【課題】アノードになる電極とカソードになる電極を確定できる光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１の半導体層１０に凸層１１を形成する。導電層４０を凸層１１の一側面に接触するようにして半導体層１０の表面に積層する。第１電極２１を凸層１１の反対側の面に接触するようにして半導体層１０の表面に設ける。第２電極２２を導電層４０に設ける。更に、凸層１１又は導電層４０に多数の周期構造３３を含む金属ナノ構造３０を積層する。各周期構造３３は複数の第１凸部３１からなり、第１凸部３１の配置間隔が周期構造３３に応じて異なる。 （もっと読む）

【課題】赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法の提供。
【解決手段】主に本発明の赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法は、熱影像モジュール規格設計、エピタキシャルと光学物性検証を含み、先ずエピタキシャルパラメーターの校正を行う。単乙型感知部品製造工程と変温光電量測定検証を行い、これによりエピタキシャルは感知部品の低温変温と変圧測定校正を完成する。焦平面アレー製造工程とその光電均一度の検証を行い、暗電流均一度テストを行う。焦平面アレーと信号読み出し集積回路の接着と研磨製造工程検証を行い、感知モジュールと信号読み出し集積回路間にインジウム接着を行い光電信号を転換する。熱影像品質統合テスト検証を行い、最適駆動と制御出力パラメーター分析と測定を調整する。熱影像アレーモジュール雛形を継続して行い、インジウム柱接合方式を利用し、焦平面感知アレーと接合し、影像感知アレーモジュール雛形を完成することができる。 （もっと読む）

【課題】 正確な軟Ｘ線の検出を行うことを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る軟Ｘ線検出装置１００は半導体基板２を有する。半導体基板２には複数の検出ユニット１が配され、それぞれの検出ユニット１は変換部３と回路部４とを含む。変換部３は例えばフォトダイオードである。変換部３では軟Ｘ線によって発生した電荷が収集される。回路部４には例えば第１導電型（Ｎチャネル型）の増幅トランジスタ６が配される。増幅トランジスタ６は、変換部３からの信号を増幅して出力する増幅部である。隣接する変換部３の間には第１導電型のトランジスタが配されない。あるいは、隣接する検出ユニットに含まれるトランジスタが、互いに近接して配される。 （もっと読む）

【課題】複数の不良画素が存在する場合であっても、簡易な冗長化プロセスで、不良画素が存在する領域に実際に入射する光に基づく情報が得られるようにし、不良画素による画像情報の欠落を防止して、歩留まりを向上させる。
【解決手段】イメージセンサ１を、同一波長に感度を持ち、かつ、入射光の向きに対して感度が異なる２つのフォトディテクタ７Ａ、７Ｂを有する複数の画素８を備えるセンサアレイ４と、複数の画素の中の少なくとも一の画素に対応する位置に設けられ、入射光を周囲の画素に散乱させる散乱体９とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】光電変換特性の劣化を回避する裏面照射型のＣＭＯＳ型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子１１は、光電変換部２３が内部に形成された半導体基板の上方に層間絶縁膜２２を介して積層された光電変換層２３を備え、その光電変換層２３は、絶縁膜５１により側面が絶縁された下部電極５２ｂと、下部電極に積層された光電変換膜５３と、下部電極５２ｂとの間で光電変換膜５３を挟み込む上部電極５４とを有して構成される。そして、下部電極５２ｂの上面が絶縁膜５１の上面よりも低く形成された凹構造を有している。 （もっと読む）

【課題】 信号電荷の収集効率を向上する。
【解決手段】 半導体基板の表面１０００の第１区域１００１の下に設けられた第１半導体領域１３１と、表面１０００の第２区域１００２の下に設けられ、接続部３００に接続された第２半導体領域１３２と、表面１０００の第１区域１００１と第２区域１００２との間の第３区域１００３の下に設けられた第３半導体領域１３３とを有するエネルギー線変換装置の製造方法において、
第１半導体領域１３１及び第３半導体領域１３１を、第１区域１００１及び第３区域１００３を覆い、且つ、第３区域１００３を覆う部分２０３の厚さが第１区域１００１を覆う部分２０１の厚さよりも薄い緩衝膜２００を介して、半導体基板１００にイオン注入を行うことによって形成する。 （もっと読む）

【課題】赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法の提供。
【解決手段】主に本発明の赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法は、熱影像モジュール規格設計、エピタキシャルと光学物性検証を含み、先ずエピタキシャルパラメーターの校正を行う。単乙型感知部品製造工程と変温光電量測定検証を行い、これによりエピタキシャルは感知部品の低温変温と変圧測定校正を完成する。焦平面アレー製造工程とその光電均一度の検証を行い、暗電流均一度テストを行う。焦平面アレーと信号読み出し集積回路の接着と研磨製造工程検証を行い、感知モジュールと信号読み出し集積回路間にインジウム接着を行い光電信号を転換する。熱影像品質統合テスト検証を行い、最適駆動と制御出力パラメーター分析と測定を調整する。熱影像アレーモジュール雛形を継続して行い、インジウム柱接合方式を利用し、焦平面感知アレーと接合し、影像感知アレーモジュール雛形を完成することができる。 （もっと読む）

【課題】近赤外域〜遠赤外域にわたって高い受光感度を持ち、製造が容易であり、安定して高品質が得られる、受光デバイス、半導体エピタキシャルウエハ、これらの製造方法、および検出装置を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板と、ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板の上に位置し、（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）が繰り返し積層された多重量子井戸構造の受光層３とを備え、ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板がＩｎＡｓ基板１であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ローリングシャッタ的雑音を低減した高性能なグローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】二次元状に配置された複数の単位画素セルを備え、グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置であって、前記複数の単位画素セル２３のそれぞれは、半導体基板の上方に形成され、入射光を信号電荷に変換する光電変換膜１６と、前記光電変換膜の前記半導体基板側の面に形成された画素電極１５と、前記半導体基板上に形成され、グローバルシャッタによって前記光電変換膜１６から転送された信号電荷を蓄積するグローバル電荷蓄積拡散層７とを備え、前記グローバルシャッタは前記複数の単位セルにおいて同時に光電変換膜１６からグ信号電荷を転送することであり、前記画素電極１５は、遮光性を有する金属で形成される。 （もっと読む）

【課題】基板と基板との突き合わせ接続時に、２つの基板の間の相対的な位置がずれていても、２つの基板が電気的に接続される基板の接続構造を提供する。
【解決手段】本明細書に開示する基板の接続構造は、複数の第１電極１５が配置された第１電極面１２を有する第１基板１１と、複数の第２電極１６が配置された第２電極面１４を有し、第２電極面１４が第１電極面１２と対向する第２基板１３と、を備え、複数の第２電極１６それぞれは、第２電極面１４の中心Ｃ２を除いて、第１電極１５と対向する第２電極面１４上の位置に対して、第２電極面の中心Ｃ２とは反対の方向にずれて配置されており、複数の第２電極１６それぞれは、対向する第１電極１５とバンプ１７を介して電気的に接続している。 （もっと読む）

【課題】駆動回路や電極に影響を及ぼすことなく、この上部に結晶性に優れた半導体薄膜からなる光電変換部を積層形成することが可能な固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板２１上に光電変換部となる半導体薄膜２３を成膜する。第２基板２１の表面側にトランジスタＴｒや画素電極４３を含む駆動回路を形成する。駆動回路に半導体薄膜を接続する状態で、第１基板２１と第２基板３１とを対向配置して張り合わせる。第２基板３１側に半導体薄膜２３を残す状態で、半導体薄膜２３から第１基板２１を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体層の表面から貫通孔絶縁層が後退した場合においても、半導体層と貫通電極との絶縁性を確保する。
【解決手段】貫通孔６には、貫通孔絶縁層７、８を介して貫通電極９が埋め込まれ、貫通孔絶縁層７、８は、半導体層３の表面から後退するようにして形成され、半導体層３と貫通電極９との間には、貫通孔絶縁層７、８の後退部分の対応した凹部１０が形成され、貫通電極９の側壁には、凹部１０に埋め込まれたサイドウォール絶縁膜１２が形成される。 （もっと読む）

【課題】赤外線撮像装置の分解能を向上することができる赤外線イメージセンサ及び赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】赤外線イメージセンサ１１には、複数個の第１の画素１ａが配列した第１の赤外線検知層１と、第１の赤外線検知層１上方に形成され、複数個の第２の画素２ａが配列した第２の赤外線検知層２と、複数個の第１の画素１ａの各々から信号を出力する第１の出力部３と、複数個の第２の画素２ａの各々から信号を出力する第２の出力部４と、が設けられている。平面視で、複数個の第２の画素２ａの配列が、複数個の第１の画素１ａの配列からずれている。 （もっと読む）

【課題】画素サイズの微細化を実現するとともに、高感度、低混色及び高画質を実現することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光が入射する第１面、及び、第１面と反対側の第２面を有する層であって、第１面から入射した光を光電変換する複数のフォトダイオード２０３、複数のフォトダイオード２０３を分離する分離部２０４、及び、フォトダイオード２０３で生成された信号電荷を検出するトランジスタ２００を含む半導体層２０２と、第２面側に形成され、多層配線２０１を含む配線層２０１０と、第１面上に形成された層であって、分離部２０４に向けて入射してくる光を吸収する吸収部２０８を含む吸収層２０８０と、吸収層２０８０上に複数のフォトダイオード２０３のそれぞれに対応して形成され、隙間２０９によって隔てられたカラーフィルタ２１０ａ〜２１０ｃとを備える。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する。
【解決手段】第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する種結晶を絶縁膜上に形成した後、第２の条件により混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋めるように、種結晶上に第１の微結晶半導体膜を形成し、第１の微結晶半導体膜上に、第１の微結晶半導体膜に含まれる混相粒の隙間を広げず、且つ結晶性の高い微結晶半導体膜を成膜する第３の条件で第２の微結晶半導体膜を積層形成する。 （もっと読む）

【課題】 素子が微細化されても、確実な電気的接続を行うことが可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、複数の光電変換部が配された第１の基板と、複数の読み出し回路が配された第２の基板と、を有する固体撮像装置であって、第１の基板に配され、各々が電気的に分離された複数の第１の導電パターンと、第２の基板に配され、各々が電気的に分離された複数の第２の導電パターンと、を有し、第１の導電パターンは、第１の方向に延在する第１の部分パターンを有し、第２の導電パターンは、第１の方向とは異なる第２の方向に延在する部分パターンを有し、第１の部分パターンの第１の方向に延在する長さは、第１の部分パターンの第２の方向の長さよりも長いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】散乱光による画像のぼやけを抑制するイメージセンサ及び撮像装置を提供する。
【解決手段】結像面４２に垂直な光電界成分より前記結像面に並行な光電界成分に弱く応答する第１光検出器３８と、前記第１光検出器の一面に設けられ且つ応答の偏波依存性が前記第１光検出器より小さい第２光検出器４０とを有する画素と、前記第１光検出器の出力信号に基づく第１画素信号と、前記第２光検出器の出力信号に基づく第２画素信号とを前記画素から読み出す周辺回路部を備える。 （もっと読む）

【課題】放射線撮像のための撮像素子が画像セルの配列を具備する撮像素子を提供する。
【解決手段】画像セル配列は、瞬間的な放射線（１４）に応答して電荷を発生させる検出器セル（１８）の配列と画像セル回路の配列とを含んでいる。各画像セル回路はそれぞれの検出器セルと関連している。画像セル回路は、関連する検出器セルに入射する複数の放射線ヒットを計数するための計数回路を具備している。好ましくは、画像セル回路は、関連する検出器セルで発生し入射放射線エネルギーに依存した値を有している信号を受容するように接続されたしきい値回路を具備している。所定のエネルギー範囲内の放射線ヒットのみを計数するため計数回路はしきい値回路に接続されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン層に結晶欠陥が生じて画素特性が悪化を抑制する固体撮像装置とその製造方法並びにカメラを提供する。
【解決手段】半導体基板の複数の画素が集積されてなる受光面の画素ごとに区分されたフォトダイオードと、フォトダイオードに生成及び蓄積される信号電荷または信号電荷に応じた電圧を読み取る信号読み取り部を有し、フォトダイオードは、半導体基板１０に形成された第１導電型の第１半導体層１３と、第１半導体層上に半導体基板に対して凸状に形成され、半導体基板の表面と平行な面における断面の面積が半導体基板から遠くなるにつれて小さくなる形状を有する第１導電型の第２半導体層２４ａと、第２半導体層の表面に形成された第２導電型の第３半導体層２５とを有し、第２半導体層及び第３半導体層が信号読み取り部の転送ゲート電極２２ａから離間して形成されている構成とする。 （もっと読む）

【課題】画素信号に大きな変化が発生した場合に、現実の画像の変化であるか雑音に起因する変化であるかを判定可能な信号を出力する簡単な回路構成のイメージセンサの実現。
【解決手段】複数のセンサ素子24と、検出信号を読み出す読出回路と、を備えるイメージセンサであって、読出回路は、蓄積容量C1と、サンプルホールド容量C2と、センサ素子と蓄積容量の間の第１入力ゲート回路Tr5と、蓄積容量とS/H容量C2の間のスイッチS/Hと、センサ素子とS/H容量の間に設けられた第２入力ゲートTr8と、を備え、各センサ素子に対応して設けられた複数の画素回路21と、信号を読み出すスキャン回路と、を備え、スキャン回路は、Tr5を介してC1に蓄積したセンサ素子24の検出信号をスイッチS/Hを介してS/H容量に転送した信号の読み出しを行う第１スキャン動作と、Tr8を介してS/H容量に蓄積した検出信号の読み出しを行う第２スキャン動作と、を実行する。 （もっと読む）