【課題】被曝量による閾値電圧のシフトを抑制するが可能なトランジスタを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置１は、フォトダイオードとトランジスタ１１１Ｂとを含む光電変換層を有する。トランジスタ１１１Ｂは、基板１１上に、第１ゲート電極１２０Ａ、第１ゲート絶縁膜１２９、半導体層１２６、第２ゲート絶縁膜１３０および第２ゲート電極１２０Ｂをこの順に有し、第１ゲート絶縁膜１２９および第２ゲート絶縁膜１３０におけるＳｉＯ₂膜の総和が６５ｎｍ以下となっている。トランジスタが被曝すると、ゲート絶縁膜におけるＳｉＯ₂膜に正孔がチャージされ、閾値電圧がシフトし易くなるが、上記のようなＳｉＯ₂膜厚の最適化により、閾値電圧シフトが効果的に抑制される。 （もっと読む）

【課題】リセット用トランジスタから光電変換素子の方へ漏れる電流の影響を小さくすることが出来る半導体装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】リセット用トランジスタと光電変換素子とリセット側電源線とダイオード側電源線を有する半導体装置において、リセット用トランジスタのゲート端子はリセット信号線に接続されており、光電変換素子の一方の端子は、ダイオード側電源線と電気的に接続されており、他方の端子は、リセット用トランジスタを介してリセット側電源線と接続されており、リセット用トランジスタが非導通状態のときに、リセット側電源線の電位をダイオード側電源線の電位に近づける。 （もっと読む）

【課題】ダイナミックレンジの変更の自由度が高く、感度を上げることができ、画素数の向上が容易で、かつ画質の劣化を抑制できる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】導電性要素（配線層Ｍ１（ＦＤ）および導電層ＢＣ１）は、転送トランジスタＴｘのドレイン領域ＳＤと増幅トランジスタＡｍｉのゲート電極層ＧＥとを電気的に接続している。容量配線ＭＭ（Ｃｓ）は、転送トランジスタＴｘのドレイン領域ＳＤ、リセットトランジスタＲｅｓのソース領域ＳＤ、増幅トランジスタＡｍｉのゲート電極層ＧＥ、および導電性要素のうち少なくとも１つと容量Ｃｓを構成するように配置されている。容量配線ＭＭ（Ｃｓ）は、リセットトランジスタＲｅｓがオフ状態のときに、少なくとも２つの電位Ｖ１、Ｖ２を選択的に印加されるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】
従来、ビデオカメラに比べて高解像度でサイズが大きい撮像素子が搭載された一眼レフカメラでは、消費電力や撮像素子の発熱量も大きくなるという問題があった。
【解決手段】
本発明では、二次元状に配置された複数の画素を電力供給の異なる予め設定された複数の領域に分け、前記画素に入射する光を電気信号に変換する画素部と、前記画素部から電気信号を読み出すための制御信号を前記画素部に出力する走査部と、前記走査部が出力する制御信号により前記各画素から読み出された電気信号を外部に出力する出力部と、前記画素部への電力供給を前記領域毎にオンオフを制御する電源部とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光導波路の形成による暗電流等のノイズ成分の増加を抑制することである。
【解決手段】光導波路を有する撮像装置の製造方法において、光電変換素子２上に高屈折率領域３を形成した後に、高屈折率領域３を埋め込む絶縁層４を形成する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の感度の低下を抑制しつつ、感光面の重金属汚染を低減する。
【解決手段】半導体層４の裏面からＢＯＸ層２を除去した後、半導体層４の裏面にゲッタリング層４１を積層し、半導体層４の熱処理を行うことにより、半導体層４の重金属をゲッタリング層４１にトラップさせ、半導体層４の裏面からゲッタリング層４１を除去する。 （もっと読む）

【課題】焦点検出が可能でありながら、撮像時に画素欠陥と同様の状態を引き起こすことがなく、しかも、撮像時の感度の低下を抑制する。
【解決手段】ゲート電極６７がハイであれば、埋め込みフォトダイオード４１，４２間が互いに電気的に連結される。このとき、ゲート電極６７の下方の領域は光電変換機能を持つ。一方、ゲート電極６７がローであれば、埋め込みフォトダイオード４１，４２間が電気的に分離される。このとき、ゲート電極６７の下方の領域は光電変換機能を持たない。 （もっと読む）

【課題】画素内に光信号用、ノイズ信号用のサンプルホールド回路を設けて高画質な高速動画像撮影を行う。
【解決手段】撮像素子を含み、画素は、光電変換を行う光電変換手段と、光電変換手段からの信号を増幅して出力する増幅手段と、増幅手段の出力側に設けられた光電変換手段で発生した光信号を蓄積する光信号蓄積手段と、増幅手段の出力側に設けられたノイズ信号を蓄積するノイズ信号蓄積手段と、を有する撮像装置であって、光信号蓄積手段の後段に光信号用出力線が配され、ノイズ信号蓄積手段の後段にノイズ信号用出力線が配され、画素から、前記光信号用出力線及び前記ノイズ信号用出力線に同時に信号が出力されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 配線材料の層間絶縁膜への拡散を抑制する拡散抑制膜による多層配線構造を設けた光電変換装置において、工程を増加させることなく、受光効率を高める。
【解決手段】 本発明は、半導体基板に配された光電変換素子と、前記半導体基板上に層間絶縁膜を介して複数の配線層が配された多層配線構造を有する光電変換装置であって、最上配線層の上部に、前記最上配線層を構成する材料の拡散を抑制する拡散抑制膜が配され、前記拡散抑制膜は、前記最上配線層及び前記層間絶縁膜の前記光電変換素子に対応する領域を覆って配されており、前記拡散抑制膜の前記光電変換素子に対応する領域にレンズが配されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 チップ面積を縮小可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 電源配線１０５とパッド１０３とは第１の配線層に配される。そして、電源配線１０５とパッド１０３とは互いに重ならないように配される。信号配線１０６ａ、１０６ｂは第２の配線層に配される。信号配線１０７は第２の配線層とは異なる層に配される。信号配線１０７は、パッド１０３と重なるように、パッド１０３の下部に配される。信号配線１０６と信号配線１０７とは、プラグ１０８によって互いに接続される。パッド１０３と信号配線１０７との間に緩衝部１０９が配される。 （もっと読む）

【課題】光ノイズの除去に用いる信号を取得することができる。
【解決手段】垂直制御回路２６は、静止画を撮像する際には、画素部２４が備える全ての画素２８の光電変換部を一括露光させ、露光終了のタイミングで、画素部２４が備える全ての画素２８の第１の転送部を駆動させて光電変換部が蓄積した光電荷を第１の蓄積部のみに一括転送させ、当該第１の蓄積部に蓄積された電荷を、第１の増幅部と、第１の接続部と、第１の出力信号線とを介して、光信号として読み出すとともに、第２の蓄積部に蓄積された電荷を、第２の増幅部と、第２の接続部と、第２の出力信号線とを介して、光ノイズ信号として読み出すように制御する。 （もっと読む）

【課題】縦方向と横方向の曲率に対して最適なレンズ形状とすることにより、平面視で縦方向と横方向の長さが異なる照射対象に対しても中央部分に確実に集光させて集光効率を向上させる。
【解決手段】平坦化膜上に感光性レジスト膜を成膜する感光性レジスト膜成膜工程と、透過率階調マスクを用いて照射光量を平面的に制御して、感光性レジスト膜をレンズ形状に形成するレンズ形状形成工程とを有し、レンズ形状を、マイクロレンズ３７として、平面視縦方向および横方向のうちの少なくともいずれかの方向に端部同士が重なりを有したアレイ状に形成する。平面視外形が円形のレンズ形状から、縦方向および横方向の少なくともいずれかの方向に重なりを有したアレイ状に形成する。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の高画質化を図る。
【解決手段】CMOSイメージセンサの画素アレイ部には、フォトダイオード６１と、フォトダイオード６１により生成された電荷を浮遊拡散領域６５に転送する転送ゲート６４と、浮遊拡散領域６５の電荷を排出するリセットトランジスタ６６とを少なくとも備える複数の単位画素５０が配列されている。また、単位画素５０における配線層より下層には、フォトダイオード６１の受光部を除く単位画素５０の略全ての表面を遮光する遮光膜７３が形成される。リセットトランジスタ６６による電荷排出時には、遮光膜７３に印加される電圧が第１の電圧とされ、転送ゲート６４による電荷転送時には、遮光膜７３に印加される電圧が前記第１の電圧より高い第２の電圧とされる。本発明は、例えば、CMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳイメージセンサに代表される固体撮像素子において、裏面受光構造を採ることにより、画素の微細化および高開口率化を可能とした固体撮像素子を提供する。
【解決手段】フォトダイオード３７を有するシリコン層３１と、シリコン層３１における受光面と逆側の他方の面上に設けられた配線層と、シリコン層３１内における他方の面側の表面層に設けられたＰ＋層４５とシリコン層３１内に設けられたＮ−型領域４１からなる光電変換領域と、光電変換領域よりも高濃度の第２導電型であって、シリコン層３１内におけるＰ＋層４５とＮ−型領域４１からなる光電変換領域との間に設けられたＮ＋領域４４とを備えた固体撮像素子である。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の高画質化を図る。
【解決手段】CMOSイメージセンサの画素アレイ部には、フォトダイオード６１と、フォトダイオード６１に蓄積された電荷を浮遊拡散領域６３に転送する転送ゲート６２と、浮遊拡散領域６３の電荷をリセットするリセットトランジスタ６４とを少なくとも備える複数の単位画素５０が２次元に配列されている。そして、CMOSイメージセンサにおいては、転送ゲート６２による電荷転送前に、画素アレイ部において互いに隣接しない複数の行毎に、リセットトランジスタ６４による浮遊拡散領域６３の電荷をリセットするように単位画素の駆動が制御される。本発明は、例えば、CMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】動画像に対応したグローバルシャッタ動作を行う。
【解決手段】CMOSイメージセンサの画素アレイ部には、フォトダイオード（PD）６１と、PD６１に蓄積された電荷を保持するメモリ部（MEM）６５と、MEM６５の電荷を電圧に変換する浮遊拡散領域（FD）６７と、PD６１からMEM６５に電荷を転送する第１転送ゲート６４と、MEM６５からFD６７に電荷を転送する第２転送ゲート６６と、FD６７の電荷をリセットするリセットトランジスタ６８とを少なくとも備える複数の単位画素５０が配列されている。単位画素５０は、第１転送ゲート６４のオン時に、MEM６５とFD６７との境界のポテンシャルバリアのポテンシャルを、MEM６５から溢れた電荷がFD６７に転送されるようなポテンシャルとなるように駆動する。本発明は、例えば、動画像に対応したグローバルシャッタ動作を行うCMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】飽和電荷量、転送性能および感度に対する要求を満たすために有利な技術を提供する。
【解決手段】、固体撮像装置は、第１導電型の第１半導体領域と、前記第１半導体領域の下面に接するように配置され電荷蓄積領域として機能する第２導電型の第２半導体領域と、前記第２半導体領域によって取り囲まれた側面を含む第３半導体領域と、前記第２半導体領域から離隔して配置された第２導電型の第４半導体領域と、前記第２半導体領域に蓄積された電荷を前記第４半導体領域に転送するためのチャネルを形成する転送ゲートとを含み、前記第３半導体領域は、第１導電型の半導体領域であるか、第２導電型の不純物濃度が前記第２半導体領域よりも低い第２導電型の半導体領域である。 （もっと読む）

【課題】高輝度時の画像信号の出力低下を防止し、高輝度画素と同時に読み出される同一行画素の出力変動を防止することを課題とする。
【解決手段】２次元行列状に配置された開口された複数の有効画素及び遮光された複数の遮光画素を有し、各画素が光学像を電気信号に変換する画素アレイ部と、遮光画素の信号と目標値との差分に対応する補正値を有効画素の信号に加算するクランプ回路と、クランプ回路の出力信号を信号処理する画像信号処理回路とを有し、画像信号処理回路は、画素アレイ部の同一行の画素の信号の平均値を算出する平均化部（Ｓ１０４）と、平均値を複数行にわたって積算することにより積算値を算出する積算部（Ｓ１０９）と、平均化部により算出された所定の行における平均値と積算部により算出された積算値との差分が第１の閾値より大きいときには、クランプ回路の目標値が大きくなるように目標値を変更する目標値変更部（Ｓ１０６）とを有する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置においてフォトダイオードの面積のばらつきに伴う不都合を抑制しつつ、２つの画素間でリセットトランジスターを共有化する。
【解決手段】第１の色の光を受光する第１のフォトダイオードと、第１のフォトダイオードの第１の方向の隣に配置された第２の色の光を受光する第２のフォトダイオードと、第２のフォトダイオードの第２の方向の隣に配置された第１の色の光を受光する第３のフォトダイオードと、第３のフォトダイオードの第１の方向の隣に配置された第３の色の光を受光する第４のフォトダイオードと、第１及び第２のフォトダイオードにおいて発生した電荷を排出させる第１のリセットトランジスターと、第３及び第４のフォトダイオードにおいて発生した電荷を排出させる第２のリセットトランジスターと、を具備し、第１のフォトダイオードの面積と第３のフォトダイオードの面積との差が小さい。 （もっと読む）

【課題】記憶部で発生するリーク電流を抑制した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】複数の画素回路１ａと、列信号線２１と、複数の単位記憶回路２ａとを備え、複数の単位記憶回路２ａのそれぞれは、書き込みトランジスタ３１と、記憶容量３２と、ｎ型の第１拡散領域１４３と、第１拡散領域１４３から所定距離離して形成され、書き込みトランジスタ３１のソース又はドレイン領域に隣接する絶縁分離領域１４１と、絶縁分離領域１４１の周囲に、第１拡散領域１４３から所定距離離して形成された、ｐ型の第２拡散領域１４２とを有し、少なくとも第２拡散領域１４２の表面には、金属シリサイド層が形成されていないことを特徴とする。 （もっと読む）