【課題】ボンディングパッドおよびシールド構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体装置の正面と背面に対応する正面と背面を有する装置基板と、装置基板の正面上に形成される金属層部と、半導体装置の背面に設置され、金属層部と電気的に接続するボンディングパッドと、装置基板の背面上に設置されるシールド構造と、を含み、シールド構造とボンディングパッドは異なる厚さを有する。 （もっと読む）

【課題】画素トランジスタにおける欠陥の異常成長を抑制する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１のＰウェル１０２の内部に形成され、入射光を光電変換する受光領域１０３と、Ｐウェル１０２の内部に形成されたウェル領域１０４と、Ｐウェル１０２の内部において、ウェル領域１０４に隣接して形成された素子分離領域１０５と、素子分離領域１０５の上に形成されたダミー素子１０９とを備える。 （もっと読む）

【課題】奥行計測用に発光させた光の反射光から被写体を撮像する場合、簡単な回路構成で外光や雑音の影響をなくし計測精度を向上させること。
【解決手段】１フレーム期間内に、２つの露光期間Ａ，Ｂと、一方の露光期間Ｂに一致する１つの発光期間と、３つの出力期間Ｃ，Ａ，Ｂを設ける。出力期間Ｃでは、映像信号を含まないランダム雑音を出力し、出力期間Ａでは、露光期間Ａの映像信号とランダム雑音とを出力し、出力期間Ｂでは、露光期間Ａの映像信号と露光期間Ｂの映像信号とランダム雑音とを出力する。出力された３つの期間の信号を演算して、外光による映像信号とランダム雑音を除去して発光のみによる映像信号を取得する。 （もっと読む）

【課題】転送トランジスタのカットオフ特性を向上する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１１と、半導体基板１１に設けられ、かつＮ型領域及びＰ型領域から構成されるフォトダイオード１７と、半導体基板１１に設けられ、かつフォトダイオード１７から転送された電荷を保持する浮遊拡散層２５と、半導体基板１１に設けられ、かつフォトダイオード１７に蓄積された電荷を浮遊拡散層２５に転送する転送トランジスタとを含む。フォトダイオード１７のＮ型領域は、第１の半導体領域１４と、第１の半導体領域１４より浅い第２の半導体領域１５とから構成される。第１の半導体領域１４の端部は、転送トランジスタのゲート電極２０の端部よりも浮遊拡散層２５側に位置し、第２の半導体領域１５の端部は、転送トランジスタのゲート電極２０の端部と略同じ位置である。 （もっと読む）

【課題】ワイヤグリッド偏光子へのダストの付着を抑制することが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子２１と、光電変換素子２１上に設けられたワイヤグリッド偏光子３０と、光電変換素子２１に設けられる導体層２４とワイヤグリッド偏光子３０とを電気的に接続する導体膜３５とを備える固体撮像装置２０を構成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に発生するノイズを低減する
【解決手段】 シリコン基板１００の第１部分１１０を覆い、シリコン基板１００の第１部分１１０に隣接する第２部分１２０を覆わない窒化シリコン膜２００をマスクとしてシリコン基板１００を熱酸化することにより、酸化シリコン膜３００を形成する。窒化シリコン膜２００をマスクとして酸化シリコン膜３００のバーズビーク部３１０の下へ斜めイオン注入を行うことにより、不純物領域１２１を形成する。 （もっと読む）

【課題】電荷蓄積期間の終了をメカシャッタで行う固体撮像装置であって高画質な画像を得ることができる固体撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】固体撮像装置は、２次元行列状に配列され、光電変換により信号を生成する複数の画素と、前記複数の画素に接続される信号線と、前記複数の画素を遮光するためのメカシャッタとを有し、前記画素は、光電変換により信号を生成する光電変換部と、前記光電変換部の信号をリセットするリセット部と、前記光電変換部の信号を前記信号線へ出力する選択状態と、前記光電変換部の信号を前記信号線へ出力しない非選択状態とを切り替えるための選択部とを有し、前記リセット部は、前記画素の行毎の異なるタイミングでリセット動作を解除することにより前記光電変換部における電荷蓄積期間を開始させ、前記メカシャッタは、前記光電変換部の遮光により前記電荷蓄積期間を終了させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタの膜厚が不均一となるのを抑制することができる画像撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板２１と、半導体基板２１上に形成され、画素領域３に相当する上面が周辺回路領域５に相当する上面より低い下地層（２５）と、下地層（２５）の画素領域３に相当する上面に二次元配置された複数のカラーフィルタ２７と、各カラーフィルタ２７間に配された隔壁２９とを備え、下地層（２５）における画素領域３に相当する上面に対して直交する断面において、周辺回路領域５に接する外側部分（９）に配されている隔壁２９の占有面積が、画素領域３の中央部分（１１）に配されている隔壁２９の占有面積よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／Ｎを向上しつつ、ダイナミックレンジを広くする。
【解決手段】固体撮像装置１０は、光電変換素子２１と、光電変換素子２１から信号電荷が転送される浮遊拡散層２６とを有する複数の単位画素２０が行列状に配置された画素アレイ部１１と、画素列ごとに設けられ、かつ単位画素２０から信号を読み出すための複数の信号線３０と、画素列ごとに設けられ、かつ浮遊拡散層２６と容量結合する複数の容量配線４０と、複数の信号線３０と複数の容量配線４０との接続を切り替える複数のスイッチ素子４２と、複数の容量配線４０と電源線４１との接続を切り替える複数のスイッチ素子４３とを含む。 （もっと読む）

【課題】光学フィルターの色毎に感度が異なることに起因する色ノイズが効果的に抑圧する。
【解決手段】固体撮像素子は、２次元マトリックス状に配列された複数の画素１ａと、列毎に奇数行の画素が接続される第１の列出力線８および偶数行の画素が接続される第２の列出力線９とを有し、複数の色フィルターを備える光学フィルターの色フィルターが画素の各々に対応づけられて第１および第２の列出力線から、画素に入力された光学像に応じて同色の出力信号を画像信号として出力する。列回路１２，１３は列毎に第１および第２の列出力線に対応して設けられ、前記出力信号を増幅する。列回路の増幅率は画素に対応づけられた色フィルターに応じて異なる。 （もっと読む）

【課題】 ビア形成時のエッチングによる基板や配線への影響を抑制しつつ積層された半導体ウェハの回路どうしを接続する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、第１基板と第１基板の一面と接するように形成された第１絶縁層を有する第１の半導体ウェハと、第２基板と第２基板の一面と接するように形成された第２絶縁層を有する第２の半導体ウェハを接合する工程と、第１基板の他面に第３絶縁層を形成する工程と、第３絶縁層、第１基板、及び第１絶縁層を貫通し第２絶縁層に形成された第２の配線上に第２絶縁層が残るようにエッチングを行い第１接続孔を形成する工程と、第１接続孔に絶縁膜を形成する工程と、第２の配線上の第２絶縁層及び絶縁膜のエッチングを行い第２接続孔を形成し第２の配線を露出させる工程と、第１及び第２接続孔の内部に形成され第２の配線と接続する第１のビアを形成する工程とを備え、第１基板の他面に形成された第１接続孔の径は第３絶縁層に形成された前記第１接続孔の径より大きい。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、ピクセル、ピクセル配列及びピクセル配列を含む画像センサーに関する。
【解決手段】本発明の実施形態によるピクセルは、光電変換部と、光電変換部で変換された電荷を蓄積するためのコンデンサと、コンデンサに接続されてコンデンサの電位に応じてキャパシタンスが変化する可変コンデンサと、コンデンサの電位を出力するためのスイッチング素子と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子が発生した光電子を４方向に振り分けて読み出すことができるとともに、リセットノイズを正確に除去することができる単位画素及び固体撮像装置並びに単位画素の信号加算方法を提供する。
【解決手段】光を検知して光電子に変換する光電変換素子を有する受光装置を備える単位画素であって、前記受光装置は、前記光電変換素子に発生した前記光電子を転送するための第１転送部と、前記光電変換素子により発生した前記光電子を一時的に保持する光電子保持部と、前記光電子保持部が保持した前記光電子を転送するための第２転送部と、転送された前記光電子を保持して該転送された前記光電子を電圧に変換させるための浮遊拡散層とを含む複数の光電子振分部を有し、前記単位画素は、前記浮遊拡散層の電位を基準電位にリセットするためのリセット用トランジスタと、前記光電変換素子に発生した前記光電子を排出する光電子排出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】過大光が入射しても故障しない積層型の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子１００は、基板１０上方の光電変換部Ｐと、光電変換部Ｐで発生した電荷に応じた信号を読みだす回路Ｓとを含む画素１０１を複数有する。回路Ｓは、基板１０内に形成され画素電極２１に移動した正孔が蓄積される電荷蓄積部１０と、電荷蓄積部１０の電位に応じた信号を出力する出力トランジスタ３２とを含む。電荷蓄積部１０は、画素電極２１と電気的に接続される電荷蓄積領域１１と、領域１１の隣に離間して形成される電荷蓄積領域１３と、領域１１と領域１３とを、断面ポテンシャルにおいて、所定の電位よりも高い電位においては電気的に分離し、前記所定の電位以下の電位においては電気的に接続する領域１２とにより構成され、出力トランジスタ３２は領域１３の電位に応じた信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】光源の強度や環境光に依存しない信頼性の高い距離情報を取得することができる測距システムを提供する。
【解決手段】照射装置と固体撮像装置と演算部とを備える測距システムであって、前記固体撮像装置は、第１照射タイミングで照射された照射光の反射光を第１受光期間及び第２受光期間で受光するとともに、第２照射タイミングで照射された前記照射光の前記反射光を、第３受光期間及び第４受光期間でそれぞれ受光し、前記演算部は、前記第１受光期間〜前記第４受光期間で得られた光電子数を用いて、測距対象までの距離を算出し、前記第１受光期間及び前記第３受光期間は、前記反射光が前記固体撮像装置に到達してから該反射光の強度が最大になるまでの時間を含み、前記第２受光期間及び前記第４受光期間は、前記固体撮像装置に到達する前記反射光の強度が減少してから該反射光の前記固体撮像装置への到達が終了するまでの時間を含む。 （もっと読む）

【課題】画素の駆動精度を低下させることなく、高速に連続してグローバルシャッタ動作を行う固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子を有する単位画素が１次元又は２次元に配列された画素アレイと、前記単位画素に与えられる信号電圧を選択的に切り換える切換スイッチと、第１信号電圧、第１信号電圧より高い第２信号電圧、及びその第３信号電圧を、前記切換スイッチを切り換えて選択的に前記単位画素に印加して前記単位画素を駆動する画素駆動部とを備え、前記画素駆動部は、前記第１信号電圧と前記第２信号電圧とを交互に前記複数の単位画素に印加するとともに、前記第１信号電圧から前記第２信号電圧に切り換える際、及び、前記第２信号電圧から前記第１信号電圧に切り換える際に、前記単位画素に前記第３信号電圧を経由して印加することで、複数の前記単位画素の前記光電変換素子に発生する前記光電子の蓄積、保持、転送、リセット、排出のいずれかを一斉に行う。 （もっと読む）

【課題】 感度が向上し、ＳＮ比の高い画像を得ることが可能となる。
【解決手段】 光電変換装置は、入射光を電荷に変換する光電変換素子と、その電荷をフローティングノードに転送するための転送用ＭＯＳトランジスタと、電荷に基づく信号を増幅して出力するための増幅用ＭＯＳトランジスタと、を複数有する。その増幅された信号は出力信号線に出力される。このような光電変換装置において、少なくとも２つのフローティングノードが電気的に接続され、その接続は、増幅用ＭＯＳトランジスタのゲート電極と同じ材料からなる配線によって行われる。 （もっと読む）

【課題】 構成要素の位置の製造上のばらつきによる焦点検出用画素の瞳強度分布のばらつきを抑制した撮像素子を提供する。
【解決手段】 複数の画素の各々の受光側に設けられたマイクロレンズと、マイクロレンズが集光した光を受光する光電変換部とを有する撮像素子である。例えば、焦点検出用画素が、マイクロレンズと光電変換部との間に、瞳分割を行うための遮光層を有する構造を有しているとする。この場合、マイクロレンズの焦点位置が、遮光層よりもマイクロレンズ側に位置し、マイクロレンズの焦点位置から遮光層までの距離が、０より大きくｎＦΔより小さくなるように構成する。ただし、ｎはマイクロレンズの焦点位置での屈折率、Ｆはマイクロレンズの絞り値、Δはマイクロレンズの回折限界である。 （もっと読む）

【課題】シリコン界面からの暗電流の発生を防止するために、基板裏面側にｐ＋層を形成する構造を採った場合に種々の問題が発生する。
【解決手段】シリコン基板３１の裏面上に絶縁膜３９を設け、さらにその上に透明電極４０を設け、電圧源４１から透明電極４０を介して絶縁膜３９にシリコン基板３１のポテンシャルに対して負の電圧を印加することにより、基板裏面側シリコン界面に正孔を貯めて当該シリコン界面に正孔蓄積層が存在しているのと等価な構造を作り出す。 （もっと読む）

【課題】位相差検出画素の遮光膜開口を小さくすることなく良好な位相差情報を取得する。
【解決手段】基板上に二次元アレイ状に配列形成され各々が入射光量に応じた信号電荷を発生させる複数の光電変換素子５と、該複数の光電変換素子５の各々の上に積層される同形状のマイクロレンズと、光電変換素子５の受光面と対応する前記マイクロレンズとの間に介挿され該光電変換素子５の受光面上に開口６が設けられた遮光膜とを備え、光電変換素子５のうち被写体からの入射光の位相差情報を検出する隣接する２つの光電変換素子５Ｇ，５ｇに設けられる前記開口が該２つの光電変換素子で共通に１つの開口７として設けられる （もっと読む）