【課題】固体撮像装置において、ゴーストなどの発生を抑制して、画像品質を向上させる。
【解決手段】入射光Ｈを受光する複数の画素ＰＸが半導体基板１０１の上面に配列されているセンサ基板１００と、前記センサ基板の上面に下面が対面しており、前記入射光が透過する透明基板３００と、前記透明基板の上面と前記センサ基板の上面との間のいずれかの位置に設けられており、前記入射光が透過する回折格子６０１とを有し、前記回折格子は、前記半導体基板の上面にて前記複数の画素が配列された画素領域ＰＡに前記入射光が入射し回折されることで生ずる反射回折光を回折するように形成する。 （もっと読む）

【課題】ダイナミックレンジをより拡張することができるようにする。
【解決手段】
画素は、受光した光に応じた電荷を発生するフォトダイオードと、所定の容量を有し、フォトダイオードから転送されてくる電荷を蓄積するフローティングディフュージョンと、フローティングディフュージョンの容量に付加される付加容量と、フローティングディフュージョンと付加容量との接続を切り替える薄膜トランジスタとを備える。そして、付加容量および薄膜トランジスタは、フォトダイオードが形成されるシリコン基板から層間絶縁膜を介して配置される配線層中に形成される。本技術は、例えば、撮像装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】色ずれを生じることなく、ダイナミックレンジの拡大を可能にする固体撮像装置を提供する。
【解決手段】電磁波を電荷に変換し、電荷量に応じた信号を出力する画素１０を含み、画素１０が２次元配置され、隣接する画素１０において、電磁波を電荷に変換する、フォトダイオードＰＤ及び転送トランジスタ２１の部分の構成は同一であるが、電荷量と信号量との関係を異ならせることが可能である、画素部とを含む固体撮像装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて、検査が行い易く、かつ精度よく放射線を検知することができる、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】画素２０は、センサ部１０３Ａとセンサ部１０３Ｂとを備えている。画像取得用画素２０Ａでは、センサ部１０３Ａとセンサ部１０３Ｂとが接続配線３２により接続されており、センサ部１０３Ａで発生した電荷及びセンサ部１０３Ｂで発生した電荷がＴＦＴスイッチ４により読み出されて信号配線３に出力される。放射線検知用画素２０Ｂでは、センサ部１０３Ａで発生した電荷がＴＦＴスイッチ４により読み出されて信号配線３に出力される。また、放射線検知用画素２０Ｂでは、センサ部１０３Ｂと信号配線３とが直接、接続配線３４により接続されており、センサ部１０３Ｂで発生した電荷はそのまま信号配線３に出力される。 （もっと読む）

【課題】雑音が小さい積層型の固体撮像装置を実現できるようにする。
【解決手段】固体撮像装置は、行列状に配置された複数の画素１１と、列ごとに形成された垂直信号線１４１と、垂直信号線と接続された負荷部２３とを備えている。画素１１は、増幅トランジスタ１１３、アドレストランジスタ１１５、リセットトランジスタ１１７及び光電変換部１１１を有している。光電変換部１１１は、半導体基板の上に形成された光電変換膜と、光電変換膜の基板側の面に形成された画素電極及び光電変換膜の画素電極と反対側の面に形成された透明電極とを含む。リセットトランジスタ１１７は、ソースが画素電極と接続され、ドレインが増幅トランジスタ１１３のドレインと共に電源線と接続され、負荷部２３は、負性抵抗２３Ｂを含む。 （もっと読む）

【課題】改善されたカラークロストークを有する、小型ピクセルを有するイメージセンサ
を提供すること。
【解決手段】本発明のイメージセンサは、第１導電型の基板と、該第１導電型の基板にア
レイされた第１ピクセル及び第２ピクセルと、該第２ピクセルに該当する前記基板内には
配置されることなく、前記第１ピクセルに該当する前記基板内に配置されたポテンシャル
障壁とを備える。ここで、前記第２ピクセルは、前記第１ピクセルに対応するカラーより
も相対的に長波長を有するカラーに対応するものである。また、前記ポテンシャル障壁は
、高エネルギーのイオン注入によるドーパントを有し、前記Ｐ型エピタキシャル層のエピ
タキシャル成長中にイオンの注入又は拡散により形成されたドーパントを有する。 （もっと読む）

【課題】十分な感度を有し、かつ低いコストで実現することが可能な構成の光電変換素子を提供する。
【解決手段】チオインジゴ誘導体を含んで成る光電変換層１２を有する、光電変換素子１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】固体ＣＭＯＳイメージセンサに関し、更に具体的には、１つのピクセルに２つの
ロウラインのみを有し、光を感知するためのピンフォトダイオード、及び１つ又は２つの
カラムラインを有するＣＭＯＳイメージセンサピクセル並びにそのアレイに関する。
【解決手段】ピクセルは、アドレッシングトランジスタを有さず、感知トランジスタとリ
セットトランジスタは、何れもｐチャネル型ＭＯＳトランジスタである。結果的に、この
ような構造は、極めて低いノイズ動作をもたらす。そして、この新たなピクセル構造は、
標準ＣＤＳ信号処理動作を許容し、ピクセル−ピクセルの不均一性を減少させて、ｋＴＣ
リセットノイズを最小化する。ピクセルは、高感度、高い変換利得、高い応答均一性及び
低ノイズを有し、これは効率的な３Ｔピクセルレイアウトによって可能になる。 （もっと読む）

【課題】 隣接画素間でのクロストークを防止して、混色の発生を防止でき、再生画面上での色再現性の向上に対して有利な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板４０４に、光電変換部及び信号走査回路部を含み単位画素行列を配置して成る撮像領域を具備し、撮像領域は、隣接する単位画素との境界部分に対応して各単位画素を囲むように設けられる素子分離絶縁膜４０８を備え、素子分離絶縁膜は、信号走査回路部が形成される半導体基板の表面から半導体基板中にオフセットされて設けられ且つ半導体基板の裏面に達している。 （もっと読む）

【課題】高感度かつ高い波長分解能を有する可視・近赤外線用の分光・撮像デバイスを実現することが可能で、空間解像度の高い２次元分光マッピングを可能にする固体撮像素子および撮像システムを提供する。
【解決手段】２次元画素アレイと、２次元画素アレイの画素領域に対向するように配置され、検出すべき波長よりも短い周期的な微細パターンを有する分光機能を備えた複数種類のフィルタと、を有し、各フィルタは、２次元画素アレイの各画素の光電変換素子よりも大きく、隣接する複数の光電変換素子群に対して１種類のフィルタが配置されたて一つのユニットを形成し、複数種類のフィルタは、隣接するユニット群に対して配置されてフィルタバンクを形成し、フィルタバンクが２次元画素アレイの画素領域に対向するように、ＮｘＭユニット（但し、Ｎ，Ｍは１以上の整数）配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の、光電変換素子が形成された一方の面とは反対側の他方の面から入射した光を一方の面に形成した反射膜により効率よく反射させることができ、これにより感度向上した固体撮像装置を実現する。
【解決手段】固体撮像装置１００ａにおいて、第１導電型の半導体基板１００内に形成され、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換素子ＰＤ１およびＰＤ２と、該半導体基板１００の第１主面上に形成され、該光電変換素子ＰＤ１およびＰＤ２で生成された信号電荷を転送する転送トランジスタＴｔ１およびＴｔ２とを備え、該転送トランジスタのゲート電極１０７を、該光電変換素子を構成する電荷蓄積領域１０２の第１主面側の表面を覆うよう形成し、該転送ゲート電極１０７をポリシリコン層１０７ａとその表面を覆う高融点金属シリサイド層からなる反射膜１０７ｂにより構成した。 （もっと読む）

【課題】カウンタ信号の配線上に設置されるバッファ及びその配線の配置により画素の峡ピッチ化に対応することを目的とする。さらに隣接コラム間誤差を減少させる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置であって、複数の画素（１１）と、参照電圧を発生する電圧発生部（２６）と、一方向に沿って並んで配置され、複数の画素からそれぞれ出力される電圧を参照電圧とそれぞれ比較する複数の比較器（３６）と、電圧発生部が発生する参照電圧の変化に連動してカウントを行うカウンタ（３４）と、カウンタに直列に接続され、各々はカウンタの出力を順次受ける複数のバッファ回路と、複数の比較器からそれぞれ出力されるトリガ信号に応じてその入力に入力される値を取り込む複数のラッチ回路（８０）と、複数のラッチ回路のそれぞれ入力に共通に接続される共通信号線と、複数のバッファ回路の出力にそれぞれ接続され、カウンタの出力を伝搬させる複数の信号線とを備える。 （もっと読む）

【課題】周辺領域に配線を設けた裏面照射型の固体撮像装置において、画素領域における絶縁膜の薄膜化を図ることにより光電変換部での受光特性の向上を図る。
【解決手段】光電変換部２０が配列形成された画素領域４を有するセンサ基板２と、センサ基板２の受光面Ａとは逆の表面側に設けられた駆動回路と、センサ基板２における受光面Ａ上に設けられ、画素領域４の膜厚が周辺領域７の膜厚よりも薄い段差構造を有する絶縁層１４と、受光面Ａ側における周辺領域７に設けられた配線８と、絶縁層１４上に光電変換部２０に対応して設けられたオンチップレンズ１９とを備えた固体撮像装置１-1である。 （もっと読む）

【課題】一部のゲートのみを順次スキャンして光電変換素子の信号を読み出した後に残りのゲートのスキャン動作を短時間で行っても、オフセットレベルの差がない画像を得る。
【解決手段】Ｘ線平面検出器は、光電変換素子とスイッチング素子と含む画素を正方格子に配列したＴＦＴアレーと、正方格子の行のそれぞれに対して設けられてスイッチング素子に接続されたゲート線３１と、ゲート線３１に接続されてスイッチング素子をスイッチするパルス状の制御信号を出力するゲート制御回路３７とを有する。ゲート制御回路３７は、全画素領域２９のうち有効画素領域２０内の画素に接続された複数のゲート線３１にＴＦＴをＯＮ状態にするパルス状信号を順次出力するスキャン動作と、無効画素領域２１内の画素に接続された複数のゲート線３１に複数のパルス状信号を順次出力するリフレッシュ動作とを行う。 （もっと読む）

【課題】 複数の画素の電荷を同時にリセットする構成の撮像装置においても、固定パターンノイズを除去するための補正用信号の精度を保ちつつ、レリーズタイムラグを短縮する。
【解決手段】 撮像素子１４の開口画素部２２０を含む領域の複数の画素２０３に蓄積されている電荷を一括してリセットする処理を行う（複数画素同時リセット状態５０２）。これが終了してから、遮光されている画素２０３の画像信号の読み出し（補正用データ読み出し状態５０３）と、当該画素２０３以外の画素２０３に対する電荷の蓄積（蓄積状態５０４）とを同時に開始し、これらを並行して行う。 （もっと読む）

【課題】装置の信頼性や、製品の歩留まりなどを向上させる。
【解決手段】第１の開口と第２の開口との内部に金属材料を埋め込んで第１プラグと第２プラグとを設けると共に、第１プラグと第２プラグとの間を接続する接続配線を設けることで、接続導電層を形成する。そして、接続導電層において接続配線の上面を被覆するようにパッシベーション膜を形成する。このパッシベーション膜の形成工程では、高密度プラズマＣＶＤ法などのように埋め込み性に優れた成膜法で、ＳｉＯ_２などの絶縁膜を成膜することによって、パッシベーション膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタの電気特性のしきい値電圧をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフのスイッチング素子を実現するトランジスタ構造およびその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の酸化物半導体層上に、電子親和力が第１の酸化物半導体層の電子親和力よりも大きく、またはエネルギーギャップが第１の酸化物半導体層のエネルギーギャップよりも小さい第２の酸化物半導体層を形成し、さらに第２の酸化物半導体層を包むように第２の酸化物半導体層の側面及び上面を覆う第３の酸化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】高感度画素と低感度画素の各画素情報を適用したワイドダイナミックレンジ画像を効率的に生成可能とした装置、方法を実現する。
【解決手段】異なる感度の画素からの出力画素信号として、複数の高感度画素の画素値を加算した高感度画素情報と、複数の低感度画素の画素値を加算した低感度画素情報を画素部から出力し、これらの画素情報を画素情報合成部において合成して出力画素値を決定してダイナミックレンジの広い出力画像を出力する。画素情報合成部では、例えば被写体の輝度に応じて高感度画素情報または低感度画素情報に対する重みを変更して、高感度画素情報と低感度画素情報との重み付き加算を行い、出力画像の画素値を決定して出力する。 （もっと読む）

【課題】蓄積期間の同時性を持った良好な画像を得るため、有効な画素数を損なうことなく偽信号を低減でき、かつ、画素面積の縮小化が図られたグローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置において、全画素同時の露光期間が終了した後、低照度信号を第２電荷蓄積部２８に転送し、高照度信号を第１電荷蓄積部に転送する。そして、低照度信号、及び高照度信号の読み出しの前に、第３電荷蓄積部１８の偽信号を読み出す。この偽信号を用いて低照度信号及び高照度信号の信号量を補正することにより、偽信号が低減された精度のよい画像を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッド構造を有する裏面照射型センサーとその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は半導体構造を提供する。半導体構造は、正面と背面を有する装置基板;装置基板の正面上に設置される相互接続構造;および、相互接続構造に接続されるボンディングパッドを含む。ボンディングパッドは、誘電材料層中の凹部領域;凹部領域間に挿入される誘電材料層の誘電体メサ; および、凹部領域中と誘電体メサ上に設置される金属層を含む。 （もっと読む）