【課題】 本発明は、シリコンウエーハ中の酸素等不純物の悪影響がエピタキシャル層の撮像素子形成部分まで及ばないエピタキシャルウエーハ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 撮像素子製造用のエピタキシャルウエーハを製造する方法であって、前記エピタキシャル層の成長前に、前記撮像素子の製造後において前記エピタキシャル層中の酸素濃度が４×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上となる領域の厚さＸを計算し、前記エピタキシャル層の成長において、前記エピタキシャル層を、前記厚さＸに加えて、更に前記撮像素子の製造後におけるエピタキシャル層中の酸素濃度が４×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満となる領域の厚さが６μｍ以上となる厚さで成長することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】メタルストラップ型ＣＣＤ画像センサを提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態は、（ＶＣＣＤを通る光電荷の流れを制御するゲート導電体の上に配置された）水平ストラッピングラインと垂直ストラッピングラインとの両方の使用によってＣＣＤ画像センサにおける内部抵抗を減少させ、これら水平ストラッピングラインと垂直ストラッピングラインとは両方とも、電気的制御信号を伝えるバスラインに選択的に接続されている。選択的な電気的接続は、特定のバイアスグループに対する総抵抗が、画像センサ画素アレイのサイズから実質的に独立することを可能にする。 （もっと読む）

【課題】多層化した複数層の受光部により複数の色信号を、１画素部で一括して同時に検出した１画素部毎の各層の信号電荷から得ると共に、静止画および動画のいずれであっても鮮明なフルカラー撮像を実現する。
【解決手段】半導体層または半導体基板に交互に一方向に隣接配置されたＰ型注入領域４およびＮ型注入領域５であって、被写体からの画像光を光電変換する複数層の光電変換部（３層のＰ型注入領域およびＮ型注入領域）が、光電変換部とはバンドギャップの異なる透明層（ＳｉＯ_２膜）をその各間に介在して積層され、一方向に直交する他方向にそれぞれ配置された３層のＰ型注入領域４およびＮ型注入領域５と、Ｐ型注入領域４およびＮ型注入領域５上に設けられた一方向の複数の電荷転送駆動用の透明電極６〜１１と、複数の電荷転送駆動用の透明電極６〜１１上に設けられ、入射光を透過または遮光制御する入射光透過／遮光制御手段とを有している。 （もっと読む）

【課題】ダングリングボンドに起因する暗電流を抑制しつつ、光電変換部の損傷に起因する暗電流を抑制できる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１００は、半導体基板１０と、フォトダイオード１２と、電荷転送部１４と、ゲート絶縁膜２０と、ゲート絶縁膜２０上の前記電荷転送部１４に上方に形成された電荷転送電極２２と、電荷転送電極２２に沿って形成されフォトダイオード１２上方まで拡がる第１シリコン窒化膜３０と、フォトダイオード１２上方以外の領域における第１シリコン窒化膜３０の上面に沿って形成され電荷転送電極２２のを覆う遮光膜４０と、遮光膜４０の上面及び側面に沿って形成されると共に、フォトダイオード１２上方で第１シリコン窒化膜３０に接触している第２シリコン窒化膜５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】電荷の転送効率を向上させることができる固体撮像装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置の製造方法は、ゲート電極２０を形成する工程、第２の不純物層１７を形成する工程、および第３の不純物層１８を形成する工程、を具備する。ゲート電極２０は、Ｐ型のウェル１６を表面に有する半導体基板１５上に形成される。第２の不純物層１７はＮ＋型であって、ゲート電極２０の位置を基準にして、ゲート電極２０の端部２０ａを貫通する条件で半導体基板１５の表面に対して斜め方向からウェル１６に不純物を注入することにより形成されるものである。第２の不純物層１７は、ウェル１６と接合することによってフォトダイオードを構成し、第２の不純物層１７の端部１７ａは、ゲート電極２０の端部２０ａの下に配置される。第３の不純物層１８は、Ｐ＋型であって、ゲート電極２０から露出した第２の不純物層１７の表面に形成される。 （もっと読む）

【課題】異なる波長帯の各波長帯を検出する感度を向上することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】マルチスペクトルＴＤＩ方式ＣＣＤイメージセンサは、半導体基板と、第１から第３の波長帯を検出可能なＴＤＩ方式ＣＣＤイメージセンサとを有している。第１から第３の波長帯を検出可能なＴＤＩ方式ＣＣＤイメージセンサはそれぞれ異なる波長帯を検出可能に構成された第１から第３の画素と、第１から第３の画素の各々に設けられた転送電極とマイクロレンズを備えている。転送電極は、第１のゲート電極、第２のゲート電極、および仮想電極を少なくとも含んでいる。第１の波長帯を検出するＴＤＩ方式ＣＣＤイメージセンサの画素内と第２の波長帯を検出するＴＤＩ方式ＣＣＤイメージセンサの画素内とにおいて、マイクロレンズの光軸上に設けられた電極が異なっている。 （もっと読む）

【課題】短波長領域（例えば４００ｎｍ未満）での透光性を保持しながら、赤外領域及び可視域（例えば４００〜７００ｎｍ）で高い遮光性を有し、剥がれの発生が抑制された遮光膜用着色組成物を提供する。
【解決手段】チタン原子を有する黒色チタン顔料から選ばれる少なくとも一種と、赤色有機顔料、黄色有機顔料、紫色有機顔料、及び橙色有機顔料の中から選ばれる有機顔料の少なくとも１種と、オキシム系光重合開始剤の少なくとも一種とを含み、波長６５０ｎｍの光の透過率が０．２％となるように成膜したときに、波長４００〜７００ｎｍの光の透過率の最大値が１．５％以下であり、その最大透過率を示す波長を４００〜５５０ｎｍに有しており、波長４００ｎｍにおける光の透過率が０．１％以上である。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子において、水平転送レジスタにおいて取り扱い電荷量の確保を容易とするとともに、転送効率を向上させ、コストの削減および消費電力の低減を容易に実現する。
【解決手段】固体撮像素子１は、半導体基板上の撮像領域２にて行列状に配列される受光素子３と、受光素子３により生成された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送レジスタ４と、垂直転送レジスタ４により転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送レジスタ５と、半導体基板１０上にて各転送レジスタ４，５を構成する転送電極１１，１２下に設けられるゲート絶縁膜１３とを備え、ゲート絶縁膜１３は、垂直転送レジスタ４を構成する垂直転送電極１１下に位置し、第１の膜厚（ｄ１）を有する垂直転送電極下膜部１３Ａと、水平転送レジスタ５を構成する水平転送電極１２下に位置し、第１の膜厚（ｄ１）よりも薄い第２の膜厚（ｄ２）を有する水平転送電極下膜部１３Ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】異なる波長帯の各波長帯を検出する感度を向上することができるイメージセンサを提供する。
【解決手段】イメージセンサ１００は、半導体基板２０と、異なる波長帯を検出可能な２以上の画素１と、２以上の画素１の各々に設けられた３以上の転送電極７とを備えている。２以上の画素１は、第１の画素１ａと第２の画素１ｂとを含んでいる。３以上の転送電極７は、第１の厚みｔ１を有する第１のゲート電極７ａ、第１の厚みｔ１とは異なる第２の厚みｔ２を有する第２のゲート電極７ｂ、および仮想電極７ｃを少なくとも含んでいる。第１の画素１ａ内と第２の画素１ｂ内とにおいて、第１のゲート電極７ａのゲート長Ｌ１と第２のゲート電極７ｂのゲート長Ｌ２と仮想電極７ｃのゲート長Ｌ３との比率が異なっている。 （もっと読む）

【課題】ローリングシャッタ的雑音を低減した高性能なグローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】二次元状に配置された複数の単位画素セルを備え、グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置であって、前記複数の単位画素セル２３のそれぞれは、半導体基板の上方に形成され、入射光を信号電荷に変換する光電変換膜１６と、前記光電変換膜の前記半導体基板側の面に形成された画素電極１５と、前記半導体基板上に形成され、グローバルシャッタによって前記光電変換膜１６から転送された信号電荷を蓄積するグローバル電荷蓄積拡散層７とを備え、前記グローバルシャッタは前記複数の単位セルにおいて同時に光電変換膜１６からグ信号電荷を転送することであり、前記画素電極１５は、遮光性を有する金属で形成される。 （もっと読む）

【課題】ＯＢ画素領域において暗電流の発生が抑制された固体撮像装置を得ることを目的とする。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】固体撮像装置において、ＯＢ画素領域８の光電変換部１１上部における、遮光膜１９と基板１０との間に成膜される膜を、シリコン酸化膜（絶縁膜２２）のみで構成する。これにより、ＯＢ画素領域８における光電変換部１１上部において、基板１０と遮光膜１９との間に電荷がチャージされるのを防ぐことができ、暗電流の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】膜厚精度良好な層間絶縁膜で撮像領域を覆うとともに、周辺回路領域においては層間絶縁膜上の配線と下層との間の寄生容量を十分に抑えることができ、これにより撮像特性の向上が図られた固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の表面層に配列された複数の光電変換部１３と、半導体基板１１上を覆う層間絶縁膜３１と、光電変換部１３が配列された周囲における層間絶縁膜３１上に設けられた配線３５とを備え、配線３５と層間絶縁膜３１との間に、層間絶縁膜３１とは別層からなると共に配線３５と同一のパターン形状を有する絶縁性パターン３３が挟持された構成の固体撮像素子１ａ。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＤを提供する。
【解決手段】ＣＣＤは、行及び列に配列された電荷収集サイトの２次元アレイを含み、各行は、行の方向に延びる複数の電極に関連付けられ、各電極は、それぞれの電圧相に対応する。ポリシリコン電極の抵抗性は、相電圧が電極の中央領域に出現する時に相電圧に関する時定数問題を引き起こし、この理由のために、各ポリシリコン電極に沿ってその抵抗を低下させるために導電ストリップを通すことが提案されてきた。しかし、微細な金属特徴部を加工することは困難であり、これは、従って、行が離間することができる接近の程度に制限を加える。本発明により、行に対して傾斜し、かついくつかの行の対応する電圧相の電極に電気接触する反復的に反転する部分を有する導電ストリップを提供する。好ましくは、導電ストリップは、それがそれぞれの相電圧を供給する各電極との複数の接続を行うためにジグザグ形状である。 （もっと読む）

【課題】転送電極間の容量を低減することで、高画素化と低消費電力化とを実現することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置１００は、半導体基板１１０と、半導体基板１１０に行列状に形成されており、入射光を電荷に変換する複数の光電変換部１２０と、半導体基板１１０に形成され、複数の光電変換部１２０により変換された電荷を転送するための垂直転送領域１３０と、垂直転送領域１３０上に形成されているゲート絶縁膜１３１と、ゲート絶縁膜１３１を介して、垂直転送領域１３０の上方の単一の電極層に、転送方向に沿って並んで形成されている複数の垂直転送電極１４０とを備え、複数の垂直転送電極１４０のうち隣り合う転送電極間の空間である電極間ギャップの上部の転送方向の幅Ａは、電極間ギャップの下部の転送方向の幅Ｂより広い。 （もっと読む）

【課題】配線の電荷転送電極への接続が低抵抗であり、暗時特性や集光特性などの画素特性の劣化もなく、電荷転送電極上にプラグを介して配線を良好に形成する。
【解決手段】電荷転送ゲート電極５およびゲート絶縁膜４上に設けられた第１絶縁膜６に、電荷転送ゲート電極５上に至る貫通孔のコンタクトホール８が設けられ、コンタクトホール７内に埋め込まれて電荷転送ゲート電極５と電気的に接続される金属シリサイド膜９を有する金属配線が設けられている。電荷転送ゲート電極５を構成する第１導電性膜および、コンタクトホール７内を埋め込んで金属シリサイド膜９に変質する前の第２導電性膜は共にリンドープポリシリコン膜であり、この金属シリサイド膜９は例えばコバルトシリサイド膜である。 （もっと読む）

【課題】垂直転送の際に信号電荷が残留し難い固体撮像装置を提供する。
【解決手段】行列状に配置された複数の光電変換部２と、隣接する光電変換部２の列の間に形成された電荷転送領域３と、列方向に隣接する光電変換部２の間に形成された素子分離領域６とを有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上の、電荷転送領域３に相当する領域に、光電変換部２と１対１に対応する形態で形成された転送電極４と、行方向に隣接する転送電極４の間に形成され、行方向に隣接する転送電極４を接続する配線５とを備え、電荷転送領域３には、転送電極４における転送方向上流側の端部に相当する領域のポテンシャルが低くなるよう不純物が注入されており、配線５の隣接する転送電極４を接続する部位は、転送電極４における転送方向上流側の端部から下流側にずれており、素子分離領域６は配線５と対応する半導体基板内の領域に存在している。 （もっと読む）

【課題】集光特性に優れた固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基体１１と、半導体基体１１に形成されている光電変換部とを有し、半導体基体上に、少なくとも１層以上の応力緩和層２２を介して積層されている有機材料層と無機材料層とを備える固体撮像素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】スミアおよびチップ面積を増大させずに、高感度化を実現することを目的とする。
【解決手段】電荷転送電極５の水平方向の端部に膜厚を薄くした薄膜領域Ｌ５ａを設け、遮光膜７を薄膜領域Ｌ５ａの側面に形成せずに電荷転送電極５上に形成することにより、フォトダイオード２上の開口幅Ｌ６を確保しながら、遮光膜７と半導体基板１との距離を短縮することができるので、スミアおよびチップ面積を増大させずに、高感度化を実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】画素セルの微細化に伴う感度低下を抑制することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体層１と、半導体層１に設けられた、第２導電型の不純物領域からなる電荷蓄積領域７とを備える。電荷蓄積領域７に蓄積された信号電荷が転送される、第２導電型の不純物領域からなる検出部８が、電荷蓄積領域７に対応して、電荷蓄積領域７と間隔をおいて半導体層１に設けられている。さらに、半導体層１の表面には、電荷蓄積領域７と重なる状態で絶縁膜４を介して設けられ、当該重なり部分の少なくとも一部が、可視光に対して透過性を有する透明導電体からなる転送ゲート電極５を備える。 （もっと読む）