【課題】製造工程の複雑化を防止すると共に、光照射で発生した励起キャリアを効率良くテラヘルツ電磁波の発生または検出に用いることができる光伝導基板等を提供する。
【解決手段】基板３と、基板３上に積層され、基板３のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有するキャリア移動防止層５１とキャリア移動防止層５１上に積層され、基板３のバンドギャップ以上のバンドギャップを有すると共に、キャリア移動防止層５１のバンドギャップよりも小さなバンドギャップを有する半導体層５２と、を備え、半導体層５２が、ＧａＡｓを低温でエピタキシャル成長させた層である。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体素子、ウェーハ、半導体素子の製造方法及びウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形の第１層と、ｐ形の第２層と、発光部と、第１積層体と、第２積層体と、を含む半導体素子が提供される。発光部は、第１層と第２層との間に設けられる。第１積層体は、第１層と発光部との間に設けられ、交互に積層された、ＡｌＧａＩｎＮの第３層と、ＧａＩｎＮの第４層と、を含む。第２積層体は、第１層と第１積層体との間に設けられ、交互に積層された複数の第５層と、ＧａＩｎＮの第６層と、を含む。第１積層体は、第１積層体の発光部側の面に設けられた凹部を有する。凹部の少なくとも一部に発光部の一部が埋め込まれている。凹部の側面は、第１積層体を貫通する転位の周りを取り囲む。転位周辺におけるＩｎの組成比は、他の部分よりも低い。 （もっと読む）

【課題】 入射光に対する光検出感度が向上された量子カスケード検出器を提供する。
【解決手段】 半導体基板と、吸収井戸層を含むｎ個の井戸層、及びｎ個の障壁層からなる単位積層体１６が多段に積層された活性層１５とを備えて量子カスケード検出器を構成する。単位積層体１６は、そのサブバンド準位構造において、検出下準位Ｌ_１ａ、検出上準位Ｌ_１ｂと、第２準位Ｌ_２〜第ｎ準位Ｌ_ｎとを有し、検出下準位、上準位の間でのサブバンド間吸収によって光を検出するとともに、上準位に励起された電子は共鳴トンネル効果によって第２準位に移動し、第２〜第ｎ準位を含む抽出準位構造を介して後段の単位積層体へと抽出される。また、第２、第３準位のエネルギー間隔をＥ_ＬＯ≦ΔＥ_２３≦２×Ｅ_ＬＯに設定し、第３、第４準位のエネルギー間隔をΔＥ_３４＜Ｅ_ＬＯに設定する。 （もっと読む）

【課題】 正確な軟Ｘ線の検出を行うことを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る軟Ｘ線検出装置１００は半導体基板２を有する。半導体基板２には複数の検出ユニット１が配され、それぞれの検出ユニット１は変換部３と回路部４とを含む。変換部３は例えばフォトダイオードである。変換部３では軟Ｘ線によって発生した電荷が収集される。回路部４には例えば第１導電型（Ｎチャネル型）の増幅トランジスタ６が配される。増幅トランジスタ６は、変換部３からの信号を増幅して出力する増幅部である。隣接する変換部３の間には第１導電型のトランジスタが配されない。あるいは、隣接する検出ユニットに含まれるトランジスタが、互いに近接して配される。 （もっと読む）

【課題】２波長赤外線イメージセンサにおいて、同じ画素ピッチにおける画素面積を広くする。
【解決手段】共通コンタクト層の一方の面に積層形成された第１の赤外光吸収層及び第１のコンタクト層と、前記共通コンタクト層の他方の面に積層形成された第２の赤外光吸収層及び第２のコンタクト層と、前記第２の赤外光吸収層及び前記第２のコンタクト層を分離する上側画素分離溝と、前記共通コンタクト層を介し、前記上側画素分離溝に対応する位置に形成された前記第１の赤外光吸収層及び前記第１のコンタクト層を分離する下側画素分離溝と、前記上側画素分離溝及び前記下側画素分離溝により分離された各々の画素ごとに、前記第２のコンタクト層、前記第２の赤外光吸収層、前記共通コンタクト層、前記第１の赤外光吸収層を除去することにより形成されたコンタクト穴と、を有することを特徴とする赤外線検知器により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ波の発生効率を最大にするテラヘルツ波発生器の調整方法。
【解決手段】アレイ型光導波路１１からの光学ビームを受光するアレイ型フォトダイオードＰＤ１〜ＰＤ４と、アレイ型フォトダイオードのアレイ両端それぞれに設置された２個の調整用フォトダイオードｍＰＤ１，ｍＰＤ２と、２個の調整用フォトダイオードそれぞれの調整用光学ビームｍＢｅａｍ１，ｍＢｅａｍ２それぞれに連結された２個の調整用光導波路ｍ１１，ｍ１２とを備えたテラヘルツ波発生器を用いて、一方のｍＰＤ１の出力が最大となるようにアレイ型フォトダイオードに対して水平及び垂直方向にアレイ型光導波路１１を移動し、ｍＰＤ１の最大出力を維持しつつ、他方のｍＰＤ２の出力が一方の調整用フォトダイオードの出力と同等になるように、一方のｍＰＤ１を軸としてアレイ型光導波路若しくはアレイ型フォトダイオードのアレイを回転させて調整する方法。 （もっと読む）

【課題】複数の受光素子部を備えるアレイ型受光装置に配置される複数の配線を介して生じるクロストークが軽減されるアレイ型受光装置、光受信モジュール、及び光トランシーバの提供。
【解決手段】本発明に係るアレイ型受光装置は、第１導電型電極と第２導電型電極とを備える受光素子部が複数備えられる受光素子アレイと、キャリアと、を備えるアレイ型受光装置であって、前記キャリアは、前記各受光素子部の前記第１導電型電極に接続される第１導電型配線と、該受光素子部の前記第２導電型電極に接続される第２導電型配線と、からそれぞれなる複数の配線対と、前記複数の配線対の一の配線対と該配線対の隣に位置する配線対との間を延伸する第１の接地電極と、前記背面の少なくとも一部に形成されるとともに前記第１の接地電極と電気的に接続される第２の接地電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で量子井戸層の積層方向に入射された光を積層方向に垂直な偏光方向の光に変換して検出することができる光検出器を提供する。
【解決手段】基板２１と、光が入射されることにより光電流を生じる多重量子井戸層１６と、多重量子井戸層１６を挟み込む下部コンタクト層１５及び上部コンタクト層１７と、下部コンタクト層１５の基板２１側に配置された下部電極１２と、下部コンタクト層１５の側方であって下部電極１２上に配置された絶縁層１３と、絶縁層１３上に配置された仮想グランド電極１４と、上部コンタクト層１７上に配置され、入射される光の波長よりも小さく分割され、それぞれの間に隙間が形成された複数の上部電極１８と、上部電極１８及び仮想グランド電極１４を電気的に接続する金属部材１９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 精密な計測が可能なフォトダイオードアレイモジュールを提供する。
【解決手段】 このフォトダイオードアレイモジュールは、第１波長帯域の光に感応する第１フォトダイオードアレイを有する第１半導体基板２と、第２波長帯域の光に感応する第２フォトダイオードアレイを有する第２半導体基板２’と、複数のアンプＡＭＰが形成されると共に第１及び第２半導体基板２，２’が重なることなく横に並べ、各フォトダイオードをバンプを介してアンプＡＭＰに接続した第３半導体基板３とを備えている。第１半導体基板２及び第２半導体基板２’の隣接する端部には、段差部が形成されており、これにより各画素を双方の基板に渡って連続して整列させた場合においても、低ノイズで計測ができるようになる。 （もっと読む）

【課題】光励起によりテラヘルツ波を発生、検出する素子において低温成長半導体の歪みや欠陥がテラヘルツ波発生効率などを制限していた点を解決した光伝導素子等を提供する。
【解決手段】光伝導素子は、半導体低温成長層１４を有し、半導体低温成長層１４と半導体基板１０との間に位置し且つ半導体低温成長層１４よりも薄い半導体層１１、１２、１３を有する。半導体低温成長層１４は、半導体層１１、１２、１３と格子整合し半導体基板１０と格子整合しない半導体を含む。 （もっと読む）

【課題】素子全体として高抵抗化することによって、出力及び検出感度を増大することが可能な光伝導素子を提供することである。
【解決手段】光伝導素子は、光を照射すると電磁波を発生・検出し得る光伝導素子である。光が照射された際に抵抗率が変化することにより電磁波を発生・検出し得る半導体層１０１、１０２を有する光伝導層と、半導体層と接して配された複数の電極１０３、１０４を備える。半導体層１０１、１０２は、抵抗率が、電極が接する半導体層の面と交わる厚さ方向に変化する。また、半導体層１０１、１０２は、半導体層において第１の領域１０１及びこの領域より厚さ方向に電極１０３、１０４から離れた第２の領域１０２をとるとき、第１の領域１０１での抵抗率が第２の領域１０２での抵抗率より大きい。 （もっと読む）

【課題】 半導体光集積回路装置及びその製造方法に関し、吸収効率の向上と素子抵抗の低減を両立する。
【解決手段】 半導体基板上に形成された少なくともメサ状部を有する導波路コア層からなる導波路部と、前記導波路コア層の延長部上に順次積層された第１導電型スペーサ層、吸収層及び前記第１導電型と反対の第２導電型上部クラッド層を少なくとも有するフォトダイオード部とを少なくとも設け、前記第１導電型スペーサ層の少なくとも一部がメサ状であり、前記メサ状の第１導電型スペーサ層の側面に接するように、前記第１導電型スペーサ層の屈折率より小さな屈折率の第１導電型半導体層を設ける。 （もっと読む）

【課題】 光検知素子の検知効率を高めることが望まれている。
【解決手段】 基板の上に、複数の量子ドットを含む量子ドット層が配置されている。量子ドット層の上に、再入射構造物が配置されている。再入射構造物は、量子ドット層を通過した光を反射して量子ドット層に再入射させると共に、第１の方向の偏光成分を、第１の方向とは異なる第２の方向の偏光成分に変換して量子ドット層に再入射させる。 （もっと読む）

【課題】励起光とショットキー接合部との相互作用の領域を拡大して、テラヘルツ波の発生効率またはテラヘルツ波の検出のＳＮを向上することができるテラヘルツ波素子を提供する。
【解決手段】テラヘルツ波発生素子は、テラヘルツ波発生層２と、テラヘルツ波発生層２に接して配置された電極３を備え、励起光４の照射と電極３への電圧印加によりテラヘルツ波５を発生する。テラヘルツ波発生層２の少なくとも一部は、励起光４が入射してくる側とその反対側とのテラヘルツ波発生層２の面と交わる面において電極３とショットキー接合部を形成し、ショットキー接合部に励起光４が照射される。 （もっと読む）

【課題】画素毎のバンプが増加してもフリップチップボンディングを適切に行うことができる赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】複数の画素が配列した赤外線イメージセンサ１００と、赤外線イメージセンサ１００から信号を読み出す読み出し回路３００と、赤外線イメージセンサ１００と読み出し回路３００との間に設けられた中継部材２００と、が設けられている。複数の画素の各々には、互いに相違する波長の赤外線を吸収する複数の吸収層１０６、１１０と、複数の吸収層にバイアスを印加するバイアスバンプ１５９と、複数の吸収層毎に設けられた出力バンプ１５７、１５８と、が設けられている。出力バンプは、読み出し回路に設けられた入力バンプ３０２、３０３に接続され、バイアスバンプは、読み出し回路に設けられたバイアス供給バンプ３０４に、中継部材に設けられた中継配線２０７を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】積層された2つの光吸収層を有し、光吸収層の面積が大きい光センサを提供する。
【解決手段】光センサ10は、支持層11と第１電極層12aと第１光吸収層13aと第2電極層12bと第2光吸収層13bとが順番に積層されており、第1光吸収層13a及び第2電極層12b及び第2光吸収層13bを第1領域R1及び第2領域R2に分離する分離層14と、第1領域R1の第2電極層12bと接続する第１電極20aと、第2領域R2の第2電極層12bと接続する第2電極20bと、第1領域R1及び第2領域R2の第2光吸収層13bそれぞれと接続する第3電極20cと、を備える。 （もっと読む）

【課題】封止部材をエッチングすることなく、光センサ装置の受光面を封止部材から露出できるようにした光センサ装置の製造方法及び光センサ装置を提供する。
【解決手段】粘着テープの粘着性を有する面であって、リードフレーム３０´から露出している領域にＩＲ素子１０の受光面１６を貼付する工程と、リードフレーム３０´の表面にＩＣ素子２０を取り付ける工程と、リードフレーム３０´とＩＣ素子２０とをワイヤー４５で電気的に接続する工程と、ＩＲ素子１０とＩＣ素子２０とをワイヤー４６で電気的に接続する工程と、ＩＲ素子１０とＩＣ素子２０とワイヤー４５、４６をモールド樹脂４９で覆う工程と、モールド樹脂４９及びリードフレーム３０´から粘着テープを除去する工程と、ダイシングストリート３６に沿ってモールド樹脂４９及びリードフレーム３０´を切断して、パッケージを形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】互いに直交する方向に電界成分を持つ波長の光に対して、共に電界成分の大きさを変えることなく、総じて光検知効率を大幅に向上させることのできる信頼性の高い光検知素子を実現する。
【解決手段】障壁層１２内に量子ドット１１が埋め込まれた層が積層されてなる第１の量子ドット層１と、第１の量子ドット層１を挟み込む一対の電極層２，３と、障壁層１４内に量子ドット１３が埋め込まれた層が積層されてなる第２の量子ドット層４と、第２の量子ドット層４を透過した赤外線を反射させる赤外線反射層５とを有するように、赤外線検知素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】量子ドット型赤外線検知器の感度を向上させること。
【解決手段】量子ドットと、前記量子ドットを覆い、エネルギーギャップが前記量子ドットより広い第１の障壁層と、前記第１の障壁層の上側および前記量子ドットの下側に設けられ、エネルギーギャップが前記量子ドットより広く且つ前記第１の障壁層より狭い中間層と、前記第１の障壁層内に設けられ、エネルギーギャップが前記量子ドットより広く且つ前記第１の障壁層より狭い量子井戸層とを有する光電変換層と、前記光電変換層の両側に設けられた電極層を備えた量子ドット型赤外線検知器。 （もっと読む）