【課題】より安定した黒レベルを得られるようにする。
【解決手段】Ｎ行のオプティカルブラック画素行を含む行列状に配列された複数の画素を有するフレーム・トランスファ方式のＣＣＤ固体撮像素子において（Ｎは２以上の整数）、 垂直転送部から水平転送部へ転送されてくるオプティカルブラック画素の電荷を垂直転送部から水平転送部へ転送するにあたり、先に転送されてくるＮ−１行分のオプティカルブラック画素の電荷については水平転送部へ転送させず、最後の１行分のオプティカルブラック画素の電荷については水平転送部へ転送させる転送制御を行う。 （もっと読む）

【課題】ダーク成分やシェーディングの影響の抑制し、読み取り速度の高速化を図る。
【解決手段】リニアセンサ１０は、１次元方向に配列された複数の第１光電変換部１１ａを有する第１センサ列１２ａと、１次元方向に配列された複数の第２光電変換部１１ｂを有する第２センサ列１２ｂと、各第１光電変換部から信号電荷を読み出して列方向に転送する第１水平転送部１４ａと、各第２光電変換部から信号電荷を読み出して列方向に転送する第２水平転送部１４ｂと、第１水平転送部により転送された信号電荷を検出して出力し、第２水平転送部により転送された信号電荷を検出して出力する出力部１８とを備える。第１光電変換部１１ａは光が入射する開口を有する受光センサであり、第２光電変換部は光が入射する開口が塞がれた遮光センサであり、各遮光センサは各々対応する受光センサに隣接して設けられ、第１センサ列と第２センサ列とが並列に設けられて構成される。 （もっと読む）

【課題】大光量時に発生する余剰電荷を確実に排出することができるようにする。
【解決手段】複数の受光部は、水平垂直方向に２次元的に配列され、入射光を電荷に変換する。垂直転送レジスタは、垂直列の受光部に対応して配置され、垂直方向に電荷を転送する。水平転送レジスタは、垂直転送レジスタから転送された電荷を水平方向に転送する。余剰電荷除去部は、垂直転送レジスタと水平転送レジスタの間に、所定の電極に印加する電圧を変化させることにより形成される、ドレイン領域に接続された経路として配置される。本技術は、例えば、固体撮像装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】製造工程を増加させることなく、スミアシェーディングを抑制し、画質を向上させる。
【解決手段】画素領域にて行列状に配列される複数の電荷蓄積部３と、半導体基板１１に設けられる電荷転送部１３、および半導体基板１１上に設けられる転送電極１４を有する複数の垂直転送部と、電荷蓄積部３とこの電荷蓄積部３により生成された信号電荷が読み出される垂直転送部との間に設けられる読み出し部６と、電荷蓄積部３の読み出し部６が設けられる側と反対側にて電荷蓄積部３と垂直転送部との間に設けられるチャネルストップ部７と、半導体基板１１の入射光が入射する側に設けられ、電荷蓄積部３に対応する位置に開口部を有する遮光膜１６と、を備え、電荷蓄積部３、電荷転送部１３、読み出し部６、およびチャネルストップ部７は、水平方向について、画素領域の中央部に対して画素領域の周辺部では、開口部に対して外側へずれた位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】隣り合う画素列の信号電荷を容易に混合することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１は、複数の光電変換部３と、光電変換部３の第１列に対応して設けられた第１垂直転送部５ａと、第１列と隣り合って位置する光電変換部３の第２列に対応して設けられた第２垂直転送部５ｂと、第１垂直転送部５ａ及び第２垂直転送部５ｂによって転送された信号電荷を行方向に転送する水平転送部７と、第１列の光電変換部３のそれぞれに対応して設けられ、第１列と第１垂直転送部５ａとの間に位置し、第１列の光電変換部３のそれぞれから第１垂直転送部５ａに信号電荷を読み出す読み出し電極４ａと、第１列の光電変換部３のそれぞれに対応して設けられ、第１列と第２垂直転送部５ｂとの間に位置し、第１列の光電変換部３のそれぞれから第２垂直転送部５ｂに信号電荷を読み出す読み出し電極４ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で、かつ、発生する電圧に依存することなく消費電力が一定している電圧調整回路を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成され、発生する電圧を調整するための回路であって、直列に接続された複数の抵抗体（抵抗１１、１２、１３ａ〜１３ｆ）と、複数の抵抗体の接続点のそれぞれに一端が接続され、他端がお互いに共通に接続された第１組の複数のヒューズ３１ａ〜３１ｇと、共通に接続された第１組の複数のヒューズ３１ａ〜３１ｇの他端に接続された第１の出力端子２とを備える。 （もっと読む）

【課題】垂直転送部における転送効率劣化による縦線などの画像不良を低減することが可能な固体撮像装置及び撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、垂直転送部２と水平転送部４と駆動制御部７とを備え、垂直転送部２は複数の垂直転送部２をグループとして有し、駆動制御部７は、出力によって、垂直転送部２、動画部２２、および水平転送部４のタイミングを変更して、垂直転送部内で発生した取り残し電荷を再転送する駆動、回収する駆動および通常の駆動を選択し、低照度から高照度までの領域で常に転送効率が最大になるように制御する。 （もっと読む）

【課題】局所的な太陽光やスポット光などの強烈光を受光したときに起こるＯＢ画素領域の信号レベル（黒基準信号）のズレを防止する。
【解決手段】ＯＢ画素領域３，４に対応した水平転送部ＨＣＣＤのみを電荷転送することにより、太陽光などの強烈光を受光した際に起こる余剰電荷の溢れ出しによる信号レベルの変動がクリーニングされて無信号化されて電荷検出部５に検出される。即ち、強烈光に影響されない真のＯＢ画素領域信号（黒基準信号）を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子において、水平転送レジスタにおいて取り扱い電荷量の確保を容易とするとともに、転送効率を向上させ、コストの削減および消費電力の低減を容易に実現する。
【解決手段】固体撮像素子１は、半導体基板上の撮像領域２にて行列状に配列される受光素子３と、受光素子３により生成された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送レジスタ４と、垂直転送レジスタ４により転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送レジスタ５と、半導体基板１０上にて各転送レジスタ４，５を構成する転送電極１１，１２下に設けられるゲート絶縁膜１３とを備え、ゲート絶縁膜１３は、垂直転送レジスタ４を構成する垂直転送電極１１下に位置し、第１の膜厚（ｄ１）を有する垂直転送電極下膜部１３Ａと、水平転送レジスタ５を構成する水平転送電極１２下に位置し、第１の膜厚（ｄ１）よりも薄い第２の膜厚（ｄ２）を有する水平転送電極下膜部１３Ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】電荷・電気信号変換部に設けた電荷入力部に余剰電荷が溢れる現象を簡単な構造で抑制することのできる技術を提供する。
【解決手段】水平転送路２１０（電荷転送部）は、電荷転送方向において、電荷を出力する最終段水平転送レジスタ２１４（電荷出力部）を有する。電荷・電気信号変換部１６は、最終段水平転送レジスタ２１４から入力された電荷を受け取るＦＤ部２５０（電荷入力部）を有する。好ましくは、水平転送路２１０上に小信号障壁２２０を設け、その出口２２２を電荷入力部と対向させる。好ましくは、水平転送路２１０に隣接して、水平オーバーフローバリア２７２及び水平オーバーフロードレイン２７６で構成された余剰電荷掃捨部２７０を配置する。電荷の転送方向に対して交差した第２の方向（幅方向）における最終段水平転送レジスタ２１４の中央部からずれた位置（好ましくは余剰電荷掃捨部２７０側）に電荷入力部を配置する。 （もっと読む）

【課題】センサ部により検出される偽信号の原因となるチャネルストップと垂直転送レジスタとの間の降伏電流を抑制し、構造的に信号電荷の逆読み出しを防止する。
【解決手段】固体撮像素子は、半導体基板上の撮像領域２にて行列状に配列され、光電変換により信号電荷を生成する複数のセンサ部３と、複数のセンサ部３の配列における列方向に沿って前記配列の２列毎にセンサ部３の列間に設けられ、センサ部３により生成された信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送レジスタ４と、各垂直転送レジスタ４とこの垂直転送レジスタ４の前記配列における行方向の両側に位置する各センサ部３との間に設けられ、センサ部３により生成された信号電荷を垂直転送レジスタ４に読み出す読み出しゲート７と、隣り合う垂直転送レジスタ４の間にて前記行方向に隣接するセンサ部３の間に設けられるチャネルストップ８とを備える。 （もっと読む）

【課題】第２の駆動モードでの取り扱い電荷量を確保す際に、第１の駆動モードでの暗時白線等のノイズによる画質劣化が問題となる。
【解決手段】画素部の飽和信号量を調整する基板バイアス調整部を利用し、第１の駆動モードと、第２の駆動モードとで、変換効率および出力回路ゲインを選択的に調整する機構により、第１の駆動モードでは、変換効率および出力回路ゲインを低く設定し、第２の駆動モードでは、変換効率および出力回路ゲインを高く設定する。 （もっと読む）

【課題】隣り合う垂直転送レジスタの信号電荷の転送方向が互いに逆向きの構成において、信号電荷の逆方向読み出しを防止し、センサ特性を維持したまま、多チャンネル出力化を実現する。
【解決手段】撮像領域２に配列される複数の受光素子３と、複数の垂直転送レジスタ４と、少なくとも２本の水平転送レジスタ５とを備え、複数の垂直転送レジスタ４は、撮像領域２の一側に設けられる水平転送レジスタ５Ａに信号電荷を転送する第１の垂直転送レジスタ４Ａと、同じく他側に設けられる水平転送レジスタ５Ｂに信号電荷を転送する第２の垂直転送レジスタ４Ｂとを交互に配置させ、各垂直転送レジスタ４は、読み出し電極Ｖ１，Ｖ３と、非読み出し電極Ｖ２と、非読み出し電極Ｖ４とを有し、第１の垂直転送レジスタ４Ａおよび第２の垂直転送レジスタ４Ｂは、非読み出し電極Ｖ２と非読み出し電極Ｖ４とを、垂直転送レジスタ４の列毎に交互に配置させる。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、２次元状に配置されたフォトダイオード１と、フォトダイオード１から読み出した信号電荷を垂直方向に転送する垂直ＣＣＤとを備えた画素領域２２と、転送チャネル４と、転送電極５および６とを有し、転送電極５および６に異なる電圧を印加することにより垂直ＣＣＤから転送された信号電荷を水平方向に転送する水平ＣＣＤと、転送電極５および６のいずれか一方と接続され、転送チャネル４の上方に転送チャネル４を覆うように設けられて転送チャネル４を遮光する配線１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】転送電極間の容量を低減することで、高画素化と低消費電力化とを実現することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置１００は、半導体基板１１０と、半導体基板１１０に行列状に形成されており、入射光を電荷に変換する複数の光電変換部１２０と、半導体基板１１０に形成され、複数の光電変換部１２０により変換された電荷を転送するための垂直転送領域１３０と、垂直転送領域１３０上に形成されているゲート絶縁膜１３１と、ゲート絶縁膜１３１を介して、垂直転送領域１３０の上方の単一の電極層に、転送方向に沿って並んで形成されている複数の垂直転送電極１４０とを備え、複数の垂直転送電極１４０のうち隣り合う転送電極間の空間である電極間ギャップの上部の転送方向の幅Ａは、電極間ギャップの下部の転送方向の幅Ｂより広い。 （もっと読む）

【課題】レジスト残膜の膜厚にばらつきがあっても、所望の製品特性を満足することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電荷の転送方向に向かって透過率が低下する透過領域１７Ａを有するグレーティングマスク１７を用いて、半導体基板１１上に一様に形成されたレジスト層１６を露光する工程と、露光されたレジスト層１６を現像することにより、グレーティングマスク１７の透過率に応じて膜厚が変化するレジスト残膜１８を形成する工程と、レジスト残膜１８を介して半導体基板１１に、イオン注入装置１９を用いてイオン２０を注入することにより、半導体基板１１内に、所定の基準ポテンシャルＰｂおよび段差ポテンシャルＰｓを有する内部ポテンシャルを形成する複数の不純物層１３を形成する工程と、を具備し、イオン注入装置１９の加速電圧およびドーズ量を、レジスト残膜１８の膜厚誤差による内部ポテンシャルの誤差が、許容範囲内となるような加速電圧、およびドーズ量とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、キャパシタを用いて半導体装置内で信号レベルをシフトさせた場合の帯域、感度の特性劣化を抑制する。
【解決手段】半導体装置１は、第１回路５１から第２回路５２までの信号の信号経路８１，８２に対して直列に接続された一対の対向電極１１２，１１３を有し、信号経路８１，８２を伝播する信号のレベルをシフトするキャパシタ５３と、一対の対向電極と重ねて形成されるシールド部５５とを有する。シールド部５５の電位は、信号経路８１，８２を伝播する信号に追従して変化する。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、且つ焦点検出用の画素を撮像画素としても兼用可能な固体撮像素子、およびこれを用いた撮影装置を提供する。
【解決手段】撮影装置２のＣＣＤ１１は、素子構造が対称な第一画素３８ａ、第二画素３８ｂと、各画素３８ａ、３８ｂ同士を分離する素子分離層４８に独立した電圧印加を可能とするＬＣＳ端子３７とを有する。瞳分割位相差検出方式による焦点検出を行う場合は、各画素３８ａ、３８ｂの受光部３０が左右対称に変形するようＬＣＳ端子３７に所定電圧よりも正負いずれかの側にシフトした電圧（素子分離層４８がｐ型半導体の場合は所定電圧よりも負側にシフトした電圧、ｎ型半導体の場合は所定電圧よりも正側にシフトした電圧）が印加される。画像データを生成する場合は、各画素３８ａ、３８ｂの受光部３０に変形が生じず各画素３８ａ、３８ｂの受光特性が等しくなるようＬＣＳ端子３７に所定電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】高速転送駆動と高輝度被写体撮影時の画質不良抑制による高品質画像の実現を両立する固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 第１水平転送レジスタ２０４と第２水平転送レジスタ２０５と水平転送レジスタ間転送ゲートＨＨＧ２０６とを具備した固体撮像装置において、第１水平転送レジスタ２０４と第２水平転送レジスタ２０５と水平転送レジスタ間転送ゲートＨＨＧ２０６に囲まれた領域に、水平ＣＣＤ転送蓄積容量を超えた過剰電子を排出するようポテンシャルバリア２１０とオーバーフロードレイン領域２１１を形成する。 （もっと読む）