【課題】 複数の画素の電荷を同時にリセットする構成の撮像装置においても、固定パターンノイズを除去するための補正用信号の精度を保ちつつ、レリーズタイムラグを短縮する。
【解決手段】 撮像素子１４の開口画素部２２０を含む領域の複数の画素２０３に蓄積されている電荷を一括してリセットする処理を行う（複数画素同時リセット状態５０２）。これが終了してから、遮光されている画素２０３の画像信号の読み出し（補正用データ読み出し状態５０３）と、当該画素２０３以外の画素２０３に対する電荷の蓄積（蓄積状態５０４）とを同時に開始し、これらを並行して行う。 （もっと読む）

【課題】光電変換特性の劣化を回避する裏面照射型のＣＭＯＳ型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子１１は、光電変換部２３が内部に形成された半導体基板の上方に層間絶縁膜２２を介して積層された光電変換層２３を備え、その光電変換層２３は、絶縁膜５１により側面が絶縁された下部電極５２ｂと、下部電極に積層された光電変換膜５３と、下部電極５２ｂとの間で光電変換膜５３を挟み込む上部電極５４とを有して構成される。そして、下部電極５２ｂの上面が絶縁膜５１の上面よりも低く形成された凹構造を有している。 （もっと読む）

【課題】ブルーミング特性の向上が可能は固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基体表面に形成されているフォトダイオード１４と、平面型及び縦型のゲート電極１６とフローティングディフュージョン１８を備える固体撮像素子３０を構成する。そして、縦型ゲート電極１６Ｂは、電荷蓄積時にゲート電極１６に電圧を印加した際に、実効ゲート幅Ｗ_ｅｆｆ方向で縦型ゲート電極１６Ｂを挟んだ両側の平面ゲート電極１６Ａ下の領域で、ポテンシャルの高さに差が発生する位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】複数枚のチップを接続して構成される固体撮像装置において、接続部を複数の画素で共有した場合でも、グローバル露光方式の画像を取得することができる固体撮像装置、固体撮像装置の制御方法、および撮像装置を提供する。
【解決手段】画素を構成する回路要素が配置された第１の基板と第２の基板とが接続部によって電気的に接続されている固体撮像装置であって、当該固体撮像装置が有する画素は複数あり、それぞれの画素は１以上のグループのいずれかに分類されており、複数の画素で１つの接続部を共有しており、画素は、第１の基板に配置された光電変換素子と、光電変換素子で発生した信号を第１の蓄積部に転送する第１の転送部と、第１の蓄積部に蓄積された信号を、同一グループに含まれる複数の画素で共有される第２の蓄積部に転送する第２の転送部と、第２の基板に配置され、第２の蓄積部に蓄積された信号を、画素から出力する出力部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】カウンタ信号の配線上に設置されるバッファ及びその配線の配置により画素の峡ピッチ化に対応することを目的とする。さらに隣接コラム間誤差を減少させる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置であって、複数の画素（１１）と、参照電圧を発生する電圧発生部（２６）と、一方向に沿って並んで配置され、複数の画素からそれぞれ出力される電圧を参照電圧とそれぞれ比較する複数の比較器（３６）と、電圧発生部が発生する参照電圧の変化に連動してカウントを行うカウンタ（３４）と、カウンタに直列に接続され、各々はカウンタの出力を順次受ける複数のバッファ回路と、複数の比較器からそれぞれ出力されるトリガ信号に応じてその入力に入力される値を取り込む複数のラッチ回路（８０）と、複数のラッチ回路のそれぞれ入力に共通に接続される共通信号線と、複数のバッファ回路の出力にそれぞれ接続され、カウンタの出力を伝搬させる複数の信号線とを備える。 （もっと読む）

【課題】周辺領域に配線を設けた裏面照射型の固体撮像装置において、画素領域における絶縁膜の薄膜化を図ることにより光電変換部での受光特性の向上を図る。
【解決手段】光電変換部２０が配列形成された画素領域４を有するセンサ基板２と、センサ基板２の受光面Ａとは逆の表面側に設けられた駆動回路と、センサ基板２における受光面Ａ上に設けられ、画素領域４の膜厚が周辺領域７の膜厚よりも薄い段差構造を有する絶縁層１４と、受光面Ａ側における周辺領域７に設けられた配線８と、絶縁層１４上に光電変換部２０に対応して設けられたオンチップレンズ１９とを備えた固体撮像装置１-1である。 （もっと読む）

【課題】装置の信頼性や、製品の歩留まりなどを向上させる。
【解決手段】第１の開口と第２の開口との内部に金属材料を埋め込んで第１プラグと第２プラグとを設けると共に、第１プラグと第２プラグとの間を接続する接続配線を設けることで、接続導電層を形成する。そして、接続導電層において接続配線の上面を被覆するようにパッシベーション膜を形成する。このパッシベーション膜の形成工程では、高密度プラズマＣＶＤ法などのように埋め込み性に優れた成膜法で、ＳｉＯ_２などの絶縁膜を成膜することによって、パッシベーション膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ダイナミックレンジの拡大を図り得る構成を、画素のサイズを抑制しつつ、且つ画素間での増倍のばらつきを抑えつつ、より簡易に実現する。
【解決手段】撮像装置１には、撮像部２における複数の画素１０からそれぞれ電荷を読み出し可能な電荷読み出し部１０と、撮像部２の各画素３から電荷を順次転送する電荷転送部２０とが設けられており、更に、電荷転送部２０によって順次転送される各画素の電荷を、共通の経路で増倍する電荷増倍部３０が設けられている。また、撮像部２の各画素の出力として、電荷読み出し部１０によって読み出される電荷、又は電荷転送部２０によって転送され且つ電荷増倍部２０によって増倍される電荷、のいずれかを選択する選択部と、選択部によって選択された各画素の出力に基づいて、各画素の画素値を算出する算出部とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で、かつ、発生する電圧に依存することなく消費電力が一定している電圧調整回路を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成され、発生する電圧を調整するための回路であって、直列に接続された複数の抵抗体（抵抗１１、１２、１３ａ〜１３ｆ）と、複数の抵抗体の接続点のそれぞれに一端が接続され、他端がお互いに共通に接続された第１組の複数のヒューズ３１ａ〜３１ｇと、共通に接続された第１組の複数のヒューズ３１ａ〜３１ｇの他端に接続された第１の出力端子２とを備える。 （もっと読む）

【課題】 信号電荷の収集効率を向上する。
【解決手段】 半導体基板の表面１０００の第１区域１００１の下に設けられた第１半導体領域１３１と、表面１０００の第２区域１００２の下に設けられ、接続部３００に接続された第２半導体領域１３２と、表面１０００の第１区域１００１と第２区域１００２との間の第３区域１００３の下に設けられた第３半導体領域１３３とを有するエネルギー線変換装置の製造方法において、
第１半導体領域１３１及び第３半導体領域１３１を、第１区域１００１及び第３区域１００３を覆い、且つ、第３区域１００３を覆う部分２０３の厚さが第１区域１００１を覆う部分２０１の厚さよりも薄い緩衝膜２００を介して、半導体基板１００にイオン注入を行うことによって形成する。 （もっと読む）

【課題】蓄積期間の同時性を持った良好な画像を得るため、有効な画素数を損なうことなく偽信号を低減でき、かつ、画素面積の縮小化が図られたグローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置において、全画素同時の露光期間が終了した後、低照度信号を第２電荷蓄積部２８に転送し、高照度信号を第１電荷蓄積部に転送する。そして、低照度信号、及び高照度信号の読み出しの前に、第３電荷蓄積部１８の偽信号を読み出す。この偽信号を用いて低照度信号及び高照度信号の信号量を補正することにより、偽信号が低減された精度のよい画像を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッド構造を有する裏面照射型センサーとその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は半導体構造を提供する。半導体構造は、正面と背面を有する装置基板;装置基板の正面上に設置される相互接続構造;および、相互接続構造に接続されるボンディングパッドを含む。ボンディングパッドは、誘電材料層中の凹部領域;凹部領域間に挿入される誘電材料層の誘電体メサ; および、凹部領域中と誘電体メサ上に設置される金属層を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の深さ位置によらずに光電変換領域の信号電荷を全て読み出すことが可能で、これにより残像のない撮像特性の向上が図られた固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１３に形成したトレンチ１７ｒ内にゲート絶縁膜１９を介して埋め込まれた読出ゲート２１ｒと、半導体基板１３の内部に設けられた光電変換領域１５ｒとを備えている。さらに、光電変換領域１５ｒとの間に間隔を保って、半導体基板１３の表面層にフローティングディフュージョン２３が設けられている。そして特に、光電変換領域１５ｒとゲート絶縁膜１９とに接して、ポテンシャル調整領域２５ｒが設けられている。このポテンシャル調整領域２５ｒは、半導体基板１３および光電変換領域１５ｒと同一の導電型で、かつ半導体基板１３および光電変換領域１５ｒよりも導電型の濃度が低い不純物領域である。 （もっと読む）

【課題】高感度画素と低感度画素の各画素情報を適用したワイドダイナミックレンジ画像を効率的に生成可能とした装置、方法を実現する。
【解決手段】異なる感度の画素からの出力画素信号として、複数の高感度画素の画素値を加算した高感度画素情報と、複数の低感度画素の画素値を加算した低感度画素情報を画素部から出力し、これらの画素情報を画素情報合成部において合成して出力画素値を決定してダイナミックレンジの広い出力画像を出力する。画素情報合成部では、例えば被写体の輝度に応じて高感度画素情報または低感度画素情報に対する重みを変更して、高感度画素情報と低感度画素情報との重み付き加算を行い、出力画像の画素値を決定して出力する。 （もっと読む）

【課題】一般的なＣＭＯＳ製造プロセスを適用した場合においても、イメージセンサ特性の劣化を生じさせず、また、製造プロセス上の制約を受けることなく、フォトダイオード上に形成された反射防止膜の膜厚を最適化できる構造を有する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子は、シリコン基板１０における上部に形成された光電変換を行うフォトダイオード１１と、シリコン基板１０上に、フォトダイオード１１を覆うように形成されたシリコン酸化膜１７と、シリコン酸化膜１７の上に形成されたシリコン窒化膜１８とを備える。シリコン窒化膜１８は、フォトダイオード１１の全部又は一部の上において、シリコン窒化膜１８における少なくとも端部の膜厚よりも薄い膜厚部分を有している。 （もっと読む）

【課題】 例えばブルーミングや混色などの発生をさらに抑制することのできる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 本開示の固体撮像装置１００では、キャリア極性が第１の導電型である第１不純物層５を含む光電変換部１１上に、キャリア極性が第２の導電型である第２不純物層６、及び、キャリア極性が第１の導電型である第３不純物層７をこの順で形成する。さらに、第３不純物層７を不純物領域部１６と接続し、かつ、第３不純物層７を覆うようにゲート電極３を形成する。この構成により、光電変換期間中に、光電変換部１１から第２不純物層６を介して第３不純物層７に向かう方向に余剰電子のオーバーフロー経路を形成して光電変換部１１の余剰電子を排出する。 （もっと読む）

【課題】複数枚のチップを接続することによって構成される固体撮像装置において、それぞれのチップの大きさの差を少なくすることによって、固体撮像装置のチップ面積（実装面積）の縮小化とコストの削減を図ることができ、かつ、高品質の画像が得られる固体撮像装置、固体撮像装置の制御方法、および撮像装置を提供する。
【解決手段】第１の基板と第２の基板とを電気的に接続する接続部によって、第１の基板と第２の基板とを電気的に接続する固体撮像装置であって、光電変換素子は第１の基板内に配置し、読み出し回路は第２の基板内に配置して光電変換素子で発生し接続部を経由した信号を読み出し、読み出された信号に対して信号処理を行う素子や回路を具備した信号処理回路は、一部の素子や回路を第１の基板内に配置し、残りの素子や回路を第２の基板内に配置し、接続部を介して第１の基板と第２の基板とに配置された素子や回路を電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】画素分離部の幅を縮小することや光電変換部の面積の拡大することを可能にする固体撮像装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の電荷蓄積領域２３を含む光電変換部及び画素トランジスタＴｒ_１から成る画素３８と、画素３８が複数配列された画素領域と、この画素領域内の隣接する画素３８間の半導体層２２に設けられたトレンチ４２の内壁部に形成された、エピタキシャル成長による第１導電型の半導体層４３と、この第１導電型の半導体層４３の内部に形成され、隣接する画素３８の電荷蓄積領域２３を分離する、画素分離部４１とを含んで、固体撮像装置２１を構成する。 （もっと読む）

【課題】撮像特性の局所的な不均一性を抑制することができるようにする。
【解決手段】例えばCMOSセンサ等の固体撮像素子であって、それぞれがフォト・ダイオードを有し、入射光を光電変換して電気信号を出力する複数の画素よりなる少なくとも１つの画素を有し、その一部の画素の、例えばAL配線層等任意の階層のレイアウトが、その他の画素の同階層のレイアウトと異なる。本開示は撮像素子または撮像装置に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】信号遷移速度の低下防止と、クロストーク抑制が両立された固体撮像装置と、その駆動方法を提供する。
【解決手段】入射された光を光電変換して、信号電荷を蓄積させる複数の光電変換部と、前記各光電変換部に蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョン領域に読み出す為の転送信号が入力される複数の転送信号線と、複数の転送信号線にそれぞれ所望の信号を入力する駆動回路と、転送信号線の駆動回路が接続される側とは反対側に接続され、転送信号線のうち所望の転送信号線に転送信号が入力されるタイミングよりも前から、所望の転送信号に隣接する転送信号線を一定電圧に固定させるための制御信号が入力される終端回路とを備えた固体撮像装置である。 （もっと読む）