【課題】高輝度被写体の撮像時に、リセットトランジスタ及び増幅トランジスタが損傷せず、かつ、黒焼付き現象が発生しない固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板と、複数存在し、各々が単位画素を構成する第１電極と複数の第１電極上に形成された光電変換膜と光電変換膜上に形成された第２電極とを有する光電変換部と、複数の第１電極と電気的に接続され、半導体基板上に設けられた電荷蓄積領域と、電荷蓄積領域をドレイン領域とする、若しくは、電荷蓄積領域をドレイン領域と電気的に接続したリセットトランジスタとを備え、リセットトランジスタのソース領域６０６及びドレイン領域６０７の少なくともいずれかは、リセットトランジスタのゲート酸化膜６０５の下方に伸長しかつゲート酸化膜６０５に接しないパンチスルーパス６０８ａ、６０８ｂを有している。 （もっと読む）

【課題】ＰＤの飽和電荷数を増加させ、より画質の向上を図ることが出来るＣＭＯＳ固体撮像素子を提供する。
【解決手段】画素は、半導体基板６１に形成された光電変換部３１と、光電変換部３１の側面に形成された側面ピンニング層８２と、光電変換部３１の表面側に形成された表面ピンニング層８１とを備えている。画素の製造工程では、光電変換部３１が形成される領域の側面部分に画素分離部を埋め込むためのトレンチ６２’を形成し、そのトレンチ６２’が開口している状態でイオン注入を行うことにより側面ピンニング層８２および表面ピンニング層８１が同時に形成される。 （もっと読む）

【課題】電荷の転送効率を向上させることができる固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】固体撮像装置１０は、第１の不純物層２３、第２の不純物層２４、第３の不純物層２５、およびゲート電極２８、を具備する。第１の不純物層２３は、半導体基板１１に一定の深さを有するように形成され、照射された光に応じて電荷を発生させる。第２の不純物層２４は、第１の不純物層２３の表面に、所定の方向に向かって深さが浅くなるように形成される。所定の方向は、第１の不純物層２３から第３の不純物層２５に向かう方向である。第３の不純物層３５は、半導体基板１１の表面において、第１の不純物層２３および第２の不純物層２４と離間した位置に形成され、第１の不純物層２３で発生した電荷を電圧に変換する。 （もっと読む）

【課題】 光電変換素子に対するマイクロレンズの位置が高精度に制御された光電変換装置を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ１０００の活性領域１１０を画定する分離領域１２０を形成する工程（Ｓ１）と、分離領域１２０によって画定された活性領域１２０に光電変換素子１３０を形成する工程（Ｓ４）と、光電変換素子１３０の上にマイクロレンズ６００を形成する工程（Ｓ１６）と、を有し、光電変換素子１３０を形成する工程（Ｓ４）におけるアライメント（Ａ４）およびマイクロレンズ６００を形成する工程（Ｓ１６）におけるアライメント（Ａ１６）を、分離領域１１０を形成する工程（Ｓ１）で形成されたアライメントマーク（ＡＭ１）を基準にして行う。 （もっと読む）

【課題】飽和電荷量の向上が可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基体５１の表面５１Ａ側に形成された第１フォトダイオードＰＤ１と、裏面５１Ｂ側に形成された第２フォトダイオードＰＤ２を備える。そして、第２フォトダイオードＰＤ２を構成する第１導電型半導体領域５９と第２導電型半導体領域５８との接続面の不純物濃度が、第２導電型半導体領域５８の第１導電型半導体領域５９と反対側の層との接続面の不純物濃度以上である固体撮像素子５０を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ型固体撮像素子に設ける信号読出回路のトランジスタ数を削減する。
【解決手段】三原色カラーフィルタｒｇｂがベイヤ配列された第１画素群と、該第１画素群に対し水平方向，垂直方向共に１／２画素ピッチずつずれ三原色のカラーフィルタＲＧＢがベイヤ配列された第２画素群とを備えるＭＯＳ型固体撮像素子であって、同色のカラーフィルタを持つ斜めに隣接した前記第１画素群に属する画素ＰＤ１及び前記第２画素群に属する画素ＰＤ２（以下、この２つの画素をペア画素という。）及び該ペア画素に対して垂直方向に隣接する前記ペア画素ＰＤ３，ＰＤ４の計４画素を読出単位とし、該４画素毎に、１つの共通のＭＯＳトランジスタ回路（ＲＴ，Ｄｒ）で構成される信号読出回路を設ける。 （もっと読む）

【課題】ＰＤからのオーバーフローを安定的に行う固体撮像素子および電子機器を提供する。
【解決手段】撮像素子は、シリコン基板に複数の画素２１がアレイ状に配置された画素アレイ部と、画素を駆動する駆動部とを備え、画素は、ＰＤ２４、オーバーフロードレイン３３、および電位障壁部３２を有する。ＰＤ２４は、シリコン基板３１に配線層が積層される表面に対して反対側となる裏面の近傍に形成され、入射光に応じた電荷を発生する。オーバーフロードレイン３３は、裏面に接して形成され、所定の電圧で固定される。電位障壁部３２は、光電変換部２４とオーバーフロードレイン３３とに接続して形成され、光電変換部２４からオーバーフロードレイン３３へ流れ出る電荷に対する障壁となる。 （もっと読む）

【課題】 正確な軟Ｘ線の検出を行うことを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る軟Ｘ線検出装置１００は半導体基板２を有する。半導体基板２には複数の検出ユニット１が配され、それぞれの検出ユニット１は変換部３と回路部４とを含む。変換部３は例えばフォトダイオードである。変換部３では軟Ｘ線によって発生した電荷が収集される。回路部４には例えば第１導電型（Ｎチャネル型）の増幅トランジスタ６が配される。増幅トランジスタ６は、変換部３からの信号を増幅して出力する増幅部である。隣接する変換部３の間には第１導電型のトランジスタが配されない。あるいは、隣接する検出ユニットに含まれるトランジスタが、互いに近接して配される。 （もっと読む）

【課題】回路規模を抑えつつ任意画素ごとに加算処理ができ、かつデジタル変換処理期間の短縮を可能にした撮像素子、撮像装置を提供する。
【解決手段】入射光を電荷に変換する光電変換素子を含み、電荷に応じたアナログ信号を生成する単位画素が２次元配置された画素部と、画素部において生成されたアナログ信号を列方向に出力するための列信号線と、列信号線に出力された複数行のアナログ信号を列方向において加算する第１の加算部と、列アンプ回路により増幅されたアナログ信号を列ごとにデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器と、Ａ／Ｄ変換器により変換されたデジタル信号を行方向に出力するための行信号線と、行信号線に出力された複数列のデジタル信号を行方向において加算する第２の加算部と、任意の行の画素部において生成されたアナログ信号を列信号線に読み出す第１の走査部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 より信頼性の高い接合界面を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１を、接合界面Ｓｊ側の表面に形成された第１金属膜１６を有する第１半導体部１０と、接合界面Ｓｊで第１金属膜１６と接合された第２金属膜２６を有する第２半導体部２０と、界面バリア部２８とを備える構成とする。第２金属膜２６の接合界面Ｓｊ側の表面面積は第１金属膜１６の接合界面Ｓｊ側の表面面積より小さくする。そして、第１金属膜１６の接合界面Ｓｊ側の面領域のうち第２金属膜２６と接合しない面領域を含む領域に界面バリア部２８を設ける。 （もっと読む）

【課題】高画質な画像を取得することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換部２１と電荷保持部２３との間の、第１転送ゲート２２により制御可能な第１転送経路１５０と、光電変換部２１と電荷保持部２３との間の、第１転送ゲート２２により制御されない第２転送経路１４０とを備える。空乏状態において、第１転送経路１５０の電位は、第２転送経路１４０より低い電位で、かつ、光電変換部２１及び電荷保持部２３からみた第１転送経路１５０及び第２転送経路１４０以外の障壁より高い電位である。 （もっと読む）

【課題】データ出力部への転送線上の配線遅延による影響を低減でき、データ出力部におけるデータの取り込みを的確かつ高精度に行うことが可能で、ひいては走査の高速化を図ることが可能なデータ転送回路、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】基本的に、列走査回路１３は、クロック供給回路２１から供給されるマスタクロックＭＣＫを所定の配線を通してシフトレジスタ１３１を構成するラッチ１３１−０〜１３１−ｎに、たとえば最遠端側のラッチ１３１−０から順番に供給し、データ出力回路１７−０〜１７−ｎは、マスタクロックＭＣＫを基準とするクロックが位相調整された取り込みクロックＳＡＣＫによりセンスアンプ回路１７１−０〜１７１−ｎの出力データを取り込む。 （もっと読む）

【課題】色ずれを生じることなく、ダイナミックレンジの拡大を可能にする固体撮像装置を提供する。
【解決手段】電磁波を電荷に変換し、電荷量に応じた信号を出力する画素１０を含み、画素１０が２次元配置され、隣接する画素１０において、電磁波を電荷に変換する、フォトダイオードＰＤ及び転送トランジスタ２１の部分の構成は同一であるが、電荷量と信号量との関係を異ならせることが可能である、画素部とを含む固体撮像装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】ダイナミックレンジをより拡張することができるようにする。
【解決手段】
画素は、受光した光に応じた電荷を発生するフォトダイオードと、所定の容量を有し、フォトダイオードから転送されてくる電荷を蓄積するフローティングディフュージョンと、フローティングディフュージョンの容量に付加される付加容量と、フローティングディフュージョンと付加容量との接続を切り替える薄膜トランジスタとを備える。そして、付加容量および薄膜トランジスタは、フォトダイオードが形成されるシリコン基板から層間絶縁膜を介して配置される配線層中に形成される。本技術は、例えば、撮像装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】固体ＣＭＯＳイメージセンサに関し、更に具体的には、１つのピクセルに２つの
ロウラインのみを有し、光を感知するためのピンフォトダイオード、及び１つ又は２つの
カラムラインを有するＣＭＯＳイメージセンサピクセル並びにそのアレイに関する。
【解決手段】ピクセルは、アドレッシングトランジスタを有さず、感知トランジスタとリ
セットトランジスタは、何れもｐチャネル型ＭＯＳトランジスタである。結果的に、この
ような構造は、極めて低いノイズ動作をもたらす。そして、この新たなピクセル構造は、
標準ＣＤＳ信号処理動作を許容し、ピクセル−ピクセルの不均一性を減少させて、ｋＴＣ
リセットノイズを最小化する。ピクセルは、高感度、高い変換利得、高い応答均一性及び
低ノイズを有し、これは効率的な３Ｔピクセルレイアウトによって可能になる。 （もっと読む）

【課題】改善されたカラークロストークを有する、小型ピクセルを有するイメージセンサ
を提供すること。
【解決手段】本発明のイメージセンサは、第１導電型の基板と、該第１導電型の基板にア
レイされた第１ピクセル及び第２ピクセルと、該第２ピクセルに該当する前記基板内には
配置されることなく、前記第１ピクセルに該当する前記基板内に配置されたポテンシャル
障壁とを備える。ここで、前記第２ピクセルは、前記第１ピクセルに対応するカラーより
も相対的に長波長を有するカラーに対応するものである。また、前記ポテンシャル障壁は
、高エネルギーのイオン注入によるドーパントを有し、前記Ｐ型エピタキシャル層のエピ
タキシャル成長中にイオンの注入又は拡散により形成されたドーパントを有する。 （もっと読む）

【課題】ノイズや残像をより抑制した高画質な画像を得られる固体撮像装置を実現する。
【解決手段】固体撮像装置１００ａにおいて、第１導電型の半導体基板１００内に形成され、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換素子ＰＤ１、ＰＤ２と、該半導体基板１００の第１主面上に形成され、該光電変換素子で生成された信号電荷を光電変換素子の外部に転送する転送トランジスタＴｘ１、Ｔｘ２とを備え、該光電変換素子は、該第１主面とは反対側の該半導体基板の第２主面から取り込んだ入射光を光電変換する第１導電型の光電変換領域１０１と、該光電変換領域での光電変換により生成された信号電荷を、該半導体基板の第１主面側で蓄積する第２導電型の電荷蓄積領域１０２とを有し、該転送ゲートトランジスタのゲート電極１０７を該電荷蓄積領域１０２の第１主面側の面の上方を覆うよう形成している。 （もっと読む）

【課題】 隣接画素間でのクロストークを防止して、混色の発生を防止でき、再生画面上での色再現性の向上に対して有利な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板４０４に、光電変換部及び信号走査回路部を含み単位画素行列を配置して成る撮像領域を具備し、撮像領域は、隣接する単位画素との境界部分に対応して各単位画素を囲むように設けられる素子分離絶縁膜４０８を備え、素子分離絶縁膜は、信号走査回路部が形成される半導体基板の表面から半導体基板中にオフセットされて設けられ且つ半導体基板の裏面に達している。 （もっと読む）

【課題】高感度かつ高い波長分解能を有する可視・近赤外線用の分光・撮像デバイスを実現することが可能で、空間解像度の高い２次元分光マッピングを可能にする固体撮像素子および撮像システムを提供する。
【解決手段】２次元画素アレイと、２次元画素アレイの画素領域に対向するように配置され、検出すべき波長よりも短い周期的な微細パターンを有する分光機能を備えた複数種類のフィルタと、を有し、各フィルタは、２次元画素アレイの各画素の光電変換素子よりも大きく、隣接する複数の光電変換素子群に対して１種類のフィルタが配置されたて一つのユニットを形成し、複数種類のフィルタは、隣接するユニット群に対して配置されてフィルタバンクを形成し、フィルタバンクが２次元画素アレイの画素領域に対向するように、ＮｘＭユニット（但し、Ｎ，Ｍは１以上の整数）配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の、光電変換素子が形成された一方の面とは反対側の他方の面から入射した光を一方の面に形成した反射膜により効率よく反射させることができ、これにより感度向上した固体撮像装置を実現する。
【解決手段】固体撮像装置１００ａにおいて、第１導電型の半導体基板１００内に形成され、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換素子ＰＤ１およびＰＤ２と、該半導体基板１００の第１主面上に形成され、該光電変換素子ＰＤ１およびＰＤ２で生成された信号電荷を転送する転送トランジスタＴｔ１およびＴｔ２とを備え、該転送トランジスタのゲート電極１０７を、該光電変換素子を構成する電荷蓄積領域１０２の第１主面側の表面を覆うよう形成し、該転送ゲート電極１０７をポリシリコン層１０７ａとその表面を覆う高融点金属シリサイド層からなる反射膜１０７ｂにより構成した。 （もっと読む）