【課題】放熱経路の熱抵抗を小さくすることで良好な放熱特性を有する光モジュール等を提供する。
【解決手段】ＴＯ−ＣＡＮ型パッケージ３０は、光軸をレセプタクル６０の中心軸に合わせた状態でレセプタクル６０に結合され、レセプタクル６０は筐体２０に固定されている。第１金属ブロック３６は、中央の穴にＴＯ−ＣＡＮ型パッケージ３０のステムを嵌め込む。コの字形の第２金属ブロック３７の互いに平行な面の間に第１金属ブロック３６を嵌め込み、第１金属ブロック３６と第２金属ブロック３７とを接触させた状態で、第２金属ブロック３７を筐体２０に近接させる。第２金属ブロック３７と筐体２０は、接着剤３８で固定する。この構成により、ＴＯ−ＣＡＮ型パッケージ３０のステムから、第１金属ブロック３６、第２金属ブロック３７、接着剤３８を経由して筐体２０に繋がる放熱経路が確保されることとなる。 （もっと読む）

【課題】受信光の光ファイバへの再結合を低減することができる光受信モジュール用の光学装置及びこれを用いた光受信モジュールを提供することを目的としている。
【解決手段】光ファイバ７０から出射される受信光を受信する受光素子４０と、前記受信光を受光素子４０に結合させる集光レンズ２０と、を備えた光学装置において、集光レンズ２０と受光素子４０との間に配置された回折格子３０を有し、回折格子３０は受光素子４０で反射した反射光の光路を集光レンズ２０の外周方向に屈折させていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本体部の上面に受光部又は発光部が設けられた光電変換素子を搭載して、部品数の削減による低価格化及び製造の容易化等を実現することができる光通信モジュールを提供する。
【解決手段】光通信モジュール１は、折り曲げ可能な導電板３に、その一部分を埋め込んで収容体２を樹脂成型し、収容体２から所定距離を隔てて、導電板３の他の部分を埋め込んで蓋体４を樹脂成型すると共に、収容体２内の導電板３に光電変換素子５を実装し、蓋体４にレンズ部４２を設け、収容体２及び蓋体４の間の導電板３を折り曲げて、光電変換素子５の発光部又は受光部がレンズ部４２に対向するように収容体２及び蓋体４を位置決めして固定する。蓋体４を透光性の合成樹脂で成型し、レンズ部４２を一体成型する。蓋体４に筒部４３を一体成型し、筒部４３に光通信線を嵌合して接続する。 （もっと読む）

【課題】 電磁ノイズ放射の抑制を可能としたフレキシブル光電配線モジュールを提供することである。
【解決手段】 フレキシブル光電配線モジュールあって、光配線路１２と電気配線１１を有する可撓性のフレキシブル光電配線板１０と、フレキシブル光電配線板１０の一主面上に搭載され、電気配線１１に電気的に接続され、光配線路１２に光結合された光半導体素子１３と、フレキシブル光電配線板１０の一主面と反対側の面に搭載され、電気配線１１に電気的に接続され、光半導体素子１３を駆動する駆動ＩＣ１４と、フレキシブル光電配線板１０を貫通して設けられ、光半導体素子１３と駆動ＩＣ１４を電気的に接続する貫通配線１５とを具備した。 （もっと読む）

【課題】信号伝送方向と垂直方向の幅を狭くすることができ、小径のヒンジに対しても配設可能とする。
【解決手段】フレキシブル光電配線モジュールにおいて、光配線路１２と電気配線１１を有し、これらが位置合わせされて一体形成された可撓性のフレキシブル光電配線板１０と、光電配線板１０に搭載され、光配線路１２に光結合された光半導体素子１３と、長辺が光電配線板１０の配線長方向に沿うように光電配線板１０に搭載され、長辺に沿って形成された電気接続端子が電気配線１１に電気的に接続され、電気接続端子及び電気配線１１を介して電気信号を入力又は／及び出力し、光半導体素子１３を駆動する略長方形の駆動ＩＣ１４とを具備し、電気配線１１が駆動ＩＣ１４の電気接続端子から光電配線板１０の配線長方向の側面に引き出される。 （もっと読む）

【課題】実装面積を小さくでき、かつ、放熱性の良好な光送受信器を提供する。
【解決手段】回路基板６の裏面Ｒにコネクタ５と光変調器３を、表面Ｆに受光素子４を、表裏面にその他の発熱電子部品を搭載し、他方、回路基板６の表面Ｆ側の筐体９に放熱フィン１３を形成し、波長可変レーザモジュール２を放熱フィン１３が形成された筐体９の上壁９ａに熱的に密接するように設け、かつ、回路基板６の表面Ｆに搭載された受光素子４と発熱電子部品を筐体９の上壁９ａに熱的に密接するように設け、回路基板６の裏面Ｒに搭載された発熱電子部品を、熱伝導部材１４を介して筐体９の上壁９ａに熱的に接合したものである。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い分光センサを得ることができる分光センサの製造方法を提供する。
【解決手段】 分光センサ１の製造方法は、ハンドル基板上に設けられた表面層をエッチングすることによりキャビティ層２１を形成する第１の工程と、第１の工程の後、キャビティ層２１上に第１のミラー層２２を形成する第２の工程と、第２の工程の後、第１のミラー層２２上に光透過基板３を接合する第３の工程と、第３の工程の後、キャビティ層２１からハンドル基板を除去する第４の工程と、第４の工程の後、ハンドル基板が除去されたキャビティ層２１上に第２のミラー層２３を形成する第５の工程と、第５の工程の後、第２のミラー層上に光検出基板４を接合する第６の工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で、放射線の照射に関する検出を行うことができる、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】画素２０が、ＴＦＴスイッチ４と、センサ部１０３と、ソースフォロア回路４０であるＴＦＴスイッチ４２と、を備えている。ＴＦＴスイッチ４２は、ゲート端子がセンサ部１０３に接続されており、一端が専用配線４４に接続されており、他端が放射線検出配線１２２に接続されている。放射線検出モードでは、センサ部１０３で発生した電荷により、ＴＦＴスイッチ４２がスイッチングされ、センサ部１０３で発生した電荷に応じた電荷が放射線検出配線１２２に出力される。すなわち、照射された放射線の線量に応じた電荷がＴＦＴスイッチ４２により放射線検出配線１２２に出力される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に発生したキャリアが流れ込む半導体領域を半導体基板の一方の主面側に配置した上で、放射線の入射位置を２次元で検出することが可能な放射線検出器を提供すること。
【解決手段】放射線検出器ＲＤ１は、第一導電型の半導体基板１と、半導体基板１と接合を構成する複数の第二導電型の半導体領域１０と、対応する半導体領域１０に接合された複数の電極２１，２３とを備える。電極２１，２３は、第一主面１ａに直交する方向から見て、対応する半導体領域１０を覆う。半導体領域１０は、２次元配列された複数の第一及び第二半導体領域１１，１３を含む。複数の第一半導体領域１１のうち２次元配列における第一方向に配列された第一半導体領域１１同士が互いに電気的に接続され、複数の第二半導体領域１３のうち第一方向に交差する第二方向に配列された第二半導体領域１３同士が互いに電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】光伝送モジュールから生じる電磁妨害波の放射を十分に低減することを目的とする。
【解決手段】光伝送モジュールは、光電気デバイス１８と、光電気デバイス１８を収納するハウジング２２と、ハウジング２２に電気的に接続するようにハウジング２２の外側に突出して設けられた電気的接続片２４と、電磁波を電磁波以外のエネルギーに変換することで電磁波を吸収する電磁波吸収部材３２と、を有し、電気的接続片２４は、ハウジング２２との取付部２６よりもケージ１０への挿し込み方向とは反対方向の位置に、ハウジング２２から間隔をあけて浮いた状態のフローティング部２８を有し、電磁波吸収部材３２は、ハウジング２２とフローティング部２８との間に少なくとも一部が配置され、フローティング部２８は、ハウジング２２がケージ１０に挿入されたときに、ケージ１０の内側に電気的に接続するように接触する。 （もっと読む）

【課題】本発明は上記問題点を解決するために成されたものであり、光電変換素子の静電破壊を防止することができると共に、導電体を任意の電圧に設定することができる、光電変換基板、放射線検出器、及び放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４及びセンサ部１０３の上面が平坦化層１８により平坦化されており、当該平坦化層１８の略全面に帯電防止機能を有する導電膜３０が形成されている。導電膜３０は、接続配線５２と一体的に形成されており、切替部５４に接続されている。また、切替部５４は、制御装置１０６から入力される制御信号に応じて、接続配線５２の接続先を、バイアス電源１１０、内部電源５６、及びグランドのいずれかに切り替える。光電変換基板６０の上には、シンチレータ７０が形成されており、シンチレータ７０は、光電変換基板６０に近い方から非柱状部７１及び柱状部７２を備えている。 （もっと読む）

【課題】各受光素子へ光が一様に照射されるか否かに拘らず、各分光特性の検出結果に偏りや感度のばらつきを生じることなく、照度の測定を行う。
【解決手段】受光素子ＰＤ１・ＰＤ２を備え、各受光素子ＰＤ１・ＰＤ２は、互いに異なる分光特性Ａ・Ｂから１つの分光特性が設定されるように構成され、各受光素子ＰＤ１・ＰＤ２は、照度の測定時に、互いに異なる分光特性となるように、分光特性Ａ・Ｂが順次切り替えて設定される。 （もっと読む）

【課題】生産効率の高い光導波路を提供する。
【解決手段】本発明の光導波路１０は、コア２へ光を入射させるための端面４ａと、コア２から光を出射させるための端面４ｂとを備え、第１側面７ａ・第２側面７ｂは角度変化を有しており、互いに並進対称である。これにより、上記光導波路と同一形状が隣接する切断パターンにて光導波路材料を切断し、複数の光導波路１０を効率良く得られる。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の静電破壊を防止することができると共に、発光層と光電変換基板との密着性を向上させることができる。
【解決手段】放射線検出器１０Ａは、基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４と、基板１上に形成され、照射された光に応じた電荷を発生する光電変換素子としての半導体層６と、半導体層６上に形成された平坦化層３４と、平坦化層３４上に形成されたメッシュ状の帯電防止層３２と、平坦化層３４及び帯電防止層３２上に形成され、照射された放射線に応じた光を発生するシンチレータ７０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の静電破壊を防止することができると共に、画像がぼけやすくなるのを防ぐことができる。
【解決手段】放射線検出器１０Ａは、基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４と、基板１上に形成され、照射された光に応じた電荷を発生する光電変換素子としての半導体層６と、半導体層６上に形成され、一部に帯電防止性を有する遮光部材３２が形成された平坦化層３４と、平坦化層３４上に形成され、照射された放射線に応じた光を発生するシンチレータ７０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 正確な軟Ｘ線の検出を行うことを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る軟Ｘ線検出装置１００は半導体基板２を有する。半導体基板２には複数の検出ユニット１が配され、それぞれの検出ユニット１は変換部３と回路部４とを含む。変換部３は例えばフォトダイオードである。変換部３では軟Ｘ線によって発生した電荷が収集される。回路部４には例えば第１導電型（Ｎチャネル型）の増幅トランジスタ６が配される。増幅トランジスタ６は、変換部３からの信号を増幅して出力する増幅部である。隣接する変換部３の間には第１導電型のトランジスタが配されない。あるいは、隣接する検出ユニットに含まれるトランジスタが、互いに近接して配される。 （もっと読む）

【課題】光検出の装置および方法を提供する。
【解決手段】特に顕微鏡、分光計またはカメラ用の光検出装置は、複数の単一光子アバランシェダイオード（ＳＰＡＤ）のアレイで構成される少なくとも１つのシリコン光電子増倍管（ＳｉＰＭ）を含み、このアレイは面積が入射光より大きく、特定の最低強度の光が当たるＳＰＡＤだけがアクティブ化され、および／または分析される。この装置を利用する方法。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて光の入射角を大きくした場合であっても光信号を受信することができる受光ユニット及び電気機器を提供する。
【解決手段】照明装置は、シャーシを備え、シャーシは天井等に取り付け、シャーシには、透光カバーを取り付けてある。透光カバーの中央部には着脱可能なセンタカバーを取り付けてある。また、センタカバーには、受光ユニット４を設けてある。受光ユニット４は、光を受光する受光部２０、及び受光部２０へ光を入射させるため受光部２０から適長離隔して配置された円錐台状のレンズ１０を備える。レンズ１０は、入射面１１及び出射面１２と、入射面１１から出射面１２に向かってテーパ状に拡径した周側部１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】放射線に起因する特性劣化を抑制して信頼性を向上させることが可能なトランジスタを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置は、フォトダイオードとトランジスタとを含む画素回路を有する。トランジスタは、基板上の選択的な領域に配設されたゲート電極と、ゲート電極上に第２ゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、半導体層上に第１ゲート絶縁膜を介して設けられると共にゲート電極に対向するゲート電極と、ゲート電極上に設けられた第１層間絶縁膜と、半導体層に電気的に接続されて設けられたソース電極およびドレイン電極と、一部がゲート電極の端部に対向して設けられたシールド電極層とを備える。第２ゲート絶縁膜、第１ゲート絶縁膜および第１層間絶縁膜のうちの少なくとも１つはシリコン酸化膜を含む。シールド電極層により、放射線の入射によって生じる正電荷の影響による閾値電圧のシフトが抑制される。 （もっと読む）

【課題】 変換素子の不純物半導体層への有機材料の混入を低減し得る検出装置を提供する。
【解決手段】 画素１１がスイッチ素子１３と電極１２２の上に設けられた不純物半導体層１２３を含む変換素子１２とを有し、複数のスイッチ素子１３と複数の電極１２２との間に設けられた無機材料からなる保護層１３７と有機材料からなる層間絶縁層１２０とに設けられたコンタクトホールにおいてスイッチ素子１３と電極１２２とが接続されている検出装置の製造方法であって、複数の電極１２２の間に層間絶縁層１２０を覆うように無機材料からなる絶縁部材１２１を形成する工程と、絶縁部材１２１と複数の電極１２２とを覆う不純物半導体膜１２３’を成膜する工程と、絶縁部材１２１を形成する際に層間絶縁層１２０のコンタクトホール内に位置する電極１２２の段差の部分の正射影が位置する保護層１３７の領域が被覆されるように、被覆層１６０を形成する工程とを有する。 （もっと読む）