【課題】発光素子と受光素子とのペアを備えて微細化が可能である。
【解決手段】対をなす発光素子１１と受光素子１２とは共に微細な棒状の素子であり、微細な棒状発光素子１１から放出された光を微細な棒状受光素子１２で受光することによって、微細な棒状受光素子１２の電気特性が変化する。こうして、微細な棒状発光素子１１と微細な棒状受光素子１２との対を非常に微細にして、電子デバイス１０を非常に微細化することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】
読み出し回路を備えた第一基板と受光素子を備えた第二基板をバンプ接続した量子型赤外線熱感知デバイスにおいて、HgCdTe等で構成された第二基板に影響を与えることなくシリコン基板等で構成された第一基板と、第二基板の熱膨張係数の違いに起因する隣接バンプ間の接触を防止する。
【解決手段】
量子型撮像素子は、読み出し回路を備えた第一基板と、前記第一基板とフリップチップボンディング（FCB）によって電気的に接続された、受光素子を備えた第二基板と、前記第一基板と前記第二基板をFCBによって電気的に接続する導体バンプ群と、各バンプの周囲を囲むように存在し、前記第一基板側にのみ固定され、前記第二基板との間に空隙を設けた絶縁壁とを有する。 （もっと読む）

【課題】複数の検出電流経路が発生することを防止し、光吸収層の表面状態にかかわらず、高感度で安定して検出することができる光検出素子及び光検出装置を提供する。
【解決手段】光検出素子は、透光性基板１、光吸収層２、電極３、電極４、接着層５、絶縁膜６、パッケージ７で構成される。透光性基板１上に光吸収層２が形成され、光吸収層２に電極３と電極４の一部が埋め込まれている。パッケージ７上に光検出部がジャンクションダウンで接着層５により接合されている。光吸収層２は、特定波長の光を選択的に吸収して、電気信号に変換する。測定する光は、透光性基板１の裏面から照射される。 （もっと読む）

【課題】 簡素な構造で適切な受光感度を得ることが可能な紫外線センサ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 紫外線センサ素子は、ステム６０に紫外線透過フィルタ７２が形成されたキャップ７０が溶接されて、チップ５０が封止された構造を有する。外部から照射される紫外線は、紫外線透過フィルタ７２を透過して、チップ５０を構成するチップ状酸化亜鉛単結晶３０の受光面であるａ面に到達する。チップ状酸化亜鉛単結晶３０のａ面に紫外線が到達することによって、チップ状酸化亜鉛単結晶３０の抵抗値は変化する。そして、抵抗値の変化に伴って、チップ状酸化亜鉛単結晶３０を流れる信号の電流（光電流）の値も変化する。図示しない外部の装置は、端子６２に接続されており、信号の電流値を検出し、当該電流値に基づいて、紫外線量を算出することができる。 （もっと読む）

【課題】高エネルギーγ線等の高エネルギー放射線に対しても、高感度かつ高いエネルギー識別能力を有するとともに、高い画像分解能を備えた半導体放射線画像検出器を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】ＣｄＴｅ単結晶ウェーハ１１上にｐ型ＣｄＴｅ単結晶層１２をＭＯＶＰＥ法によりエピタキシャル成長させて形成する。次にｐ型Ｓｉ単結晶基板１４に導電性樹脂をコートし、前記ＣｄＴｅ単結晶ウェーハ上のｐ型ＣｄＴｅ単結晶層１２と貼り合わせて硬化する。さらにＣｄＴｅ単結晶ウェーハ１１の非接合面およびＳｉ単結晶基板１４の非接合面にＡｕを蒸着して電極１５および１６を形成する。その後、溝１７をＣｄＴe単結晶ウェーハ側の電極１６側よりＳｉ単結晶基板１４の内部に到達する深さで、Ｘ方向およびＹ方向にそれぞれ形成する。 （もっと読む）

【課題】光センシング装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】光センシング画素内の光センサートランジスタとスイッチトランジスタとが、それぞれ同じ構造の酸化物半導体トランジスタで形成される光センシング装置、及び前記光センシング装置の動作信頼性を向上させることができる駆動方法が提供される。光センシング装置によれば、光センシング画素内の光センサートランジスタとスイッチトランジスタとは、一つの基板上で同じ構造に隣接して形成され、スイッチトランジスタへの光の入射を防止するために、スイッチトランジスタの光入射面には光遮蔽膜がさらに配される。また、光センシング装置の駆動方法によれば、経時的なスイッチトランジスタのしきい電圧シフトを防止するために、光遮蔽膜には負（−）のバイアス電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】気相Ｃｌを安定に均一に供給することができる放射線検出器の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】主ソース用サセプタ３５ａに収納されたソースＳは、Ｃｄの単体、Ｔｅの単体、Ｚｎの単体、ＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＺｎＴｅの少なくとも一つを含む材料からなり、検出層の形成過程では、主ソース用サセプタ３５ａに収納されたソースＳを支持基板に供給することにより、多結晶膜または多結晶の積層膜（検出層）を形成する。一方、ソースＳおよびそれを収納する主ソース用サセプタ３５ａの底面を貫通する複数個の開孔３５Ａを設け、主ソース用サセプタ３５ａの底面よりも下部に配置されたＣｌ化合物からなる付加ソースＳ’ によるＣｌ蒸気を、開孔３５Ａを通して支持基板に供給することにより、複数個の開孔３５Ａが設けられた箇所において、気相Ｃｌを安定に均一に供給することができる。 （もっと読む）

【課題】大面積Ｘ線検出器を提供する。
【解決手段】印刷回路基板に配置された複数のチップと、各チップに対応するように、その上に配置された複数のピクセル電極と、複数のピクセル電極と複数のピクセルパッドとを電気的に連結する再分配層と、を備え、再分配層上で、チップのピンパッドが形成された裏面上に形成された複数の第１電極パッドと、第１電極パッド及び第２電極ピンパッドを電気的に連結するワイヤーと、を備え、ワイヤーは、チップ間のギャップに配置される、大面積Ｘ線検出器である。 （もっと読む）

【課題】光触媒作用が向上した光触媒体及び光電極を提供する。
【解決手段】第１半導体層１０と、第１半導体層１０の伝導帯最下部のエネルギー準位より真空準位に近いエネルギー準位に伝導帯最下部のエネルギー準位を有する第２半導体１４と、硫化物１２と、を含み、硫化物１２が第１半導体層１０と第２半導体層１４の両方に接触した構成とする。 （もっと読む）

【課題】波長が０．７μｍから３μｍ程度までの近赤外〜赤外域に、高感度で、高品位の受光信号を得ることができる受光装置等を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１の裏面において、画素に対応する領域ごとに位置するマイクロレンズ２１を備え、マイクロレンズが、波長０．７μｍ〜３μｍの光に対する透過率のレンジが２５％以下で、かつ該透過率が７０％以上である樹脂材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】放射線の検出感度を維持しつつ、電線と電極部との剥離を抑制できる。
【解決手段】検出可能領域上に充填される第１充填材444は、原子番号９以下の元素で構成されているので、原子番号９を超える元素で構成される場合に比して、放射線の透過性がよい。このため、検出可能領域において、放射線の検出感度が維持できる。また、バイアス電極401と電線とが接続される接続部は、弾性を有する第２充填材445が充填されているため、硬化性を有する充填材に比して、延長電極部431と高電圧線432との密着性が保て、高電圧線432と延長電極部431との剥離を抑制できる。このように、本実施形態では、延長電極部431と高電圧線432とが接続される接続部と検出可能領域とで充填材を使い分けることにより、放射線の検出感度を維持しつつ、高電圧線432と電極部との剥離を抑制する。 （もっと読む）

【課題】画素毎のバンプが増加してもフリップチップボンディングを適切に行うことができる赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】複数の画素が配列した赤外線イメージセンサ１００と、赤外線イメージセンサ１００から信号を読み出す読み出し回路３００と、赤外線イメージセンサ１００と読み出し回路３００との間に設けられた中継部材２００と、が設けられている。複数の画素の各々には、互いに相違する波長の赤外線を吸収する複数の吸収層１０６、１１０と、複数の吸収層にバイアスを印加するバイアスバンプ１５９と、複数の吸収層毎に設けられた出力バンプ１５７、１５８と、が設けられている。出力バンプは、読み出し回路に設けられた入力バンプ３０２、３０３に接続され、バイアスバンプは、読み出し回路に設けられたバイアス供給バンプ３０４に、中継部材に設けられた中継配線２０７を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】ＣＺＴＳ等の硫化物系化合物半導体を含む光吸収層と、ＣｄＳを含むバッファ層とを組み合わせた光電素子において、可視光領域の長波長側における量子効率の更なる向上を図ること。
【解決手段】ｐ型半導体層である光吸収層１６と、バッファ層１８と、窓層２０と、を備える光電素子１０。光吸収層１６が、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＳを含む硫化物系化合物半導体の膜であり、バッファ層１８が、カドミウム塩、チオウレア基を有する化合物及びこれらが溶解している水を含み、チオウレア基のカドミウムに対するモル比が５〜４０であるアルカリ性の反応液を用いたＣＢＤ法により形成されたＣｄＳ膜を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放射線に対して従来より高感度の放射線検出器及び放射線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】照射された放射線に応じて光電変換層１８で電荷（キャリア）が発生し、発生した正孔がアバランシェ層２２でアバランシェ増幅作用により増幅されて、電荷収集電極４０で収集され、読み出される。光電変換層１８とアバランシェ層２２との間、アバランシェ層２２上には、電荷収集電極４０が形成されているピッチ（画素ピッチ）Ｌに応じて格子状に中間電極２０が形成されている。中間電極２０は、光電変換層１８に接する側から、正孔阻止層３０、導電層３２、及び電子吸収層３４の順番で形成されている。 （もっと読む）

【課題】放射線の検出感度を向上させることができる放射線検出素子、及び放射線検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る放射線検出素子１０は、放射線を検出可能な化合物半導体からなる半導体基板１００と、半導体基板１００の表面に設けられ、表面側から半導体基板１００の内部に向けて徐々に幅が狭まる溝１２０と、半導体基板１００の表面の平坦な領域と半導体基板１００の表面の反対側の面とのそれぞれに設けられる電極とを備える。 （もっと読む）

ピクセル型画像検出器において共有電荷を提供するシステム及び方法が提供される。一つの方法は、ピクセル型固体フォトン検出器に、電荷分布が少なくとも２個のピクセルによって検出されるような構成として複数のピクセルを設けるステップと、少なくとも２個のピクセルから電荷情報を得るステップとを含んでいる。この方法はさらに、得られた電荷情報に基づいて電荷分布の複数のピクセルとの相互作用の位置を決定するステップを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】単一のプラズモン構造及び半導体吸収層の配列を用いて二次元検出を可能にする光検出器を提案する。
【解決手段】この光検出器は、
・ドープ半導体層（１２）と、
・前記半導体層（１２）の下に位置した反射層（２２）と、
・前記半導体（１２）と共に、表面プラズモン共鳴器を形成する、前記半導体層（１２）上に配置された金属構造（１６）と、
・前記半導体層（１２）内に形成され、及び前記半導体層のドーピングとは反対にドープされた複数の半導体領域（２４）と、を備えており、
・各々の半導体領域（２４）について、導体（２６）が前記半導体層（２２）から少なくとも半導体領域（２４）まで貫通し、及び対応する導体（２６）に関連した半導体領域（２４）と共に前記金属構造（１６）から電気的に絶縁されており、このようにして前記光検出器の基本検出表面を画定していること。 （もっと読む）

放射線検出器アセンブリ（２０）は、放射粒子を電気検出パルスへ変換するよう構成される検出器アレイモジュール（４０）と、検出器アレイモジュールと動作上接続されるＡＳＩＣ（４２）とを有する。ＡＳＩＣは、検出器アレイから受け取った電気検出パルスをデジタル化するよう構成される信号処理回路（６０）と、試験用電気パルスを信号処理回路に投入するよう構成されるテスト回路（８０）とを有する。テスト回路は、信号処理回路に投入される試験用電気パルスを測定するよう構成される電流メータ（８４）と、信号処理回路に投入される試験用電気パルスを生成するよう構成される電荷パルス発生器（８２）とを有する。放射線検出器アセンブリは、ＡＳＩＣ（４２）を検出器アレイモジュール（４０）と動作上接続することによって組み立てられ、組み立てられた放射線検出器アセンブリのＡＳＩＣの信号処理回路（６０）は、放射線を使わずに試験される。
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【課題】入射電離放射線の二つの特性の監視、記録、解析を一つの装置で行う電離放射線監視用アセンブリを提供する。
【解決手段】電離放射線監視用のアセンブリは、入射放射線に応じて電荷を生成する検出基板であって、電離放射線検出ボリュームのアレイを形成するように構成される検出基板と、前記検出ボリュームに対応する読出し回路のアレイを支持する回路基板とを備え、前記第一の読出し回路は、第一のエネルギー範囲における電離放射線の、対応する第一の放射線検出ボリューム内での検出に対応する電流パルスに応答して第一の計数値を増分する光子計数回路構成を含み、前記第二の読出し回路は、第二のエネルギー範囲における電離放射線の、対応する二の放射線検出ボリューム内での検出に対応する電流パルスに応答して第二の計数値を増分する光子計数回路構成を含む。 （もっと読む）