流側に形成され、各々コンタクトホールを介して第1電極に接続されてバイアス電圧を供給する共通電極配線と、走査配線と、信号配線及び共通電極配線との間に形成されている第1の絶縁膜と、を備え、信号配線及び共通電極配線は同層に形成。 (もっと読む)


【課題】本発明は上記問題点を解決するために成されたものであり、光電変換素子の静電破壊を防止することができると共に、導電体を任意の電圧に設定することができる、光電変換基板、放射線検出器、及び放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】基板1上に形成されたTFTスイッチ4及びセンサ部103の上面が平坦化層18により平坦化されており、当該平坦化層18の略全面に帯電防止機能を有する導電膜30が形成されている。導電膜30は、接続配線52と一体的に形成されており、切替部54に接続されている。また、切替部54は、制御装置106から入力される制御信号に応じて、接続配線52の接続先を、バイアス電源110、内部電源56、及びグランドのいずれかに切り替える。光電変換基板60の上には、シンチレータ70が形成されており、シンチレータ70は、光電変換基板60に近い方から非柱状部71及び柱状部72を備えている。 (もっと読む)


【課題】低フラックスを用いている間のノイズレベルを減少することを可能にするような検出回路を提供する。
【解決手段】ソースフォロワ検出器型の検出回路は、結合ノードNに接続されたフォトダイオード1を備える。バイアス回路3は、逆バイアスである第1の状態とフローティングである第2の状態との間にフォトダイオード1をバイアスすることを可能にする。読み出し回路4は、結合ノードNに接続され、フォトダイオード1により測定された現状を示す信号を生成する。金属シールド5は結合ノードNの周りに配置される。金属シールド5は、読み出し回路4の出力に接続され、結合ノードNの電位と同じ方向に変動する電位を持つように構成される。 (もっと読む)


【課題】回路層に対するIa族元素の拡散を防止しながら光電変換効率を向上する。
【解決手段】回路層20は、基板10の面上に形成されてトランジスター12を含む。光電変換素子14は、第1電極41および第2電極42との間に介在するカルコパイライト型半導体の光電変換層43を含む。供給層34は、回路層20と光電変換層43との間に形成されてIa族元素を含む。光電変換層43に対するIa族元素の拡散で光電変換効率が向上する。保護層32は、供給層34と回路層20との間に形成されて回路層20に対するIa族元素の拡散を防止する。 (もっと読む)


【課題】放射線を短時間で精度よく検出することができる放射線検出装置を提供する。
【解決手段】放射線検出素子10は、予め定めた放射線検出領域に均一に配置され、被写体に照射された放射線を検出し、検出した放射線に応じた画像用電気信号をスイッチング素子を介して信号配線に出力する複数のフォトダイオード12Aと、前記画像用放射線検出素子の一部を分割した放射線検出素子であると共に予め定めた繰り返しパターンで配置され、前記被写体に照射された放射線を検出し、検出した放射線に応じたモニタ用電気信号を配線に直接出力する複数のフォトダイオード12Bと、を備える。 (もっと読む)


【課題】波長が0.7μmから3μm程度までの近赤外〜赤外域に、高感度で、高品位の受光信号を得ることができる受光装置等を提供する。
【解決手段】InP基板1の裏面において、画素に対応する領域ごとに位置するマイクロレンズ21を備え、マイクロレンズが、波長0.7μm〜3μmの光に対する透過率のレンジが25%以下で、かつ該透過率が70%以上である樹脂材料で形成されている。 (もっと読む)


【課題】
単板式の積層型の撮像素子に含まれる有機光電変換膜の劣化を抑制することにより、量子効率の改善を図った撮像素子の製造方法、及び、撮像素子を提供することを課題とする。
【解決手段】
撮像素子の製造方法は、基板の上に第1波長の光に感度を有する第1受光部を形成する工程と、前記第1受光部の上に紫外線を吸収する第1紫外線吸収部を形成する工程と、前記第1紫外線吸収部の上に第2波長の光に感度を有する第2受光部を形成する工程と、前記第2受光部の上に紫外線を吸収する第2紫外線吸収部を形成する工程と、前記第2紫外線吸収部の上に第3波長の光に感度を有する第3受光部を形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】アレイ基板上の金属配線露出部での水分の関与による腐食反応を防止すると共に、アレイ基板カット面とFPCの擦れによる断線を防止し、高温高湿下や結露状態などの環境負荷が大きい状態においても高い信頼性を確保した放射線検出器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコーン樹脂をアレイ基板12/FPC47の隙間に塗布形成して絶縁防湿被覆53とする。また、シリコーン樹脂をアレイ基板12/FPC47の隙間だけでなく、接着されたALハットからなる防湿層15の鍔部15a端部まで同時に塗布形成して絶縁防湿被覆55とする。 (もっと読む)


【課題】装置が大型化するのを抑制しつつ、照射された放射線量に応じて精度良く、増幅率の設定ができる、放射線画像撮影装置、放射線画像撮影プログラム、及び放射線画像撮影方法を提供する。
【解決手段】放射線が照射されると、当該放射線に応じて発生した電荷の電荷蓄積期間に放射線検出用の画素20Bから出力された電気信号に基づいて、制御部106が信号検出回路105の増幅回路50の増幅率を決定し、決定した増幅率を増幅回路50に対して設定することにより、増幅回路50の増幅率を制御する。放射線検出素子10の信号検出回路105では、当該電荷蓄積期間に蓄積された電荷に応じた電気信号が、設定された増幅率により増幅回路50で増幅され、ADC54によりデジタル信号に変換されて制御部106へ出力される。 (もっと読む)


【課題】画素毎のバンプが増加してもフリップチップボンディングを適切に行うことができる赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】複数の画素が配列した赤外線イメージセンサ100と、赤外線イメージセンサ100から信号を読み出す読み出し回路300と、赤外線イメージセンサ100と読み出し回路300との間に設けられた中継部材200と、が設けられている。複数の画素の各々には、互いに相違する波長の赤外線を吸収する複数の吸収層106、110と、複数の吸収層にバイアスを印加するバイアスバンプ159と、複数の吸収層毎に設けられた出力バンプ157、158と、が設けられている。出力バンプは、読み出し回路に設けられた入力バンプ302、303に接続され、バイアスバンプは、読み出し回路に設けられたバイアス供給バンプ304に、中継部材に設けられた中継配線207を介して接続されている。 (もっと読む)


【課題】欠陥画素が選択された場合であっても、正しい受光信号を得ることが可能な受光装置を提供する。
【解決手段】複数のマイクロレンズが配列されたマイクロレンズアレイ4と、各マイクロレンズを通過した被写体光をそれぞれ複数の受光素子で受光するように受光素子が配列された受光素子アレイ5と、複数のマイクロレンズの各々に対応する受光素子アレイ5上の有効領域のうち、欠陥画素を含む有効領域について、当該欠陥画素の位置に応じて第1の補間演算と第2の補間演算とのうちいずれか一方の補間演算を行う補間部18とを備える受光装置8。 (もっと読む)


【課題】コンパクトな設計が可能な光センサを提供する。
【解決手段】複数の光センサ画素がマトリクス状に配置された光センサアレイと、前記光センサアレイの下側に配置されたバックライトとを備え、前記光センサアレイは、表面遮光膜(例えば、Al膜)を有し、前記表面遮光膜は、前記各光センサ画素に被写体からの光が入射される入射孔と、前記入射孔の周囲に設けられ前記バックライトからの照射光を前記被写体に照射する通過孔とを有する。前記バックライトは、導光板と、前記導光板の側面に配置される光源とを有する。前記導光板の前記光センサアレイと反対側の面に配置される反射膜を有する。前記バックライトは、導光板と、前記導光板の前記光センサアレイと反対側の面に配置される光源とを有する。前記導光板の前記光センサアレイ側の面に配置される複数の光学シート類を有する。 (もっと読む)


【課題】電荷変換層の劣化を抑制すると共に、放射線検出器の製造最終工程まで、電荷変換層へバイアス電圧を印加するための電線が邪魔にならないようにする。
【解決手段】延長電極部431は、ガラス基板408上の光導電層の無い領域で、高電圧線432と電気的に接続されており、延長電極部431からバイアス電極401を介して光導電層404へバイアス電圧が印加される。このため、光導電層404へ付与される圧力が軽減され、光導電層404の劣化を抑制できる。また、高電圧線432と延長電極部431との接続が、ピン456及びプラグ446により行われるので、放射線検出器400の製造最終工程で、高電圧線432と延長電極部431とを接続することができ、放射線検出器400の製造最終工程まで、光導電層404へバイアス電圧を印加するための高電圧線432が邪魔とならない。 (もっと読む)


【課題】量子井戸型光検知器において、光吸収効率を向上させ、十分な感度が得られるようにする。
【解決手段】量子井戸型光検知器を、多重量子井戸層5,6と、多重量子井戸層を挟むコンタクト層7〜9とを備える複数の光検知素子3を備え、各光検知素子が、一方の表面が多重量子井戸層に対して平行な面になっており、一方の表面に対して多重量子井戸層及びコンタクト層を挟んで反対側の他方の表面が多重量子井戸層に対して傾斜した傾斜面20になっており、一方の表面及び傾斜面に入射する入射光が屈折する側の側面に反射膜10を備えるものとする。 (もっと読む)


【課題】従来よりも感度、応答性に優れた有機材料から構成された光電変換材料層を備えた光電変換素子を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換素子は、(a−1)離間して設けられた第1電極21及び第2電極22、並びに、(a−2)第1電極21と第2電極22との間に設けられた光電変換材料層30を備え、光電変換材料層30は、以下の構造式(1)で表されるジオキサアンタントレン系化合物から成る。
(もっと読む)


【課題】 量子ドット型赤外線検知素子及び量子ドット型赤外線撮像装置に関し、量子ドット層の層数が制限される制約のなかで光電流を増加させる。
【解決手段】 複数の量子ドットからなる量子ドット層と前記量子ドット層を挟み込むとともに前記量子ドットよりバンドギャップが広い中間層からなる積層構造を複数積層した量子ドット積層構造と上下の電極形成層との間にスペーサ層を設ける。 (もっと読む)


【課題】混色の発生等を防止し、撮像画像の画像品質が低下するなどの不具合の発生を抑制する。
【解決手段】複数の画素Pに対応して形成されたカルコパイライト光電変換膜13の間においてポテンシャル障壁になるように、画素分離部PBを、ドーピングの濃度制御または組成制御がされた化合物半導体によって形成する。 (もっと読む)


【課題】高温熱処理後における性能劣化を防止し、かつ、高い性能を得ることのできる光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極(画素電極6、対向電極10)と、画素電極6及び対向電極10の間に設けられた有機化合物を含む光電変換層9と、光電変換層9と画素電極6との間に設けられた電荷ブロッキング層7とを有する有機光電変換素子Pであって、光電変換層9と電荷ブロッキング層7との間に設けられ、ガラス転移温度が200℃以上の有機化合物で構成された中間層8を備える。 (もっと読む)


【課題】光電気フレキシブル配線モジュールの低コスト化及び高信頼化を実現する。
【解決手段】光電気フレキシブル配線モジュールであって、電気配線120及び該電気配線120を外部に電気接続するための第1の電気接続端子130を有するフレキシブル配線板100と、光配線路250、電気配線220及び該電気配線220を外部に電気接続するための第2の電気接続端子230を有し、フレキシブル配線板100の一部の領域に搭載された光電気フレキシブル配線板200と、光電気フレキシブル配線板200上に搭載され、該配線板200の電気配線220に電気的に接続され、且つ光配線路250に光結合された光半導体素子280と、第1の電気接続端子130と第2の電気接続端子230との間に設けられ、各々の電気接続端子130,230を電気接続する導電性の接続部材と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】接合バンプを用いたフリップチップ実装する製品において、配線基板等に反り等があっても、接続不良をなくし、かつ容易にアラインメントをとることができる、実装製品の製造方法等を提供することを目的とする。
【解決手段】フォトダイオードアレイの電極11とROIC50の電極71とが、接合バンプ79,9を介在させて接合された実装製品の製造において、ROICの電極71に接合バンプ79を形成する工程と、ROICの全体の接合バンプ79を化学機械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)する工程とを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


1 - 20 / 275