【課題】光電変換膜の感度を低下させることなく、高い光電変換効率を得ることが可能な固体撮像装置及び当該固体撮像装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】半導体基板の上部に設けられる光電変換膜を用いて、入射光を光電変換する固体撮像装置あるいは当該固体撮像装置を有する電子機器において、光電変換膜をその膜面が基板面に対して傾斜するようにレイアウトすることで、光電変換膜内における入射光の光路長を長くする。そして、光路長を長くできる分だけ光電変換膜の膜厚を薄くすることで、光電変換膜の感度の低下を招くことなく、高い光電変換効率を得る。 （もっと読む）

【課題】過大光が入射した場合の故障防止、画素サイズ縮小が可能な積層型の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上方に形成された光電変換部Ｐと半導体基板に形成されたＭＯＳ型の信号読出し回路Ｓとを含む画素１００がアレイ状に配置された固体撮像素子である。信号読出し回路Ｓは、画素電極１に移動した正孔が蓄積される電荷蓄積部４と、電荷蓄積部４にゲート電極７１が電気的に接続され電荷蓄積部４の電位に応じた信号を出力する出力トランジスタ７と、ゲート電極７１の電位が所定値以上になるのを防止する保護トランジスタ６とを含む。保護トランジスタ６は電源に接続されるソース領域６２を有し、出力トランジスタ７は前記電源に接続されるドレイン領域７２を有し、隣接する２つの画素１００にソース領域６２とドレイン領域７２が１つずつ含まれるように、当該２つの画素１００においてソース領域６２とドレイン領域７２が共通化されている。 （もっと読む）

【課題】画素サイズが小さくなっても、上記電荷検出部の容量を更に低減することにより電荷電圧変換率を更に向上させて更なる高画質の画像信号を得る。
【解決手段】Ｎ型基板２の上部にＰ型ウエル３が設けられ、Ｐ型ウエル３内に埋め込みフォトダイオード６および電荷検出部７が設けられており、電荷検出部７の下方のＰ型ウエル３は完全に空乏化されている。このように、電荷検出部７とＮ型基板２に挟まれたＰ型ウエル３を空乏化することにより、電荷検出部７のジャンクション容量Ｃを大幅に下げることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】画質の劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、フォトダイオード形成領域５０内に設けられ、少なくとも１つの不純物層５５を含むフォトダイオード５と、フォトダイオード形成領域５０内に設けられ、フォトダイオード５の下方に設けられる空洞５９とを、含んでいる。 （もっと読む）

【課題】出力部の変換効率を向上させて、高感度の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、信号電荷を生成する複数の受光部１０２と、前記信号電荷を転送する転送部１０４と、転送部１０４から転送される信号電荷を蓄積する浮遊拡散層２２と、浮遊拡散層２２の信号電荷を電圧に変換する出力部２３と、転送部２２と出力部２３とに接する分離領域とを備え、分離領域は、第１導電型不純物を含む第１分離領域２４１と、第１分離領域２４１よりも高濃度の第１導電型不純物を含む第２分離領域２４２を有し、前記第１分離領域は、前記浮遊拡散層に隣接する。 （もっと読む）

【課題】グローバル電子シャッター機能を備えながら、高い感度および高い画質を有するＭＯＳ型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１０１、フォトダイオード１０５、接続ダイオード１７５、蓄積ダイオード１０６、オーバーフロードレイン１０９を有する。フォトダイオード１０５は、半導体基板１０１内におけるＺ軸方向の上主面側に、当該主面に沿う状態で、且つ、互いの間に間隔をあけた状態で二次元形成されている。蓄積ダイオード１０６は、半導体基板１０１内におけるＺ軸方向の下主面側に、設けられている。オーバーフロードレイン１０９も、半導体基板１０１内におけるＺ軸方向の下主面側に、設けられている。フォトダイオード１０５に接続された接続ダイオード１７５は、蓄積ダイオード１０６およびオーバーフロードレイン１０９の各々に対し、ゲートを介して配されている。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の画質の向上を図る。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板１０の撮像領域２１内に設けられ、少なくとも１つの光電変換素子３０を含む単位セルと、半導体基板１０の黒基準領域２９内に設けられ、少なくとも１つの光電変換素子４０を含む黒基準セルと、半導体基板１０上の絶縁膜７１を介して単位セルの上方に設けられるレンズ６０と、絶縁膜７１を介して黒基準セルの上方に設けられ、表面に凹凸部６２を有する第１の遮光膜６１と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】低輝度レベルでの画像収集を行う電子増倍画像センサを提供する。
【解決手段】各ピクセルは、半導体能動層１２の表面に、フォトダイオード領域（ＰＨＤ）、電荷蓄積ノード１８、およびフォトダイオードから蓄積ノードに電荷を転送するための転送構造を含んでいる。転送構造は、フォトダイオードに隣接する第１の転送ゲート（ＴＲ１）、蓄積ノードに隣接する第２の転送ゲート（ＴＲ２）、および第１と第２の転送ゲートの間に位置する電子増倍増幅構造（ＡＭＰ）を含んでいる。増幅構造は、２個の別々の加速ゲート（ＧＡ、ＧＢ）、および２個の加速ゲートの間に位置し、固定された表面電位を有する中間ダイオード領域（ＤＩ）を含んでいる。電荷が蓄積ノードに転送される前に転送構造内で移動中に、一連の高および低電位が交互に加速ゲートに印加される。増幅は交替の数に依存する。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の画像品質を向上させる。
【解決手段】半導体基板１０１の表面と配線層１１１との間に、フォトダイオード２１を透過した透過光を吸収する光吸収層４０１を設ける。 （もっと読む）

【課題】ダイナミックレンジを向上させた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】
列方向に隣接した少なくとも４つのフォトダイオード１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃ、１３２ｄを含んで１つの単位セルが構成され、半導体基板には単位セル毎に、少なくとも４つのフォトダイオードの各々に対応し、ドレインがフローティングディフュージョン１３８ａ、１３８ｂとして機能する少なくとも４つの転送トランジスタと、フローティングディフュージョンの電位をリセットするためのリセットトランジスタと、フローティングディフュージョンの電位に応じた電圧信号を出力する増幅トランジスタが形成され、配線層は２層構造であり、２層のうち下側の層は、列方向に隣接したフォトダイオードの間を行方向に延伸して形成された複数の配線を含み、複数の配線にはフローティングディフュージョンの電位を制御するためのフローティングディフュージョン制御配線２１１が存在する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ型の固体撮像装置において、画素が微細化されても感度の向上を図る。
【解決手段】画素トランジスタのうち、少なくともリセットトランジスタ及び増幅トランジスタを共有する横２画素、縦４×ｎ画素（ｎは正の整数）のフォトダイオード配列を１共有単位としたレイアウトを有する。そして、増幅トランジスタのゲート長を画素ピッチ以上の長さとする。 （もっと読む）

【課題】ｎ型イオン注入領域を二重に形成することにより、素子の均一度の低下なく、良好な電荷移送効率を確保できるＣＭＯＳイメージ・センサー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】素子分離膜２２が形成された半導体基板２１上にトランスファー・ゲート２３を形成し、トランスファー・ゲート２３に整列するフォトダイオード用第１のｎ型イオン注入領域２４を形成し、フォトダイオード用第１のｎ型イオン注入領域２４を含むフォトダイオード用第２のｎ型イオン注入領域２４を形成し、フォトダイオード用第１のｎ型イオン注入領域２４と一部が重なるフォトダイオード用ｐ型イオン注入領域２６を、半導体基板２１の表面とフォトダイオード用第１のｎ型イオン注入領域２４との間に形成し、トランスファー・ゲート２３の両側壁にスペーサ２７を形成し、トランスファー・ゲート２３の他側にフローティング拡散領域２８を形成する。 （もっと読む）

【課題】開口率を高めると共に感度を向上させることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、行列状に配置された複数の画素を備えた撮像領域が形成された半導体基板１０３と、撮像領域の上に形成された第１の配線層（撮像領域側）１０５ａおよび第２の配線層１０５ｂとを備え、前記撮像領域において、複数フォトダイオードＰＤ、転送トランジスタＴＧ、フローティングディフュージョンＦＤ、リセットトランジスタＲＳ、増幅トランジスタＳＦが形成され、隣接する画素の間を列方向に延伸する行方向配線及び隣接する画素の間を列方向に延伸する列方向配線は、第２配線層１０５ｂにおいて画素の中央部では１本以下である。 （もっと読む）

【課題】複数の受光素子によって単位画素を構成する撮像素子において、２つの画像信号を効率よく読み出せるようにするとともに、読み出し回路を効率良く配置できるようにする。
【解決手段】第１の画像を生成するための第１の受光素子と、第１の画像に対して視差を有する第２の画像を生成するための第２の受光素子とを含む受光素子群と、受光素子群の直上に配置されたマイクロレンズとを単位画素とし、単位画素を二次元に配置した固体撮像素子であって、第１の受光素子からの信号を第１の方向から読み出し、第２の受光素子からの信号を第２の方向から読み出すようにした。 （もっと読む）

【課題】３個または４個のトランジスタで構成され、コンパクトなレイアウトのピクセル、高感度、少ないノイズ及び低い暗電流を有する実用的なイメージセンサを提供する。
【解決手段】隣接するローにそれぞれ割り当てられる２個のフォトダイオード３０２、３０３、及びフォトダイオード３０２、３０３に共有される共通フローティング拡散領域３０６を有する第１アクティブ領域３０１と、第１アクティブ領域３０１と空間的に分離されて形成され、ピクセルをリセットさせるリセットトランジスタ有する第２アクティブ領域３０９と、第１及び第２アクティブ領域３０１、３０９と空間的に分離されて形成され、共通フローティング拡散領域３０６の電荷に応答てピクセル信号を出力する駆動トランジスタを有する第３アクティブ領域３２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の撮像素子をタイル状につなぎ合わせた大面積撮像装置において、ダイシング後の切断面に欠損が無く、画素配列に欠落を生じない素子端部の構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】つなぎ合わせ端部の受光領域の構造が素子分離領域の一部であって密接する互いの素子分離領域の幅の合計がつなぎ合わせ領域以外の素子分離領域の幅と同等もしくはそれよりも狭く形成する。 （もっと読む）

【課題】光センサの感度を効率よく向上させる。
【解決手段】光センサは、受光した光を電流に変換する光検出素子Ｄ１と、光検出素子Ｄ１との間に寄生容量を発生させる導電膜ＬＳと、リセット信号および読み出し信号とを、光検出素子Ｄ１を介して蓄積ノードＩＮＴへ供給する制御信号配線ＲＷＳＴと、蓄積ノードＩＮＴおよび出力配線ＯＵＴに接続され、読み出し信号にしたがって、蓄積ノードＩＮＴの電位に応じた出力信号を出力配線ＯＵＴへ出力するスイッチング素子Ｍ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】 フローティングディフュージョン部の容量の増大を抑制することが可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】 光電変換素子と、フローティングディフュージョン部と、転送トランジスタと、増幅トランジスタとが配された半導体基板と、第１の配線層と、第２の配線層とを含む複数の配線層と、を有する光電変換装置において、転送トランジスタのゲート電極と、前記第２の配線層とがスタックコンタクト構造で接続されている。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の光感度の低下を抑制する。
【解決手段】入射光を電気信号に変換する光電変換部を有する画素２と、画素２に対応して形成されたカラーフィルタ１５と、カラーフィルタ１５を介して入射光を光電変換部ＰＤに集光するマイクロレンズ１６と、を含む複数の画素領域と、マイクロレンズ１６側の第１の端面と該第１の端面と対向する第２の端面とを有し、前記画素領域の辺部に形成された第１遮光部１７と、マイクロレンズ１６側の第１の端面と該第１の端面と対向する第２の端面とを有し、画素２の表面から第１の端面までの距離が、第１遮光部１７より短く、画素領域の角部に形成された第２遮光部１８と、を備える固体撮像装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】オーバーフローバリアを低下させ、リセット電圧を低減でき、ピンチ領域にかかる電界を抑制で、また、チャネルでのディップやバリアの形成を抑制し、線形性の劣化を防止しすることが可能な固体撮像装置およびカメラを提供する。
【解決手段】画素セルＣｅｌは、基板１００に形成された第１導電型(ｎ型)の第１ウェル１１０と、第１ウェル１１０より第２基板面１０２側に形成された第２導電型（ｐ型）の第２ウェル１２０とを有し、第１ウェル１１０は光を受光する受光部として機能し、受光した光の光電変換機能および電荷蓄積機能を有し、第２ウェル１２０は、第１ウェル１１０の受光部における蓄積電荷を検出し、閾値変調機能を有するＭＯＳ型トランジスタ１３０が形成され、トランジスタ１３０は、ゲート電極１３１がソース側主ゲート１３１Ｍとドレイン側サブゲート１３１Ｓに分離されている。 （もっと読む）