【課題】裏面照射型の固体撮像装置において、受光面と遮光膜との距離を小さくすることにより、光電変換部での受光特性の向上を図る。
【解決手段】光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板と、センサ基板において光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に設けられた駆動回路と、画素領域における受光面上に設けられた遮光膜と、遮光膜を覆って設けられた保護絶縁膜と、画素領域の外側の周辺領域において、保護絶縁膜からセンサ基板にかけて埋め込まれ駆動回路に接続された複数の貫通ビアを備えた固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳトランジスタの特性のばらつきを低減するために有利な技術を提供する。
【解決手段】ＭＯＳトランジスタを含む半導体装置の製造方法は、半導体基板の上に形成された第１絶縁膜の上にゲート電極材料層を形成する工程と、前記ゲート電極材料層の上にエッチングマスクを形成する工程と、前記ゲート電極材料層をパターニングすることによりゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極が形成された前記半導体基板の上に第２絶縁膜を形成する工程とを含み、前記ゲート電極を形成する工程では、前記ゲート電極材料層がパターニングされるとともに、少なくとも、前記ゲート電極の側面の下部と、前記第１絶縁膜のうち前記側面に隣接する部分とを保護する保護膜が形成され、前記第２絶縁膜を形成する工程では、前記保護膜を覆うように前記第２絶縁膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 撮像性能の向上に適した撮像素子の新たな構造を提供する。
【解決手段】 撮像素子は、第１チップ、および第２チップを備える。この第１チップには、受光画素、および貫通配線とが形成される。複数の受光画素は、受光面に配列され、入射光に応じた電気信号を生成する。貫通配線は、受光画素の電気信号を受光面の反対面へ伝達する。一方、第２チップには、読み出し回路が形成される。読み出し回路は、貫通配線を介して電気信号を読み出して画像信号として出力する。この撮像素子は、上記の第１チップの反対面と、上記の第２チップの読み出し回路とが対向する向きに配置され、貫通配線と読み出し回路との端子間が電気的に接合される。 （もっと読む）

【課題】各マイクロレンズに対して複数の画素が割り当てられた構成を有する固体撮像装置における感度の向上に有利な技術を提供する。
【解決手段】互いに反対側の面である第１面および第２面を有する半導体基板を含む固体撮像装置は、複数の画素集合が配列された画素アレイと、各画素集合に対して１つのマイクロレンズが割り当てられるように配置された複数のマイクロレンズとを備え、各画素集合は、複数の画素を含み、各画素は、光電変換部と当該画素における回路の一部を構成する配線パターンとを含み、前記光電変換部は、前記半導体基板に形成され、前記配線パターンは、前記半導体基板の前記第１面の側に配置され、前記複数のマイクロレンズは、前記半導体基板の前記第２面の側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】画素が微細化されても、転送トランジスタのトランジスタ特性を維持し、かつ光電変換素子の受光面積を十分に確保できる固体撮像装置及びカメラを提供する。
【解決手段】光電変換素子ＰＤと画素トランジスタからなる画素が複数配列され、画素トランジスタのうちの転送トランジスタにおける転送ゲートのチャネル幅が、光電変換素子ＰＤ側よりフローティングディフージョン（ＦＤ）領域側で広くして成る。そして、転送ゲートは、ＦＤ領域と転送ゲートとが接する位置の両端部間を結ぶ直線よりも、ＦＤ領域側に少なくともその一部が形成されている。さらに、ＦＤ領域は、直線と平行な方向において、転送ゲートと接する位置以外のＦＤ領域の端部間の長さが、両端部間を結ぶ直線からＦＤ領域側に向けて広がる部分を有する。 （もっと読む）

【課題】基板間の接合性を改善してボイドの発生を抑制することにより、信頼性の向上が図られた３次元構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１を、第１電極３３および第１絶縁膜３５を含むと共に、これらの第１電極３３および第１絶縁膜３５を露出させた貼合せ面４１を有する第１基板２と、第１電極３３に電気的に接続された第２電極６７および第２絶縁膜６９を含むと共に、これらの第２電極６７および第２絶縁膜６９を露出させた貼合せ面７１を有し、第１基板２に貼り合わされて設けられた第２基板７と、各基板の貼合せ面４１，７１の間に狭持された絶縁性薄膜１２とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】画像センサにおける複数ゲイン電荷感知を提供すること。
【解決手段】画像センサであって、該画像センサは、
入射光に応答して光電荷を蓄積するための感光性領域（ＰＳＲ）のアレイと、
該ＰＳＲのうちの少なくとも１つと関連付けられている出力チャネルと
を備えており、該出力チャネルは、
光電荷を電圧に変換するための感知ノードと、
該感知ノードに接続されているキャパシタンス制御ユニットと、
該感知ノードに接続されており、第１の相互コンダクタンスを有している第１の増幅回路と、
該キャパシタンス制御ユニットに接続されており、該第１の相互コンダクタンスよりも大きい第２の相互コンダクタンスを有している第２の増幅回路と
を備えている、画像センサ。 （もっと読む）

【課題】焦点検出の精度、画質などを損なわずに、低コストで自由度の高い撮像素子を提供することができるようにする。
【解決手段】フォトダイオードおよび画素内トランジスタを含んで構成される画素であって、金属製の遮光膜を有する複数の第１の画素と、フォトダイオードおよび画素内トランジスタを含んで構成される画素であって、前記遮光膜を有しない複数の第２の画素とを備え、前記第１の画素および前記第２の画素に含まれるフォトダイオードの周囲が金属製の枠により覆われている。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの縦方向の微細化を図る。
【解決手段】実施形態に係わる固体撮像装置は、光の入射側の第１の面及びそれと反対側の第２の面を有する半導体基板１１と、半導体基板１１内のフォトダイオード１２と、半導体基板１１の第１の面側においてフォトダイオード１２の全体を覆い、半導体基板１１の外側から内側に向かう光を透過し、半導体基板１１の内側から外側に向かう光を反射する機能を有する機能層１３と、半導体基板１１の第２の面の全体を覆い、半導体基板１１の内側から外側に向かう光を反射する機能を有する反射層１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】クロストークによる画質劣化を防止することができるＭＯＳ型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】ＭＯＳ型の固体撮像素子１００は、半導体基板内に二次元状に配置形成されたＮ型不純物層からなる複数のフォトダイオード（ＰＤ）１０と、各ＰＤ１０で発生した電荷に応じた信号を読み出す半導体基板に形成された信号読み出し回路Ｃとを有する。ＰＤ１０の行と行の間の境界領域、及び、ＰＤ１０の列と列の間の境界領域の一方において、当該一方の境界領域の伸びる方向に信号読出し回路Ｃを構成するＭＯＳトランジスタが配列され、２つの境界領域の他方におけるＰＤ１０同士の間の領域の半導体基板には、入射した光に応じて電荷を発生して当該電荷を蓄積するＮ型不純物層からなる電荷蓄積部１１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサの画質を改善する
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板１１０の画素アレイ１２０内に設けられた単位セル形成領域ＵＡと、単位セル形成領域ＵＡ内に設けられ、被写体からの光信号に基づいた信号電荷を生成する画素１Ａと、単位セル形成領域ＵＡ内に設けられ、画素１Ａからフローティングディフュージョン６に転送された信号電荷に対応した電位を増幅するアンプトランジスタ５と、を含む。アンプトランジスタ５のゲート電極５０は、半導体基板１１０の溝内にゲート絶縁膜を介して埋め込まれた第１の埋め込み部１５１を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】画素セルが３つのトランジスタで構成される場合でも、横引きノイズの発生を抑えることが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】駆動回路は、所定の画素セル１１に対して、リセットトランジスタ１１７をＯＮ状態とすることで、増幅トランジスタ１１３のゲートの電位をリセットする電子シャッター動作を行い、電子シャッター動作が行われた所定の画素セル１１に対して、選択トランジスタ１１５及びリセットトランジスタ１１７を同時にＯＮ状態とすることで、リセットされた増幅トランジスタ１１３のゲートの電位に応じた電圧をリセット信号として画素セル１１から列信号線１４１に出力させるリセット信号の信号読み出し動作を行い、電子シャッター動作において、リセットトランジスタ１１７がＯＮ状態とされている時に選択トランジスタ１１５がＯＮ状態とされる。 （もっと読む）

【課題】より良好な画素信号を得る。
【解決手段】固体撮像素子は、入射する光を電荷に変換する光電変換素子、および、光電変換素子により光電変換された電荷を一時的に保持する電荷保持部が形成された半導体基板と、少なくとも半導体基板の光電変換素子および電荷保持部の間の領域に延在するように埋め込まれる埋め込み部を有する遮光部とを備える。さらに、遮光部は、光電変換素子に光が入射する側である半導体基板の裏面側において、少なくとも電荷保持部を覆うように配置される蓋部をさらに有する。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOSセンサに適用できる。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタの更なる薄膜化を達成すべく、着色剤を高濃度で含有しながらも、耐熱性に優れたカラーフィルタを製造可能な着色組成物を提供する。更に、上記着色組成物を用いたカラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び、固体撮像素子を提供する。
【解決手段】着色剤と樹脂とを含有する着色組成物であって、前記着色組成物の全固形分に対する前記着色剤の含有量が５０質量％以上であり、かつ、前記樹脂の固形分酸価が８０ｍｇＫＯＨ／ｇ超過である、着色組成物、及びこれを用いたカラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び、固体撮像素子。 （もっと読む）

【課題】感度の向上と感度のばらつきの低減のために有利な技術を提供する。
【解決手段】複数の光電変換部を有する半導体層と、前記半導体層の第１面の側に配置された配線構造とを有し、前記半導体層の第２面の側から光が入射する固体撮像装置において、前記配線構造は、前記第２面から前記第１面に向かって前記半導体層を透過した光を前記半導体層に向けて反射する反射面を有する反射部と、前記反射面と前記第１面との間に位置する絶縁膜と、を含み、前記固体撮像装置は、前記第１面に接触して配置された第１の誘電体膜と、前記絶縁膜と前記第１の誘電体膜との間に配置された、前記第１の誘電体膜および前記絶縁膜とは屈折率の異なる第２の誘電体膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】白キズや飽和電荷量を改善し、微細化に適した固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】本実施形態に係る固体撮像素子は、３画素で出力回路を共有化したブロック基本ブロックを２個準備し、一方を１８０度回転させリセットドレインを共有化して配置した６画素１セルとし、これを正方格子状または市松状に配置することで、画素と隣接する出力回路間の素子分離領域を極力減らし、かつ画素廻りの配線本数を減らし、セルを微細化しても白キズ、飽和電荷量に対するマージンを高めた固体撮像素子。 （もっと読む）

【課題】光を感知するピクセル面積量が減少することがなく、低照度性能が低下することがないイメージセンサを提供する。
【解決手段】裏面照明（「ＢＳＩ」）イメージセンサピクセル（４００）は、フォトダイオード領域（４２０）と、ピクセル回路（４３０）とを含む。フォトダイオード領域は、ＢＳＩイメージセンサピクセルの裏面上に入射する光に応答してイメージ電荷を蓄積するために半導体ダイ内に配置される。ピクセル回路が、半導体ダイの前面とフォトダイオード領域との間で半導体ダイ内に配置されたトランジスタピクセル回路を含む。ピクセル回路の少なくとも一部はフォトダイオード領域に重なり合っている。 （もっと読む）

【課題】画素間においての混色を防止することが可能で、これにより撮像特性の向上が図られた固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】固体撮像装置１-1は、半導体層３０と、半導体層３０の内部に半導体層３０の表面に対して２次元的に配列されたｎ＋型（第1導電型）の電荷蓄積領域３１とを備えている。さらに半導体層３０の内部には、半導体層３０の表面から電荷蓄積領域３１までの深さにわたってｐ＋型（第２導電型）の界面領域３７が設けられている。特に、電荷蓄積領域３１を囲む位置には、界面領域３７に対してｐ型不純物が追加で導入されたｐ++型の高濃度領域３９が電荷移動防止領域として設けられている。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサの信頼性及び画質を向上する。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、被写体からの光を信号電荷に変換する光電変換素子６０と、光電変換素子６０の信号電荷が転送される信号検出部６４に接続される電流経路の一端と制御信号線２３に接続される電流経路の他端とを有するトランジスタ６２とを含む画素６と、制御信号線２３に印加される制御信号ＲＳＴＤＲＮを選択する制御信号選択回路７と、を含む。制御信号選択回路７は、画素信号が画素６から読み出されるとき、制御信号線２３の電位を第１の電位レベル（Ｈ）に設定し、画素６を非選択状態にするとき制御信号線２３の電位を第１の電位レベルより小さい第２の電位レベル（Ｌ）に設定し、画素６が非選択状態にされた後、制御信号線２３の電位を、第１の電位レベルと第２の電位レベルとの間の第３の電位レベル（Ｍ）に設定する。 （もっと読む）

【課題】既存のＣＭＯＳ形成製造方法を用いながら、撮像性能向上に寄与するＰＤ形成用ウエル構造を実現する。
【解決手段】光を信号電荷に変換する光電変換領域を含む画素と、該画素が形成された画素領域外に、前記信号電荷を処理するための回路を含む周辺回路が同一基板上に配置された光電変換装置において、前記基板に形成された第一導電型の第１の半導体領域と前記信号電荷と同導電型である第二導電型の第２の半導体領域を含んで前記光電変換領域が形成され、第一導電型の第３の半導体領域を含んで前記周辺回路が形成されており、前記第１の半導体領域の不純物濃度は前記第３の半導体領域の不純物濃度よりも高い。 （もっと読む）