【課題】
放射線を測定するための容量センサデバイスを提供する。
【解決手段】
デバイスは２つのセンサ領域および上部プレート構造を含む。センサ領域は、放射線がその材料に当たると電子−正孔対を生成する材料から成る。２つのセンサ領域の間に分離領域が配置される。センサ領域と上部プレートとの間のキャパシタンスはセンサ領域に当たる放射線に応じて決まる。遮断構造が、放射線の選択された入射角において他方のセンサ領域内の電子−正孔対生成に対してとは異なるように一方のセンサ領域の電子−正孔対生成に影響を与えるように、或る範囲内のパラメータ値を有する放射線をセンサ領域から選択的にかつ異なって遮断する。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器から出力される電気信号に対する電磁気ノイズの影響を防止し、高品質な放射線画像を撮影可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線検出器４２とＡＳＩＣ４４の間に第１導電性ゲル８０を配置し、ＡＳＩＣ４４と冷却ジャケット８４との間に第２導電性ゲル８２を配置することでＡＳＩＣ４４を囲繞する。これにより、ＡＳＩＣ４４からの電磁気ノイズが遮蔽され、この電磁気ノイズが放射線検出器４２に伝搬することがない。このため、放射線検出器４２から出力されたアナログ信号に対する前記電磁気ノイズの影響を防止し、高品質な放射線画像が撮影可能となる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で製造コストを低減できる光電変換素子及びその製造方法を提案する。
【解決手段】ｐｎ接合を設けなくとも、ＣｏＳｉ_ｘからなる光電変換膜３の正極４の近傍付近に光Ｌを照射することにより光誘起電流を発生させることができるので、従来のようなｐｎ接合を形成する複雑な製造プロセスを省くことができ、当該ｐｎ接合等の各種構成が不要な分だけ、簡易な構成で製造コストを低減できる。また、キャリアの移動経路をデバイス表面に制限でき、散乱や伝送損失を低減化し、高速なキャリアを利用した高周波デバイスができる。 （もっと読む）

【課題】波長可変カーボンナノチューブ素子に関し、一本のカーボンナノチューブに対して純粋な引っ張り応力の印加が可能な数ｍｍ以下のサイズの小型デバイスを実現する。
【解決手段】少なくとも一方の端部が開放された間隙４を介して対向するとともに、間隙４を架橋する孤立したカーボンナノチューブ６を設けた１対の支持要素部材２からなる支持部材１を圧電素子１０の伸縮方向に沿った面に支持する。 （もっと読む）

【課題】 寿命を長寿命化でき、しかも安定な出力画像を継続して得られる放射線検出器を提供する。
【解決手段】 この発明の放射線検出器１は、外部から入射した放射線を電気信号に変換するハロゲン化合物を主成分とする光導電層１１と、画素電極とスイッチング素子とが二次元的に複数配列された回路基板２１とを有し、回路基板と対向する側の前記光導電層の光導電膜表面に上部電極が形成されているものにおいて、画素電極と光導電膜との界面に、タンタル、ニオブ、バナジウム、チタン、ジルコニウム、もしくはハフニウムの任意の１つ以上の材質と窒化物、または炭化物、もしくは酸化物とを主成分とする膜を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】長又は短波長光子に対し透過性であり、シリコンウェハ（６）又はチップのようなシリコンの光子感知層の裏側に取り付けられた、低抵抗率即ち電気伝導性のシリコン層の組み合わせを提供する。
【解決手段】ウィンドウがフォトダイオード、電荷結合素子、活性ピクセルセンサー、低エネルギーＸ線センサー、及び他の放射検出器のような光子感知シリコンデバイスに設けられる。シリコンウィンドウは、光子が、前側にプリントされた回路から妨害されることなく、裏側からデバイスを照射できるように、感光シリコンウェハ又はチップの裏側（１０）に設けられる。電荷キャリアの高抵抗率感光シリコン容積を完全に空乏化するに十分な電圧が、低抵抗率裏側ウィンドウと、デバイスのパターン付けされた前側との間に掛けられる。 （もっと読む）

Ｓｉ基板２上に、ＳｉＯ_２層（３）、Ｔｉ層（４）、Ｐｔ層（５）、ＰＬＺＴ層（６）及びＩｒＯ_２層（７）が順次形成されている。上部電極として機能するＩｒＯ_２層（７）の厚さは１００ｎｍ程度である。ＩｒＯ_２層（７）の導電率は、従来、上部電極として使用されているＰｔ等のそれよりも低く、その表皮深さは、Ｐｔ等のそれよりも深いため、１００ｎｍ程度の厚さであっても、十分な感度が得られる。
（もっと読む）