【課題】信号書き込み時間が長くなることを防ぎながら、信号振幅値が大きく、かつ、入出力関係が線形で動作する範囲を大きくすることが出来る半導体装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】増幅用トランジスタ及びバイアス用トランジスタを有する半導体装置において、放電用トランジスタを設けて、プリ放電を行う。または、増幅用トランジスタ及びバイアス用トランジスタを有する半導体装置において、バイアス用トランジスタに接続されたバイアス側電源線の電位を、増幅用トランジスタに接続された増幅側電源線の電位に近づけることにより、プリ放電を行う。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の高画質化を実現することが可能な撮像装置、およびそのような撮像装置を備えた撮像表示システムを提供する。
【解決手段】撮像装置は、各々が光電変換素子を含む複数の画素を有する撮像部と、画素内に蓄積された信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動を行う駆動部とを備える。駆動部は、読み出された信号電荷を電圧に変換するチャージアンプ回路を有し、リセット駆動を１フレーム期間内で間欠的に複数回行い、かつ１フレーム期間内の各リセット駆動を、チャージアンプ回路におけるチャージアンプの帰還または仮想短絡現象を利用して行う。各画素において光電変換がなされ、信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動がなされ、入射光に基づく撮像画像が得られる。読み出し後の信号電荷の残留に起因するノイズを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】撮影状況や製造課題に対応した積層型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】第１のリセットトランジスタを備えた第１の画素と、第２のリセットトランジスタを備えた第２の画素とが形成された半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された配線層と、前記配線層の上に形成され、前記第１のリセットトランジスタのソースに電気的に接続された第１の下部電極と、前記配線層の上に形成され、前記第２のリセットトランジスタのソースに電気的に接続された第２の下部電極と、前記第１の下部電極および前記第２の下部電極の上に形成された光電変換膜と、前記光電変換膜の上に形成され、上部電極電位が印加される透明な上部電極とを備え、前記第１のリセットトランジスタのドレインにかける第１のリセット電位と前記第２のリセットトランジスタのドレインにかける第２のリセット電位とが異なることを特徴とする固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】色分離が良好であり、かつ、高い感度を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】表面側が回路形成面とされた半導体層１１と、半導体層１１内に積層されて形成された２層以上の光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２と、ゲート電極２１が半導体層１１の表面１５から内部に埋め込まれて形成された、縦型トランジスタＴｒ１とを含み、２層以上のうちの１層の光電変換部ＰＤ１は、縦型トランジスタＴｒ１のゲート電極２１の半導体層１１に埋め込まれた部分２１Ａにまでわたって形成され、縦型トランジスタＴｒ１によって形成されるチャネルに接続されている固体撮像装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】有機撮像素子において残像を低減する。
【解決手段】有機撮像素子１は、基板１０上に複数の画素部１００を有し、基板１０の光入射側の表面に、層間絶縁層２０を介して形成され、画素部１００毎に分離して形成され信号読み出し回路１０１と電気的に接続された複数の画素電極４０と、複数の画素電極４０上に連続膜状に配された光機能層５０と、光機能層５０の上に配された、複数の画素部１００に共有される対向電極６０と、層間絶縁層２０内に、複数の金属配線部分３２からなる金属配線層を少なくとも一層含む。光機能層５０は、有機材料を含む光電変換層を含み、画素電極４０に最も近い金属配線層３２Ｔは、複数の画素電極４０下にはそれぞれ金属配線部分３２を有し、金属配線部分同士の間隙３２ｗが、画素電極同士の間隙Ｇ下に存在するように形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】色再現性に優れる多層型撮像素子を提供する。
【解決手段】第１透明電極に積層される第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜の上に配設される第２の信号読み出し部と、第２の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第２の波長の光に感度を有する第２光電変換膜と、第２光電変換膜に積層される第２透明電極と、第２透明電極に積層される第２層間絶縁膜と、第２層間絶縁膜の上に配設される第３の信号読み出し部と、第３の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第３の波長の光に感度を有する第３光電変換膜と、第３光電変換膜に積層される第３透明電極と、第１光電変換膜、第２光電変換膜、及び第３光電変換膜を画素毎に隔離する第１隔壁とを備え、前記第１の信号読み出し部、前記第２の信号読み出し部、及び前記第３の信号読み出し部は、それぞれ複数の画素が２次元方向に配置された画素アレイの各画素の信号読み出し部を形成している。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の高い固体撮像素子を提供する。
【解決手段】本発明は、信号読出し回路を有する基板に、画素電極となる下部電極と、下部電極上に形成され、受光した光に応じて電荷を生成する有機光電変換膜と、上部透明電極とが形成された固体撮像素子である。有機光電変換膜において、下部電極が形成された画素電極領域に対応する有機光電変換膜の領域に対して、膜厚および膜質の少なくとも一方が遷移している遷移領域は、有機光電変換膜の外端から２００μｍ以下の領域である。 （もっと読む）

【課題】撮像素子基板上に集光機能を有するカラーフィルタを効率的に作製する。
【解決手段】撮像素子基板20上に、光電変換素子毎に対応する開口22aを有する格子状の分離壁22を形成し、その開口２２aにカラーレジスト42を塗布、露光および現像してカラーフィルタを作製する。カラーレジスト42の露光は、所定のマスク開口52を有するフォトマスク50を用いた縮小倍率ｒの縮小投影露光により行う。また、フォトマスク50は、分離壁22の開口22aの面積をＳとしたとき、マスク開口52の開口面積Ｓｍが、Ｓｍ＜Ｓ／ｒであるものを用い、分離壁22の表面位置57におけるカラーレジスト42の露光面積が分離壁22の開口22aの面積以下となるように、露光光Lを分離壁22の表面位置57よりも上方位置56で集光させる。 （もっと読む）

【課題】画素セルが３つのトランジスタで構成される場合でも、横引きノイズの発生を抑えることが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】駆動回路は、所定の画素セル１１に対して、リセットトランジスタ１１７をＯＮ状態とすることで、増幅トランジスタ１１３のゲートの電位をリセットする電子シャッター動作を行い、電子シャッター動作が行われた所定の画素セル１１に対して、選択トランジスタ１１５及びリセットトランジスタ１１７を同時にＯＮ状態とすることで、リセットされた増幅トランジスタ１１３のゲートの電位に応じた電圧をリセット信号として画素セル１１から列信号線１４１に出力させるリセット信号の信号読み出し動作を行い、電子シャッター動作において、リセットトランジスタ１１７がＯＮ状態とされている時に選択トランジスタ１１５がＯＮ状態とされる。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率の向上を図る裏面照射型のＣＭＯＳセンサを提供する。
【解決手段】撮像素子１１は、半導体基板３１に対して光が入射する側に積層される有機光電変換層３３を備えており、有機光電変換層３３に有機光電変換膜４３が配置され、半導体基板３１に２つのＰＤ４１、４２が配置されている。そして、有機光電変換層３３では、有機光電変換膜４３を挟み込むように１対の透明電極５４−１，５４−２が設けられており、半導体基板３１側の透明電極５４−１が、光が入射する側に突出する曲面を有して形成され、有機光電変換膜４３が、この透明電極５４−１が有する曲面に倣って曲面形状を有するように形成される。 （もっと読む）

【課題】有機材料を含む受光層を有する光電変換素子において、受光層の材料の選択幅を狭めることなく、光電変換素子の耐熱性を向上させること。
【解決手段】基板１０１上に酸化膜で構成された絶縁膜１０２が形成され、当該絶縁膜１０２上に並べて形成された複数の画素電極１０４と、複数の画素電極１０４の上にこれらを覆って形成された有機材料を含む受光層１０７と、受光層１０７上に形成された対向電極１０８とを有する固体撮像素子であって、画素電極１０４が、酸化窒化チタンで構成され、受光層１０７を形成する直前における画素電極１０４の組成が、（１）画素電極１０４全体に含まれる酸素量がチタン量の７５ａｔｍ％以上、又は、（２）画素電極１０４の基板１０１側から１０ｎｍまでの範囲或いは画素電極１０４の基板１０１側から画素電極１０４厚みの２／３までの範囲において、酸素量がチタン量の４０ａｔｍ％以上の条件を満たしている。 （もっと読む）

【課題】感度を向上させることができる感知装置と感知方法とを提供する。
【解決手段】第１および第２走査線と読み出し線と第１および第２感知ユニットを含む感知装置が提供される。第１感知ユニットが第１走査線と第２走査線と読み出し線とに連結されるとともに、第１エネルギーを感知するよう配置される。第１感知ユニットが第１走査線上で第１走査信号に応答して第１エネルギーに対応する第１読み出し信号を読み出し線へ出力する。第２感知ユニットが第２走査線と読み出し線と連結されるとともに、第２エネルギーを感知するよう配置される。第２感知ユニットが第２走査線上で第２走査信号に応答して第２エネルギーに対応する第２読み出し信号を読み出し線へ出力する。第２走査信号が第１走査信号と協同して働き、第１感知ユニットをリセットする。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の静電破壊を防止することができる、光電変換基板、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４及びセンサ部１０３の上面が平坦化層１８により平坦化されており、当該平坦化層１８の略全面に帯電防止機能を有する導電膜３０が形成されている。導電膜３０は、グランド配線３２及びグランド接続端子３４と一体的に形成されており、グランド接続端子３４を介してグランドに接続可能に構成されている。また、光電変換基板６０（導電膜３０）の上には、シンチレータ７０が形成されており、シンチレータ７０は、光電変換基板６０に近い方から非柱状部７１及び柱状部７２を備えている。導電膜３０をグランド接続端子３４を介してグランドに接続した状態で、光電変換基板６０の表面に表面処理を施す。 （もっと読む）

【課題】４００℃以下で作製可能であり、２０ｃｍ^２／Ｖｓ以上の高い電界効果移動度と、ノーマリーオフとなる低いオフ電流を両立する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極１６と、ゲート絶縁膜１５と、Ｉｎ（ａ）Ｇａ（ｂ）Ｚｎ（ｃ）Ｏ（ｄ）（ａ＞０，ｂ＞０，ｃ＞０，ａ＋ｂ＋ｃ＝１，ｄ＞０）で表され、ａ≦３７／６０、ｂ≦９１ａ／７４−１７／４０、ｂ≧３ａ／７−３／１４、ｃ≦３／５を満たす第１の領域Ａ１及びＩｎ（ｐ）Ｇａ（ｑ）Ｚｎ（ｒ）Ｏ（ｓ）（ｑ／（ｐ＋ｑ）＞０．２５０，ｐ＞０，ｑ＞０，ｒ＞０，ｓ＞０）で表され、ゲート電極に対して第１の領域よりも遠くに位置する第２の領域Ａ２を含み、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層と、酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極１３及びドレイン電極１４と、を有する薄膜トランジスタ１。 （もっと読む）

【課題】４００℃以下で作製可能であり、３０ｃｍ^２／Ｖｓ以上の高い電界効果移動度と、ノーマリーオフとなる低いオフ電流を両立する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極１６と、ゲート電極と接するゲート絶縁膜１５と、Ｉｎ（ｘ）Ｚｎ（１−ｘ）Ｏ（ｙ）（０．４≦ｘ≦０．５，ｙ＞０）で表される第１の領域Ａ１及びＩｎ（ａ）Ｇａ（ｂ）Ｚｎ（ｃ）Ｏ（ｄ）（ｂ／（ａ＋ｂ）＞０．２５０，ｃ＞０，ｄ＞０）で表され、ゲート電極に対して第１の領域よりも遠くに位置する第２の領域Ａ２を含み、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層１２と、互いに離間して配置されており、酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極１３及びドレイン電極１４と、を有する薄膜トランジスタ１。 （もっと読む）

【課題】ＰＤからのオーバーフローを安定的に行う固体撮像素子および電子機器を提供する。
【解決手段】撮像素子は、シリコン基板に複数の画素２１がアレイ状に配置された画素アレイ部と、画素を駆動する駆動部とを備え、画素は、ＰＤ２４、オーバーフロードレイン３３、および電位障壁部３２を有する。ＰＤ２４は、シリコン基板３１に配線層が積層される表面に対して反対側となる裏面の近傍に形成され、入射光に応じた電荷を発生する。オーバーフロードレイン３３は、裏面に接して形成され、所定の電圧で固定される。電位障壁部３２は、光電変換部２４とオーバーフロードレイン３３とに接続して形成され、光電変換部２４からオーバーフロードレイン３３へ流れ出る電荷に対する障壁となる。 （もっと読む）

【課題】雑音が小さい積層型の固体撮像装置を実現できるようにする。
【解決手段】固体撮像装置は、行列状に配置された複数の画素１１と、列ごとに形成された垂直信号線１４１と、垂直信号線と接続された負荷部２３とを備えている。画素１１は、増幅トランジスタ１１３、アドレストランジスタ１１５、リセットトランジスタ１１７及び光電変換部１１１を有している。光電変換部１１１は、半導体基板の上に形成された光電変換膜と、光電変換膜の基板側の面に形成された画素電極及び光電変換膜の画素電極と反対側の面に形成された透明電極とを含む。リセットトランジスタ１１７は、ソースが画素電極と接続され、ドレインが増幅トランジスタ１１３のドレインと共に電源線と接続され、負荷部２３は、負性抵抗２３Ｂを含む。 （もっと読む）