固体撮像装置
【課題】開口率を高めると共に感度を向上させることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、行列状に配置された複数の画素を備えた撮像領域が形成された半導体基板１０３と、撮像領域の上に形成された第１の配線層（撮像領域側）１０５ａおよび第２の配線層１０５ｂとを備え、前記撮像領域において、複数フォトダイオードＰＤ、転送トランジスタＴＧ、フローティングディフュージョンＦＤ、リセットトランジスタＲＳ、増幅トランジスタＳＦが形成され、隣接する画素の間を列方向に延伸する行方向配線及び隣接する画素の間を列方向に延伸する列方向配線は、第２配線層１０５ｂにおいて画素の中央部では１本以下である。
【解決手段】固体撮像装置は、行列状に配置された複数の画素を備えた撮像領域が形成された半導体基板１０３と、撮像領域の上に形成された第１の配線層（撮像領域側）１０５ａおよび第２の配線層１０５ｂとを備え、前記撮像領域において、複数フォトダイオードＰＤ、転送トランジスタＴＧ、フローティングディフュージョンＦＤ、リセットトランジスタＲＳ、増幅トランジスタＳＦが形成され、隣接する画素の間を列方向に延伸する行方向配線及び隣接する画素の間を列方向に延伸する列方向配線は、第２配線層１０５ｂにおいて画素の中央部では１本以下である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置に関し、特に、配線開口を拡大することによりフォトダイオードに入射される光量を増加させて感度を向上させる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像装置のひとつであるＭＯＳ型イメージセンサは、ディジタルスチルカメラ等の高画素数化の要望に対し、単位セルサイズを縮小することでその要望に応えてきた。しかし、単位セルサイズを縮小させると、フォトダイオードの周辺に配された金属配線がフォトダイオードへの入射光の光路を遮り、これにより感度低下や混色等が発生する。
【０００３】
このような感度低下や混色等を防止するため、種々の工夫が多くなされてきた。
例えば、オンチップレンズによる集光、多画素共有によるフォトダイオード面積の拡大、レイアウトの工夫による配線層数の削減や配線開口の拡大、導波路の利用といった技術が開発され、感度の向上や混色防止に貢献している（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
以下、図２３を参照して、特許文献１に記載されている従来の固体撮像装置（光電変換装置）について説明する。ここでは、光電変換装置として説明する。
図２３は、光電変換装置の画素領域と垂直走査回路の等価回路図である。
【０００５】
光電変換装置は、画素領域（１）に多数の単位セルを備える。単位セルは、フォトダイオード（ＰＤ２−１，ＰＤ２−２）、転送トランジスタ（Ｍ１，Ｍ２）、リセットトランジスタ（Ｍ３，Ｍ５）、増幅トランジスタ（Ｍ４）を含む。なお、ここでは、２画素（フォトダイオード）で１セルを構成している。
【０００６】
フォトダイオード（ＰＤ２−１，ＰＤ２−２）は、受けた光に応じて光電変換により電荷を蓄積し、転送トランジスタ（Ｍ１，Ｍ２）は、フォトダイオード（ＰＤ２−１，ＰＤ２−２）に蓄えられた電荷を転送制御信号に応じて電荷蓄積部（フローティングディフュージョン）に転送する。リセットトランジスタ（Ｍ３，Ｍ５）は、リセット信号に応じて電荷蓄積部ＦＤを初期化し、増幅トランジスタ（Ｍ４）は、電荷蓄積部に蓄積された電荷のレベルに応じた信号（電圧）を出力信号線（２）に出力する。
【０００７】
転送トランジスタ（Ｍ１，Ｍ２）のゲートは転送ゲート線（４３，４４）に接続され、リセットトランジスタ（Ｍ３，Ｍ５）のゲートはリセット線（４６）に接続されている。増幅トランジスタ（Ｍ４）のソースは信号線（２）に接続されている。
【０００８】
増幅トランジスタ（Ｍ４）のドレインとリセットトランジスタ（Ｍ５）のドレインはアクティブ領域で接続されていると共に、隣の列の電源線（４）にブリッジ線（４５）を介して接続されている。なお、隣の列に配されているリセットトランジスタ（Ｍ５）のドレインは、当該列の電源線（４）に接続されている。
【０００９】
ここで、転送ゲート線（４３，４４）、ブリッジ線（４５）、リセット線（４６）は、半導体基板に近い第１層配線により構成され、信号線（２）、電源線（４）は、第１層配線よりも上方の第２層配線により構成されている。
【００１０】
次に、配線について説明する。
第１層配線である転送ゲート線（４３，４４）は、上下方向に隣接するセル間であるフォトダイオードの間を行（図では横方向である。）方向に延伸し、ブリッジ線（４５）とリセット線（４６）は、セル内のフォトダイオードの間を行方向に延伸している。
【００１１】
第２層配線である信号線（２）は、行方向に隣接するフォトダイオードの間を列方向に延伸している。電源線（４）は、行方向に１列おきに隣接するフォトダイオードの間を列方向に延伸している。
【００１２】
上記構成では第２層配線は、行方向に隣接するフォトダイオードの間には一本の信号線（２）と、一本の信号線（２）と一本の電源線（４）との合計２本の配線とが配されることとなり、隣接するフォトダイオード間に２本の配線が配された光電変換装置よりも開口率を大きくできる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２０１０−１６０５６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、上記の特許文献１に記載の光電変換装置は、フォトダイオード間の配線が平均すると１．５本となり、従来のフォトダイオード間の配線が２本のものよりも開口率を向上させることができるが、更なる高画素化の要望に応えるには画素サイズの縮小が必要であり、より開口率の向上の工夫が必要である。
【００１５】
また、隣接するフォトダイオード間に第２層に配線が２本ある場合、画素サイズの縮小を進めていくと、オンチップレンズによる集光された光と配線とが干渉し、感度低下をもたらす。
【００１６】
以上のような課題に対し、本発明の目的は、開口率を高めると共に感度を向上させることができる固体撮像装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するために、本発明の固体撮像装置は、行列方向に配置された複数の画素を備える撮像領域と、当該撮像領域周辺に周辺回路を備える周辺回路領域とを有する半導体基板と、前記撮像領域の上方に配され且つ前記画素と前記周辺回路とを接続するための配線層とを備え、前記配線層は、前記半導体基板側から、第１配線層と第２配線層とをこの順で備え、前記第１配線層には、第１の方向に隣接する画素間を前記第１の方向と直交する第２の方向に延伸する２本の配線が配置され、前記第２配線層には、前記第２の方向に隣接する画素間を前記第１の方向に延伸する２本の配線が配置され、前記第２配線層の２本の配線のうち少なくとも１本は、前記第１の方向に隣接する画素の中央領域で第１配線層に入り込んでいることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１８】
上記構成によれば、前記第２配線層の２本の配線のうち少なくとも１本は、前記第１の方向に隣接する画素の中央領域で第１配線層に入り込んでいるため、第２配線層の配線が前記第１の方向に隣接する画素の中央領域で１本以下となり、開口率及び感度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１の実施の形態に係る固体撮像装置の単位セルにおける拡散層、ポリシリコン、コンタクトを示したレイアウト図である。
【図２】第１の実施の形態に係る固体撮像装置の単位セルを模式的に示す回路図である。
【図３】図１に加え第１配線層、第１配線層と第２配線層を繋ぐビアを示したレイアウト図である。
【図４】図３に加え第２配線層を示したレイアウト図である。
【図５】図４における破線ａでの断面図である。
【図６】図４における破線ｂでの断面図である。
【図７】図１に加え第１配線層、第１配線層と第２配線層を繋ぐビアを示した第２の実施の形態に係るレイアウト図である。
【図８】図７に加え第２配線層を示したレイアウト図である。
【図９】図８における破線ｃでの断面図である。
【図１０】図８における破線ｄでの断面図である。
【図１１】図１に加え第１配線層、第１配線層と第２配線層を繋ぐビアを示した第３の実施の形態に係るレイアウト図である。
【図１２】図１１に加え第２配線層を示したレイアウト図である。
【図１３】図１２における破線ｅでの断面図である。
【図１４】図１２における破線ｆでの断面図である。
【図１５】図１に加え第１配線層、第１配線層と第２配線層を繋ぐビアを示した第３の実施の形態に係るレイアウト図である。
【図１６】図１５に加え第２配線層を示したレイアウト図である。
【図１７】図１６における破線ｇでの断面図である。
【図１８】図１６における破線ｈでの断面図である。
【図１９】第５の実施の形態に係る固体撮像装置の単位セルにおける拡散層、ポリシリコン、コンタクトを示したレイアウト図である。
【図２０】第５の実施の形態に係る固体撮像装置の単位セルを模式的に示す回路図である。
【図２１】図１９に加え第１配線層、第１配線層と第２配線層を繋ぐビアを示したレイアウト図である。
【図２２】図２１に加え第２配線層を示したレイアウト図である。
【図２３】先行技術における光電変換装置の画素領域と垂直走査回路との等価回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
実施の形態で説明している形状、材料、数値等の形態は好ましい例を示しているだけであり、本発明はこの形態に限定されることはない。また、本発明の技術的思想の範囲を逸脱しない範囲で、適宜変更は可能であり、他の実施の形態や変形例等の組み合わせは、矛盾が生じない範囲で可能である。
【００２１】
本発明に係る固体撮像装置は、行方向および列方向のフォトダイオード間の金属配線の数を２本とし、第１配線層に１本、第２配線層に１本をレイアウトすることにより、または第１配線層に２本レイアウトすることにより、開口を拡大し、開口率及び高感度化を実現するものである。
＜第１の実施の形態＞
第１の実施の形態に係る固体撮像装置は、行方向に隣接するフォトダイオードの中央を通り行方向に延伸する仮想面での断面において第１配線層に配線１本、第２配線層に配線１本をそれぞれ配置している。また、列方向に隣接するフォトダイオードの中央を通り列方向に延伸する仮想面での断面において第１配線層に配線１本、第２配線層に配線１本をそれぞれ配置している。
【００２２】
つまり、第１配線層１０５ａには、第１の方向である列方向に隣接する画素間を前記第１の方向と直交する第２の方向である行方向に延伸する２本の配線（ここでは、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２の２本や転送制御信号線Ｔ３，Ｔ４の２本や第１電源線ＶＤＤ１とリセット信号線Ｒｘとの２本である。）が配置され、第２配線層１０５ｂには、第２の方向である行方向に隣接する画素間を第１の方向である列方向に延伸する２本の配線（ここでは、信号線ＳＩＧとグランド線ＶＳＳとの２本や信号線ＳＩＧと第３電源線ＶＤＤ３との２本である。）が配置され、第２配線層１０５ｂの２本の配線のうち１本（ここでは、２本の信号線ＳＩＧとグランド線ＶＳＳのうち信号線ＳＩＧ又はグランド線ＶＳＳの１本や、２本の配線信号線ＳＩＧと第３電源線ＶＤＤ３のうち信号線ＳＩＧ又は第３電源線ＶＤＤ３の１本である。）が、第１の方向である列方向に隣接する画素の中央領域で第１配線層１０５ａに入り込み、第１の配線層１０５ａの２本の配線のうち１本（ここでは、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２のうちの何れか１本や、転送制御信号線Ｔ３，Ｔ４のうちの何れか１本や、第１電源線ＶＤＤ１とリセット信号線Ｒｘとの２本のうちリセット信号線Ｒｘの１本である。）が、第２の方向である行方向に隣接する画素の中央領域で第２の配線層１０５ｂに入り込んでいる。
【００２３】
以下、第１の実施の形態を図１〜図６を用いて詳細を説明する。
図１は、第１の実施の形態に係る固体撮像装置の単位セルにおける拡散層、ポリシリコン、コンタクトを示したレイアウト図である。
【００２４】
図２は、第１の実施の形態に係る固体撮像装置の単位セルを模式的に示す回路図である。
図３は図１に加え第１配線層、第１配線層と第２配線層を繋ぐビアを示したレイアウト図であり、図４は図３に加え第２配線層を示したレイアウト図である。
【００２５】
図５は図４における破線ａでの断面図であり、図６は図４における破線ｂでの断面図である。
１．全体構成
固体撮像装置１０１は、図５や図６に示すように、主面側に撮像領域と周辺回路領域とを有する半導体基板１０３と、半導体基板１０３の撮像領域上に形成された配線層１０５と、配線層１０５に設けられた導波路１０７と、半導体基板１０３の少なくとも撮像領域上に設けられたカラーフィルタ１０９と、カラーフィルタ１０９上に設けられレンズ１１１とを備える。
【００２６】
撮像領域は、図１に示すように、行列方向に配置された複数の画素を備える。周辺回路領域は、画素領域からの画素信号を外部装置に出力したり、各トランジスタに給電したりするための回路を備える（図示省略）。なお、周辺回路領域は、画素領域の周辺の一部の範囲又は全部の範囲に設けられている。
【００２７】
配線層１０５は、周辺回路と各画素とを電気的に接続する配線が配されており、半導体基板１０３側から第１配線層１０５ａと第２配線層１０５ｂとの２層を有している。つまり、２層構造である。具体的には、第１配線層１０５ａ及び第２配線層１０５ｂのそれぞれは、絶縁材料（例えば、ＳｉＯ２である）内に金属線（例えば、アルミ線である。）を形成することで構成されている。
【００２８】
導波路１０７は、例えば、配線層１０５内に配されている配線間に形成されている。導波路１０７は、周辺（例えば、配線層１０５である。）よりも屈折率が高い材料（例えば、ＳｉＮ：屈折率２．０である。）により構成されている。なお、導波路１０７の径を大きくすると、レンズ１１１により集光された光をより多く受光部（フォトダイオード）に入射させることができ、高感度化を実現することができる。
【００２９】
各画素は、図１に示すように、フォトダイオードＰＤ、転送トランジスタＴＧを有する。ここでは、複数の画素から１つの単位セルを構成し、本実施の形態では、４個の画素により１つの単位セルが構成されている（所謂、４画素１セル構造である。）。
【００３０】
つまり、単位セルは、４つのフォトダイオードＰＤ（例えば、ＰＤ１１，ＰＤ２１，ＰＤ３１，ＰＤ４１）と、４つの転送トランジスタＴＧ（例えば、ＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ３，ＴＧ４）と、１つのリセットトランジスタＲＳと、２つの増幅トランジスタＳＦ（例えば、ＳＦ１，ＳＦ２）を備える。
【００３１】
なお、フォトダイオード、転送トランジスタ、リセットトランジスタは、それらの位置に関係なく、全体的に、フォトダイオード、転送トランジスタ、増幅トランジスタを説明する場合には、フォトダイオードでは「ＰＤ」を、転送トランジスタでは「ＴＧ」を、増幅トランジスタ「ＳＦ」をそれぞれ用いる。
【００３２】
また、ここでの列方向は、１つの単位セルを構成する複数（ここでは４個である。）のフォトダイオードが並ぶ方向（配列方向である。）であり、行方向は、フォトダイオードの並ぶ方向と直交する方向である。
【００３３】
フォトダイオードＰＤは、受けた光に応じて光電変換により電荷を蓄積し、転送トランジスタＴＧは、フォトダイオードＰＤに蓄えられた電荷を転送制御信号に応じて電荷蓄積部（フローティングディフュージョン）ＦＤに転送する。リセットトランジスタＲＳは、リセット信号に応じて電荷蓄積部ＦＤを初期化し、増幅トランジスタＳＦは、電荷蓄積部ＦＤに蓄積された電荷のレベルに応じた信号を出力する。
２．レイアウト
図１を用いて、フォトダイオード等のレイアウトを説明する。
【００３４】
本実施の形態に係る単位セルは、上述したように、４個のフォトダイオードＰＤ１１，ＰＤ２１，ＰＤ３１，ＰＤ４１と、４個の転送トランジスタＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ３，ＴＧ４と、２個の増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２と、１つのリセットトランジスタＲＳを備える。
【００３５】
４個のフォトダイオードＰＤ１１，ＰＤ２１，ＰＤ３１，ＰＤ４１が列方向に等間隔をおいて配され、各フォトダイオードＰＤに対応して、４つの転送トランジスタＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ３，ＴＧ４等が配されている。
【００３６】
なお、フォトダイオードの符号「ＰＤｎｋ」は、「ｎ」は行数、「ｋ」は列数を示しており、場合によっては、「ｎ」、「ｋ」、「ｋ＋１」等を用いている。例えば、図中において２行３列目に配されているフォトダイオードを示す場合「ＰＤ２３」となる。なお、「ｎ」、「ｋ」は共に自然数である。
【００３７】
転送トランジスタの符号「ＴＧｎ」は、フォトダイオードＰＤｎｋの行を示す「ｎ」に対応している。つまり、転送トランジスタＴＧ３は、当該転送トランジスタが配されている単位セルにおける３行目のフォトダイオードＰＤ３ｋに対応して設けられた転送トランジスタＴＧを指している。
【００３８】
転送トランジスタＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ３，ＴＧ４は、各フォトダイオードＰＤ１１，ＰＤ２１，ＰＤ３１，ＰＤ４１に対応して配置されている。例えば、転送トランジスタＴＧ１，ＴＧ３は、フォトダイオードＰＤ１１，ＰＤ３１の斜め下方に、転送トランジスタＴＧ２，ＴＧ４は、フォトダイオードＰＤ２１，ＰＤ４１の斜め上方にそれぞれ配置されている。
【００３９】
具体的には、単位セルを構成する４つのフォトダイオードＰＤのうち、上半分に位置するフォトダイオードＰＤ１ｋ，ＰＤ２ｋに対応する転送トランジスタＴＧ１，ＴＧ２は、フォトダイオードＰＤ１ｋ，ＰＤ２ｋが互いに対向する側に存する１つの角に相当する領域に互いに対峙する状態で配されている。単位セルの下半分に位置するフォトダイオードＰＤ３ｋ，ＰＤ４ｋに対応する転送トランジスタＴＧ３，ＴＧ４は、フォトダイオードＰＤ３ｋ，ＰＤ４ｋが互いに対向する側に存する１つの角に相当する領域に互いに対峙する状態で配されている。
【００４０】
なお、言うまでもなく、フォトダイオードＰＤと転送トランジスタＴＧとの位置関係は本例に限定するものでなく、他の位置関係でも良い。
増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２は、単位セルの列方向の中央周辺に配されている。つまり、増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２は、単位セルを構成する４つのフォトダイオードＰＤのうち、２行目のフォトダイオードＰＤ２ｋと３行目のフォトダイオードＰＤ３ｋとの間の領域やその領域の周辺に配されている。つまり、各単位セル内の転送トランジスタＴＧ２，ＴＧ３の間の領域に配されている。
【００４１】
リセットトランジスタＲＳは、行方向に隣接するフォトダイオードとの間（行方向に隣接する単位セルの間でもある。）であって、単位セルの列方向の端領域（ここでは、上端側の領域である。）に配されている。つまり、フォトダイオードＰＤ１ｋを含む単位セルのリセットトランジスタＲＳは、フォトダイオードＰＤ１ｋにおけるフォトダイオードＰＤ１ｋに対応した転送トランジスタＴＧ１が配されている側と反対側の領域に配されている。
３．回路構成
図２を用いて、フォトダイオード等の接続を説明する。
【００４２】
なお、各トランジスタ等と配線との接続については後述する。
各転送トランジスタＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ３，ＴＧ４は、そのソースが対応するフォトダイオードＰＤ１ｋ，ＰＤ２ｋ，ＰＤ３ｋ，ＰＤ４ｋのＮ側電極に接続され、そのゲートが対応する転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４に接続されている。
【００４３】
各転送トランジスタＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ３，ＴＧ４のドレインは、２個の増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２のゲートに接続されると共に、リセットトランジスタＲＳのソースに接続されている。これにより、電荷蓄積部ＦＤが構成される。
【００４４】
増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２の各ドレインは第２電源線ＶＤＤ２に接続され、ソースは信号線ＳＩＧに接続されている。
リセットトランジスタＲＳは、ゲートがリセット信号線Ｒｘに接続され、ドレインが第１電源線ＶＤＤ１に接続されている。
【００４５】
また、半導体基板１０３の基板電位（グランド）を確保するグランド線ＶＳＳが後述の基板コンタクトＣ６に接続されている。
４．配線
固体撮像装置１０１は、図１及び図２に示すように、配線層１０５に行方向配線群と列方向配線群とを有する。行方向配線群は、列方向に隣接する画素間を行方向に延伸する配線である。この行方向配線群には、第１電源線ＶＤＤ１、リセット信号線Ｒｘ、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４、第２電源線２ＶＤＤ２がある。
【００４６】
列方向配線群は、列方向に隣接する画素間を行方向に延伸する配線である。この列方向配線群には、グランド線ＶＳＳ、信号線ＳＩＧ、第３電源線ＶＤＤ３がある。
（１）転送制御信号線（Ｔ）
転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４は、行列状に配されたフォトダイオード（ＰＤ）の行間を行方向に延伸する状態で配されている。
【００４７】
転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２は、各単位セルにおける１行目のフォトダイオードＰＤ１ｋと、２行目のフォトダイオードＰＤ２ｋとの間を行方向に延伸する。転送制御信号線Ｔ３，Ｔ４は、各単位セルにおける３行目のフォトダイオードＰＤ３ｋと、４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋとの間を行方向に延伸する。なお、言うまでもなく、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４の配置位置は本例に限定するものでなく、他の位置でも良い。
【００４８】
転送制御信号線Ｔ１は、第１配線層１０５ａの配線Ｔ１ａと第２配線層１０５ｂの配線Ｔ１ｂとからなる。同様に、転送制御信号線Ｔ２は、第１配線層１０５ａの配線Ｔ２ａと第２配線層１０５ｂの配線Ｔ２ｂとから、転送制御信号線Ｔ３は、第１配線層１０５ａの配線Ｔ３ａと第２配線層１０５ｂの配線Ｔ３ｂとから、転送制御信号線Ｔ４は、第１配線層１０５ａの配線Ｔ４ａと第２配線層１０５ｂの配線Ｔ４ｂとからそれぞれなる。
【００４９】
なお、転送制御信号線Ｔ１と転送制御信号線Ｔ３とは、配置箇所が異なるだけで同じ構成をし、転送制御信号線Ｔ２と転送制御信号線Ｔ４とは、配置箇所が異なるだけで同じ構成をしている。このため、以下、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２について説明する。
（ｉ）第１配線層の配線（Ｔ１ａ，Ｔ２ａ等）
転送制御信号線Ｔ１の配線Ｔ１ａは、図３に示すように、１行目のフォトダイオードＰＤ１ｋにおける２行目側（フォトダイオードＰＤ２ｋ側である。）の端に沿って形成され、行方向に配された各フォトダイオードＰＤ１ｋに対応して形成された除去部と張出部とを交互に有しながら、行方向に延伸している。
【００５０】
つまり、転送制御信号線Ｔ１の配線Ｔ１ａは、フォトダイオードＰＤ１１を基準にすると、１行目の奇数列のフォトダイオードＰＤ１１，ＰＤ１３等では配線のない除去部となっており、１行目の偶数列のフォトダイオードＰＤ１２，１４等では、２行目のフォトダイオードＰＤ２２，ＰＤ２４側に張り出す張出部となっている。
【００５１】
同様に、転送制御信号線Ｔ２の配線Ｔ２ａは、図３に示すように、２行目のフォトダイオードＰＤ２ｋにおける１列目側（フォトダイオードＰＤ１ｋ側である。）の端に沿って形成され、行方向に配された各フォトダイオードＰＤ２ｋに対応して形成された除去部と張出部とを交互に有しながら、行方向に延伸している。
【００５２】
つまり、転送制御信号線Ｔ２の配線Ｔ２ａは、フォトダイオードＰＤ２１を基準にすると、２行目の偶数列のフォトダイオードＰＤ２２，ＰＤ２４等では配線のない除去部となっており、２行目の偶数列のフォトダイオードＰＤ２１，ＰＤ２３等では、１行目のフォトダイオードＰＤ１１，ＰＤ１３側に張り出す張出部となっている。
【００５３】
このように、配線Ｔ１ａ，Ｔ２ａは、列方向に隣接するフォトダイオード間で、除去部と張出部とをセットで有しながら、各列で除去部と張出部とを交互に反転する形状をしている。
【００５４】
張出部の列方向の位置は、１行目のフォトダイオードＰＤ１ｋと２行目のフォトダイオードＰＤ２ｋとの間であってその中央に位置する中央領域である。各配線Ｔ１ａ，Ｔ２ａにおける張出部及び除去部の行方向での位置は、各フォトダイオードＰＤ１ｋ，ＰＤ２ｋ中央を含む中間領域である。
【００５５】
なお、各配線Ｔ１ａ，Ｔ２ａの張出部は、図３のように、直線的に屈曲して張り出しても良いし、円弧状に湾曲して張り出しても良い。
（ｉｉ）第２配線層の配線（Ｔ１ｂ，Ｔ２ｂ等）
転送制御信号線Ｔ１の配線Ｔ１ｂは、図４に示すように、１行目と２行目の間であって第１配線層１０５ａの配線Ｔ１ａの除去部に対応する領域に形成されている。配線Ｔ１ｂは、行方向に延伸し且つ列方向に隣接するフォトダイオードＰＤ間の中央を通る仮想線を対称軸とした線対称となる形状、ここでは、「Ｈ」状をしている。
【００５６】
配線Ｔ１ｂは、フォトダイオードＰＤ１１を基準にすると、１行目と２行目とにおける奇数列のフォトダイオードＰＤ１ｋ，ＰＤ２ｋ（ここでの「ｋ」は奇数の自然数である。）の間にそれぞれ独立状態で配されている。なお、ここでの「独立状態」とは、第２配線層１０５ｂにおいて他の配線と接触していないことをいい、層間を越えた、例えば、ビア等により第１配線層１０５ａと接続されている場合も含む。
【００５７】
同様に、転送制御信号線Ｔ２の配線Ｔ２ｂは、図４に示すように、１行目と２行目との間であって第１配線層１０５ａの配線Ｔ２ａの除去部に対応する領域に形成されている。配線Ｔ２ｂは、行方向に延伸し且つ列方向に隣接するフォトダイオードＰＤ間の中央を通る仮想線を対称軸とした線対称となる形状、ここでは、「Ｈ」状をしている。つまり、配線Ｔ２ａは、配線Ｔ１ａと同じ形状をしている。
【００５８】
配線Ｔ２ｂは、フォトダイオードＰＤ１１を基準にすると、１行目と２行目とにおける偶数列のフォトダイオードＰＤ１ｋ，ＰＤ２ｋ（ここでの「ｋ」は偶数の自然数である。）の間にそれぞれ独立状態で配されている。なお、ここでの「独立状態」とは、上述した通りである。
【００５９】
このように、配線Ｔ１ｂ，Ｔ２ｂは、列単位で交替しながら行方向に配されている。
なお、「Ｈ」状の配線Ｔ１ｂ，Ｔ２ｂの横方向に延伸する部分は、１行目のフォトダイオードＰＤ１ｋと２行目のフォトダイオードＰＤ２ｋとの間であってその中央領域に位置する。
（ｉｉｉ）まとめ
上記の配線Ｔ１ａと配線Ｔ１ｂとはビアで接続され（図３参照）、これにより、行方向に延伸する転送制御信号線Ｔ１が構成される。同様に、配線Ｔ２ａと配線Ｔ２ｂとはビアで接続され、これにより、行方向に延伸する転送制御信号線Ｔ２が構成される。
【００６０】
配線Ｔ１ａと配線Ｔ１ｂとのビアの接続は、配線Ｔ１ａにおける除去部を挟んだ部分と、配線Ｔ１ｂの「Ｈ」状を構成している一対の上下方向に延伸する部分の上端部分又は下端部分とで行われる。同様に、配線Ｔ２ａと配線Ｔ２ｂとのビアの接続は、配線Ｔ２ａにおける除去部を挟んだ部分と、配線Ｔ２ｂの「Ｈ」状を構成している一対の上下（列）方向に延伸する部分の上端部分又は下端部分とで行われる。
【００６１】
このように、配線Ｔ１ａと配線Ｔ１ｂとの配線、配線Ｔ２ａと配線Ｔ２ｂとの配線は、図３及び図４に示すように、行方向に列単位で交互に行われている。つまり、配線Ｔ１ａと配線Ｔ１ｂとの配線、配線Ｔ２ａと配線Ｔ２ｂとの配線は、位置関係、配線される配線層を列ごとに入れ換えながら配置されている。
【００６２】
転送制御信号線Ｔ３，Ｔ４は、上述したように、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２と形成箇所（配置箇所）が異なる以外、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２と同様の構成であり、転送制御信号線Ｔ３，Ｔ４の位置関係も転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２と同じである。
【００６３】
これにより、各転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４は、同じような構成となり、信号線の負荷を等しくできる。また、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２と、転送制御信号線Ｔ３，Ｔ４とは、単位セルの略中央に対して上下で同じような形状（構成）となっており、配線形状のばらつきに起因する光学特性のばらつき等を少なくすることができる。
（２）リセット信号線（Ｒｘ）
リセット信号線Ｒｘは、行列状に配されたフォトダイオードＰＤの行間を行方向に延伸する状態で配されている。ここでは、各単位セルにおける最初の行（単位セルの１行目である。）に配されたフォトダイオードＰＤ１ｋの上端側に配されている。つまり、単位セルの１行目のフォトダイオードＰＤ１ｋにおいて、当該フォトダイオードＰＤ１ｋが隣接する他の単位セルの最終行（４行である）目のフォトダイオードＰＤ４ｋ位置する側の端に配されている。なお、言うまでもなく、リセット信号線ＳＩＧの配線位置は本例に限定するものでなく、他の位置、例えば、４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋの下端側でも良い。
【００６４】
リセット信号線Ｒｘは、第１配線層１０５ａの配線Ｒｘａと第２配線層１０５ｂの配線Ｒｘｂとからなる。
（ｉ）第１配線層の配線（Ｒｘａ）
リセット信号線Ｒｘの配線Ｒｘａは、図３に示すように、１行目のフォトダイオードＰＤ１ｋにおける他の単位セル側の端（図では、各フォトダイオードＰＤ１ｋの上端となる。）に沿って形成され、行方向に隣接するフォトダイオードＰＤ１ｋとフォトダイオードＰＤ１ｋ＋１間であって隣接するフォトダイオードＰＤ１ｋ＋１に跨る状態で形成されている。
【００６５】
具体的に説明すると、フォトダイオードＰＤ１１とフォトダイオードＰＤ１２との間であってフォトダイオードＰＤ１１とフォトダイオードＰＤ１２とに跨るように（平面視において重なるように）形成されている。
【００６６】
つまり、リセット信号線Ｒｘａは、転送制御信号線Ｔ１の配線Ｔ１ａや転送制御信号線Ｔ２の配線Ｔ２ａにおける張出部を除去部にしたような形状をし、各列のフォトダイオードＰＤ１ｋが位置する部分に対応した除去部を有している。
（ｉｉ）第２配線層の配線（Ｒｘｂ）
リセット信号線Ｒｘの配線Ｒｘｂは、図４に示すように、１行目のフォトダイオードＰＤ１ｋにおける上端に沿って各列単位で形成されている。ここでの上端を換言すると、列方向に隣接する他の単位セルであって、自の単位セルと他の単位セルとが対向し合う側の端である。
【００６７】
配線Ｒｘｂは、行方向に延伸し且つ列方向に隣接するフォトダイオードＰＤ間の中央を通る仮想線を対称軸とした線対称となる形状、ここでは、「Ｈ」状をしている。つまり、配線Ｒｘａは、転送制御信号線Ｔ１等の第２配線層１０５ｂの配線Ｔ１ｂと同じような形状をしている。
【００６８】
「Ｈ」状の配線ＲＸｂの横方向に延伸する部分は、１行目のフォトダイオードＰＤ１ｋと、当該フォトダイオードＰＤ１ｋが列方向に隣接する他の単位セルの最終行である４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋとの間であってその中央領域に位置する。
（ｉｉｉ）まとめ
上記の配線Ｒｘａと配線Ｒｘｂとはビアで接続され（図３参照）、これにより、行方向に延伸する１本のリセット信号線Ｒｘが構成される。配線Ｒｘａと配線Ｒｘｂとのビアの接続は、第１配線層１０５ａの配線Ｒｘａにおける除去部を挟んだ部分と、第２配線層１０５ｂの配線Ｒｘｂの「Ｈ」状を構成している一対の上下（列）方向に延伸する部分の下端部分とで行われる。
（３）第１電源線（ＶＤＤ１）
第１電源線ＶＤＤ１は、行列状に配されたフォトダイオードの行間を行方向に延伸する状態で配されている。ここでは、各単位セルにおける最終の行に配されたフォトダイオードＰＤ４ｋの下端側に配されている。つまり、各単位セルにおける最終の行に配されたフォトダイオードＰＤ４ｋにおける列方向に隣接する他の単位セルと対向する側に配されている。なお、言うまでもなく、第１電源線ＶＤＤ１の配線位置は本例に限定するものでなく、他の位置でも良い。
【００６９】
第１電源線ＶＤＤ１は、第１配線層１０５ａの配線ＶＤＤ１ａからなる。配線ＶＤＤ１ａは、図３に示すように、４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋにおける列方向に隣接する他の単位セル側の端（図では、各フォトダイオードＰＤ４ｋの下端となる。）に沿って形成されている。
【００７０】
配線ＶＤＤ１ａは、行方向に隣接するフォトダイオードＰＤ４ｋ間であって隣接するフォトダイオードＰＤ４ｋ＋１を架橋する架橋部と、各フォトダイオードＰＤ４ｋにおける行方向の中央を含む中間部分が他の単位セル側に張り出す張出部とを行方向に交互に有する。
【００７１】
つまり、配線ＶＤＤ１ａは、転送制御信号線Ｔ１の配線Ｔ１ａや転送制御信号線Ｔ２の配線Ｔ２ａにおける除去部を張出部にしたような形状をしている。
張出部の列方向の位置は、単位セルの最終の行である４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋと、列方向に隣接する単位セルの最初の行である１行目のフォトダイオードＰＤ１ｋとの間であってその中央領域である。
（４）第２電源線（ＶＤＤ２）
第２電源線ＶＤＤ２は、行列状に配されたフォトダイオードの行間を行方向に延伸する状態で配されている。ここでは、各単位セルにおける中間位置の行に配されたフォトダイオードＰＤ２ｋとフォトダイオードＰＤ３ｋとの間に配されている。
【００７２】
つまり、単位セルを構成する４つのフォトダイオードＰＤが、上下に２分される境界部分に対向するフォトダイオードＰＤ２ｋとフォトダイオードＰＤ３ｋとの間に配されている。なお、言うまでもなく、第２電源線ＶＤＤ２の配線位置は本例に限定するものでなく、他の位置でも良い。
【００７３】
第２電源線ＶＤＤ２は、第１配線層１０５ａの配線ＶＤＤ２ａからなる。配線ＶＤＤ２ａは、図３に示すように、行方向に隣接するフォトダイオードＰＤ間では、２行目側（上半分側である。）のフォトダイオードＰＤ２ｋでは行方向に隣接するフォトダイオードＰＤ同士を架橋する架橋部と、３行目側（下半分側である。）のフォトダイオードＰＤ３ｋでは行方向に隣接するフォトダイオードＰＤ同士を架橋する架橋部とを有し、互いの架橋部が一対をなして行方向に延伸している。
【００７４】
なお、一対の架橋部は、行方向に隣接するフォトダイオード間の中央領域で列方向に延伸している連結部により連結されている。
配線ＶＤＤ２ａは、図３に示すように、各列のフォトダイオードＰＤ（例えば、フォトダイオードＰＤ２ｋとフォトダイオードＰＤ３ｋである。）間では、各フォトダイオードＰＤから相手側のフォトダイオードＰＤ（例えば、フォトダイオードＰＤ２ｋでは、相手側のフォトダイオードＰＤはフォトダイオードＰＤ３ｋが相当する。）側へと張り出す張出部を有する。
【００７５】
つまり、配線ＶＤＤ２ａは、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２における第１配線層１０５ａの配線Ｔ１ａ，Ｔ２ａを組み合わせ、各配線Ｔ１ａ，Ｔ２ａにおける除去部を張出部に置き換えたような形状をしている。
（５）信号線（ＳＩＧ）
信号線ＳＩＧは、行列状に配されたフォトダイオードＰＤの列間を列方向に延伸する状態で配されている。ここでは、各単位セルにおける１列目のフォトダイオードＰＤｎ１の信号線ＳＩＧは、１列目のフォトダイオードＰＤｎ１と２列目フォトダイオードＰＤｎ２との間に配されている。なお、言うまでもなく、信号線ＳＩＧの配線位置は本例に限定するものでなく、他の位置（例えば、２列目のフォトダイオードＰＤｎ２の信号線ＳＩＧで１列目のフォトダイオードＰＤｎ１との間である。）でも良い。
【００７６】
信号線ＳＩＧは、第１配線層１０５ａの配線ＳＩＧａと第２配線層１０５ｂの配線ＳＩＧｂとからなり、第１配線層１０５ａの配線ＳＩＧａと第２配線層１０５ｂの配線ＳＩＧｂとは例えばビアを介して接続されている。
（ｉ）第１配線層の配線（ＳＩＧａ）
信号線ＳＩＧの配線ＳＩＧａは、図３に示すように、行方向に隣接するフォトダイオードＰＤｎｋとフォトダイオードＰＤｎｋ＋１と間に形成されている。さらに、配線ＳＩＧａは、行方向に延伸する他の配線間（例えば、１行１列目のフォトダイオードＰＤ１１と２列目のフォトダイオードＰＤ１２との間の配線ＳＩＧａは、リセット信号線Ｒｘの配線Ｒｘａと転送制御信号線Ｔ１の配線Ｔ１ａとの間である。）に独立状態で形成されている。
【００７７】
換言すると、配線ＳＩＧａは、列方向に延伸し、行間部分が除去された除去部となっている。
配線ＳＩＧａは、列方向に延伸し、その両端（上下端）において行方向であって隣接する２つのフォトダイオードＰＤ側へと延伸する形状、つまり、「Ｉ」状をしている。なお、列方向に延伸する部分は、列方向に隣接するフォトダイオードＰＤｎｋ，ＰＤｎｋ＋１間の中央領域に位置する。
【００７８】
配線ＳＩＧａは、単位セルの最終の行である４行目に位置するフォトダイオードＰＤ４ｋ，ＰＤ４ｋ＋１間には、グランド線ＶＳＳの配線ＶＳＳａが形成されているため、４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋ，ＰＤ４ｋ＋１間には形成されていない（この部分は、除去部とみなすこともできる。）。
（ｉｉ）第２配線層の配線（ＳＩＧｂ）
信号線ＳＩＧの配線ＳＩＧｂは、図４に示すように、各列間に形成され、列方向に隣接するフォトダイオードＰＤ間（例えば、フォトダイオードＰＤ１１とフォトダイオードＰＤ２１との間）を越えるように、列方向に延伸する状態で形成されている。換言すると、行方向に隣接するフォトダイオードＰＤ間を列方向に延伸し、フォトダイオードの中央を含む中間領域では、配線がない、つまり、導電路が除去された除去部となっている。
【００７９】
なお、列間には、信号線ＳＩＧ以外にグランド線ＶＳＳ又は第３電源線ＶＤＤ３も配されており、ここでは、信号線ＳＩＧは、行方向であって列数が増加する方向に隣接する他のフォトダイオードＰＤ側に配されている。
【００８０】
単位セルにおける最終の行である４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋ，ＰＤ４ｋ＋１等では、除去部が形成されておらず、４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋ，ＰＤ４ｋ＋１等の中央を含む中間領域に相当する部分（他の行では除去部になる部分である。）が行方向であって列数が増加する方向に隣接する他のフォトダイオード側と反対側に張り出す張出部となっている。この形状は、転送制御信号線Ｔ１等の配線Ｔ１ａの張出部と同じような形状となっている。なお、張出部の位置は、行方向に隣接するフォトダイオード間の中央領域である。
（ｉｉｉ）まとめ
上記の配線ＳＩＧａと配線ＳＩＧｂとはビアで接続され、これにより、列方向に延伸する１本の信号線ＳＩＧが構成される。配線ＳＩＧａと配線ＳＩＧｂとのビアの接続は、第２配線層１０５ｂの配線ＳＩＧｂにおける除去部を挟んだ部分（上下端である。）と、第１配線層１０５ａの配線ＳＩＧａの「Ｉ」状を構成している右（行）方向に延伸する部分の端部分（行方向であって列数が増加する方向に隣接する他のフォトダイオード側である。）で行われる。
（６）グランド線（ＶＳＳ）
グランド線ＶＳＳは、行列状に配されたフォトダイオードＰＤの列間を列方向に延伸する状態で配されている。ここでは、ＰＤ１１を基準として奇数列に位置するフォトダイオードＰＤｎｋ（ｋは奇数の自然数）の右側（行方向であって列数が増加する側である。）に配されている。
【００８１】
具体的には、１列目のフォトダイオードＰＤｎ１と２列目のフォトダイオードＰＤｎ２との間や３列のフォトダイオードＰＤｎ３と４列目のフォトダイオードＰＤｎ４との間等に配されている。なお、言うまでもなく、グランド線ＶＳＳの配線位置は本例に限定するものでなく、他の位置でも良い。
【００８２】
グランド線ＶＳＳは、第１配線層１０５ａの配線ＶＳＳａと第２配線層１０５ｂの配線ＶＳＳｂとからなり、第１配線層１０５ａの配線ＶＳＳａと第２配線層１０５ｂの配線ＶＳＳｂとは例えばビアを介して接続されている。
（ｉ）第１配線層の配線（ＶＳＳａ）
グランド線ＶＳＳの配線ＶＳＳａは、図３に示すように、単位セルにおいて、列方向に隣接する他の単位セルと対向する行、つまり、各単位セルの最終の行に対応して形成されている。ここでは、単位セルにおける４行目におけるフォトダイオードＰＤ４１と、当該フォトダイオードＰＤ４１と行方向に列数が増加する側に隣接するフォトダイオードＰＤ４２との間（フォトダイオードＰＤ４１の右側である。）に形成されている。
【００８３】
配線ＶＳＳａは、列方向に延伸し、その両端（上下端）において行方向であって隣接する２つのフォトダイオードＰＤ側へと延伸する形状、つまり、「Ｉ」状をしている。なお、列方向に延伸する部分は、列方向に隣接するフォトダイオードＰＤ４ｋとフォトダイオードＰＤ４ｋ＋１（ｋは奇数の自然数）との間の中央領域に位置する。
（ｉｉ）第２配線層の配線（ＶＳＳｂ）
グランド線ＶＳＳの配線ＶＳＳｂは、図４に示すように、各列間を列方向に沿って延伸する状態で形成されている。配線ＶＳＳｂは、第１配線層１０５ａの配線ＶＳＳａが形成されている部分（各単位セルの４行目である。）を除いて列方向に連続して形成されている。
【００８４】
なお、列間には、グランド線ＶＳＳ以外に信号線ＳＩＧも配されており、ここでは、グランド線ＶＳＳは、当該グランド線ＶＳＳが配されている列間のうち、列数が小さい側の列に近い箇所に配されている。
【００８５】
配線ＶＳＳｂは、その単位セルにおける最終の行である４行目を除く他の全ての行のフォトダイオードＰＤ１１，ＰＤ２１，ＰＤ３１において、各フォトダイオードＰＤ１１，ＰＤ２１，ＰＤ３１の列方向の中央領域に相当する部分が行方向であって列数が増加する側に隣接する他のフォトダイオード（ＰＤ１２，ＰＤ２２，ＰＤ３２）側に張り出す張出部を有する。この形状は、転送制御信号線Ｔ１等の配線Ｔ１ａの張出部と同じである。なお、張出部の位置は、行方向に隣接するフォトダイオードＰＤ間の中央領域である。
【００８６】
配線ＶＳＳｂは、その単位セルにおける最終の行である４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋ（ｋは奇数）において、当該フォトダイオードＰＤ４ｋの列方向の中央領域が除去された除去部を有する。
（ｉｉｉ）まとめ
上記の配線ＶＳＳａと配線ＶＳＳｂとはビアで接続され、これにより、列方向に延伸する１本のグランド線ＶＳＳが構成される。配線ＶＳＳａと配線ＶＳＳｂとのビアの接続は、配線ＶＳＳｂにおける除去部を挟んだ部分（上下端である。）と、配線ＶＳＳａの「Ｉ」状を構成している行方向に延伸する部分の端部分（行方向であって列数が増加する側である。）で行われる。
（７）第３電源線（ＶＤＤ３）
第３電源線ＶＤＤ３は、行列状に配されたフォトダイオードの列間を列方向に延伸する状態で配されている。ここでは、ＰＤ１１を基準として偶数列に位置するフォトダイオードＰＤｎｋ（ｋは偶数の自然数）の右側（行方向であって列数が増加する側である。）に配されている。
【００８７】
具体的には、２列目のフォトダイオードＰＤｎ２と３列目のフォトダイオードＰＤｎ３間、４列目のフォトダイオードＰＤｎ４と５列目のフォトダイオードＰＤｎ５間等に配されている。なお、言うまでもなく、第３電源線ＶＤＤ３の配線位置は本例に限定するものでなく、他の位置でも良い。
【００８８】
第３電源線ＶＤＤ３は、第１配線層の配線ＶＤＤ３ａと第２配線層の配線ＶＤＤ３ｂとからなり、第１配線層の配線ＶＤＤ３ａと第２配線層の配線ＶＤＤｂとは例えばビアを介して接続されている。なお、第３電源線ＶＤＤ３は、グランド線ＶＳＳと形成箇所が異なるだけで、他の構成は同じである。
（ｉ）第１配線層の配線（ＶＤＤ３ａ）
第３電源線ＶＤＤ３の配線ＶＤＤ３ａは、図３に示すように、単位セルにおいて、列方向に隣接する他の単位セルと対向する行、つまり、各単位セルの最終の行に対応して形成されている。ここでは、単位セルにおける４行目におけるフォトダイオードＰＤ４２と、当該フォトダイオードＰＤ４２と行方向に列数が増加する側に隣接するフォトダイオードＰＤ４３との間（フォトダイオードＰＤ４２の右側である。）に形成されている。
【００８９】
配線ＶＤＤ３ａは、列方向に延伸し、その両端（上下端）において行方向であって隣接する２つのフォトダイオードＰＤ側へと延伸する形状、つまり、「Ｉ」状をしている。なお、列方向に延伸する部分は、列方向に隣接するフォトダイオードＰＤ４ｋとフォトダイオードＰＤ４ｋ＋１（ｋは偶数の自然数）との間の中央領域に位置する。
（ｉｉ）第２配線層の配線（ＶＤＤ３ｂ）
第３電源線ＶＤＤ３の配線ＶＤＤ３ｂは、図４に示すように、各列間を列方向に沿って延伸する状態で形成されている。配線ＶＤＤ３ｂは、第１配線層１０５ａの配線ＶＤＤ３ａが形成されている部分（各単位セルの４行目である。）を除いて列方向に連続して形成されている。
【００９０】
なお、列間には、第３電源線ＶＤＤ３以外に信号線ＳＩＧも配されており、ここでは、第３電源線ＶＤＤ３は、当該第３電源線ＶＤＤ３が配されている列間のうち、列数が小さい側の列に近い箇所に配されている。
【００９１】
配線ＶＤＤ３ｂは、その単位セルにおける最終の行である４行目を除く他の全ての行のフォトダイオードＰＤ１２，ＰＤ２２，ＰＤ３２において、各フォトダイオードＰＤ１２，ＰＤ２２，ＰＤ３２の列方向の中央領域に相当する部分が行方向であって列数が増加する側に隣接する他のフォトダイオード（ＰＤ１３，ＰＤ２３，ＰＤ３３）側に張り出す張出部を有する。この形状は、転送制御信号線Ｔ１等の配線Ｔ１ａの張出部と同じである。なお、張出部の位置は、行方向に隣接するフォトダイオードＰＤ間の中央領域である。
【００９２】
配線ＶＤＤ３ｂは、その単位セルにおける最終の行である４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋ（ｋは偶数）において、当該フォトダイオードＰＤ４ｋの列方向の中央領域が除去された除去部を有する。
（ｉｉｉ）まとめ
上記の配線ＶＤＤ３ａと配線ＶＤＤ３ｂとはビアで接続され、これにより、列方向に延伸する１本の第３電源線ＶＤＤ３が構成される。配線ＶＤＤ３ａと配線ＶＤＤ３ｂとのビアの接続は、配線ＶＤＤ３ｂにおける除去部を挟んだ部分（上下端である。）と、配線ＶＤＤ３ａの「Ｉ」状を構成している行方向に延伸する部分の端部分（行方向であって列数が減少する側である。）で行われる。
（８）その他
上記の行方向配線群及び列方向配線群は、各画素を構成しているフォトダイオードＰＤ等と電気的に接続されていたが、電気的に接続されていないダミー配線を配置しても良い。
【００９３】
本実施の形態では、図４に示すように、第２配線層１０５ｂにおける各単位セルの２行目のフォトダイオードＰＤ２ｋと３行目のフォトダイオードＰＤ３ｋとの間にダミー配線ＤＹの配線ＤＹｂが配置されている。配線ＤＹｂは、図４に示すように、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４の配線Ｔ１ｂ，Ｔ２ｂ，Ｔ３ｂ，Ｔ４ｂと同じように、「Ｈ」状をしている。
５．半導体基板側と配線との接続関係
（１）転送トランジスタ（ＴＧ）
転送トランジスタＴＧ１は、図１に示すように、そのゲートは、１行目のフォトダイオードＰＤ１ｋ及び２行目のフォトダイオードＰＤ２ｋの間であって第１配線層１０５ａに配された配線Ｔ１ａとコンタクトＣ１で接続されている。なお、転送トランジスタＴＧ２のゲートも第１配線層１０５ａに配された配線Ｔ２ａとコンタクトＣ１で接続されている。
【００９４】
転送トランジスタＴＧ１，ＴＧ２の各ドレインは、リセットトランジスタＲＳのソースと同じ拡散層１２１で接続され、金属配線なしで接続されている。また、各ドレインは、後述の増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２のゲートと同じ材料であって列方向の両方向（ここでは上下方向であり、行数の増減する２方向である。）に延伸するポリシリコン１２３に接続され、金属配線なしで接続されている。
【００９５】
転送トランジスタＴＧ１，ＴＧ２の各ドレイン（拡散層１２１である。）と増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２のポリシリコン１２３との接続には、例えば、シェアードコンタクトＣ７が利用されている。
【００９６】
転送トランジスタＴＧ３は、図１に示すように、そのゲートは、３行目のフォトダイオードＰＤ３ｋ及び４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋの間であって第１配線層１０５ａに配された配線Ｔ３ａとコンタクトＣ１で接続されている。なお、転送トランジスタＴＧ４のゲートも第１配線層１０５ａに配された配線Ｔ４ａとコンタクトＣ１で接続されている。
【００９７】
また、転送トランジスタＴＧ３，ＴＧ４の各ドレイン（拡散層１２５）は、増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２のゲートと同じ材料であって列方向の両方向（ここでは上下方向であり、行数の増減する２方向である。）に延伸するポリシリコン１２３に例えば、シェアードコンタクトＣ７で接続され、金属配線なしで接続されている。
（２）増幅トランジスタ（ＳＦ）
増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２のドレインは、２行目のフォトダイオードＰＤ２ｋ及び３行目のフォトダイオードＰＤ３ｋの間であって第１配線層１０５ａに配置された第２電源線ＶＤＤ２の連結部にコンタクトＣ２で接続されている。
【００９８】
増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２の各ソースは、２行目のフォトダイオードＰＤ２ｋ及び３行目のフォトダイオードＰＤ３ｋの間であって第１配線層１０５ａに形成された信号線ＳＩＧの配線ＳＩＧａにコンタクトＣ３で接続されている。
【００９９】
つまり、信号線ＳＩＧは、各転送トランジスタＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ３，ＴＧ４のドレインの上方、増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２のゲートを接続するポリシリコンの配線の上方に配置される。
【０１００】
また、転送トランジスタＴＧ１，ＴＧ２のドレインとリセットトランジスタＲＳのソースとを接続する拡散層の上方、転送トランジスタＴＧ３，ＴＧ４のドレインの上方に信号線ＳＩＧを配置している。
【０１０１】
また、増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２は、各増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２のゲート間に形成された拡散層をドレインとしている。つまり、増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２はドレインの拡散層を共有して並列接続で配置されている。
（３）リセットトランジスタ（ＲＳ）
リセットトランジスタＲＳのドレインは、４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋと列方向に隣接する他の単位セルの１行目のフォトダイオードＰＤ１ｋとの間であって第１配線層１０５ａに配置された第１電源線ＶＤＤ１の配線ＶＤＤ１ａにコンタクトＣ４で接続されている。
【０１０２】
リセットトランジスタＲＳのゲートは、１行目のフォトダイオードＰＤ１ｋと、列方向であって行数が減少する側に隣接する他の単位セル（上の単位セルになる。）の最終行の４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋとの間であって第１配線層１０５ａに配置されたリセット信号線Ｒｘの配線ＲｘａにコンタクトＣ５で接続されている。
（４）グランド線（ＶＳＳ）
グランド線ＶＳＳは、４行目の奇数列のフォトダイオードＰＤ４ｋ（ｋは奇数）の右側に配されたコンタクトＣ６と接続されている。
（５）その他
第２電源線ＶＤＤ２は、図２及び図３に示すように、第３電源線ＶＤＤ３と交差する箇所、具体的には、２行目の偶数列のフォトダイオードＰＤ２ｋ（ｋは偶数）と３行目の偶数列目のフォトダイオードＰＤ３ｋ（ｋは偶数）との間でビアを介して接続されている。
【０１０３】
これにより、ソースフォロワの第２電源線ＶＤＤ２からの電力供給が安定して行われる効果が得られる。
６．断面構造
固体撮像装置１０１は、上述した配線構成を採用することで、図３及び図４に示すように上下のフォトダイオードＰＤの中央を通る線分（列方向に隣接しているフォトダイオードＰＤの中心を結ぶ線分である。）での断面において、第１配線層１０５ａに配線１本を、第２配線層１０５ｂに配線１本を配置することができる。また、左右のフォトダイオードＰＤの中央を通る線分（行方向に隣接しているフォトダイオードＰＤの中心を結ぶ線分である。）での断面において、第１配線層１０５ａに配線１本を、第２配線層１０５ｂに配線１本をそれぞれ配置することができる。これにより、固体撮像装置１０１の高感度化を実現することができる。以下具体的に説明する。
（１）断面ａ
（ｉ）第１配線層
図５及び図３に示すように、フォトダイオードＰＤ１３，ＰＤ１４の中心を通る断面では、第１配線層１０５ａにおける配線は、信号線ＳＩＧの配線ＳＩＧａのみである。なお、４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋの中心を通る断面でも、第１配線層１０５ａにおける配線は、グランド線ＶＳＳの配線ＶＳＳａ、第３電源線ＶＤＤ３の配線ＶＤＤ３ａのいずれか一方だけとなる。
（ｉｉ）第２配線層
図５及び図４に示すように、フォトダイオードＰＤ１３，ＰＤ１４の中心を通る断面では、第２配線層１０５ｂにおける配線は、第３電源線ＶＤＤ３の配線ＶＤＤ３ｂと、グランド線ＶＳＳの配線ＶＳＳｂとのいずれか一方だけとなる。
（ｉｉｉ）その他
図３から図５に示すように、フォトダイオードＰＤ１３，ＰＤ１４の中心を通る断面においては、第１配線層１０５ａの配線ＳＩＧａの上方に、第２配線層１０５ｂの第３電源線ＶＤＤ３の配線ＶＤＤ３ｂ又はグランド線ＶＳＳの配線ＶＳＳｂが位置している。
【０１０４】
また、フォトダイオードＰＤ１３，ＰＤ１４以外の他のフォトダイオードＰＤにおいても、第１配線層１０５ａのグランド線ＶＳＳの配線ＶＳＳａ又は第３電源線ＶＤＤ３の配線ＶＤＤ３ａのそれぞれの上方に、第２配線層１０５ｂの第３電源線ＶＤＤ３の配線ＶＤＤ３ｂ、グランド線ＶＳＳの配線ＶＳＳｂ、信号線ＳＩＧの配線ＳＩＧｂのいずれかが位置している。
【０１０５】
つまり、第１配線層１０５ａの配線と、第２配線層１０５ｂの配線とが平面視において重なっている。これにより、列方向に延伸する配線同士の間隔、つまり、配線開口径を大きくすることができる。
（２）断面ｂ
（ｉ）第１配線層
図６及び図３に示すように、フォトダイオードＰＤ３４，ＰＤ４４の中心を通る断面では、第１配線層１０５ａにおける配線は、転送制御信号線Ｔ３の配線Ｔ３ａ、第１電源線ＶＤＤ１の配線ＶＤＤ１ａのいずれか一方だけとなる。なお、フォトダイオードＰＤ３４，ＰＤ４４以外の他のフォトダイオードＰＤにおいても、第１配線層１０５ａにおける配線は、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４の配線Ｔ１ａ，Ｔ２ａ，Ｔ３ａ，Ｔ４ａ、第１電源線ＶＤＤ１の配線ＶＤＤ１ａ、第２電源線ＶＤＤ２の配線ＶＤＤ２ａのいずれか一本だけとなる。
（ｉｉ）第２配線層
図６及び図４に示すように、フォトダイオードＰＤ３４，ＰＤ４４の中央を通る断面では、第２配線層１０５ｂにおける配線は、転送制御信号線Ｔ４の配線Ｔ４ｂ、リセット信号線Ｒｘの配線Ｒｘｂのいずれか一方だけとなる。なお、フォトダイオードＰＤ３４，ＰＤ４４以外の他のフォトダイオードＰＤにおいても、第２配線層１０５ｂにおける配線は、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４の配線Ｔ１ｂ，Ｔ２ｂ，Ｔ３ｂ，Ｔ４ｂ、ダミー配線ＤＹの配線ＤＹｂ、リセット信号線Ｒｘの配線Ｒｘｂのいずれか一つだけとなる。
（ｉｉｉ）その他
図３、図４及び図６に示すように、フォトダイオードＰＤ３４，ＰＤ４４の中心を通る断面においては、第１配線層１０５ａの第１電源線ＶＤＤ１の配線ＶＤＤ１ａ及び転送制御信号線Ｔ３の配線Ｔ３ａの上方に、第２配線層１０５ｂの転送制御信号線Ｔ４の配線Ｔ４ｂ及びリセット信号線Ｒｘの配線Ｒｘｂのいずれか一方が位置している。
【０１０６】
また、フォトダイオードＰＤ３４，ＰＤ４４以外の他のフォトダイオードＰＤにおいても、第１配線層１０５ａの転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４の配線Ｔ１ａ，Ｔ２ａ，Ｔ３ａ，Ｔ４ａ、第１電源線ＶＤＤ１の配線ＶＤＤ１ａ、第２電源線ＶＤＤ２の配線ＶＤＤ２ａのいずれかの配線の上方には、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４の配線Ｔ１ｂ，Ｔ２ｂ，Ｔ３ｂ，Ｔ４ｂ、ダミー配線ＤＹの配線ＤＹｂ、リセット信号線Ｒｘの配線Ｒｘｂのいずれか一つの配線のみが位置している。つまり、第１配線層１０５ａの配線と、第２配線層１０５ｂの配線とが平面視において重なっている。
【０１０７】
以上のことから、行方向に延伸する配線同士の間隔、つまり、配線開口径を大きくできる。
（３）断面ａ、ｂの両方について
上述のように、平面視において円形状のレンズ１１１を利用した場合、当該レンズ１１１の下方に位置するフォトダイオードＰＤを挟む配線間距離を大きくでき、レンズ１１１の周縁部下方に配線が位置しないような構成となる。このため、固体撮像装置１０１としての開口率を高めることができる。また、レンズ１１１で集光された光（図５及び図６に示す破線）は第１配線層１０５ｂの配線で遮られるおそれもなくなり、感度を高めることができる。
７．まとめ
（１）転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４は、第１配線層１０５ａにおける配線Ｔ１ａ，Ｔ２ａ，Ｔ３ａ，Ｔ４ａ及び第２配線層１０５ｂの配線Ｔ１ｂ，Ｔ２ｂ，Ｔ３ｂ，Ｔ４ｂのそれぞれが同じ形状をしているため、各転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４の転送能力を同等にすることができ、行ごとの転送能力のばらつきを小さくできる。
（２）列方向配線群に含まれる信号線ＳＩＧ、グランド線ＶＳＳ、第３電源線ＶＤＤ３は、第１配線層１０５ａにおける配線ＳＩＧａ，ＶＳＳａ，ＶＤＤ３ａ及び第２配線層１０５ｂの配線ＳＩＧｂ，ＶＳＳｂ，ＶＤＤ３ｂのそれぞれが同じような形状をしているため、列間での配線によるばらつきを小さくできる。
（３）信号線ＳＩＧは、各転送トランジスタＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ３，ＴＧ４のドレインと同じ材料である拡散層１２１の上方、増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２のゲートと接続するポリシリコン１２３の上方に配置されているので、電荷の読出し動作を行う際、信号線ＳＩＧは増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２により電荷蓄積部ＦＤの電位変化に追随して電位が変動する。これにより、見かけ上、図２に示す、電荷蓄積部ＦＤの寄生容量Ｃｆｄが小さくなり、大きな電荷蓄積部ＦＤの電位変化を得ることができ、結果的にＳ／Ｎが向上するという効果が得られる。
（４）増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２はドレインの拡散層を共有して並列接続で配置されている。これにより、転送トランジスタＴＧ２，ＴＧ３間で行方向に配置される第２電源線ＶＤＤ２の配置が容易になる。さらに、各フォトダイオードＰＤからみた周辺の拡散層の構成の均一化を図ることができる。
（５）第３電源線ＶＤＤ３は、１列飛びに配置されている。つまり、行方向に隣接する２２列のうちの一方の列に第３電源線ＶＤＤ３が配置されている。空いた列にはグランド線ＶＳＳが配されている。
【０１０８】
具体的には、フォトダイオードＰＤ１１を基準すると、電源線ＶＤＤ３は偶数列の右側（行数が増加する側である。）に、グランド線ＶＳＳは奇数列の右側（行数が増加する側である。）にそれぞれ配されている。
【０１０９】
グランド線ＶＳＳ側では、最終行である４行目において（特に、転送トランジスタＴＧ４とリセットトランジスタＲＳとの間である。）、グランド線ＶＳＳと半導体基板１０３とが接続されるコンタクトＣ６の拡散層が形成されている。
【０１１０】
第３電源線ＶＤＤ３は、第３電源線ＶＤＤ３が配置されている列の転送トランジスタＴＧ４とリセットトランジスタＲＳの間（つまり、上記基板コンタクトＣ６の拡散層が配置されている領域）には、コンタクトＣ６と同様のダミーの拡散層１２７が配されている。このダミーの拡散層１２７は、リセットトランジスタＲＳのソース、ドレインと同様の注入がなされて形成されるが、接続部（コンタクト）は有していない。
【０１１１】
これにより、列の違いによるコンタクト（Ｃ６）の有無に起因するレイアウトの差分をなくし、ばらつきを抑制することができる。
（６）例えば、リセットトランジスタＲＳを増幅トランジスタＳＦの電源線に接続した場合に増幅トランジスタＳＦのドレインをオン／オフさせる必要があるが、本実施の形態ではリセットトランジスタＲＳのドレインを隣接する他の列のリセットトランジスタＲＳのドレインに第１電源線ＶＤＤ１で接続している。このため、増幅トランジスタＳＦのドレインをオン／オフさせる必要がなく、低消費電力を実現することができる。
（７）各列間には、信号線ＳＩＧとグランド線ＶＳＳとの組み合わせ、信号線ＳＩＧと第３電源線ＶＤＤ３との組み合わせで配置されている。グランド線ＶＳＳと第３電源線ＶＤＤ３とは同じ形状をしているため、結果的に、各列間に同じ形状で配線がされることとなる。これにより、フォトダイオードＰＤを行方向に等ピッチに配置することができる。また、増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２の電流の向きも同一することができる。これらは、結果的に、レイアウト等の差分をなくすこととなり、ばらつきに強い構成を得ることができる。
（８）転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４は、第１配線層１０５ａと第２配線層１０５ｂとの間を列ごとに、つまり周期的に入れ替わるため、レイアウトによるばらつきやノイズ発生等、同等に合わせることができる。
（９）行方向配線群の１つである第２電源線ＶＤＤ２は、列方向配線群の１つである第３電源線ＶＤＤ３と例えばビアを介して接続しているため、第２電源線ＶＤＤ２の補強を行うことができ、出力信号を安定化することができる。
（１０）グランド線ＶＳＳは、半導体基板１０３に形成されたコンタクトＣ６を介して接続されている。これにより基板電位を安定させることができる。また、コンタクトＣ６は、列方向に単位セルごとに形成されているため、半導体基板１０３の撮像領域における全範囲で安定した基板電位を得ることができる。
（１１）第２電源線ＶＤＤ２は、増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２の共有の拡散層（ドレイン）に接続されているため、増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２間での電気的ばらつきが小さくなり、増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２の電源を強化することができる。また、配線を削減することができ、配線のレイアウトの自由度を高めることができる。また、第２電源線ＶＤＤ２の第１配線層１０５ａの配線ＶＤＤ２ａは上述の拡散層上に配置され、拡散層にコンタクトＣ２を介して接続されているので、省スペースで効率的に接続でき、結果的に、レイアウトの自由度を高めることができる。
（１２）増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２は共有の拡散層を有し、単位セルの中央に相当する２行目のフォトダイオードＰＤ２ｋと、３行目のフォトダイオードＰＤ３ｋとの間を通る仮想線に対して、上下（列方向であって行数が減少する側と行数が増加する側である。）で対称なレイアウトに配置されている。このため、上下でレイアウトのばらつきをなくすることでき、全体として均一なレイアウトを確保することができる。
（１３）リセットトランジスタＲＳへの電源線である第１電源線ＶＤＤ１は、配線層１０５に形成され、各リセットトランジスタＲＳと例えばビアを介して接続されているため、各リセットトランジスタＲＳの電源を強化することができる。
（１４）リセットトランジスタＲＳと転送トランジスタＴＧとにおいて、リセットトランジスタＲＳのソースと転送トランジスタＴＧのドレインとが拡散層で接続されている。これにより、配線層１０５内の金属配線を利用する必要がなくなり、配線数を低減することができ、また、配線数の低減によりレイアウトの自由度を高めることができる。
（１５）２つの転送トランジスタＴＧ（ＴＧ１とＴＧ２或いはＴＧ３とＴＧ４である。）は、両者のドレインがポリシリコン（ポリシリコン配線）で接続され、しかも、ポリシリコンは増幅トランジスタＳＦのゲートを含んでいる（ゲートを構成している）。これにより、配線層１０５内の金属配線を利用する必要がなくなり、配線数を低減することができ、また、配線数の低減によりレイアウトの自由度を高めることができる。
（１６）フォトダイオードＰＤ、転送トランジスタＴＧ、リセットトランジスタＲＳ、増幅トランジスタＳＦからなる単位セルが、列・行方向にそれぞれ配置されている、つまり、列ごとに配置関係が反転しないため、これらのレイアウトの均一性を確保することができる。
８．比較例
ここで、ディジタルスチルカメラでよく利用される１／２．３３型の光学系で１４［Ｍ］のセンサを例にあげ、開口径について比較する。
【０１１２】
この場合、画素サイズは１．４［μｍ］となる。第１配線層１０５ａ及び第２配線層１０５ｂの配線の幅を１００［ｎｍ］、画素間に配された２本の配線の間隔を１００［ｎｍ］、導波路１０７と配線との間隔を１００［ｎｍ］とする。
【０１１３】
第２配線層（１０５ｂ）に配線が２本ある場合、配線開口径（配線間の内寸である。）は１．１［μｍ□］、導波路径は０．９［μｍ□］となる。
第１の実施の形態では、第１配線層１０５ａ及び第２配線層１０５ｂに設けられた配線は１本ずつであるため、配線開口径は１．３［μｍ□］、導波路径は１．１［μｍ□］となる。
【０１１４】
これらを比較すると、第１の実施の形態に係る固体撮像装置１０１では、従来例に係る固体撮像装置に対して、配線開口径は１８［％］（面積では４０［％］）のアップとなり、導波路径は２２［％］（面積では４９［％］）のアップとなり、その効果は大きい。
＜第２の実施の形態＞
第２の実施の形態に係る固体撮像装置は、行方向に隣接するフォトダイオードの中央を通り行方向に延伸する仮想面での断面において第１配線層に配線２本を配置している。また、列方向に隣接するフォトダイオードの中央を通り列方向に延伸する仮想面での断面において第１配線層に配線２本を配置している。
【０１１５】
つまり、第１配線層２０５ａには、第１の方向である列方向に隣接する画素間を第１の方向と直交する第２の方向である行方向に延伸する２本の配線（ここでは、転送制御信号線２Ｔ１，２Ｔ２の２本や転送制御信号線２Ｔ３，２Ｔ４の２本や第１電源線２ＶＤＤ１とリセット信号線２Ｒｘとの２本である。）が配置され、第２配線層２０５ｂには、第２の方向である行方向に隣接する画素間を第１の方向である列方向に延伸する２本の配線（ここでは、信号線２ＳＩＧとグランド線２ＶＳＳとの２本や信号線２ＳＩＧと第３電源線２ＶＤＤ３との２本である。）が配置され、第２配線層２０５ｂの２本の配線が、第１の方向である列方向に隣接する画素の中央領域で第１配線層２０５ａに入り込んでいる。
【０１１６】
以上のような構成にすることで、フォトダイオード周辺の配線は第１配線層のみとなり、特に斜め方向からの光に対しフォトダイオード上の配線開口を拡大することができ、高感度化を実現できる。また、配線層に形成する導波路にテーパーをつけることによりさらに高感度化を実現することができる。
【０１１７】
以下、第２の実施の形態を図７〜図１０を用いて詳細を説明する。
図７は、図１に加え第１配線層、第１配線層と第２配線層を繋ぐビアを示したレイアウト図であり、図８は図７に加え第２配線層を示したレイアウト図である。
【０１１８】
図９は図８における破線ｃでの断面図であり、図１０は図８における破線ｄでの断面図である。
第２の実施の形態に係る固体撮像装置２０１は、第１の実施の形態と同様に、図９及び図１０に示すように、半導体基板２０３、配線層２０５、導波路２０７、カラーフィルタ２０９、レンズ２１１を備え、配線層２０５は、第１配線層２０５ａと第２配線層２０５ｂとからなる。なお、本実施の形態では、行方向の断面（図９）及び列方向の断面（図１０）における導波路２０７が、半導体基板２０３側からカラーフィルタ２０９側に近づくに従って太くなる形状にしている。
【０１１９】
固体撮像装置２０１の半導体基板２０３は、第１の実施の形態に係る固体撮像装置１０１の半導体基板１０３と同じ構成を有し、半導体基板２０３の撮像領域上に形成された配線層２０５が異なる。つまり、単位セルにおける拡散層、ポリシリコン、コンタクトを示したレイアウトは図１と同じであり、その上方に形成された第１配線層２０５ａ及び第２配線層２０５ｂの配線数等が異なる。このため、配線層２０５について以下説明する。
１．配線
第２の実施の形態における配線、つまり、行方向配線群と列方向配線群とに含まれる配線の種類は、第１の実施の形態に係る行方向配線群と列方向配線群とに含まれる配線の種類と同じである。
【０１２０】
つまり、行方向配線群として、図７及び図８に示すように、第１電源線２ＶＤＤ１、リセット信号線２Ｒｘ、転送制御信号線２Ｔ１，２Ｔ２，２Ｔ３，２Ｔ４、第２電源線２ＶＤＤ２があり、列方向配線群として、グランド線２ＶＳＳ、信号線２ＳＩＧ、第３電源線２ＶＤＤ３がある。
【０１２１】
また、第２の実施の形態に係る行方向配線群及び列方向配線群の配置位置は、第１の実施の形態における配置位置と同様であるが、第１の実施の形態と異なるようにしても良い。
（１）転送制御信号線（２Ｔ）
転送制御信号線２Ｔ１，２Ｔ２，２Ｔ３，２Ｔ４は、第１の実施の形態と同様に、行列状に配されたフォトダイオード２ＰＤの行間を行方向に延伸する状態で配されている。なお、転送制御信号線２Ｔ１，２Ｔ２，２Ｔ３，２Ｔ４の配線位置は、上述のように、第１の実施の形態の転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４と同じである。
【０１２２】
転送制御信号線２Ｔ１は第１配線層２０５ａの配線２Ｔ１ａからなり、第２配線層２０５ｂには配線を有していない。同様に、転送制御信号線２Ｔ２も第１配線層２０５ａの配線２Ｔ２ａからなり、第２配線層２０５ｂには配線を有していない。
【０１２３】
転送制御信号線２Ｔ３は第１配線層２０５ａの配線２Ｔ３ａからなり、第２配線層２０５ｂには配線を有していない。同様に、転送制御信号線２Ｔ４も第１配線層２０５ａの配線２Ｔ４ａからなり、第２配線層２０５ｂには配線を有していない。
【０１２４】
なお、転送制御信号線２Ｔ１と転送制御信号線２Ｔ３とは、配置箇所が異なるだけで同じ構成をし、転送制御信号線２Ｔ２と転送制御信号線２Ｔ４とは、配置箇所が異なるだけで同じ構成をしている。このため、以下、転送制御信号線２Ｔ１，２Ｔ２について説明する。
【０１２５】
配線２Ｔ１ａ及び配線２Ｔ２ａは、互いに一組として列方向に隣接するフォトダイオード２ＰＤ１ｋと２ＰＤ２ｋとの間を行方向に延伸している。配線２Ｔ１ａと配線２Ｔ２ａは、フォトダイオード２ＰＤ１ｋとフォトダイオード２ＰＤ２ｋとの間の中央を行方向に延伸する仮想線に対して、列方向に対称な形状をしている。つまり、仮想線を対称軸として線対称な形状をしている。
【０１２６】
配線２Ｔ１ａと配線２Ｔ２ａは、列方向に隣接するフォトダイオード２ＰＤ１ｋとフォトダイオード２ＰＤ２ｋとの間で互いに近づくように張り出す張出部を有している。
（２）リセット信号線（２Ｒｘ）及び第１電源線（２ＶＤＤ１）
リセット信号線２Ｒｘは、図７に示すように、行列状に配されたフォトダイオード２ＰＤの行間を行方向に延伸する状態で配されている。ここでは、各単位セルにおける最初の行に配されたフォトダイオード２ＰＤ１ｋの上端側に配されている。つまり、列方向に行数が増加する側に隣接する他の単位セル側にリセット信号線２Ｒｘが配されている。リセット信号線２Ｒｘは第１配線層２０５ａの配線２Ｒｘａからなる。
【０１２７】
第１電源線２ＶＤＤ１は、行列状に配されたフォトダイオード２ＰＤの行間を行方向に延伸する状態で配されている。ここでは、各単位セルにおける最後の行である４行目に配されたフォトダイオード２ＰＤ４ｋの下端側に配されている。つまり、列方向に行数が増加する側に隣接する他の単位セル側に第１電源線２ＶＤＤ１が配されている。第１電源線２ＶＤＤ１は第１配線層の配線２ＶＤＤ１ａからなる。
【０１２８】
リセット信号線２Ｒｘの配線２Ｒｘａと第１電源線２ＶＤＤ１の配線２ＶＤＤ１ａとは、転送制御信号線２Ｔ１と転送制御信号線２Ｔ２と同様の構成を有している。
つまり、配線２Ｒｘａ及び配線２ＶＤＤ１ａは、列方向に隣接するフォトダイオード２ＰＤ４ｋと、当該フォトダイオード２ＰＤ４ｋに行数が増加する側に隣接する他の単位セルの１行目のフォトダイオード２ＰＤ１ｋとの間を、対をなして行方向に延伸している。
【０１２９】
配線２Ｒｘａと配線２ＶＤＤ１ａは、フォトダイオード２ＰＤ４ｋとフォトダイオード２ＰＤ１ｋの中央を行方向に延伸する仮想線に対して、列方向に対称な形状をしている。つまり、仮想線を対称軸として線対称な形状をしている。
【０１３０】
配線２Ｒｘａと配線２ＶＤＤ１ａは、列方向に隣接するフォトダイオード２ＰＤ４ｋとフォトダイオード２ＰＤ１ｋ間で互いに近づくように張り出す張出部を有している。
（３）第２電源線（２ＶＤＤ２）
第２電源線２ＶＤＤ２は、行列状に配されたフォトダイオード２ＰＤの行間を行方向に延伸する状態で配されている。ここでは、各単位セルにおける中央位置に存する２行目のフォトダイオード２ＰＤ２ｋと３行目のフォトダイオード２ＰＤ３ｋとの間に配されている。つまり、単位セル構成する４つのフォトダイオード２ＰＤが、上下に２分される境界部分に対向するフォトダイオード２ＰＤ２ｋとフォトダイオード２ＰＤ３ｋとの間に第２電源線２ＶＤＤ２が配されている。
【０１３１】
第２電源線２ＶＤＤ２は、第１配線層２０５ａの配線２ＶＤＤ２ａからなる。配線２ＶＤＤ２ａは、図７に示すように、転送制御信号線２Ｔ１と転送制御信号線２Ｔ２とを組合せたような形状をしている。
【０１３２】
つまり、配線２ＶＤＤ２ａは、行方向に延伸する一対の行方向延伸部と、行方向に隣接するフォトダイオード２ＰＤ２ｋとフォトダイオード２ＰＤ２ｋ＋１との間の略中央で前記一対の行方向延伸部を連結する連結部とを有している。なお、連結部は、列方向に延伸している。
【０１３３】
一対の行方向延伸部は、フォトダイオード２ＰＤ２ｋとフォトダイオード２ＰＤ３ｋとの間の中央を行方向に延伸する仮想線に対して、列方向に対称な形状をしている。つまり、仮想線を対称軸として線対称な形状をしている。
【０１３４】
一対の行方向延伸部は、転送制御信号線２Ｔ１，２Ｔ２、第１電源線２ＶＤＤ１、リセット信号線２Ｒｘと同様の形状を有している。一対の行方向延伸部は、列方向に隣接するフォトダイオード２ＰＤ間で互いに近づくように張り出す張出部を有している。
（４）信号線（２ＳＩＧ）
信号線２ＳＩＧは、行列状に配されたフォトダイオードの列間を列方向に延伸する状態で配されている。ここでは、ｋ列目のフォトダイオード２ＰＤｎｋの信号線２ＳＩＧは、ｋ＋１列目フォトダイオード２ＰＤｎｋ＋１との間に配されている（なお、この例では各列の右側であるが、各列の左側であっても良い。）。
【０１３５】
信号線２ＳＩＧは、図７及び図８に示すように、第１配線層２０５ａの配線２ＳＩＧａと第２配線層２０５ｂの配線２ＳＩＧｂとからなり、第１配線層２０５ａの配線２ＳＩＧａと第２配線層２０５ｂの配線２ＳＩＧｂとは例えばビアを介して接続されている。
（ｉ）第１配線層の配線（２ＳＩＧａ）
信号線２ＳＩＧの配線ＳＩＧａは、図７に示すように、行方向に隣接するフォトダイオード２ＰＤ間（例えば、フォトダイオード２ＰＤ１１とフォトダイオード２ＰＤ１２との間である。）に形成されている。
【０１３６】
配線２ＳＩＧａは、行方向配線群に含まれる他の配線間（例えば、２行目のフォトダイオード２ＰＤ２１では、転送制御信号線２Ｔ２の配線２Ｔ２ａと第２電源線２ＶＤＤ２の配線２ＶＤＤ２ａとの間である。）に独立状態で配置されている。つまり、配線２ＳＩＧａは、行方向に隣接するフォトダイオード２ＰＤ間にのみ存在している。
【０１３７】
配線２ＳＩＧａは、２行目のフォトダイオード２ＰＤ２ｋと３行目のフォトダイオード２ＰＤ３ｋとの間では、増幅トランジスタ２ＳＦ１，２ＳＦ２のソートとコンタクト（図１の「Ｃ３」である。）で接続するために、後述のグランド線２ＶＳＳの配線２ＶＳＳａ側に張り出した接続部を有している。
（ｉｉ）第２配線層の配線（２ＳＩＧｂ）
信号線２ＳＩＧの配線２ＳＩＧｂは、図８に示すように、各列間に形成され、列方向に隣接するフォトダイオード２ＰＤ間を越えて列方向に沿って延伸する状態で形成されている。つまり、配線２ＳＩＧｂは、列方向に延伸し、各フォトダイオード２ＰＤの列方向の中央領域が除去された除去部を有するような形状となっている。
（ｉｉｉ）まとめ
上記の配線２ＳＩＧａと配線２ＳＩＧｂとはビアで接続され、これにより、列方向に延伸する１本の信号線２ＳＩＧが構成される。配線２ＳＩＧａと配線２ＳＩＧｂとのビアの接続は、配線２ＳＩＧｂにおける除去部を挟んだ部分（上下端である。）と、配線２ＳＩＧａの列方向の端部分で行われる。
【０１３８】
これにより、列方向に配置される信号線２ＳＩＧは、第１配線層２０５ａに配置されている行方向配線群に含まれる配線と交わるところで、第２配線層２０５ｂ側に乗り換えている。
（５）グランド線（２ＶＳＳ）
グランド線２ＶＳＳは、行列状に配されたフォトダイオード２ＰＤの列間を列方向に延伸する状態で配されている。ここでは、２ＰＤ１１を基準として奇数列に対応してその右側（列数が増加する側）に配されている。具体的には、１列目のフォトダイオード２ＰＤｎ１と２列目のフォトダイオード２ＰＤｎ２との間や３列目のフォトダイオード２ＰＤｎ３と４列目のフォトダイオード２ＰＤｎ４との間に配されている。
【０１３９】
グランド線２ＶＳＳは、第１配線層２０５ａの配線２ＶＳＳａと第２配線層２０５ｂの配線２ＶＳＳｂとからなり、第１配線層２０５ａの配線２ＶＳＳａと第２配線層２０５ｂの配線２ＶＳＳｂとは例えばビアを介して接続されている。なお、グランド線２ＶＳＳは、信号線２ＳＩＧと一対をなして各列間に配されている。
（ｉ）第１配線層の配線（２ＶＳＳａ）
グランド線２ＶＳＳの配線２ＶＳＳａは、図７に示すように、行方向に隣接するフォトダイオード２ＰＤ間（例えば、フォトダイオード２ＰＤ１１とフォトダイオード２ＰＤ１２との間である。）に形成されている。
【０１４０】
配線２ＶＳＳａは、行方向配線群に含まれる他の配線間（例えば、２行目のフォトダイオード２ＰＤ２１では、転送制御信号線２Ｔ２の配線２Ｔ２ａと第２電源線２ＶＤＤ２の配線２ＶＤＤ２ａとの間である。）に独立状態で形成されている。つまり、配線２ＶＳＳａは、行方向に隣接するフォトダイオード２ＰＤ間にのみ存在している。また、配線２ＶＳＳａは、信号線２ＳＩＧの配線２ＳＩＧａと平行であって一対をなして形成されている。
【０１４１】
なお、各単位セルの最終の行である４行目のフォトダイオード２ＰＤ間（例えば、２ＰＤ４ｋと２ＰＤ４ｋ＋１との間である。）に配された配線２ＶＳＳａは、図１に示すように、半導体基板２０３の拡散層とコンタクト（Ｃ６）を介して接続される。このため、配線２ＶＳＳａは、信号線２ＳＩＧの配線２ＳＩＧａ側に張り出した接続部を有している。
（ｉｉ）第２配線層の配線（２ＶＳＳｂ）
グランド線２ＶＳＳの配線２ＶＳＳｂは、図８に示すように、各列間に形成され、列方向に隣接するフォトダイオード２ＰＤ間を越えて列方向に沿って延伸する状態で形成されている。つまり、配線２ＶＳＳｂは、列方向に延伸し、各フォトダイオード２ＰＤの列方向の中央領域が除去された除去部を有するような形状となっている。
（ｉｉｉ）まとめ
上記の配線２ＶＳＳａと配線２ＶＳＳｂとはビアで接続され、これにより、列方向に延伸する１本のグランド線２ＶＳＳが構成される。配線２ＶＳＳａと配線２ＶＳＳｂとのビアの接続は、配線２ＶＳＳｂにおける除去部を挟んだ部分（上下端である。）と、配線２ＶＳＳａの列方向の端部分で行われる。
【０１４２】
これにより、列方向に配置されるグランド線２ＶＳＳは、第１配線層２０５ａに配置されている行方向配線群に含まれる配線と交わるところで、第２配線層２０５ｂに乗り換えている。
（６）第３電源線（２ＶＤＤ３）
第３電源線２ＶＤＤ３は、行列状に配されたフォトダイオード２ＰＤの列間を列方向に延伸する状態で配されている。ここでは、２ＰＤ１１を基準として偶数列に対応してその右側（行数が増加する側）に配されている。具体的には、１列目フォトダイオード２ＰＤｎ１と２列目フォトダイオード２ＰＤｎ１との間、３列目のフォトダイオード２ＰＤｎ３と４列目のフォトダイオード２ＰＤｎ４との間に配されている。
【０１４３】
第３電源線２ＶＤＤ３は、第１配線層２０５ａの配線２ＶＤＤ３ａと第２配線層２０５ｂの配線２ＶＤＤ３ｂとからなり、第１配線層２０５ａの配線２ＶＤＤ３ａと第２配線層２０５ｂの配線２ＶＤＤ３ｂとは例えばビアを介して接続されている。これにより、列方向に配置される第３電源線２ＶＤＤ３は、第１配線層２０５ａに配置されている行方向配線群に含まれる配線と交わるところで第２配線層２０５ｂに乗り換えている。
【０１４４】
なお、グランド線２ＶＤＤ３は、信号線２ＳＩＧと一対をなして所定の列間に配されている。また、第３電源線２ＶＤＤ３は、グランド線２ＶＳＳと形成箇所が異なるだけで、他の構成は同じである。
４．断面構造
固体撮像装置２０１は、上述した構成を採用することで、図９及び図１０に示すように上下のフォトダイオード２ＰＤの中央を通る線分（列方向に隣接しているフォトダイオード２ＰＤの中心を結ぶ線分である。）での断面において、第１配線層２０５ａに配線２本、第２配線層２０５ｂに配線０本を配置することができる。
【０１４５】
また、左右のフォトダイオードＰＤの中央を通る線分（行方向に隣接しているフォトダイオードＰＤの中心を結ぶ線分である。）での断面において第１配線層２０５ａに配線２本、第２配線層２０５ｂに配線０本で配置することができる。
【０１４６】
これにより、高感度化を実現することができる。以下具体的に説明する。
（１）断面ｃ
（ｉ）第１配線層
図９及び図７に示すように、フォトダイオード２ＰＤ１３，２ＰＤ１４の中心を通る断面では、第１配線層２０５ａにおける配線は、信号線２ＳＩＧの配線２ＳＩＧａとグランド線２ＶＳＳの配線２ＶＳＳａの２本、又は、信号線２ＳＩＧの配線２ＳＩＧａと第３電源線２ＶＳＳ３の配線２ＶＳＳ３ａの２本である。
（ｉｉ）第２配線層
図９及び図８に示すように、フォトダイオード２ＰＤ１３，２ＰＤ１４の中心を通る断面では、信号線２ＳＩＧの配線２ＳＩＧｂとグランド線２ＶＳＳの配線２ＶＳＳｂとの除去部に、信号線２ＳＩＧの配線２ＳＩＧｂと第３電源線２ＶＤＤ３の配線２ＶＤＤ３ｂの除去部にそれぞれ対応するため、当該断面での第２配線層２０５ｂの配線は０本となる。
（２）断面ｄ
（ｉ）第１配線層
図１０及び図７に示すように、フォトダイオード２ＰＤ３４，２ＰＤ４４の中心を通る断面では、第１配線層２０５ａにおける配線は、転送制御信号線２Ｔ１，２Ｔ２の配線２Ｔ１ａ，２Ｔ２ａ（図１０では現れていない。）、転送制御信号線２Ｔ３，２Ｔ４の配線２Ｔ３ａ，２Ｔ４ａ、第１電源線２ＶＤＤ１の配線２ＶＤＤ１ａ及びリセット信号線２Ｒｘの配線２Ｒｘａ、第２電源線２ＶＤＤ２の配線２ＶＤＤ２ａのいずれか一つだけとなり、第１配線層２０５ａの配線は２本となる。
（ｉｉ）第２配線層
図１０及び図８に示すように、フォトダイオード２ＰＤ３４，２ＰＤ４４の中心を通る断面では、第２配線層２０５ｂにおける配線が０本である。
（３）断面ｃ、ｄの両方について
第２配線層２０５ｂにおいて、複数のフォトダイオード２ＰＤの中心を通る断面での配線が０本となるため、第２配線層２０５ｂの配線の影響はなくなり、開口率を高めることができる。特に、斜め方向からの光に対し、フォトダイオード２ＰＤ上の開口率を高めることができる。
【０１４７】
さらに、円形状のレンズ２１１を利用した場合、第１配線層２０５ａの配線により遮光されるおそれがないので、レンズ２１１の直径を大きくできる。
第２配線層２０５ａにおいて、複数のフォトダイオード２ＰＤの中心を通る断面での配線が２本となる。レンズ２１１で集光された光は、フォトダイオード２ＰＤの中央に集光されるため、第１配線層２０５ａにフォトダイオード２ＰＤ間に２本の配線があっても、図９及び図１０に示すように、レンズ２１１により集光されてフォトダイオード２ＰＤの中央に向かう光（図中の破線である。）が第１配線層２０５ａの配線で遮られるおそれもなくなり、感度を高めることができる。
【０１４８】
以上のことから、第２配線層２０５ｂに２本の配線があっても、レンズ２１１により集光されてフォトダイオード２ＰＤの中央に向かう光が遮光されることはなく、結果的にフォトダイオード２ＰＤ上の開口率を高めることができる。
【０１４９】
また、導波路２０７の断面形状を、半導体基板２０３側からカラーフィルタ２０９側に近づくに従って太くなる形状にしている。このためカラーフィルタ２０９を通過した光をより効率よく導波路２０７に導くことができ、混色のない光学特性を実現できる。
<第３の実施の形態＞
第３の実施の形態に係る固体撮像装置は、行方向に隣接するフォトダイオードの中央を通り行方向に延伸する仮想面での断面において第１配線層に配線２本を配置している。また、列方向に隣接するフォトダイオードの中央を通り列方向に延伸する仮想面での断面において第１配線層に配線１本を第２配線層に１本それぞれ配置している。
【０１５０】
つまり、第１配線層３０５ａには、第１の方向である列方向に隣接する画素間を第１の方向と直交する第２の方向である行方向に延伸する２本の配線（ここでは、転送制御信号線３Ｔ１，３Ｔ２の２本や転送制御信号線３Ｔ３，３Ｔ４の２本や第１電源線３ＶＤＤ１とリセット信号線３Ｒｘとの２本である。）が配置され、第２配線層３０５ｂには、第２の方向である行方向に隣接する画素間を第１の方向である列方向に延伸する２本の配線（ここでは、信号線３ＳＩＧとグランド線３ＶＳＳとの２本や信号線３ＳＩＧと第３電源線３ＶＤＤ３との２本である。）が配置され、第２配線層３０５ｂの２本の配線が、第１の方向である列方向に隣接する画素の中央領域で第１配線層３０５ａに入り込み、第１の配線層３０５ａの２本の配線のうち１本（ここでは、転送制御信号線３Ｔ１，３Ｔ２のうちの何れか１本や、転送制御信号線３Ｔ３，３Ｔ４のうちの何れか１本や、第１電源線３ＶＤＤ１とリセット信号線３Ｒｘとの２本のうちリセット信号線４Ｒｘである。）が、前記第２の方向である行方向に隣接する画素の中央領域で第２の配線層３０５ｂに入り込でいる。
【０１５１】
以上のような構成にすることで、列方向に関しては、行間の配線が第１配線層で１本、第２配線層で１本が存在するため、行間のフォトダイオード上の配線開口を拡大することができ、高感度化を実現することができる。また、同様に導波路径を拡大することができるため、さらに高感度化を実現することができる。
【０１５２】
行方向に関しては、列間の配線が第１配線層のみとなり、特に斜め方向からの光に対しフォトダイオード上の配線開口を拡大することができ、高感度化を実現することができる。また、導波路形状にテーパーをつけることによりさらに高感度化を実現することができる。
【０１５３】
以下、第３の実施の形態を図１１〜図１４を用いて詳細を説明する。
図１１は、図１に加え第１配線層、第１配線層と第２配線層を繋ぐビアを示したレイアウト図であり、図１２は図１１に加え第２配線層を示したレイアウト図である。
【０１５４】
図１３は図１２における破線ｅでの断面図であり、図１４は図１２における破線ｆでの断面図である。
第３の実施の形態に係る固体撮像装置３０１は、第１の実施の形態と同様に、図１３及び図１４に示すように、半導体基板３０３、配線層３０５、導波路３０７、カラーフィルタ３０９、レンズ３１１を備え、配線層３０５は、第１配線層３０５ａと第２配線層３０５ｂとからなる。なお、本実施の形態では、行方向の断面（図１３）における導波路３０７が、半導体基板３０３側からカラーフィルタ３０９側に近づくに従って太くなる形状にしている。
【０１５５】
固体撮像装置３０１の半導体基板３０３は、第１の実施の形態に係る固体撮像装置１０１の半導体基板１０３と同じ構成を有し、半導体基板３０３の撮像領域上に形成された配線層３０５が異なる。つまり、単位セルにおける拡散層、ポリシリコン、コンタクトを示したレイアウトは図１と同じであり、その上方に形成された第１配線層３０５ａ及び第２配線層３０５ｂの配線数等が異なる。
【０１５６】
このため、配線層３０５について以下説明する。
１．配線
第３の実施の形態における配線、つまり、行方向配線群と列方向配線群とに含まれる配線の種類は、第１の実施の形態に係る行方向配線群と列方向配線群とに含まれる配線の種類と同じである。
【０１５７】
つまり、行方向配線群として、図１１及び図１２に示すように、第１電源線３ＶＤＤ１、リセット信号線３Ｒｘ、転送制御信号線３Ｔ１，３Ｔ２，３Ｔ３，３Ｔ４、第２電源線３ＶＤＤ２があり、列方向配線群として、グランド線３ＶＳＳ、信号線３ＳＩＧ、第３電源線３ＶＤＤ３がある。
【０１５８】
また、第３の実施の形態に係る行方向配線群及び列方向配線群の配置位置は、第１の実施の形態と同様であるが、当然、第１及び第２の実施の形態と異なるようにしても良い。
（１）転送制御信号線（３Ｔ）
転送制御信号線３Ｔ１，３Ｔ２，３Ｔ３，３Ｔ４は、第１の実施の形態と同様に、行列状に配されたフォトダイオード３ＰＤの行間を行方向に延伸する状態で配されている。
【０１５９】
転送制御信号線３Ｔ１，３Ｔ２，３Ｔ３，３Ｔ４の配線位置、構成は、上述の第１の実施の形態の転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４と同じである。
転送制御信号線３Ｔ１，３Ｔ２は、各単位セルにおける１行目のフォトダイオード３ＰＤ１ｋと、２行目のフォトダイオード３ＰＤ２ｋとの間を行方向に延伸する。転送制御信号線３Ｔ３，３Ｔ４は、各単位セルにおける３行目のフォトダイオード３ＰＤ３ｋと、４行目のフォトダイオード３ＰＤ４ｋとの間を行方向に延伸する。
【０１６０】
転送制御信号線３Ｔ１は、第１の実施の形態で説明した第１配線層１０５ａの配線Ｔ１ａと同じ構成をした第１配線層３０５ａの配線３Ｔ１ａと、第１の実施の形態で説明した第２配線層１０５ｂの配線Ｔ１ｂと同じ構成をした第２配線層３０５ｂの配線３Ｔ１ｂとからなる。
【０１６１】
転送制御信号線３Ｔ２は、第１の実施の形態で説明した第１配線層１０５ａの配線Ｔ２ａと同じ構成をした第１配線層３０５ａの配線３Ｔ２ａと、第１の実施の形態で説明した第２配線層１０５ｂの配線Ｔ２ｂと同じ構成をした第２配線層３０５ｂの配線３Ｔ２ｂとからなる。
【０１６２】
転送制御信号線３Ｔ３は、第１の実施の形態で説明した第１配線層１０５ａの配線Ｔ３ａと同じ構成をした第１配線層３０５ａの配線３Ｔ３ａと、第１の実施の形態で説明した第２配線層１０５ｂの配線Ｔ３ｂと同じ構成をした第２配線層３０５ｂの配線３Ｔ３ｂとからなる。
【０１６３】
転送制御信号線３Ｔ４は、第１の実施の形態で説明した第１配線層１０５ａの配線Ｔ４ａと同じ構成をした第１配線層３０５ａの配線３Ｔ４ａと、第１の実施の形態で説明した第２配線層１０５ｂの配線Ｔ４ｂと同じ構成をした第２配線層３０５ｂの配線３Ｔ４ｂとからなる。
【０１６４】
また、転送制御信号線３Ｔ１における配線３Ｔ１ａと配線３Ｔ１ｂとの接続、転送制御信号線３Ｔ２における配線３Ｔ２ａと配線３Ｔ２ｂとの接続、転送制御信号線３Ｔ３における配線３Ｔ３ａと配線３Ｔ３ｂとの接続、転送制御信号線３Ｔ４における配線３Ｔ４ａと配線３Ｔ４ｂとの接続は、第１の実施の形態と同様にビアを介して同じ接続箇所で行われている。
（２）リセット信号線（３Ｒｘ）
リセット信号線３Ｒｘは、行列状に配されたフォトダイオード３ＰＤの行間を行方向に延伸する状態で配され、その配線位置は第１の実施の形態のリセット信号線Ｒｘと同じである。
【０１６５】
リセット信号線３Ｒｘは、第１の実施の形態のリセット信号線Ｒｘの第１配線層１０５ａの配線Ｒｘａと同じ構成をした第１配線層３０５ａの配線３Ｒｘａと、第１の実施の形態のリセット信号線Ｒｘの第２配線層１０５ｂの配線Ｒｘｂと同じ構成をした第２配線層３０５ｂの配線３Ｒｘｂとからなる。
【０１６６】
リセット信号線３Ｒｘにおける配線３Ｒｘａと配線３Ｒｘｂとの接続は、第１の実施の形態と同様にビアを介して同じ接続箇所で行われている。
（３）第１電源線（３ＶＤＤ１）
第１電源線３ＶＤＤ１は、行列状に配されたフォトダイオード３ＰＤの行間を行方向に延伸する状態で配され、その配線位置は第１の実施の形態の第１電源線ＶＤＤ１と同じである。
【０１６７】
第１電源線３ＶＤＤ１は、第１の実施の形態の第１電源線ＶＤＤ１の第１配線層１０５ａの配線ＶＤＤ１ａと同じ構成をした第１配線層３０５ａの配線３ＶＤＤ１ａからなる。なお、第１電源線３ＶＤＤ１は、第２配線層３０５ｂに配線を有していない。
（４）第２電源線（３ＶＤＤ２）
第２電源線３ＶＤＤ２は、行列状に配されたフォトダイオード３ＰＤの行間を行方向に延伸する状態で配され、その配線位置は第１の実施の形態の第２電源線ＶＤＤ２と同じである。
【０１６８】
第２電源線３ＶＤＤ２は、第１の実施の形態の第２電源線ＶＤＤ２の第１配線層１０５ａの配線ＶＤＤ２ａと同じ構成をした第１配線層３０５ａの配線３ＶＤＤ２ａからなる。なお、第１電源線３ＶＤＤ１は、第２配線層３０５ｂに配線を有していない。
（５）信号線（３ＳＩＧ）
信号線３ＳＩＧは、行列状に配されたフォトダイオード３ＰＤの列間を列方向に延伸する状態で配され、その配線位置は第２の実施の形態の信号線２ＳＩＧと同じである。
【０１６９】
信号線３ＳＩＧは、図１１及び図１２に示すように、第２の実施の形態の信号線２ＳＩＧの第１配線層２０５ａの配線２ＳＩＧａと同じ構成をした第１配線層３０５ａの配線３ＳＩＧａと、第２の実施の形態の信号線２ＳＩＧの第２配線層２０５ｂの配線２ＳＩＧｂと同じ構成をした第２配線層３０５ｂの配線３ＳＩＧｂとからなる。
【０１７０】
信号線３ＳＩＧにおける第１配線層３０５ａの配線３ＳＩＧａと第２配線層３０５ｂの配線３ＳＩＧｂとの接続は、第２の実施の形態と同様にビアを介して同じ接続箇所で行われている。これにより、列方向に配置される信号線３ＳＩＧは、第１配線層３０５ａに配置されている行方向配線群に含まれる配線と交わるところで第２配線層３０５ｂに乗り換えている。
（６）グランド線（３ＶＳＳ）
グランド線３ＶＳＳは、行列状に配されたフォトダイオード３ＰＤの列間を列方向に延伸する状態で配され、その配線位置は第２の実施の形態のグランド線２ＶＳＳと同じである。
【０１７１】
グランド線３ＶＳＳは、第２の実施の形態のグランド線２ＶＳＳの第１配線層２０５ａの配線２ＶＳＳａと同じ構成をした第１配線層３０５ａの配線３ＶＳＳａと、第２の実施の形態のグランド線２ＶＳＳの第２配線層２０５ｂの配線２ＶＳＳｂと同じ構成をした第２配線層３０５ｂの配線３ＶＳＳｂとからなる。
【０１７２】
グランド線３ＶＳＳにおける第１配線層３０５ａの配線３ＶＳＳａと第２配線層３０５ｂの配線３ＶＳＳｂとの接続は、第２の実施の形態と同様にビアを介して同じ接続箇所で行われている。これにより、列方向に配置されるグランド線３ＶＳＳは、第１配線層３０５ａに配置されている行方向配線群に含まれる配線と交わるところで第２配線層３０５ｂに乗り換えている。
（７）第３電源線（３ＶＤＤ３）
第３電源線３ＶＤＤ３は、行列状に配されたフォトダイオード３ＰＤの列間を列方向に延伸する状態で配され、その配線位置は第２の実施の形態の第３電源線２ＶＤＤ３と同じである。
【０１７３】
第３電源線３ＶＤＤ３は、第２の実施の形態の第３電源線２ＶＤＤ３の第１配線層２０５ａの配線２ＶＤＤ３ａと同じ構成をした第１配線層３０５ａの配線３ＶＤＤ３ａと、第２の実施の形態の第３電源線２ＶＤＤ３の第２配線層２０５ｂの配線２ＶＤＤ３ｂと同じ構成をした第２配線層３０５ｂの配線３ＶＤＤ３ｂとからなる。
【０１７４】
第３電源線３ＶＤＤ３における第１配線層３０５ａの配線３ＶＤＤ３ａと第２配線層３０５ｂの配線３ＶＤＤ３ｂとの接続は、第２の実施の形態と同様にビアを介して同じ接続箇所で行われている。これにより、列方向に配置される第３電源線３ＶＤＤ３は、第１配線層３０５ａに配置されている行方向配線群と交わるところで第２配線層３０５ｂに乗り換えている。
２．断面構造
固体撮像装置３０１は、上述した構成を採用することで、図１３及び図１４に示すように上下のフォトダイオード３ＰＤの中央を通る線分（列方向に隣接しているフォトダイオード３ＰＤの中心を結ぶ線分である。）での断面において、第１配線層３０５ａに配線１本、第２配線層３０５ｂに配線１本を配置することができる。
【０１７５】
左右のフォトダイオード３ＰＤの中央を通る線分（行方向に隣接しているフォトダイオード３ＰＤの中心を結ぶ線分である。）での断面において第１配線層３０５ａに配線２本、第２配線層３０５ｂに配線０本で配置することができる。
【０１７６】
これにより、高感度化を実現することができる。以下具体的に説明する。
（１）断面ｅ
（ｉ）第１配線層
図１３及び図１１に示すように、フォトダイオード３ＰＤ１３，３ＰＤ１４の中心を通る断面では、第１配線層３０５ａにおける配線は、信号線３ＳＩＧの配線３ＳＩＧａとグランド線３ＶＳＳの配線３ＶＳＳａの２本、又は、信号線３ＳＩＧの配線３ＳＩＧａと第３電源線３ＶＤＤ３の配線３ＶＤＤ３ａの２本である。
（ｉｉ）第２配線層
図１３及び図１２に示すように、フォトダイオード３ＰＤ１３，３ＰＤ１４の中心を通る断面では、信号線３ＳＩＧの配線３ＳＩＧｂとグランド線３ＶＳＳｂの除去部に、信号線３ＳＩＧの配線３ＳＩＧｂと第３電源線３ＶＤＤ３の配線３ＶＤＤ３ｂの除去部にそれぞれ対応するため、当該断面での第２配線層３０５ｂにおける配線は０本となる。
（２）断面ｆ
（ｉ）第１配線層
図１４及び図１１に示すように、フォトダイオード３ＰＤ３４，３ＰＤ４４の中心を通る断面では、第１配線層３０５ａにおける配線は、転送制御信号線３Ｔ３の配線３Ｔ３ａ、第１電源線３ＶＤＤ１の配線３ＶＤＤ１ａのいずれか一方の一本だけとなる。
【０１７７】
なお、他のフォトダイオード３ＰＤにおいてもその行方向の中央では、第１配線層３０５ａにおける配線は、転送制御信号線３Ｔ１，３Ｔ２，３Ｔ３，３Ｔ４の配線３Ｔ１ａ，３Ｔ２ａ，３Ｔ３ａ，３Ｔ４ａ、第１電源線３ＶＤＤ１の配線３ＶＤＤ１ａ、第２電源線３ＶＤＤ２の配線３ＶＤＤ２ａのいずれか一本だけとなる。
（ｉｉ）第２配線層
図１４及び図１２に示すように、フォトダイオード３ＰＤ３４，３ＰＤ４４の中心を通る断面では、第２配線層３０５ｂにおける配線は、ダミー配線３ＤＹの配線３ＤＹｂ、転送制御信号線３Ｔ４の配線３Ｔ４ｂ、リセット信号線３Ｒｘの配線３Ｒｘｂのいずれか一方の一本だけとなる。
【０１７８】
なお、他のフォトダイオード３ＰＤにおいてもその中心を通る断面では、第２配線層３０５ｂにおける配線は、転送制御信号線３Ｔ１，３Ｔ２，３Ｔ３，３Ｔ４の配線３Ｔ１ｂ，３Ｔ２ｂ，３Ｔ３ｂ，３Ｔ４ｂ、ダミー配線３ＤＹの配線３ＤＹｂ、リセット信号線３Ｒｘの配線３Ｒｘｂのいずれか一本だけとなる。
（３）断面ｅ、ｆの両方について
上述のように、行方向に配列するフォトダイオード３ＰＤの中心を通る断面において、第２配線層３０５ｂにおいて配線が０本となるため、第２配線層３０５ｂの配線の影響はなくなり、行方向における開口率を高めることができる。特に、斜め方向からの光に対し、フォトダイオード３ＰＤ上の開口率を高めることができる。
【０１７９】
また、列方向に配列するフォトダイオード３ＰＤの中心を通る断面において、第２配線層３０５ａにおいて配線が２本となる。レンズ３１１で集光された光は、フォトダイオード３ＰＤの中央に集光されるため、第１配線層３０５ａにフォトダイオード３ＰＤ間に２本の配線があっても、図１３に示すように、レンズ３１１により集光されてフォトダイオード３ＰＤの中央に向かう光（図中の破線である。）が第１配線層３０５ａの配線で遮られるおそれもなくなり、感度を高めることができる。
【０１８０】
また、導波路３０７の断面形状を半導体基板３０３側からカラーフィルタ３０９側に近づくに従って太くなる形状にしている。このためカラーフィルタ３０９を通過した光をより効率よく導波路３０７に導くことができ、混色のない光学特性を実現できる。
<第４の実施の形態＞
第４の実施の形態に係る固体撮像装置は、行方向に隣接するフォトダイオードの中央を通り行方向に延伸する仮想面での断面において第１配線層に配線１本を第２配線層に配線１本を配置している。また、列方向に隣接するフォトダイオードの中央を通り列方向に延伸する仮想面での断面において第１配線層に配線２本を配置している。
【０１８１】
つまり、第１配線層４０５ａには、第１の方向である列方向に隣接する画素間を前記第１の方向と直交する第２の方向である行方向に延伸する２本の配線（ここでは、転送制御信号線４Ｔ１，４Ｔ２の２本や転送制御信号線４Ｔ３，４Ｔ４の２本や第２電源線４ＶＤＤ１とリセット信号線４Ｒｘとの２本である。）が配置され、第２配線層４０５ｂには、第２の方向である行方向に隣接する画素間を第１の方向である列方向に延伸する２本の配線（ここでは、信号線４ＳＩＧとグランド線４ＶＳＳとの２本や信号線４ＳＩＧと第３電源線４ＶＤＤ３との２本である。）が配置され、第２配線層４０５ｂの２本の配線のうち１本（ここでは、２本の信号線４ＳＩＧとグランド線４ＶＳＳのうち信号線４ＳＩＧ又グランド線４ＶＳＳの１本や、２本の配線信号線４ＳＩＧと第３電源線４ＶＤＤ３のうち信号線４ＳＩＧ又は第３電源線４ＶＤＤ３の１本である。）が、第１の方向である列方向に隣接する画素の中央領域で第１配線層４０５ａに入り込んでいる。
【０１８２】
以上のような構成にすることで、列方向に関しては、行間の配線が第１配線層のみとなり、特に斜め方向からの光に対しフォトダイオード上の配線開口を拡大することができ、高感度化を実現することができる。また、導波路形状にテーパーをつけることによりさらに高感度化を実現することができる。
【０１８３】
行方向に関しては、列間の配線が第１配線層で１本、第２配線層で１本が存在するため、列間のフォトダイオード上の配線開口を拡大することができ、高感度化を実現することができる。また、同様に導波路径を拡大することができるため、さらに高感度化を実現することができる。
【０１８４】
以下、第４の実施の形態を図１５〜図１８を用いて詳細を説明する。
図１５は、図１に加え第１配線層、第１配線層と第２配線層を繋ぐビアを示したレイアウト図であり、図１６は図１５に加え第２配線層を示したレイアウト図である。
【０１８５】
図１７は図１６における破線ｇでの断面図であり、図１８は図１６における破線ｈでの断面図である。
第４の実施の形態に係る固体撮像装置４０１は、第１の実施の形態と同様に、図１７及び図１８に示すように、半導体基板４０３、配線層４０５、導波路４０７、カラーフィルタ４０９、レンズ４１１を備え、配線層４０５は、第１配線層４０５ａと第２配線層４０５ｂとからなる。なお、本実施の形態では、列方向の断面（図１８）における導波路４０７が、半導体基板４０３側からカラーフィルタ４０９側に近づくに従って太くなる形状にしている。
【０１８６】
固体撮像装置４０１の半導体基板４０３は、第１の実施の形態に係る固体撮像装置１０１の半導体基板１０３と同じ構成を有し、半導体基板４０３の撮像領域上に形成された配線層４０５が異なる。つまり、単位セルにおける拡散層、ポリシリコン、コンタクトを示したレイアウトは図１と同じであり、その上方に形勢された第１配線層４０５ａ及び第２配線層４０５ｂの配線数等が異なる。このため、配線層４０５について以下説明する。
１．配線
第４の実施の形態における配線、つまり、行方向配線群と列方向配線群とに含まれる配線の種類も第１の実施の形態で説明した配線の種類と同じである。
【０１８７】
つまり、行方向配線群として、図１５及び図１６に示すように、第１電源線４ＶＤＤ１、リセット信号線４Ｒｘ、転送制御信号線４Ｔ１，４Ｔ２，４Ｔ３，４Ｔ４、第２電源線４ＶＤＤ２があり、列方向配線群として、グランド線４ＶＳＳ、信号線４ＳＩＧ、第３電源線４ＶＤＤ３がある。
【０１８８】
また、第４の実施の形態に係る行方向配線群及び列方向配線群の配置位置は、第１から第３の実施の形態と同様であるが、当然、第１から第３の実施の形態と異なるようにしても良い。
（１）転送制御信号線（４Ｔ）
転送制御信号線４Ｔ１，４Ｔ２，４Ｔ３，４Ｔ４は、図１５に示すように、第２の実施の形態と同様に、行列状に配されたフォトダイオード４ＰＤの行間を行方向に延伸する状態で配されている。
【０１８９】
転送制御信号線４Ｔ１，４Ｔ２，４Ｔ３，４Ｔ４の配線位置、構成は、上述の第２の実施の形態の転送制御信号線２Ｔ１，２Ｔ２，２Ｔ３，２Ｔ４と同じである。
転送制御信号線４Ｔ１，４Ｔ２は、各単位セルにおける１行目のフォトダイオード４ＰＤ１ｋと、２行目のフォトダイオード４ＰＤ２ｋとの間を行方向に延伸する。転送制御信号線４Ｔ３，４Ｔ４は、各単位セルにおける３行目のフォトダイオード４ＰＤ３ｋと、４行目のフォトダイオード４ＰＤ４ｋとの間を行方向に延伸する。
【０１９０】
転送制御信号線４Ｔ１は、第２の実施の形態で説明した第１配線層２０５ａの配線２Ｔ１ａと同じ構成をした第１配線層４０５ａの配線４Ｔ１ａからなり、第２配線層４０５ｂには配線を有していない。
【０１９１】
同様に、転送制御信号線４Ｔ２も、第２の実施の形態で説明した第１配線層２０５ａの配線２Ｔ２ａと同じ構成をした第１配線層４０５ａの配線４Ｔ２ａからなり、第２配線層４０５ｂには配線を有していない。
【０１９２】
転送制御信号線４Ｔ３は、第２の実施の形態で説明した第１配線層２０５ａの配線２Ｔ３ａと同じ構成をした第１配線層４０５ａの配線４Ｔ３ａからなり、第２配線層４０５ｂには配線を有していない。同様に、転送制御信号線４Ｔ４も、第２の実施の形態で説明した第１配線層２０５ａの配線２Ｔ４ａと同じ構成をした第１配線層４０５ａの配線４Ｔ４ａからなり、第２配線層４０５ｂには配線を有していない。
【０１９３】
本第４の実施の形態においても、転送制御信号線４Ｔ１と転送制御信号線４Ｔ３とは配置箇所が異なるだけで同じ構成をし、転送制御信号線４Ｔ２と転送制御信号線４Ｔ４とは配置箇所が異なるだけで同じ構成をしている。
（２）リセット信号線（４Ｒｘ）及び第１電源線（４ＶＤＤ１）
リセット信号線４Ｒｘは、図１５に示すように、行列状に配されたフォトダイオード４ＰＤの行間を行方向に延伸する状態で配され、配線位置は、第２の実施の形態のリセット信号線２Ｒｘと同じである。
【０１９４】
リセット信号線４Ｒｘは、第２の実施の形態のリセット信号線２Ｒｘの第１配線層２０５ａの配線２Ｒｘａと同じ構成をした第１配線層４０５ａの配線４Ｒｘａからなる。なお、リセット信号線４Ｒｘは第２配線層４０５ｂに配線を有していない。
【０１９５】
第１電源線４ＶＤＤ１は、図１５に示すように、行列状に配されたフォトダイオード４ＰＤの行間を行方向に延伸する状態で配され、その配線位置は、第２の実施の形態の第１電源線２ＶＤＤ１と同じである。
【０１９６】
第１電源線４ＶＤＤ１は、第２の実施の形態の第１電源線２ＶＤＤ１の第１配線層２０５ａの配線２ＶＤＤ１ａと同じ構成をした第１配線層４０５ａの配線４ＶＤＤ１ａからなる。なお、第１電源線４ＶＤＤ１は第２配線層４０５ｂに配線を有していない。
【０１９７】
第４の実施の形態においても、リセット信号線４Ｒｘと第１電源線４ＶＤＤ１とは、互いに所定の間隔をおいて行方向に配置されている。
（３）第２電源線（４ＶＤＤ２）
第２電源線４ＶＤＤ２は、図１５に示すように、行列状に配されたフォトダイオード４ＰＤの行間を行方向に延伸する状態で配され、その配線位置は、第２の実施の形態の第２電源線２ＶＤＤ２と同じである。
【０１９８】
第２電源線４ＶＤＤ２は、第２の実施の形態の第２電源線２ＶＤＤ２の第１配線層２０５ａの配線２ＶＤＤ２ａと同じ構成をした第１配線層の配線４ＶＤＤ２ａからなる。なお、第２電源線４ＶＤＤ２は第２配線層４０５ｂに配線を有していない。
（４）信号線（４ＳＩＧ）
信号線４ＳＩＧは、行列状に配されたフォトダイオード４ＰＤの列間を列方向に延伸する状態で配され、その配線位置は第１の実施の形態の信号線ＳＩＧと同じである。
【０１９９】
信号線４ＳＩＧは、図１６及び図１７に示すように、第１の実施の形態の信号線ＳＩＧの第１配線層１０５ａの配線ＳＩＧａと同じ構成をした第１配線層４０５ａの配線４ＳＩＧａと、第１の実施の形態の信号線ＳＩＧの第２配線層１０５ｂの配線ＳＩＧｂと同じ構成をした第２配線層４０５ｂの配線４ＳＩＧｂとからなる。
【０２００】
信号線４ＳＩＧにおける第１配線層４０５ａの配線４ＳＩＧａと第２配線層４０５ｂの配線４ＳＩＧｂとの接続は、第１の実施の形態と同様にビアを介して同じ接続箇所で行われている。
（５）グランド線（４ＶＳＳ）
グランド線４ＶＳＳは、行列状に配されたフォトダイオード４ＰＤの列間を列方向に延伸する状態で配され、その配線位置は第１の実施の形態のグランド線ＶＳＳと同じである。
【０２０１】
グランド線４ＶＳＳは、第１の実施の形態のグランド線ＶＳＳの第１配線層１０５ａの配線ＶＳＳａと同じ構成をした第１配線層４０５ａの配線４ＶＳＳａと、第１の実施の形態のグランド線ＶＳＳの第２配線層１０５ｂの配線ＶＳＳｂと同じ構成をした第２配線層４０５ｂの配線４ＶＳＳｂとからなる。
【０２０２】
グランド線４ＶＳＳにおける第１配線層４０５ａの配線４ＶＳＳａと第２配線層４０５ｂの配線４ＶＳＳｂとの接続は、第２の実施の形態と同様にビアを介して同じ接続箇所で行われている。
（６）第３電源線（４ＶＤＤ３）
第３電源線４ＶＤＤ３は、行列状に配されたフォトダイオード４ＰＤの列間を列方向に延伸する状態で配され、その配線位置は第１の実施の形態の第３電源線ＶＤＤ３と同じである。
【０２０３】
第３電源線４ＶＤＤ３は、第１の実施の形態の第３電源線ＶＤＤ３の第１配線層１０５ａの配線ＶＤＤ３ａと同じ構成をした第１配線層４０５ａの配線４ＶＤＤ３ａと、第１の実施の形態の第３電源線ＶＤＤ３の第２配線層１０５ｂの配線ＶＤＤ３ｂと同じ構成をした第２配線層４０５ｂの配線４ＶＤＤ３ｂとからなる。
【０２０４】
第３電源線４ＶＤＤ３における第１配線層４０５ａの配線４ＶＤＤ３ａと第２配線層４０５ｂの配線４ＶＤＤ３ｂとの接続は、第２の実施の形態と同様にビアを介して同じ接続箇所で行われている。
２．断面構造
固体撮像装置４０１は、上述した構成を採用することで、図１７及び図１８に示すように上下のフォトダイオード４ＰＤの中央を通る線分（列方向に隣接しているフォトダイオード４ＰＤの中心を結ぶ線分である。）での断面において、第１配線層４０５ａに配線２本を配置することができる。
【０２０５】
左右のフォトダイオード４ＰＤの中央を通る線分（行方向に隣接しているフォトダイオード４ＰＤの中心を結ぶ線分である。）での断面において第１配線層４０５ａに配線１本、第２配線層４０５ｂに配線１本を配置することができる。
【０２０６】
これにより、高感度化を実現することができる。以下具体的に説明する。
（１）断面ｇ
（ｉ）第１配線層
図１７及び図１５に示すように、フォトダイオード４ＰＤ１３，４ＰＤ１４の中心を通る断面では、第１配線層４０５ａにおける配線は、信号線４ＳＩＧの配線４ＳＩＧａの１本である。なお、他のフォトダイオード４ＰＤの中心を通る断面では、信号線４ＳＩＧの配線４ＳＩＧａ、第３電源線４ＶＤＤ３の配線４ＶＤＤ３ａ、グランド線４ＶＳＳの配線４ＶＳＳａのいずれか１本である。
（ｉｉ）第２配線層
図１７及び図１６に示すように、フォトダイオード４ＰＤ１３，４ＰＤ１４の中心を通る断面では、信号線４ＳＩＧの配線４ＳＩＧｂの除去部に対応するため、結果的に、グランド線４ＶＳＳの配線４ＶＳＳｂ、第３電源線４ＶＤＤ３の配線４ＶＤＤ３ｂのどちらか１本となる。
（２）断面ｈ
（ｉ）第１配線層
図１８及び図１５に示すように、フォトダイオード４ＰＤ３４，４ＰＤ４４の中心を通る断面では、第１配線層４０５ａにおける配線は、転送制御信号線４Ｔ３の配線４Ｔ３ａと転送制御信号線４Ｔ４の配線４Ｔ４ａとの組合せ、第１電源線４ＶＤＤ１の配線４ＶＤＤ１ａとリセット信号線４Ｒｘの配線４Ｒｘａとの組合せのいずれか一方の組合せの２本、又は第２電源線４ＶＤＤ２の配線４ＶＤＤ２ａを構成している一対の延伸部分（例えば、転送制御信号線４Ｔ３，４Ｔ４の２本に相当する。）の２本だけとなる。
【０２０７】
なお、他のフォトダイオード４ＰＤにおいてもその中心を通る断面では、第１配線層４０５ａにおける配線は、転送制御信号線４Ｔ１，４Ｔ２の組み合わせでの２本となる。
（ｉｉ）第２配線層
図１８及び図１６に示すように、フォトダイオード４ＰＤ３４，４ＰＤ４４の中心を通る断面では、第２配線層４０５ｂにおける配線は０本である。
（３）断面ｇ、ｈの両方について
上述のように、行方向に配列するフォトダイオード４ＰＤの中心を通る断面において、第１配線層４０５ａにおいて配線が２本となる。レンズ４１１で集光された光は、フォトダイオード４ＰＤの中央に集光されるため、第１配線層４０５ａにフォトダイオード４ＰＤ間に２本の配線があっても、図１８に示すように、レンズ４１１により集光されてフォトダイオード４ＰＤの中央に向かう光（図中の破線である。）が第１配線層４０５ａの配線で遮られるおそれもなくなり、感度を高めることができる。
【０２０８】
列方向に配列するフォトダイオード４ＰＤの中心を通る断面において、第１配線層４０５ａ及び第２配線層において配線が１本となるため、レンズ４１１の下方に位置するフォトダイオード４ＰＤを挟む配線間距離を大きくでき、レンズ４１１の周縁部下方に配線が位置しないような構成となる。このため、固体撮像装置４０１としての開口率を高めることができる。
【０２０９】
また、導波路４０７の断面形状を半導体基板４０３側からカラーフィルタ４０９側に近づくに従って太くなる形状にしている。このためカラーフィルタ４０９を通過した光をより効率よく導波路４０７に導くことができ、混色のない光学特性を実現できる。
<第５の実施の形態＞
第５の実施の形態に係る固体撮像装置は、単位セルを２画素から構成した、所謂、２画素１セル構造を採用している。
【０２１０】
この場合においても、行方向に隣接するフォトダイオードの中央を通り行方向に延伸する仮想面での断面において第１配線層に配線１本、第２配線層に配線１本をそれぞれ配置している。また、列方向に隣接するフォトダイオードの中央を通り列方向に延伸する仮想面での断面において第１配線層に配線１本、第２配線層に配線１本をそれぞれ配置している。この配線構成（各方向において、第１配線層が１本、第２配線層が１本の構成である。）は、基本的には第１の実施の形態における配線構成と同じである。なお、２画素１セル構造について、第１の実施の形態での配線層１０５の配線構成を適用している（これが第５の実施の形態である。）が、第２から第４の実施の形態での配線層の配線構成を適用することもできる。
【０２１１】
以下、第５の実施の形態を図１９〜図２２を用いて詳細を説明する。
図１９は、第５の実施の形態に係る固体撮像装置の単位セルにおける拡散層、ポリシリコン、コンタクトを示したレイアウト図である。
【０２１２】
図２０は、第５の実施の形態に係る固体撮像装置の単位セルを模式的に示す回路図である。
図２１は図１９に加え第１配線層、第１配線層と第２配線層を繋ぐビアを示したレイアウト図であり、図２２は図２１に加え第２配線層を示したレイアウト図である。
１．構成
第５の実施の形態に係る固体撮像装置は、半導体基板、配線層、カラーフィルタ、レンズを備え、必要に応じて導波路を有している。第５の実施の形態においても配線層は、第１配線層と第２配線層との２層構造である。
【０２１３】
半導体基板は、その主面側に行列方向に配された複数の画素からなる撮像領域を有する他、周辺回路領域を有する。
各画素は、図１９に示すように、フォトダイオード５ＰＤ、転送トランジスタ５ＴＧ、増幅トランジスタ５ＳＦ、リセットトランジスタ５ＲＳを有する。ここでは、上述したように、２個のフォトダイオード（例えば、５ＰＤ１１，５ＰＤ２１である。）により１つの単位セルが構成されている。つまり、単位セルは、２個のフォトダイオード５ＰＤと、２個の転送トランジスタ５ＴＧと、１個のリセットトランジスタ５ＲＳと増幅トランジスタ５ＳＦとを含む。
【０２１４】
第５の実施の形態では、増幅トランジスタ５ＳＦのドレインは、リセットトランジスタ５ＲＳのドレインが接続された第１電源線５ＶＤＤ１に接続されている。このため、第１の実施の形態では存していた第２電源線ＶＤＤ２の配線は本実施の形態ではない。
【０２１５】
また、第５の実施の形態では、基板電位を周辺回路から確保するようにしているため、第１の実施の形態で存していたグランド線ＶＳＳの配線は本実施の形態では配されていない。
２．レイアウト
図１９を用いて、フォトダイオード等のレイアウトを説明する。
【０２１６】
１個の単位セルを構成する２個のフォトダイオード５ＰＤ１１，５ＰＤ２１は、列方向に隣接して配置されている。なお、複数のフォトダイオード５ＰＤの配置位置は、第１の実施の形態での複数のフォトダイオードＰＤの配置と同じである。
【０２１７】
２個の転送トランジスタ５ＴＧ１，５ＴＧ２は、対応するフォトダイオード５ＰＤの周辺に配置されている。例えば、転送トランジスタ５ＴＧ１は、上側に位置する（１行目に位置する）フォトダイオード５ＰＤ１１の斜め下方（２行目側）に、転送トランジスタ５ＴＧ２は、下側に位置する（２行目に位置する）フォトダイオード５ＰＤ１２の斜め上方（１行目）にそれぞれ配置されている。つまり、転送トランジスタ５ＴＧは、単位セルを構成する２つのフォトダイオード５ＰＤのうち、互いに隣接する（対向し合う）側の角に相当する領域で互いに対峙する状態で配されている。
【０２１８】
なお、言うまでもなく、フォトダイオード５ＰＤと転送トランジスタ５ＴＧとの位置関係は本例に限定するものでなく、他の位置関係でも良い。
増幅トランジスタ５ＳＦとリセットトランジスタ５ＲＳは、行列状に配置されたフォトダイオード５ＰＤの列間に配されており、列方向に隣接するフォトダイオード５ＰＤ１１とフォトダイオード５ＰＤ１２との間の中心を通る行方向の仮想線に対して互いに反対となるように配置されている。つまり、２個の転送トランジスタ５ＴＧ１，５ＴＧ２を列方向の両側から挟むように増幅トランジスタ５ＳＦとリセットトランジスタ５ＳＦとが配置されている。
【０２１９】
ここでは、増幅トランジスタ５ＳＦが単位セルの下端側に、リセットトランジスタ５ＲＳが単位セルの上端側にそれぞれ配されている。
３．回路構成
図１９及び図２０を用いて、フォトダイオード等の接続を説明する。
【０２２０】
フォトダイオード５ＰＤと転送トランジスタ５ＴＧとの接続、転送トランジスタ５ＴＧとリセットトランジスタ５ＲＳとの接続は、第１の実施の形態と同様に、拡散層を共有化等することで行われている。
【０２２１】
第５の実施の形態では、図１９に示すように、リセットトランジスタ５ＲＳのドレインと増幅トランジスタ５ＳＦのドレインとを共有化している。
４．配線
第５の実施の形態に係る行方向配線群は、第１電源線５ＶＤＤ１、リセット信号線５Ｒｘ、転送制御信号線５Ｔ１，５Ｔ２を含む。列方向配線群は、信号線５ＳＩＧ、第２電源線５ＶＤＤ２を含む。以下、図２１及び図２２を特に用いて説明する。
（１）転送制御信号線（５Ｔ１，５Ｔ２）
転送制御信号線５Ｔ１，５Ｔ２は、各単位セルを構成する列方向に隣接する２個のフォトダイオード５ＰＤ１１，５ＰＤ２１の間を行方向に延伸する。
【０２２２】
転送制御信号線５Ｔ１，５Ｔ２は、第１の実施の形態の転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２と同様に、第１配線層の配線５Ｔ１ａ，５Ｔ２ａと、第２配線層の配線５Ｔ１ｂ，５Ｔ２ｂとからなる。なお、第１配線層の配線５Ｔ１ａ，５Ｔ２ａは、第１の実施の形態の転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２の配線Ｔ１ａ，Ｔ２ａと同じ構成である。第２配線層の配線５Ｔ１ｂ，５Ｔ２ｂは、第１の実施の形態の転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２の配線Ｔ１ｂ，Ｔ２ｂと同じ構成である。
（２）リセット信号線（５Ｒｘ）
リセット信号線５Ｒｘは、各単位セル間に対応するフォトダイオード５ＰＤ間を行方向に延伸する。
【０２２３】
リセット信号線５Ｒｘは、第１の実施の形態のリセット信号線Ｒｘと同様に、第１配線層の配線５Ｒｘａと、第２配線層の配線５Ｒｘｂとからなる。なお、第１配線層の配線５Ｒｘａは、第１の実施の形態のリセット信号線Ｒｘの配線Ｒｘａと同じ構成である。第２配線層の配線５Ｒｘｂは、第１の実施の形態のリセット信号線Ｒｘの配線Ｒｘｂと同じ構成である。
（３）第１電源線（５ＶＤＤ１）
第１電源線５ＶＤＤ１は、各単位セル間に対応するフォトダイオード５ＰＤ間を、リセット信号線５Ｒｘと共に行方向に延伸する。
【０２２４】
第１電源線５ＶＤＤ１は、図２１に示すように、略直線状に延伸し、第１配線層の配線５ＶＤＤ１ａからなる。図２１では、第１電源線５ＶＤＤ１の配線５ＶＤＤ１ａは、各単位セル間に対応するフォトダイオード５ＰＤ間の中央領域に配置されている。
（４）信号線（５ＳＩＧ）及び第２電源線（５ＶＤＤ２）
信号線５ＳＩＧ及び第２電源線５ＶＤＤ２は、図２１及び図２２に示すように、行方向に隣接するフォトダイオード５ＰＤ１１，５ＰＤ１２間を列方向に延伸する。
【０２２５】
信号線５ＳＩＧは、第１の実施の形態の信号線ＳＩＧと同様に、第１配線層の配線５ＳＩＧａと第２配線層の配線５ＳＩＧｂとからなる。
配線５ＳＩＧａは、図２１に示すように、「Ｉ」状をしている。つまり、第１の実施の形態の信号線ＳＩＧの配線ＳＩＧａと同じ形状をしている。配線５ＳＩＧａは、行方向に隣接するフォトダイオード５ＰＤ間、例えば、１行目のフォトダイオード５ＰＤ１１とフォトダイオード５ＰＤ１２との間に配置されている。
【０２２６】
配線５ＳＩＧｂは、図２２に示すように、行列方向に配された複数のフォトダイオード５ＰＤの列間であって、列方向に隣接するフォトダイオード５ＰＤ１ｋとフォトダイオード５ＰＤ２ｋとの間を直線状に跨ぐように配されている。
【０２２７】
配線５ＳＩＧａと配線５ＳＩＧｂとは、例えば、ビアを介して接続され、列方向に隣接するフォトダイオード５ＰＤの行間で、第１配線層と第２配線層と入れ替わる。
（５）第２電源線（５ＶＤＤ２）
第２電源線５ＶＤＤ２は、図２２に示すように、行方向に隣接するフォトダイオード５ＰＤ１１とフォトダイオード５ＰＤ１２との間を列方向に延伸する。つまり、第２電源線５Ｖｄｄ２は、信号線５ＳＩＧと対をなしてフォトダイオード５ＰＤ間を列方向に延伸する。
【０２２８】
第２電源線５ＶＤＤ２は、図２１及び図２２に示すように、第２配線層にのみに配置された配線５ＶＤＤ２ｂを有する。配線５ＶＤＤ２ｂは、図２２に示すように、フォトダイオード５ＰＤの中央領域が行方向に隣接するフォトダイオード５ＰＤ間の略中央にまで張り出している。
（６）まとめ
以上の構成により、単位セルを２画素で構成しても、４画素で単位セルを構成している第１の実施の形態と同様に、行方向に隣接するフォトダイオードの中央を通り行方向に延伸する仮想面での断面において第１配線層に配線１本、第２配線層に配線１本をそれぞれ配置し、列方向に隣接するフォトダイオードの中央を通り列方向に延伸する仮想面での断面において第１配線層に配線１本、第２配線層に配線１本をそれぞれ配置できる。
＜変形例＞
１．単位セル
上記第１〜４の実施の形態では１つの単位セルに対しフォトダイオードが４個配置された４画素１セル構造を一例とし、第５の実施の形態では１つの単位セルに対してフォトダイオードが２つ配置された２画素１セル構造を一例として適用したが、本発明はこれに限定を受けるものではなく、複数画素から単位セルを構成する構造であれば適用できる。
【０２２９】
例えば、１つの単位セルに対し６つのフォトダイオードと６つの転送トランジスタを有した６画素１セル構造を採用することもできる。
２．増幅トランジスタ
第１〜第４の実施の形態では、増幅トランジスタを２個用いて並列構成にしたが、単体構成にすることもでき、単体構成にしても同様の配線効果が得られる。
３．ダミー
実施の形態では、半導体基板のレイアウトを、規則性を持たせたり、単位セル内で上下対称な構成にしたり、各行及び各列の配線の構成を似たようにしたりしている。つまり、レイアウトのばらつきを少なくするためにフォトダイオードからみた形状を合わせようにしている。このため、ダミーの配線や、ダミーのコンタクトを配置している。しかしながら、これらのダミーは必ずしも必要なものではない。
４．グランド線
第１〜第４の実施の形態では、列方向配線群にグランド線を含んでいたが、第５の実施の形態で説明したように、周辺回路から基板電位を取ることもでき、第１〜第４の実施の形態においても、基板電位を周辺回路から取るようにしても良い。
【０２３０】
この場合、グランド線（ＶＳＳ）のところに例えば第３電源線（ＶＤＤ３等）を配置しても良い。第３電源線（ＶＤＤ３）の配置により、行方向の電源線を補強することができる。さらには、列方向の第３電源線（ＶＤＤ３）と信号線（ＳＩＧ）とが行方向に隣接するフォトダイオード（ＰＤ）間に配することとなり、行方向の配線数を削減することができる。
５．配線形状
実施の形態では、各方向配線群に含まれる配線の形状を同じようにしている。例えば、第１の実施の形態では、第１電源線ＶＤＤ１の配線ＶＤＤ１ａ、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４の配線Ｔ１ａ，Ｔ２ａ，Ｔ３ａ，Ｔ４ａ、第２電源線ＶＤＤ２の配線ＶＤＤ２ａ、リセット信号線Ｒｘの配線Ｒｘａが、同じような形状をしている。
【０２３１】
ここでいう「同じような形状」とは、対象とする配線を重ねた際に、一方の配線が他方の配線に５０［％］以上重なるような形状をいう。例えば、第１電源線ＶＤＤ１の配線ＶＤＤ１ａと、転送制御信号線Ｔ１の配線Ｔ１ａとを比較する場合、これらの配線を重ねると、転送制御信号線Ｔ１の配線Ｔ１ａのほとんどの部分が第１電源線ＶＤＤ１の配線ＶＤＤ１ａに重なり、転送制御信号線Ｔ１の配線Ｔ１ａは、第１電源線ＶＤＤ１の配線ＶＤＤ１と同じような形状をしていると言える。
６．導波路
上記の実施の形態では、フォトダイオード上に、配線層の屈折率よりも高い材料で構成された導波路が設けられていたが、固体撮像装置は導波路を有しない構造であっても良い。
【０２３２】
また、第２の実施の形態では、行方向の断面（図９）及び列方向の断面（図１０）における導波路２０７が、半導体基板２０３側からカラーフィルタ２０９側に近づくに従って幅が大きく（太く）なり、第３の実施の形態では、行方向の断面（図１３）における導波路３０７が、半導体基板３０３側からカラーフィルタ３０９側に近づくに従って幅が大きく（太く）なっている。これは、第１配線層に２本の配線がある場合、配線が１本ある場合よりも配線のためのスペース（幅）が必要となる。これにより、第１配線層の導波路の幅が狭くなり、フォトダイオードへの集光性が低下するのを防止するために、第１配線層に配線がある場合に導光体の幅を細くしている。
【０２３３】
なお、フォトダイオードへの集光性を考慮する場合、第１配線層の配線が１本であっても導波路の幅を、カラーフィルタ側からフォトダイオード側に近づくに従って細くしても良い。
【産業上の利用可能性】
【０２３４】
本発明は、ディジタルスチルカメラなどの撮像デバイスとして、高Ｓ／Ｎな画像が要求される固体撮像装置を実現するのに有用である。
【符号の説明】
【０２３５】
１０１ 固体撮像装置
１０３ 半導体基板
１０５ 配線層
１０５ａ 第１配線層
１０５ｂ 第２配線層
ＰＤ フォトダイオード
ＴＧ 転送トランジスタ
ＳＦ 増幅トランジスタ
ＲＳ リセットトランジスタ
Ｔ 転送制御信号線
ＶＤＤ 電源線
ＳＩＧ 信号線
Ｒｘ リセット信号線
ＶＳＳ グランド線
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置に関し、特に、配線開口を拡大することによりフォトダイオードに入射される光量を増加させて感度を向上させる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像装置のひとつであるＭＯＳ型イメージセンサは、ディジタルスチルカメラ等の高画素数化の要望に対し、単位セルサイズを縮小することでその要望に応えてきた。しかし、単位セルサイズを縮小させると、フォトダイオードの周辺に配された金属配線がフォトダイオードへの入射光の光路を遮り、これにより感度低下や混色等が発生する。
【０００３】
このような感度低下や混色等を防止するため、種々の工夫が多くなされてきた。
例えば、オンチップレンズによる集光、多画素共有によるフォトダイオード面積の拡大、レイアウトの工夫による配線層数の削減や配線開口の拡大、導波路の利用といった技術が開発され、感度の向上や混色防止に貢献している（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
以下、図２３を参照して、特許文献１に記載されている従来の固体撮像装置（光電変換装置）について説明する。ここでは、光電変換装置として説明する。
図２３は、光電変換装置の画素領域と垂直走査回路の等価回路図である。
【０００５】
光電変換装置は、画素領域（１）に多数の単位セルを備える。単位セルは、フォトダイオード（ＰＤ２−１，ＰＤ２−２）、転送トランジスタ（Ｍ１，Ｍ２）、リセットトランジスタ（Ｍ３，Ｍ５）、増幅トランジスタ（Ｍ４）を含む。なお、ここでは、２画素（フォトダイオード）で１セルを構成している。
【０００６】
フォトダイオード（ＰＤ２−１，ＰＤ２−２）は、受けた光に応じて光電変換により電荷を蓄積し、転送トランジスタ（Ｍ１，Ｍ２）は、フォトダイオード（ＰＤ２−１，ＰＤ２−２）に蓄えられた電荷を転送制御信号に応じて電荷蓄積部（フローティングディフュージョン）に転送する。リセットトランジスタ（Ｍ３，Ｍ５）は、リセット信号に応じて電荷蓄積部ＦＤを初期化し、増幅トランジスタ（Ｍ４）は、電荷蓄積部に蓄積された電荷のレベルに応じた信号（電圧）を出力信号線（２）に出力する。
【０００７】
転送トランジスタ（Ｍ１，Ｍ２）のゲートは転送ゲート線（４３，４４）に接続され、リセットトランジスタ（Ｍ３，Ｍ５）のゲートはリセット線（４６）に接続されている。増幅トランジスタ（Ｍ４）のソースは信号線（２）に接続されている。
【０００８】
増幅トランジスタ（Ｍ４）のドレインとリセットトランジスタ（Ｍ５）のドレインはアクティブ領域で接続されていると共に、隣の列の電源線（４）にブリッジ線（４５）を介して接続されている。なお、隣の列に配されているリセットトランジスタ（Ｍ５）のドレインは、当該列の電源線（４）に接続されている。
【０００９】
ここで、転送ゲート線（４３，４４）、ブリッジ線（４５）、リセット線（４６）は、半導体基板に近い第１層配線により構成され、信号線（２）、電源線（４）は、第１層配線よりも上方の第２層配線により構成されている。
【００１０】
次に、配線について説明する。
第１層配線である転送ゲート線（４３，４４）は、上下方向に隣接するセル間であるフォトダイオードの間を行（図では横方向である。）方向に延伸し、ブリッジ線（４５）とリセット線（４６）は、セル内のフォトダイオードの間を行方向に延伸している。
【００１１】
第２層配線である信号線（２）は、行方向に隣接するフォトダイオードの間を列方向に延伸している。電源線（４）は、行方向に１列おきに隣接するフォトダイオードの間を列方向に延伸している。
【００１２】
上記構成では第２層配線は、行方向に隣接するフォトダイオードの間には一本の信号線（２）と、一本の信号線（２）と一本の電源線（４）との合計２本の配線とが配されることとなり、隣接するフォトダイオード間に２本の配線が配された光電変換装置よりも開口率を大きくできる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２０１０−１６０５６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、上記の特許文献１に記載の光電変換装置は、フォトダイオード間の配線が平均すると１．５本となり、従来のフォトダイオード間の配線が２本のものよりも開口率を向上させることができるが、更なる高画素化の要望に応えるには画素サイズの縮小が必要であり、より開口率の向上の工夫が必要である。
【００１５】
また、隣接するフォトダイオード間に第２層に配線が２本ある場合、画素サイズの縮小を進めていくと、オンチップレンズによる集光された光と配線とが干渉し、感度低下をもたらす。
【００１６】
以上のような課題に対し、本発明の目的は、開口率を高めると共に感度を向上させることができる固体撮像装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するために、本発明の固体撮像装置は、行列方向に配置された複数の画素を備える撮像領域と、当該撮像領域周辺に周辺回路を備える周辺回路領域とを有する半導体基板と、前記撮像領域の上方に配され且つ前記画素と前記周辺回路とを接続するための配線層とを備え、前記配線層は、前記半導体基板側から、第１配線層と第２配線層とをこの順で備え、前記第１配線層には、第１の方向に隣接する画素間を前記第１の方向と直交する第２の方向に延伸する２本の配線が配置され、前記第２配線層には、前記第２の方向に隣接する画素間を前記第１の方向に延伸する２本の配線が配置され、前記第２配線層の２本の配線のうち少なくとも１本は、前記第１の方向に隣接する画素の中央領域で第１配線層に入り込んでいることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１８】
上記構成によれば、前記第２配線層の２本の配線のうち少なくとも１本は、前記第１の方向に隣接する画素の中央領域で第１配線層に入り込んでいるため、第２配線層の配線が前記第１の方向に隣接する画素の中央領域で１本以下となり、開口率及び感度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１の実施の形態に係る固体撮像装置の単位セルにおける拡散層、ポリシリコン、コンタクトを示したレイアウト図である。
【図２】第１の実施の形態に係る固体撮像装置の単位セルを模式的に示す回路図である。
【図３】図１に加え第１配線層、第１配線層と第２配線層を繋ぐビアを示したレイアウト図である。
【図４】図３に加え第２配線層を示したレイアウト図である。
【図５】図４における破線ａでの断面図である。
【図６】図４における破線ｂでの断面図である。
【図７】図１に加え第１配線層、第１配線層と第２配線層を繋ぐビアを示した第２の実施の形態に係るレイアウト図である。
【図８】図７に加え第２配線層を示したレイアウト図である。
【図９】図８における破線ｃでの断面図である。
【図１０】図８における破線ｄでの断面図である。
【図１１】図１に加え第１配線層、第１配線層と第２配線層を繋ぐビアを示した第３の実施の形態に係るレイアウト図である。
【図１２】図１１に加え第２配線層を示したレイアウト図である。
【図１３】図１２における破線ｅでの断面図である。
【図１４】図１２における破線ｆでの断面図である。
【図１５】図１に加え第１配線層、第１配線層と第２配線層を繋ぐビアを示した第３の実施の形態に係るレイアウト図である。
【図１６】図１５に加え第２配線層を示したレイアウト図である。
【図１７】図１６における破線ｇでの断面図である。
【図１８】図１６における破線ｈでの断面図である。
【図１９】第５の実施の形態に係る固体撮像装置の単位セルにおける拡散層、ポリシリコン、コンタクトを示したレイアウト図である。
【図２０】第５の実施の形態に係る固体撮像装置の単位セルを模式的に示す回路図である。
【図２１】図１９に加え第１配線層、第１配線層と第２配線層を繋ぐビアを示したレイアウト図である。
【図２２】図２１に加え第２配線層を示したレイアウト図である。
【図２３】先行技術における光電変換装置の画素領域と垂直走査回路との等価回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
実施の形態で説明している形状、材料、数値等の形態は好ましい例を示しているだけであり、本発明はこの形態に限定されることはない。また、本発明の技術的思想の範囲を逸脱しない範囲で、適宜変更は可能であり、他の実施の形態や変形例等の組み合わせは、矛盾が生じない範囲で可能である。
【００２１】
本発明に係る固体撮像装置は、行方向および列方向のフォトダイオード間の金属配線の数を２本とし、第１配線層に１本、第２配線層に１本をレイアウトすることにより、または第１配線層に２本レイアウトすることにより、開口を拡大し、開口率及び高感度化を実現するものである。
＜第１の実施の形態＞
第１の実施の形態に係る固体撮像装置は、行方向に隣接するフォトダイオードの中央を通り行方向に延伸する仮想面での断面において第１配線層に配線１本、第２配線層に配線１本をそれぞれ配置している。また、列方向に隣接するフォトダイオードの中央を通り列方向に延伸する仮想面での断面において第１配線層に配線１本、第２配線層に配線１本をそれぞれ配置している。
【００２２】
つまり、第１配線層１０５ａには、第１の方向である列方向に隣接する画素間を前記第１の方向と直交する第２の方向である行方向に延伸する２本の配線（ここでは、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２の２本や転送制御信号線Ｔ３，Ｔ４の２本や第１電源線ＶＤＤ１とリセット信号線Ｒｘとの２本である。）が配置され、第２配線層１０５ｂには、第２の方向である行方向に隣接する画素間を第１の方向である列方向に延伸する２本の配線（ここでは、信号線ＳＩＧとグランド線ＶＳＳとの２本や信号線ＳＩＧと第３電源線ＶＤＤ３との２本である。）が配置され、第２配線層１０５ｂの２本の配線のうち１本（ここでは、２本の信号線ＳＩＧとグランド線ＶＳＳのうち信号線ＳＩＧ又はグランド線ＶＳＳの１本や、２本の配線信号線ＳＩＧと第３電源線ＶＤＤ３のうち信号線ＳＩＧ又は第３電源線ＶＤＤ３の１本である。）が、第１の方向である列方向に隣接する画素の中央領域で第１配線層１０５ａに入り込み、第１の配線層１０５ａの２本の配線のうち１本（ここでは、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２のうちの何れか１本や、転送制御信号線Ｔ３，Ｔ４のうちの何れか１本や、第１電源線ＶＤＤ１とリセット信号線Ｒｘとの２本のうちリセット信号線Ｒｘの１本である。）が、第２の方向である行方向に隣接する画素の中央領域で第２の配線層１０５ｂに入り込んでいる。
【００２３】
以下、第１の実施の形態を図１〜図６を用いて詳細を説明する。
図１は、第１の実施の形態に係る固体撮像装置の単位セルにおける拡散層、ポリシリコン、コンタクトを示したレイアウト図である。
【００２４】
図２は、第１の実施の形態に係る固体撮像装置の単位セルを模式的に示す回路図である。
図３は図１に加え第１配線層、第１配線層と第２配線層を繋ぐビアを示したレイアウト図であり、図４は図３に加え第２配線層を示したレイアウト図である。
【００２５】
図５は図４における破線ａでの断面図であり、図６は図４における破線ｂでの断面図である。
１．全体構成
固体撮像装置１０１は、図５や図６に示すように、主面側に撮像領域と周辺回路領域とを有する半導体基板１０３と、半導体基板１０３の撮像領域上に形成された配線層１０５と、配線層１０５に設けられた導波路１０７と、半導体基板１０３の少なくとも撮像領域上に設けられたカラーフィルタ１０９と、カラーフィルタ１０９上に設けられレンズ１１１とを備える。
【００２６】
撮像領域は、図１に示すように、行列方向に配置された複数の画素を備える。周辺回路領域は、画素領域からの画素信号を外部装置に出力したり、各トランジスタに給電したりするための回路を備える（図示省略）。なお、周辺回路領域は、画素領域の周辺の一部の範囲又は全部の範囲に設けられている。
【００２７】
配線層１０５は、周辺回路と各画素とを電気的に接続する配線が配されており、半導体基板１０３側から第１配線層１０５ａと第２配線層１０５ｂとの２層を有している。つまり、２層構造である。具体的には、第１配線層１０５ａ及び第２配線層１０５ｂのそれぞれは、絶縁材料（例えば、ＳｉＯ２である）内に金属線（例えば、アルミ線である。）を形成することで構成されている。
【００２８】
導波路１０７は、例えば、配線層１０５内に配されている配線間に形成されている。導波路１０７は、周辺（例えば、配線層１０５である。）よりも屈折率が高い材料（例えば、ＳｉＮ：屈折率２．０である。）により構成されている。なお、導波路１０７の径を大きくすると、レンズ１１１により集光された光をより多く受光部（フォトダイオード）に入射させることができ、高感度化を実現することができる。
【００２９】
各画素は、図１に示すように、フォトダイオードＰＤ、転送トランジスタＴＧを有する。ここでは、複数の画素から１つの単位セルを構成し、本実施の形態では、４個の画素により１つの単位セルが構成されている（所謂、４画素１セル構造である。）。
【００３０】
つまり、単位セルは、４つのフォトダイオードＰＤ（例えば、ＰＤ１１，ＰＤ２１，ＰＤ３１，ＰＤ４１）と、４つの転送トランジスタＴＧ（例えば、ＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ３，ＴＧ４）と、１つのリセットトランジスタＲＳと、２つの増幅トランジスタＳＦ（例えば、ＳＦ１，ＳＦ２）を備える。
【００３１】
なお、フォトダイオード、転送トランジスタ、リセットトランジスタは、それらの位置に関係なく、全体的に、フォトダイオード、転送トランジスタ、増幅トランジスタを説明する場合には、フォトダイオードでは「ＰＤ」を、転送トランジスタでは「ＴＧ」を、増幅トランジスタ「ＳＦ」をそれぞれ用いる。
【００３２】
また、ここでの列方向は、１つの単位セルを構成する複数（ここでは４個である。）のフォトダイオードが並ぶ方向（配列方向である。）であり、行方向は、フォトダイオードの並ぶ方向と直交する方向である。
【００３３】
フォトダイオードＰＤは、受けた光に応じて光電変換により電荷を蓄積し、転送トランジスタＴＧは、フォトダイオードＰＤに蓄えられた電荷を転送制御信号に応じて電荷蓄積部（フローティングディフュージョン）ＦＤに転送する。リセットトランジスタＲＳは、リセット信号に応じて電荷蓄積部ＦＤを初期化し、増幅トランジスタＳＦは、電荷蓄積部ＦＤに蓄積された電荷のレベルに応じた信号を出力する。
２．レイアウト
図１を用いて、フォトダイオード等のレイアウトを説明する。
【００３４】
本実施の形態に係る単位セルは、上述したように、４個のフォトダイオードＰＤ１１，ＰＤ２１，ＰＤ３１，ＰＤ４１と、４個の転送トランジスタＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ３，ＴＧ４と、２個の増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２と、１つのリセットトランジスタＲＳを備える。
【００３５】
４個のフォトダイオードＰＤ１１，ＰＤ２１，ＰＤ３１，ＰＤ４１が列方向に等間隔をおいて配され、各フォトダイオードＰＤに対応して、４つの転送トランジスタＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ３，ＴＧ４等が配されている。
【００３６】
なお、フォトダイオードの符号「ＰＤｎｋ」は、「ｎ」は行数、「ｋ」は列数を示しており、場合によっては、「ｎ」、「ｋ」、「ｋ＋１」等を用いている。例えば、図中において２行３列目に配されているフォトダイオードを示す場合「ＰＤ２３」となる。なお、「ｎ」、「ｋ」は共に自然数である。
【００３７】
転送トランジスタの符号「ＴＧｎ」は、フォトダイオードＰＤｎｋの行を示す「ｎ」に対応している。つまり、転送トランジスタＴＧ３は、当該転送トランジスタが配されている単位セルにおける３行目のフォトダイオードＰＤ３ｋに対応して設けられた転送トランジスタＴＧを指している。
【００３８】
転送トランジスタＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ３，ＴＧ４は、各フォトダイオードＰＤ１１，ＰＤ２１，ＰＤ３１，ＰＤ４１に対応して配置されている。例えば、転送トランジスタＴＧ１，ＴＧ３は、フォトダイオードＰＤ１１，ＰＤ３１の斜め下方に、転送トランジスタＴＧ２，ＴＧ４は、フォトダイオードＰＤ２１，ＰＤ４１の斜め上方にそれぞれ配置されている。
【００３９】
具体的には、単位セルを構成する４つのフォトダイオードＰＤのうち、上半分に位置するフォトダイオードＰＤ１ｋ，ＰＤ２ｋに対応する転送トランジスタＴＧ１，ＴＧ２は、フォトダイオードＰＤ１ｋ，ＰＤ２ｋが互いに対向する側に存する１つの角に相当する領域に互いに対峙する状態で配されている。単位セルの下半分に位置するフォトダイオードＰＤ３ｋ，ＰＤ４ｋに対応する転送トランジスタＴＧ３，ＴＧ４は、フォトダイオードＰＤ３ｋ，ＰＤ４ｋが互いに対向する側に存する１つの角に相当する領域に互いに対峙する状態で配されている。
【００４０】
なお、言うまでもなく、フォトダイオードＰＤと転送トランジスタＴＧとの位置関係は本例に限定するものでなく、他の位置関係でも良い。
増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２は、単位セルの列方向の中央周辺に配されている。つまり、増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２は、単位セルを構成する４つのフォトダイオードＰＤのうち、２行目のフォトダイオードＰＤ２ｋと３行目のフォトダイオードＰＤ３ｋとの間の領域やその領域の周辺に配されている。つまり、各単位セル内の転送トランジスタＴＧ２，ＴＧ３の間の領域に配されている。
【００４１】
リセットトランジスタＲＳは、行方向に隣接するフォトダイオードとの間（行方向に隣接する単位セルの間でもある。）であって、単位セルの列方向の端領域（ここでは、上端側の領域である。）に配されている。つまり、フォトダイオードＰＤ１ｋを含む単位セルのリセットトランジスタＲＳは、フォトダイオードＰＤ１ｋにおけるフォトダイオードＰＤ１ｋに対応した転送トランジスタＴＧ１が配されている側と反対側の領域に配されている。
３．回路構成
図２を用いて、フォトダイオード等の接続を説明する。
【００４２】
なお、各トランジスタ等と配線との接続については後述する。
各転送トランジスタＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ３，ＴＧ４は、そのソースが対応するフォトダイオードＰＤ１ｋ，ＰＤ２ｋ，ＰＤ３ｋ，ＰＤ４ｋのＮ側電極に接続され、そのゲートが対応する転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４に接続されている。
【００４３】
各転送トランジスタＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ３，ＴＧ４のドレインは、２個の増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２のゲートに接続されると共に、リセットトランジスタＲＳのソースに接続されている。これにより、電荷蓄積部ＦＤが構成される。
【００４４】
増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２の各ドレインは第２電源線ＶＤＤ２に接続され、ソースは信号線ＳＩＧに接続されている。
リセットトランジスタＲＳは、ゲートがリセット信号線Ｒｘに接続され、ドレインが第１電源線ＶＤＤ１に接続されている。
【００４５】
また、半導体基板１０３の基板電位（グランド）を確保するグランド線ＶＳＳが後述の基板コンタクトＣ６に接続されている。
４．配線
固体撮像装置１０１は、図１及び図２に示すように、配線層１０５に行方向配線群と列方向配線群とを有する。行方向配線群は、列方向に隣接する画素間を行方向に延伸する配線である。この行方向配線群には、第１電源線ＶＤＤ１、リセット信号線Ｒｘ、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４、第２電源線２ＶＤＤ２がある。
【００４６】
列方向配線群は、列方向に隣接する画素間を行方向に延伸する配線である。この列方向配線群には、グランド線ＶＳＳ、信号線ＳＩＧ、第３電源線ＶＤＤ３がある。
（１）転送制御信号線（Ｔ）
転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４は、行列状に配されたフォトダイオード（ＰＤ）の行間を行方向に延伸する状態で配されている。
【００４７】
転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２は、各単位セルにおける１行目のフォトダイオードＰＤ１ｋと、２行目のフォトダイオードＰＤ２ｋとの間を行方向に延伸する。転送制御信号線Ｔ３，Ｔ４は、各単位セルにおける３行目のフォトダイオードＰＤ３ｋと、４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋとの間を行方向に延伸する。なお、言うまでもなく、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４の配置位置は本例に限定するものでなく、他の位置でも良い。
【００４８】
転送制御信号線Ｔ１は、第１配線層１０５ａの配線Ｔ１ａと第２配線層１０５ｂの配線Ｔ１ｂとからなる。同様に、転送制御信号線Ｔ２は、第１配線層１０５ａの配線Ｔ２ａと第２配線層１０５ｂの配線Ｔ２ｂとから、転送制御信号線Ｔ３は、第１配線層１０５ａの配線Ｔ３ａと第２配線層１０５ｂの配線Ｔ３ｂとから、転送制御信号線Ｔ４は、第１配線層１０５ａの配線Ｔ４ａと第２配線層１０５ｂの配線Ｔ４ｂとからそれぞれなる。
【００４９】
なお、転送制御信号線Ｔ１と転送制御信号線Ｔ３とは、配置箇所が異なるだけで同じ構成をし、転送制御信号線Ｔ２と転送制御信号線Ｔ４とは、配置箇所が異なるだけで同じ構成をしている。このため、以下、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２について説明する。
（ｉ）第１配線層の配線（Ｔ１ａ，Ｔ２ａ等）
転送制御信号線Ｔ１の配線Ｔ１ａは、図３に示すように、１行目のフォトダイオードＰＤ１ｋにおける２行目側（フォトダイオードＰＤ２ｋ側である。）の端に沿って形成され、行方向に配された各フォトダイオードＰＤ１ｋに対応して形成された除去部と張出部とを交互に有しながら、行方向に延伸している。
【００５０】
つまり、転送制御信号線Ｔ１の配線Ｔ１ａは、フォトダイオードＰＤ１１を基準にすると、１行目の奇数列のフォトダイオードＰＤ１１，ＰＤ１３等では配線のない除去部となっており、１行目の偶数列のフォトダイオードＰＤ１２，１４等では、２行目のフォトダイオードＰＤ２２，ＰＤ２４側に張り出す張出部となっている。
【００５１】
同様に、転送制御信号線Ｔ２の配線Ｔ２ａは、図３に示すように、２行目のフォトダイオードＰＤ２ｋにおける１列目側（フォトダイオードＰＤ１ｋ側である。）の端に沿って形成され、行方向に配された各フォトダイオードＰＤ２ｋに対応して形成された除去部と張出部とを交互に有しながら、行方向に延伸している。
【００５２】
つまり、転送制御信号線Ｔ２の配線Ｔ２ａは、フォトダイオードＰＤ２１を基準にすると、２行目の偶数列のフォトダイオードＰＤ２２，ＰＤ２４等では配線のない除去部となっており、２行目の偶数列のフォトダイオードＰＤ２１，ＰＤ２３等では、１行目のフォトダイオードＰＤ１１，ＰＤ１３側に張り出す張出部となっている。
【００５３】
このように、配線Ｔ１ａ，Ｔ２ａは、列方向に隣接するフォトダイオード間で、除去部と張出部とをセットで有しながら、各列で除去部と張出部とを交互に反転する形状をしている。
【００５４】
張出部の列方向の位置は、１行目のフォトダイオードＰＤ１ｋと２行目のフォトダイオードＰＤ２ｋとの間であってその中央に位置する中央領域である。各配線Ｔ１ａ，Ｔ２ａにおける張出部及び除去部の行方向での位置は、各フォトダイオードＰＤ１ｋ，ＰＤ２ｋ中央を含む中間領域である。
【００５５】
なお、各配線Ｔ１ａ，Ｔ２ａの張出部は、図３のように、直線的に屈曲して張り出しても良いし、円弧状に湾曲して張り出しても良い。
（ｉｉ）第２配線層の配線（Ｔ１ｂ，Ｔ２ｂ等）
転送制御信号線Ｔ１の配線Ｔ１ｂは、図４に示すように、１行目と２行目の間であって第１配線層１０５ａの配線Ｔ１ａの除去部に対応する領域に形成されている。配線Ｔ１ｂは、行方向に延伸し且つ列方向に隣接するフォトダイオードＰＤ間の中央を通る仮想線を対称軸とした線対称となる形状、ここでは、「Ｈ」状をしている。
【００５６】
配線Ｔ１ｂは、フォトダイオードＰＤ１１を基準にすると、１行目と２行目とにおける奇数列のフォトダイオードＰＤ１ｋ，ＰＤ２ｋ（ここでの「ｋ」は奇数の自然数である。）の間にそれぞれ独立状態で配されている。なお、ここでの「独立状態」とは、第２配線層１０５ｂにおいて他の配線と接触していないことをいい、層間を越えた、例えば、ビア等により第１配線層１０５ａと接続されている場合も含む。
【００５７】
同様に、転送制御信号線Ｔ２の配線Ｔ２ｂは、図４に示すように、１行目と２行目との間であって第１配線層１０５ａの配線Ｔ２ａの除去部に対応する領域に形成されている。配線Ｔ２ｂは、行方向に延伸し且つ列方向に隣接するフォトダイオードＰＤ間の中央を通る仮想線を対称軸とした線対称となる形状、ここでは、「Ｈ」状をしている。つまり、配線Ｔ２ａは、配線Ｔ１ａと同じ形状をしている。
【００５８】
配線Ｔ２ｂは、フォトダイオードＰＤ１１を基準にすると、１行目と２行目とにおける偶数列のフォトダイオードＰＤ１ｋ，ＰＤ２ｋ（ここでの「ｋ」は偶数の自然数である。）の間にそれぞれ独立状態で配されている。なお、ここでの「独立状態」とは、上述した通りである。
【００５９】
このように、配線Ｔ１ｂ，Ｔ２ｂは、列単位で交替しながら行方向に配されている。
なお、「Ｈ」状の配線Ｔ１ｂ，Ｔ２ｂの横方向に延伸する部分は、１行目のフォトダイオードＰＤ１ｋと２行目のフォトダイオードＰＤ２ｋとの間であってその中央領域に位置する。
（ｉｉｉ）まとめ
上記の配線Ｔ１ａと配線Ｔ１ｂとはビアで接続され（図３参照）、これにより、行方向に延伸する転送制御信号線Ｔ１が構成される。同様に、配線Ｔ２ａと配線Ｔ２ｂとはビアで接続され、これにより、行方向に延伸する転送制御信号線Ｔ２が構成される。
【００６０】
配線Ｔ１ａと配線Ｔ１ｂとのビアの接続は、配線Ｔ１ａにおける除去部を挟んだ部分と、配線Ｔ１ｂの「Ｈ」状を構成している一対の上下方向に延伸する部分の上端部分又は下端部分とで行われる。同様に、配線Ｔ２ａと配線Ｔ２ｂとのビアの接続は、配線Ｔ２ａにおける除去部を挟んだ部分と、配線Ｔ２ｂの「Ｈ」状を構成している一対の上下（列）方向に延伸する部分の上端部分又は下端部分とで行われる。
【００６１】
このように、配線Ｔ１ａと配線Ｔ１ｂとの配線、配線Ｔ２ａと配線Ｔ２ｂとの配線は、図３及び図４に示すように、行方向に列単位で交互に行われている。つまり、配線Ｔ１ａと配線Ｔ１ｂとの配線、配線Ｔ２ａと配線Ｔ２ｂとの配線は、位置関係、配線される配線層を列ごとに入れ換えながら配置されている。
【００６２】
転送制御信号線Ｔ３，Ｔ４は、上述したように、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２と形成箇所（配置箇所）が異なる以外、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２と同様の構成であり、転送制御信号線Ｔ３，Ｔ４の位置関係も転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２と同じである。
【００６３】
これにより、各転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４は、同じような構成となり、信号線の負荷を等しくできる。また、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２と、転送制御信号線Ｔ３，Ｔ４とは、単位セルの略中央に対して上下で同じような形状（構成）となっており、配線形状のばらつきに起因する光学特性のばらつき等を少なくすることができる。
（２）リセット信号線（Ｒｘ）
リセット信号線Ｒｘは、行列状に配されたフォトダイオードＰＤの行間を行方向に延伸する状態で配されている。ここでは、各単位セルにおける最初の行（単位セルの１行目である。）に配されたフォトダイオードＰＤ１ｋの上端側に配されている。つまり、単位セルの１行目のフォトダイオードＰＤ１ｋにおいて、当該フォトダイオードＰＤ１ｋが隣接する他の単位セルの最終行（４行である）目のフォトダイオードＰＤ４ｋ位置する側の端に配されている。なお、言うまでもなく、リセット信号線ＳＩＧの配線位置は本例に限定するものでなく、他の位置、例えば、４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋの下端側でも良い。
【００６４】
リセット信号線Ｒｘは、第１配線層１０５ａの配線Ｒｘａと第２配線層１０５ｂの配線Ｒｘｂとからなる。
（ｉ）第１配線層の配線（Ｒｘａ）
リセット信号線Ｒｘの配線Ｒｘａは、図３に示すように、１行目のフォトダイオードＰＤ１ｋにおける他の単位セル側の端（図では、各フォトダイオードＰＤ１ｋの上端となる。）に沿って形成され、行方向に隣接するフォトダイオードＰＤ１ｋとフォトダイオードＰＤ１ｋ＋１間であって隣接するフォトダイオードＰＤ１ｋ＋１に跨る状態で形成されている。
【００６５】
具体的に説明すると、フォトダイオードＰＤ１１とフォトダイオードＰＤ１２との間であってフォトダイオードＰＤ１１とフォトダイオードＰＤ１２とに跨るように（平面視において重なるように）形成されている。
【００６６】
つまり、リセット信号線Ｒｘａは、転送制御信号線Ｔ１の配線Ｔ１ａや転送制御信号線Ｔ２の配線Ｔ２ａにおける張出部を除去部にしたような形状をし、各列のフォトダイオードＰＤ１ｋが位置する部分に対応した除去部を有している。
（ｉｉ）第２配線層の配線（Ｒｘｂ）
リセット信号線Ｒｘの配線Ｒｘｂは、図４に示すように、１行目のフォトダイオードＰＤ１ｋにおける上端に沿って各列単位で形成されている。ここでの上端を換言すると、列方向に隣接する他の単位セルであって、自の単位セルと他の単位セルとが対向し合う側の端である。
【００６７】
配線Ｒｘｂは、行方向に延伸し且つ列方向に隣接するフォトダイオードＰＤ間の中央を通る仮想線を対称軸とした線対称となる形状、ここでは、「Ｈ」状をしている。つまり、配線Ｒｘａは、転送制御信号線Ｔ１等の第２配線層１０５ｂの配線Ｔ１ｂと同じような形状をしている。
【００６８】
「Ｈ」状の配線ＲＸｂの横方向に延伸する部分は、１行目のフォトダイオードＰＤ１ｋと、当該フォトダイオードＰＤ１ｋが列方向に隣接する他の単位セルの最終行である４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋとの間であってその中央領域に位置する。
（ｉｉｉ）まとめ
上記の配線Ｒｘａと配線Ｒｘｂとはビアで接続され（図３参照）、これにより、行方向に延伸する１本のリセット信号線Ｒｘが構成される。配線Ｒｘａと配線Ｒｘｂとのビアの接続は、第１配線層１０５ａの配線Ｒｘａにおける除去部を挟んだ部分と、第２配線層１０５ｂの配線Ｒｘｂの「Ｈ」状を構成している一対の上下（列）方向に延伸する部分の下端部分とで行われる。
（３）第１電源線（ＶＤＤ１）
第１電源線ＶＤＤ１は、行列状に配されたフォトダイオードの行間を行方向に延伸する状態で配されている。ここでは、各単位セルにおける最終の行に配されたフォトダイオードＰＤ４ｋの下端側に配されている。つまり、各単位セルにおける最終の行に配されたフォトダイオードＰＤ４ｋにおける列方向に隣接する他の単位セルと対向する側に配されている。なお、言うまでもなく、第１電源線ＶＤＤ１の配線位置は本例に限定するものでなく、他の位置でも良い。
【００６９】
第１電源線ＶＤＤ１は、第１配線層１０５ａの配線ＶＤＤ１ａからなる。配線ＶＤＤ１ａは、図３に示すように、４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋにおける列方向に隣接する他の単位セル側の端（図では、各フォトダイオードＰＤ４ｋの下端となる。）に沿って形成されている。
【００７０】
配線ＶＤＤ１ａは、行方向に隣接するフォトダイオードＰＤ４ｋ間であって隣接するフォトダイオードＰＤ４ｋ＋１を架橋する架橋部と、各フォトダイオードＰＤ４ｋにおける行方向の中央を含む中間部分が他の単位セル側に張り出す張出部とを行方向に交互に有する。
【００７１】
つまり、配線ＶＤＤ１ａは、転送制御信号線Ｔ１の配線Ｔ１ａや転送制御信号線Ｔ２の配線Ｔ２ａにおける除去部を張出部にしたような形状をしている。
張出部の列方向の位置は、単位セルの最終の行である４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋと、列方向に隣接する単位セルの最初の行である１行目のフォトダイオードＰＤ１ｋとの間であってその中央領域である。
（４）第２電源線（ＶＤＤ２）
第２電源線ＶＤＤ２は、行列状に配されたフォトダイオードの行間を行方向に延伸する状態で配されている。ここでは、各単位セルにおける中間位置の行に配されたフォトダイオードＰＤ２ｋとフォトダイオードＰＤ３ｋとの間に配されている。
【００７２】
つまり、単位セルを構成する４つのフォトダイオードＰＤが、上下に２分される境界部分に対向するフォトダイオードＰＤ２ｋとフォトダイオードＰＤ３ｋとの間に配されている。なお、言うまでもなく、第２電源線ＶＤＤ２の配線位置は本例に限定するものでなく、他の位置でも良い。
【００７３】
第２電源線ＶＤＤ２は、第１配線層１０５ａの配線ＶＤＤ２ａからなる。配線ＶＤＤ２ａは、図３に示すように、行方向に隣接するフォトダイオードＰＤ間では、２行目側（上半分側である。）のフォトダイオードＰＤ２ｋでは行方向に隣接するフォトダイオードＰＤ同士を架橋する架橋部と、３行目側（下半分側である。）のフォトダイオードＰＤ３ｋでは行方向に隣接するフォトダイオードＰＤ同士を架橋する架橋部とを有し、互いの架橋部が一対をなして行方向に延伸している。
【００７４】
なお、一対の架橋部は、行方向に隣接するフォトダイオード間の中央領域で列方向に延伸している連結部により連結されている。
配線ＶＤＤ２ａは、図３に示すように、各列のフォトダイオードＰＤ（例えば、フォトダイオードＰＤ２ｋとフォトダイオードＰＤ３ｋである。）間では、各フォトダイオードＰＤから相手側のフォトダイオードＰＤ（例えば、フォトダイオードＰＤ２ｋでは、相手側のフォトダイオードＰＤはフォトダイオードＰＤ３ｋが相当する。）側へと張り出す張出部を有する。
【００７５】
つまり、配線ＶＤＤ２ａは、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２における第１配線層１０５ａの配線Ｔ１ａ，Ｔ２ａを組み合わせ、各配線Ｔ１ａ，Ｔ２ａにおける除去部を張出部に置き換えたような形状をしている。
（５）信号線（ＳＩＧ）
信号線ＳＩＧは、行列状に配されたフォトダイオードＰＤの列間を列方向に延伸する状態で配されている。ここでは、各単位セルにおける１列目のフォトダイオードＰＤｎ１の信号線ＳＩＧは、１列目のフォトダイオードＰＤｎ１と２列目フォトダイオードＰＤｎ２との間に配されている。なお、言うまでもなく、信号線ＳＩＧの配線位置は本例に限定するものでなく、他の位置（例えば、２列目のフォトダイオードＰＤｎ２の信号線ＳＩＧで１列目のフォトダイオードＰＤｎ１との間である。）でも良い。
【００７６】
信号線ＳＩＧは、第１配線層１０５ａの配線ＳＩＧａと第２配線層１０５ｂの配線ＳＩＧｂとからなり、第１配線層１０５ａの配線ＳＩＧａと第２配線層１０５ｂの配線ＳＩＧｂとは例えばビアを介して接続されている。
（ｉ）第１配線層の配線（ＳＩＧａ）
信号線ＳＩＧの配線ＳＩＧａは、図３に示すように、行方向に隣接するフォトダイオードＰＤｎｋとフォトダイオードＰＤｎｋ＋１と間に形成されている。さらに、配線ＳＩＧａは、行方向に延伸する他の配線間（例えば、１行１列目のフォトダイオードＰＤ１１と２列目のフォトダイオードＰＤ１２との間の配線ＳＩＧａは、リセット信号線Ｒｘの配線Ｒｘａと転送制御信号線Ｔ１の配線Ｔ１ａとの間である。）に独立状態で形成されている。
【００７７】
換言すると、配線ＳＩＧａは、列方向に延伸し、行間部分が除去された除去部となっている。
配線ＳＩＧａは、列方向に延伸し、その両端（上下端）において行方向であって隣接する２つのフォトダイオードＰＤ側へと延伸する形状、つまり、「Ｉ」状をしている。なお、列方向に延伸する部分は、列方向に隣接するフォトダイオードＰＤｎｋ，ＰＤｎｋ＋１間の中央領域に位置する。
【００７８】
配線ＳＩＧａは、単位セルの最終の行である４行目に位置するフォトダイオードＰＤ４ｋ，ＰＤ４ｋ＋１間には、グランド線ＶＳＳの配線ＶＳＳａが形成されているため、４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋ，ＰＤ４ｋ＋１間には形成されていない（この部分は、除去部とみなすこともできる。）。
（ｉｉ）第２配線層の配線（ＳＩＧｂ）
信号線ＳＩＧの配線ＳＩＧｂは、図４に示すように、各列間に形成され、列方向に隣接するフォトダイオードＰＤ間（例えば、フォトダイオードＰＤ１１とフォトダイオードＰＤ２１との間）を越えるように、列方向に延伸する状態で形成されている。換言すると、行方向に隣接するフォトダイオードＰＤ間を列方向に延伸し、フォトダイオードの中央を含む中間領域では、配線がない、つまり、導電路が除去された除去部となっている。
【００７９】
なお、列間には、信号線ＳＩＧ以外にグランド線ＶＳＳ又は第３電源線ＶＤＤ３も配されており、ここでは、信号線ＳＩＧは、行方向であって列数が増加する方向に隣接する他のフォトダイオードＰＤ側に配されている。
【００８０】
単位セルにおける最終の行である４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋ，ＰＤ４ｋ＋１等では、除去部が形成されておらず、４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋ，ＰＤ４ｋ＋１等の中央を含む中間領域に相当する部分（他の行では除去部になる部分である。）が行方向であって列数が増加する方向に隣接する他のフォトダイオード側と反対側に張り出す張出部となっている。この形状は、転送制御信号線Ｔ１等の配線Ｔ１ａの張出部と同じような形状となっている。なお、張出部の位置は、行方向に隣接するフォトダイオード間の中央領域である。
（ｉｉｉ）まとめ
上記の配線ＳＩＧａと配線ＳＩＧｂとはビアで接続され、これにより、列方向に延伸する１本の信号線ＳＩＧが構成される。配線ＳＩＧａと配線ＳＩＧｂとのビアの接続は、第２配線層１０５ｂの配線ＳＩＧｂにおける除去部を挟んだ部分（上下端である。）と、第１配線層１０５ａの配線ＳＩＧａの「Ｉ」状を構成している右（行）方向に延伸する部分の端部分（行方向であって列数が増加する方向に隣接する他のフォトダイオード側である。）で行われる。
（６）グランド線（ＶＳＳ）
グランド線ＶＳＳは、行列状に配されたフォトダイオードＰＤの列間を列方向に延伸する状態で配されている。ここでは、ＰＤ１１を基準として奇数列に位置するフォトダイオードＰＤｎｋ（ｋは奇数の自然数）の右側（行方向であって列数が増加する側である。）に配されている。
【００８１】
具体的には、１列目のフォトダイオードＰＤｎ１と２列目のフォトダイオードＰＤｎ２との間や３列のフォトダイオードＰＤｎ３と４列目のフォトダイオードＰＤｎ４との間等に配されている。なお、言うまでもなく、グランド線ＶＳＳの配線位置は本例に限定するものでなく、他の位置でも良い。
【００８２】
グランド線ＶＳＳは、第１配線層１０５ａの配線ＶＳＳａと第２配線層１０５ｂの配線ＶＳＳｂとからなり、第１配線層１０５ａの配線ＶＳＳａと第２配線層１０５ｂの配線ＶＳＳｂとは例えばビアを介して接続されている。
（ｉ）第１配線層の配線（ＶＳＳａ）
グランド線ＶＳＳの配線ＶＳＳａは、図３に示すように、単位セルにおいて、列方向に隣接する他の単位セルと対向する行、つまり、各単位セルの最終の行に対応して形成されている。ここでは、単位セルにおける４行目におけるフォトダイオードＰＤ４１と、当該フォトダイオードＰＤ４１と行方向に列数が増加する側に隣接するフォトダイオードＰＤ４２との間（フォトダイオードＰＤ４１の右側である。）に形成されている。
【００８３】
配線ＶＳＳａは、列方向に延伸し、その両端（上下端）において行方向であって隣接する２つのフォトダイオードＰＤ側へと延伸する形状、つまり、「Ｉ」状をしている。なお、列方向に延伸する部分は、列方向に隣接するフォトダイオードＰＤ４ｋとフォトダイオードＰＤ４ｋ＋１（ｋは奇数の自然数）との間の中央領域に位置する。
（ｉｉ）第２配線層の配線（ＶＳＳｂ）
グランド線ＶＳＳの配線ＶＳＳｂは、図４に示すように、各列間を列方向に沿って延伸する状態で形成されている。配線ＶＳＳｂは、第１配線層１０５ａの配線ＶＳＳａが形成されている部分（各単位セルの４行目である。）を除いて列方向に連続して形成されている。
【００８４】
なお、列間には、グランド線ＶＳＳ以外に信号線ＳＩＧも配されており、ここでは、グランド線ＶＳＳは、当該グランド線ＶＳＳが配されている列間のうち、列数が小さい側の列に近い箇所に配されている。
【００８５】
配線ＶＳＳｂは、その単位セルにおける最終の行である４行目を除く他の全ての行のフォトダイオードＰＤ１１，ＰＤ２１，ＰＤ３１において、各フォトダイオードＰＤ１１，ＰＤ２１，ＰＤ３１の列方向の中央領域に相当する部分が行方向であって列数が増加する側に隣接する他のフォトダイオード（ＰＤ１２，ＰＤ２２，ＰＤ３２）側に張り出す張出部を有する。この形状は、転送制御信号線Ｔ１等の配線Ｔ１ａの張出部と同じである。なお、張出部の位置は、行方向に隣接するフォトダイオードＰＤ間の中央領域である。
【００８６】
配線ＶＳＳｂは、その単位セルにおける最終の行である４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋ（ｋは奇数）において、当該フォトダイオードＰＤ４ｋの列方向の中央領域が除去された除去部を有する。
（ｉｉｉ）まとめ
上記の配線ＶＳＳａと配線ＶＳＳｂとはビアで接続され、これにより、列方向に延伸する１本のグランド線ＶＳＳが構成される。配線ＶＳＳａと配線ＶＳＳｂとのビアの接続は、配線ＶＳＳｂにおける除去部を挟んだ部分（上下端である。）と、配線ＶＳＳａの「Ｉ」状を構成している行方向に延伸する部分の端部分（行方向であって列数が増加する側である。）で行われる。
（７）第３電源線（ＶＤＤ３）
第３電源線ＶＤＤ３は、行列状に配されたフォトダイオードの列間を列方向に延伸する状態で配されている。ここでは、ＰＤ１１を基準として偶数列に位置するフォトダイオードＰＤｎｋ（ｋは偶数の自然数）の右側（行方向であって列数が増加する側である。）に配されている。
【００８７】
具体的には、２列目のフォトダイオードＰＤｎ２と３列目のフォトダイオードＰＤｎ３間、４列目のフォトダイオードＰＤｎ４と５列目のフォトダイオードＰＤｎ５間等に配されている。なお、言うまでもなく、第３電源線ＶＤＤ３の配線位置は本例に限定するものでなく、他の位置でも良い。
【００８８】
第３電源線ＶＤＤ３は、第１配線層の配線ＶＤＤ３ａと第２配線層の配線ＶＤＤ３ｂとからなり、第１配線層の配線ＶＤＤ３ａと第２配線層の配線ＶＤＤｂとは例えばビアを介して接続されている。なお、第３電源線ＶＤＤ３は、グランド線ＶＳＳと形成箇所が異なるだけで、他の構成は同じである。
（ｉ）第１配線層の配線（ＶＤＤ３ａ）
第３電源線ＶＤＤ３の配線ＶＤＤ３ａは、図３に示すように、単位セルにおいて、列方向に隣接する他の単位セルと対向する行、つまり、各単位セルの最終の行に対応して形成されている。ここでは、単位セルにおける４行目におけるフォトダイオードＰＤ４２と、当該フォトダイオードＰＤ４２と行方向に列数が増加する側に隣接するフォトダイオードＰＤ４３との間（フォトダイオードＰＤ４２の右側である。）に形成されている。
【００８９】
配線ＶＤＤ３ａは、列方向に延伸し、その両端（上下端）において行方向であって隣接する２つのフォトダイオードＰＤ側へと延伸する形状、つまり、「Ｉ」状をしている。なお、列方向に延伸する部分は、列方向に隣接するフォトダイオードＰＤ４ｋとフォトダイオードＰＤ４ｋ＋１（ｋは偶数の自然数）との間の中央領域に位置する。
（ｉｉ）第２配線層の配線（ＶＤＤ３ｂ）
第３電源線ＶＤＤ３の配線ＶＤＤ３ｂは、図４に示すように、各列間を列方向に沿って延伸する状態で形成されている。配線ＶＤＤ３ｂは、第１配線層１０５ａの配線ＶＤＤ３ａが形成されている部分（各単位セルの４行目である。）を除いて列方向に連続して形成されている。
【００９０】
なお、列間には、第３電源線ＶＤＤ３以外に信号線ＳＩＧも配されており、ここでは、第３電源線ＶＤＤ３は、当該第３電源線ＶＤＤ３が配されている列間のうち、列数が小さい側の列に近い箇所に配されている。
【００９１】
配線ＶＤＤ３ｂは、その単位セルにおける最終の行である４行目を除く他の全ての行のフォトダイオードＰＤ１２，ＰＤ２２，ＰＤ３２において、各フォトダイオードＰＤ１２，ＰＤ２２，ＰＤ３２の列方向の中央領域に相当する部分が行方向であって列数が増加する側に隣接する他のフォトダイオード（ＰＤ１３，ＰＤ２３，ＰＤ３３）側に張り出す張出部を有する。この形状は、転送制御信号線Ｔ１等の配線Ｔ１ａの張出部と同じである。なお、張出部の位置は、行方向に隣接するフォトダイオードＰＤ間の中央領域である。
【００９２】
配線ＶＤＤ３ｂは、その単位セルにおける最終の行である４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋ（ｋは偶数）において、当該フォトダイオードＰＤ４ｋの列方向の中央領域が除去された除去部を有する。
（ｉｉｉ）まとめ
上記の配線ＶＤＤ３ａと配線ＶＤＤ３ｂとはビアで接続され、これにより、列方向に延伸する１本の第３電源線ＶＤＤ３が構成される。配線ＶＤＤ３ａと配線ＶＤＤ３ｂとのビアの接続は、配線ＶＤＤ３ｂにおける除去部を挟んだ部分（上下端である。）と、配線ＶＤＤ３ａの「Ｉ」状を構成している行方向に延伸する部分の端部分（行方向であって列数が減少する側である。）で行われる。
（８）その他
上記の行方向配線群及び列方向配線群は、各画素を構成しているフォトダイオードＰＤ等と電気的に接続されていたが、電気的に接続されていないダミー配線を配置しても良い。
【００９３】
本実施の形態では、図４に示すように、第２配線層１０５ｂにおける各単位セルの２行目のフォトダイオードＰＤ２ｋと３行目のフォトダイオードＰＤ３ｋとの間にダミー配線ＤＹの配線ＤＹｂが配置されている。配線ＤＹｂは、図４に示すように、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４の配線Ｔ１ｂ，Ｔ２ｂ，Ｔ３ｂ，Ｔ４ｂと同じように、「Ｈ」状をしている。
５．半導体基板側と配線との接続関係
（１）転送トランジスタ（ＴＧ）
転送トランジスタＴＧ１は、図１に示すように、そのゲートは、１行目のフォトダイオードＰＤ１ｋ及び２行目のフォトダイオードＰＤ２ｋの間であって第１配線層１０５ａに配された配線Ｔ１ａとコンタクトＣ１で接続されている。なお、転送トランジスタＴＧ２のゲートも第１配線層１０５ａに配された配線Ｔ２ａとコンタクトＣ１で接続されている。
【００９４】
転送トランジスタＴＧ１，ＴＧ２の各ドレインは、リセットトランジスタＲＳのソースと同じ拡散層１２１で接続され、金属配線なしで接続されている。また、各ドレインは、後述の増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２のゲートと同じ材料であって列方向の両方向（ここでは上下方向であり、行数の増減する２方向である。）に延伸するポリシリコン１２３に接続され、金属配線なしで接続されている。
【００９５】
転送トランジスタＴＧ１，ＴＧ２の各ドレイン（拡散層１２１である。）と増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２のポリシリコン１２３との接続には、例えば、シェアードコンタクトＣ７が利用されている。
【００９６】
転送トランジスタＴＧ３は、図１に示すように、そのゲートは、３行目のフォトダイオードＰＤ３ｋ及び４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋの間であって第１配線層１０５ａに配された配線Ｔ３ａとコンタクトＣ１で接続されている。なお、転送トランジスタＴＧ４のゲートも第１配線層１０５ａに配された配線Ｔ４ａとコンタクトＣ１で接続されている。
【００９７】
また、転送トランジスタＴＧ３，ＴＧ４の各ドレイン（拡散層１２５）は、増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２のゲートと同じ材料であって列方向の両方向（ここでは上下方向であり、行数の増減する２方向である。）に延伸するポリシリコン１２３に例えば、シェアードコンタクトＣ７で接続され、金属配線なしで接続されている。
（２）増幅トランジスタ（ＳＦ）
増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２のドレインは、２行目のフォトダイオードＰＤ２ｋ及び３行目のフォトダイオードＰＤ３ｋの間であって第１配線層１０５ａに配置された第２電源線ＶＤＤ２の連結部にコンタクトＣ２で接続されている。
【００９８】
増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２の各ソースは、２行目のフォトダイオードＰＤ２ｋ及び３行目のフォトダイオードＰＤ３ｋの間であって第１配線層１０５ａに形成された信号線ＳＩＧの配線ＳＩＧａにコンタクトＣ３で接続されている。
【００９９】
つまり、信号線ＳＩＧは、各転送トランジスタＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ３，ＴＧ４のドレインの上方、増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２のゲートを接続するポリシリコンの配線の上方に配置される。
【０１００】
また、転送トランジスタＴＧ１，ＴＧ２のドレインとリセットトランジスタＲＳのソースとを接続する拡散層の上方、転送トランジスタＴＧ３，ＴＧ４のドレインの上方に信号線ＳＩＧを配置している。
【０１０１】
また、増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２は、各増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２のゲート間に形成された拡散層をドレインとしている。つまり、増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２はドレインの拡散層を共有して並列接続で配置されている。
（３）リセットトランジスタ（ＲＳ）
リセットトランジスタＲＳのドレインは、４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋと列方向に隣接する他の単位セルの１行目のフォトダイオードＰＤ１ｋとの間であって第１配線層１０５ａに配置された第１電源線ＶＤＤ１の配線ＶＤＤ１ａにコンタクトＣ４で接続されている。
【０１０２】
リセットトランジスタＲＳのゲートは、１行目のフォトダイオードＰＤ１ｋと、列方向であって行数が減少する側に隣接する他の単位セル（上の単位セルになる。）の最終行の４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋとの間であって第１配線層１０５ａに配置されたリセット信号線Ｒｘの配線ＲｘａにコンタクトＣ５で接続されている。
（４）グランド線（ＶＳＳ）
グランド線ＶＳＳは、４行目の奇数列のフォトダイオードＰＤ４ｋ（ｋは奇数）の右側に配されたコンタクトＣ６と接続されている。
（５）その他
第２電源線ＶＤＤ２は、図２及び図３に示すように、第３電源線ＶＤＤ３と交差する箇所、具体的には、２行目の偶数列のフォトダイオードＰＤ２ｋ（ｋは偶数）と３行目の偶数列目のフォトダイオードＰＤ３ｋ（ｋは偶数）との間でビアを介して接続されている。
【０１０３】
これにより、ソースフォロワの第２電源線ＶＤＤ２からの電力供給が安定して行われる効果が得られる。
６．断面構造
固体撮像装置１０１は、上述した配線構成を採用することで、図３及び図４に示すように上下のフォトダイオードＰＤの中央を通る線分（列方向に隣接しているフォトダイオードＰＤの中心を結ぶ線分である。）での断面において、第１配線層１０５ａに配線１本を、第２配線層１０５ｂに配線１本を配置することができる。また、左右のフォトダイオードＰＤの中央を通る線分（行方向に隣接しているフォトダイオードＰＤの中心を結ぶ線分である。）での断面において、第１配線層１０５ａに配線１本を、第２配線層１０５ｂに配線１本をそれぞれ配置することができる。これにより、固体撮像装置１０１の高感度化を実現することができる。以下具体的に説明する。
（１）断面ａ
（ｉ）第１配線層
図５及び図３に示すように、フォトダイオードＰＤ１３，ＰＤ１４の中心を通る断面では、第１配線層１０５ａにおける配線は、信号線ＳＩＧの配線ＳＩＧａのみである。なお、４行目のフォトダイオードＰＤ４ｋの中心を通る断面でも、第１配線層１０５ａにおける配線は、グランド線ＶＳＳの配線ＶＳＳａ、第３電源線ＶＤＤ３の配線ＶＤＤ３ａのいずれか一方だけとなる。
（ｉｉ）第２配線層
図５及び図４に示すように、フォトダイオードＰＤ１３，ＰＤ１４の中心を通る断面では、第２配線層１０５ｂにおける配線は、第３電源線ＶＤＤ３の配線ＶＤＤ３ｂと、グランド線ＶＳＳの配線ＶＳＳｂとのいずれか一方だけとなる。
（ｉｉｉ）その他
図３から図５に示すように、フォトダイオードＰＤ１３，ＰＤ１４の中心を通る断面においては、第１配線層１０５ａの配線ＳＩＧａの上方に、第２配線層１０５ｂの第３電源線ＶＤＤ３の配線ＶＤＤ３ｂ又はグランド線ＶＳＳの配線ＶＳＳｂが位置している。
【０１０４】
また、フォトダイオードＰＤ１３，ＰＤ１４以外の他のフォトダイオードＰＤにおいても、第１配線層１０５ａのグランド線ＶＳＳの配線ＶＳＳａ又は第３電源線ＶＤＤ３の配線ＶＤＤ３ａのそれぞれの上方に、第２配線層１０５ｂの第３電源線ＶＤＤ３の配線ＶＤＤ３ｂ、グランド線ＶＳＳの配線ＶＳＳｂ、信号線ＳＩＧの配線ＳＩＧｂのいずれかが位置している。
【０１０５】
つまり、第１配線層１０５ａの配線と、第２配線層１０５ｂの配線とが平面視において重なっている。これにより、列方向に延伸する配線同士の間隔、つまり、配線開口径を大きくすることができる。
（２）断面ｂ
（ｉ）第１配線層
図６及び図３に示すように、フォトダイオードＰＤ３４，ＰＤ４４の中心を通る断面では、第１配線層１０５ａにおける配線は、転送制御信号線Ｔ３の配線Ｔ３ａ、第１電源線ＶＤＤ１の配線ＶＤＤ１ａのいずれか一方だけとなる。なお、フォトダイオードＰＤ３４，ＰＤ４４以外の他のフォトダイオードＰＤにおいても、第１配線層１０５ａにおける配線は、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４の配線Ｔ１ａ，Ｔ２ａ，Ｔ３ａ，Ｔ４ａ、第１電源線ＶＤＤ１の配線ＶＤＤ１ａ、第２電源線ＶＤＤ２の配線ＶＤＤ２ａのいずれか一本だけとなる。
（ｉｉ）第２配線層
図６及び図４に示すように、フォトダイオードＰＤ３４，ＰＤ４４の中央を通る断面では、第２配線層１０５ｂにおける配線は、転送制御信号線Ｔ４の配線Ｔ４ｂ、リセット信号線Ｒｘの配線Ｒｘｂのいずれか一方だけとなる。なお、フォトダイオードＰＤ３４，ＰＤ４４以外の他のフォトダイオードＰＤにおいても、第２配線層１０５ｂにおける配線は、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４の配線Ｔ１ｂ，Ｔ２ｂ，Ｔ３ｂ，Ｔ４ｂ、ダミー配線ＤＹの配線ＤＹｂ、リセット信号線Ｒｘの配線Ｒｘｂのいずれか一つだけとなる。
（ｉｉｉ）その他
図３、図４及び図６に示すように、フォトダイオードＰＤ３４，ＰＤ４４の中心を通る断面においては、第１配線層１０５ａの第１電源線ＶＤＤ１の配線ＶＤＤ１ａ及び転送制御信号線Ｔ３の配線Ｔ３ａの上方に、第２配線層１０５ｂの転送制御信号線Ｔ４の配線Ｔ４ｂ及びリセット信号線Ｒｘの配線Ｒｘｂのいずれか一方が位置している。
【０１０６】
また、フォトダイオードＰＤ３４，ＰＤ４４以外の他のフォトダイオードＰＤにおいても、第１配線層１０５ａの転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４の配線Ｔ１ａ，Ｔ２ａ，Ｔ３ａ，Ｔ４ａ、第１電源線ＶＤＤ１の配線ＶＤＤ１ａ、第２電源線ＶＤＤ２の配線ＶＤＤ２ａのいずれかの配線の上方には、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４の配線Ｔ１ｂ，Ｔ２ｂ，Ｔ３ｂ，Ｔ４ｂ、ダミー配線ＤＹの配線ＤＹｂ、リセット信号線Ｒｘの配線Ｒｘｂのいずれか一つの配線のみが位置している。つまり、第１配線層１０５ａの配線と、第２配線層１０５ｂの配線とが平面視において重なっている。
【０１０７】
以上のことから、行方向に延伸する配線同士の間隔、つまり、配線開口径を大きくできる。
（３）断面ａ、ｂの両方について
上述のように、平面視において円形状のレンズ１１１を利用した場合、当該レンズ１１１の下方に位置するフォトダイオードＰＤを挟む配線間距離を大きくでき、レンズ１１１の周縁部下方に配線が位置しないような構成となる。このため、固体撮像装置１０１としての開口率を高めることができる。また、レンズ１１１で集光された光（図５及び図６に示す破線）は第１配線層１０５ｂの配線で遮られるおそれもなくなり、感度を高めることができる。
７．まとめ
（１）転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４は、第１配線層１０５ａにおける配線Ｔ１ａ，Ｔ２ａ，Ｔ３ａ，Ｔ４ａ及び第２配線層１０５ｂの配線Ｔ１ｂ，Ｔ２ｂ，Ｔ３ｂ，Ｔ４ｂのそれぞれが同じ形状をしているため、各転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４の転送能力を同等にすることができ、行ごとの転送能力のばらつきを小さくできる。
（２）列方向配線群に含まれる信号線ＳＩＧ、グランド線ＶＳＳ、第３電源線ＶＤＤ３は、第１配線層１０５ａにおける配線ＳＩＧａ，ＶＳＳａ，ＶＤＤ３ａ及び第２配線層１０５ｂの配線ＳＩＧｂ，ＶＳＳｂ，ＶＤＤ３ｂのそれぞれが同じような形状をしているため、列間での配線によるばらつきを小さくできる。
（３）信号線ＳＩＧは、各転送トランジスタＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ３，ＴＧ４のドレインと同じ材料である拡散層１２１の上方、増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２のゲートと接続するポリシリコン１２３の上方に配置されているので、電荷の読出し動作を行う際、信号線ＳＩＧは増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２により電荷蓄積部ＦＤの電位変化に追随して電位が変動する。これにより、見かけ上、図２に示す、電荷蓄積部ＦＤの寄生容量Ｃｆｄが小さくなり、大きな電荷蓄積部ＦＤの電位変化を得ることができ、結果的にＳ／Ｎが向上するという効果が得られる。
（４）増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２はドレインの拡散層を共有して並列接続で配置されている。これにより、転送トランジスタＴＧ２，ＴＧ３間で行方向に配置される第２電源線ＶＤＤ２の配置が容易になる。さらに、各フォトダイオードＰＤからみた周辺の拡散層の構成の均一化を図ることができる。
（５）第３電源線ＶＤＤ３は、１列飛びに配置されている。つまり、行方向に隣接する２２列のうちの一方の列に第３電源線ＶＤＤ３が配置されている。空いた列にはグランド線ＶＳＳが配されている。
【０１０８】
具体的には、フォトダイオードＰＤ１１を基準すると、電源線ＶＤＤ３は偶数列の右側（行数が増加する側である。）に、グランド線ＶＳＳは奇数列の右側（行数が増加する側である。）にそれぞれ配されている。
【０１０９】
グランド線ＶＳＳ側では、最終行である４行目において（特に、転送トランジスタＴＧ４とリセットトランジスタＲＳとの間である。）、グランド線ＶＳＳと半導体基板１０３とが接続されるコンタクトＣ６の拡散層が形成されている。
【０１１０】
第３電源線ＶＤＤ３は、第３電源線ＶＤＤ３が配置されている列の転送トランジスタＴＧ４とリセットトランジスタＲＳの間（つまり、上記基板コンタクトＣ６の拡散層が配置されている領域）には、コンタクトＣ６と同様のダミーの拡散層１２７が配されている。このダミーの拡散層１２７は、リセットトランジスタＲＳのソース、ドレインと同様の注入がなされて形成されるが、接続部（コンタクト）は有していない。
【０１１１】
これにより、列の違いによるコンタクト（Ｃ６）の有無に起因するレイアウトの差分をなくし、ばらつきを抑制することができる。
（６）例えば、リセットトランジスタＲＳを増幅トランジスタＳＦの電源線に接続した場合に増幅トランジスタＳＦのドレインをオン／オフさせる必要があるが、本実施の形態ではリセットトランジスタＲＳのドレインを隣接する他の列のリセットトランジスタＲＳのドレインに第１電源線ＶＤＤ１で接続している。このため、増幅トランジスタＳＦのドレインをオン／オフさせる必要がなく、低消費電力を実現することができる。
（７）各列間には、信号線ＳＩＧとグランド線ＶＳＳとの組み合わせ、信号線ＳＩＧと第３電源線ＶＤＤ３との組み合わせで配置されている。グランド線ＶＳＳと第３電源線ＶＤＤ３とは同じ形状をしているため、結果的に、各列間に同じ形状で配線がされることとなる。これにより、フォトダイオードＰＤを行方向に等ピッチに配置することができる。また、増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２の電流の向きも同一することができる。これらは、結果的に、レイアウト等の差分をなくすこととなり、ばらつきに強い構成を得ることができる。
（８）転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４は、第１配線層１０５ａと第２配線層１０５ｂとの間を列ごとに、つまり周期的に入れ替わるため、レイアウトによるばらつきやノイズ発生等、同等に合わせることができる。
（９）行方向配線群の１つである第２電源線ＶＤＤ２は、列方向配線群の１つである第３電源線ＶＤＤ３と例えばビアを介して接続しているため、第２電源線ＶＤＤ２の補強を行うことができ、出力信号を安定化することができる。
（１０）グランド線ＶＳＳは、半導体基板１０３に形成されたコンタクトＣ６を介して接続されている。これにより基板電位を安定させることができる。また、コンタクトＣ６は、列方向に単位セルごとに形成されているため、半導体基板１０３の撮像領域における全範囲で安定した基板電位を得ることができる。
（１１）第２電源線ＶＤＤ２は、増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２の共有の拡散層（ドレイン）に接続されているため、増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２間での電気的ばらつきが小さくなり、増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２の電源を強化することができる。また、配線を削減することができ、配線のレイアウトの自由度を高めることができる。また、第２電源線ＶＤＤ２の第１配線層１０５ａの配線ＶＤＤ２ａは上述の拡散層上に配置され、拡散層にコンタクトＣ２を介して接続されているので、省スペースで効率的に接続でき、結果的に、レイアウトの自由度を高めることができる。
（１２）増幅トランジスタＳＦ１，ＳＦ２は共有の拡散層を有し、単位セルの中央に相当する２行目のフォトダイオードＰＤ２ｋと、３行目のフォトダイオードＰＤ３ｋとの間を通る仮想線に対して、上下（列方向であって行数が減少する側と行数が増加する側である。）で対称なレイアウトに配置されている。このため、上下でレイアウトのばらつきをなくすることでき、全体として均一なレイアウトを確保することができる。
（１３）リセットトランジスタＲＳへの電源線である第１電源線ＶＤＤ１は、配線層１０５に形成され、各リセットトランジスタＲＳと例えばビアを介して接続されているため、各リセットトランジスタＲＳの電源を強化することができる。
（１４）リセットトランジスタＲＳと転送トランジスタＴＧとにおいて、リセットトランジスタＲＳのソースと転送トランジスタＴＧのドレインとが拡散層で接続されている。これにより、配線層１０５内の金属配線を利用する必要がなくなり、配線数を低減することができ、また、配線数の低減によりレイアウトの自由度を高めることができる。
（１５）２つの転送トランジスタＴＧ（ＴＧ１とＴＧ２或いはＴＧ３とＴＧ４である。）は、両者のドレインがポリシリコン（ポリシリコン配線）で接続され、しかも、ポリシリコンは増幅トランジスタＳＦのゲートを含んでいる（ゲートを構成している）。これにより、配線層１０５内の金属配線を利用する必要がなくなり、配線数を低減することができ、また、配線数の低減によりレイアウトの自由度を高めることができる。
（１６）フォトダイオードＰＤ、転送トランジスタＴＧ、リセットトランジスタＲＳ、増幅トランジスタＳＦからなる単位セルが、列・行方向にそれぞれ配置されている、つまり、列ごとに配置関係が反転しないため、これらのレイアウトの均一性を確保することができる。
８．比較例
ここで、ディジタルスチルカメラでよく利用される１／２．３３型の光学系で１４［Ｍ］のセンサを例にあげ、開口径について比較する。
【０１１２】
この場合、画素サイズは１．４［μｍ］となる。第１配線層１０５ａ及び第２配線層１０５ｂの配線の幅を１００［ｎｍ］、画素間に配された２本の配線の間隔を１００［ｎｍ］、導波路１０７と配線との間隔を１００［ｎｍ］とする。
【０１１３】
第２配線層（１０５ｂ）に配線が２本ある場合、配線開口径（配線間の内寸である。）は１．１［μｍ□］、導波路径は０．９［μｍ□］となる。
第１の実施の形態では、第１配線層１０５ａ及び第２配線層１０５ｂに設けられた配線は１本ずつであるため、配線開口径は１．３［μｍ□］、導波路径は１．１［μｍ□］となる。
【０１１４】
これらを比較すると、第１の実施の形態に係る固体撮像装置１０１では、従来例に係る固体撮像装置に対して、配線開口径は１８［％］（面積では４０［％］）のアップとなり、導波路径は２２［％］（面積では４９［％］）のアップとなり、その効果は大きい。
＜第２の実施の形態＞
第２の実施の形態に係る固体撮像装置は、行方向に隣接するフォトダイオードの中央を通り行方向に延伸する仮想面での断面において第１配線層に配線２本を配置している。また、列方向に隣接するフォトダイオードの中央を通り列方向に延伸する仮想面での断面において第１配線層に配線２本を配置している。
【０１１５】
つまり、第１配線層２０５ａには、第１の方向である列方向に隣接する画素間を第１の方向と直交する第２の方向である行方向に延伸する２本の配線（ここでは、転送制御信号線２Ｔ１，２Ｔ２の２本や転送制御信号線２Ｔ３，２Ｔ４の２本や第１電源線２ＶＤＤ１とリセット信号線２Ｒｘとの２本である。）が配置され、第２配線層２０５ｂには、第２の方向である行方向に隣接する画素間を第１の方向である列方向に延伸する２本の配線（ここでは、信号線２ＳＩＧとグランド線２ＶＳＳとの２本や信号線２ＳＩＧと第３電源線２ＶＤＤ３との２本である。）が配置され、第２配線層２０５ｂの２本の配線が、第１の方向である列方向に隣接する画素の中央領域で第１配線層２０５ａに入り込んでいる。
【０１１６】
以上のような構成にすることで、フォトダイオード周辺の配線は第１配線層のみとなり、特に斜め方向からの光に対しフォトダイオード上の配線開口を拡大することができ、高感度化を実現できる。また、配線層に形成する導波路にテーパーをつけることによりさらに高感度化を実現することができる。
【０１１７】
以下、第２の実施の形態を図７〜図１０を用いて詳細を説明する。
図７は、図１に加え第１配線層、第１配線層と第２配線層を繋ぐビアを示したレイアウト図であり、図８は図７に加え第２配線層を示したレイアウト図である。
【０１１８】
図９は図８における破線ｃでの断面図であり、図１０は図８における破線ｄでの断面図である。
第２の実施の形態に係る固体撮像装置２０１は、第１の実施の形態と同様に、図９及び図１０に示すように、半導体基板２０３、配線層２０５、導波路２０７、カラーフィルタ２０９、レンズ２１１を備え、配線層２０５は、第１配線層２０５ａと第２配線層２０５ｂとからなる。なお、本実施の形態では、行方向の断面（図９）及び列方向の断面（図１０）における導波路２０７が、半導体基板２０３側からカラーフィルタ２０９側に近づくに従って太くなる形状にしている。
【０１１９】
固体撮像装置２０１の半導体基板２０３は、第１の実施の形態に係る固体撮像装置１０１の半導体基板１０３と同じ構成を有し、半導体基板２０３の撮像領域上に形成された配線層２０５が異なる。つまり、単位セルにおける拡散層、ポリシリコン、コンタクトを示したレイアウトは図１と同じであり、その上方に形成された第１配線層２０５ａ及び第２配線層２０５ｂの配線数等が異なる。このため、配線層２０５について以下説明する。
１．配線
第２の実施の形態における配線、つまり、行方向配線群と列方向配線群とに含まれる配線の種類は、第１の実施の形態に係る行方向配線群と列方向配線群とに含まれる配線の種類と同じである。
【０１２０】
つまり、行方向配線群として、図７及び図８に示すように、第１電源線２ＶＤＤ１、リセット信号線２Ｒｘ、転送制御信号線２Ｔ１，２Ｔ２，２Ｔ３，２Ｔ４、第２電源線２ＶＤＤ２があり、列方向配線群として、グランド線２ＶＳＳ、信号線２ＳＩＧ、第３電源線２ＶＤＤ３がある。
【０１２１】
また、第２の実施の形態に係る行方向配線群及び列方向配線群の配置位置は、第１の実施の形態における配置位置と同様であるが、第１の実施の形態と異なるようにしても良い。
（１）転送制御信号線（２Ｔ）
転送制御信号線２Ｔ１，２Ｔ２，２Ｔ３，２Ｔ４は、第１の実施の形態と同様に、行列状に配されたフォトダイオード２ＰＤの行間を行方向に延伸する状態で配されている。なお、転送制御信号線２Ｔ１，２Ｔ２，２Ｔ３，２Ｔ４の配線位置は、上述のように、第１の実施の形態の転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４と同じである。
【０１２２】
転送制御信号線２Ｔ１は第１配線層２０５ａの配線２Ｔ１ａからなり、第２配線層２０５ｂには配線を有していない。同様に、転送制御信号線２Ｔ２も第１配線層２０５ａの配線２Ｔ２ａからなり、第２配線層２０５ｂには配線を有していない。
【０１２３】
転送制御信号線２Ｔ３は第１配線層２０５ａの配線２Ｔ３ａからなり、第２配線層２０５ｂには配線を有していない。同様に、転送制御信号線２Ｔ４も第１配線層２０５ａの配線２Ｔ４ａからなり、第２配線層２０５ｂには配線を有していない。
【０１２４】
なお、転送制御信号線２Ｔ１と転送制御信号線２Ｔ３とは、配置箇所が異なるだけで同じ構成をし、転送制御信号線２Ｔ２と転送制御信号線２Ｔ４とは、配置箇所が異なるだけで同じ構成をしている。このため、以下、転送制御信号線２Ｔ１，２Ｔ２について説明する。
【０１２５】
配線２Ｔ１ａ及び配線２Ｔ２ａは、互いに一組として列方向に隣接するフォトダイオード２ＰＤ１ｋと２ＰＤ２ｋとの間を行方向に延伸している。配線２Ｔ１ａと配線２Ｔ２ａは、フォトダイオード２ＰＤ１ｋとフォトダイオード２ＰＤ２ｋとの間の中央を行方向に延伸する仮想線に対して、列方向に対称な形状をしている。つまり、仮想線を対称軸として線対称な形状をしている。
【０１２６】
配線２Ｔ１ａと配線２Ｔ２ａは、列方向に隣接するフォトダイオード２ＰＤ１ｋとフォトダイオード２ＰＤ２ｋとの間で互いに近づくように張り出す張出部を有している。
（２）リセット信号線（２Ｒｘ）及び第１電源線（２ＶＤＤ１）
リセット信号線２Ｒｘは、図７に示すように、行列状に配されたフォトダイオード２ＰＤの行間を行方向に延伸する状態で配されている。ここでは、各単位セルにおける最初の行に配されたフォトダイオード２ＰＤ１ｋの上端側に配されている。つまり、列方向に行数が増加する側に隣接する他の単位セル側にリセット信号線２Ｒｘが配されている。リセット信号線２Ｒｘは第１配線層２０５ａの配線２Ｒｘａからなる。
【０１２７】
第１電源線２ＶＤＤ１は、行列状に配されたフォトダイオード２ＰＤの行間を行方向に延伸する状態で配されている。ここでは、各単位セルにおける最後の行である４行目に配されたフォトダイオード２ＰＤ４ｋの下端側に配されている。つまり、列方向に行数が増加する側に隣接する他の単位セル側に第１電源線２ＶＤＤ１が配されている。第１電源線２ＶＤＤ１は第１配線層の配線２ＶＤＤ１ａからなる。
【０１２８】
リセット信号線２Ｒｘの配線２Ｒｘａと第１電源線２ＶＤＤ１の配線２ＶＤＤ１ａとは、転送制御信号線２Ｔ１と転送制御信号線２Ｔ２と同様の構成を有している。
つまり、配線２Ｒｘａ及び配線２ＶＤＤ１ａは、列方向に隣接するフォトダイオード２ＰＤ４ｋと、当該フォトダイオード２ＰＤ４ｋに行数が増加する側に隣接する他の単位セルの１行目のフォトダイオード２ＰＤ１ｋとの間を、対をなして行方向に延伸している。
【０１２９】
配線２Ｒｘａと配線２ＶＤＤ１ａは、フォトダイオード２ＰＤ４ｋとフォトダイオード２ＰＤ１ｋの中央を行方向に延伸する仮想線に対して、列方向に対称な形状をしている。つまり、仮想線を対称軸として線対称な形状をしている。
【０１３０】
配線２Ｒｘａと配線２ＶＤＤ１ａは、列方向に隣接するフォトダイオード２ＰＤ４ｋとフォトダイオード２ＰＤ１ｋ間で互いに近づくように張り出す張出部を有している。
（３）第２電源線（２ＶＤＤ２）
第２電源線２ＶＤＤ２は、行列状に配されたフォトダイオード２ＰＤの行間を行方向に延伸する状態で配されている。ここでは、各単位セルにおける中央位置に存する２行目のフォトダイオード２ＰＤ２ｋと３行目のフォトダイオード２ＰＤ３ｋとの間に配されている。つまり、単位セル構成する４つのフォトダイオード２ＰＤが、上下に２分される境界部分に対向するフォトダイオード２ＰＤ２ｋとフォトダイオード２ＰＤ３ｋとの間に第２電源線２ＶＤＤ２が配されている。
【０１３１】
第２電源線２ＶＤＤ２は、第１配線層２０５ａの配線２ＶＤＤ２ａからなる。配線２ＶＤＤ２ａは、図７に示すように、転送制御信号線２Ｔ１と転送制御信号線２Ｔ２とを組合せたような形状をしている。
【０１３２】
つまり、配線２ＶＤＤ２ａは、行方向に延伸する一対の行方向延伸部と、行方向に隣接するフォトダイオード２ＰＤ２ｋとフォトダイオード２ＰＤ２ｋ＋１との間の略中央で前記一対の行方向延伸部を連結する連結部とを有している。なお、連結部は、列方向に延伸している。
【０１３３】
一対の行方向延伸部は、フォトダイオード２ＰＤ２ｋとフォトダイオード２ＰＤ３ｋとの間の中央を行方向に延伸する仮想線に対して、列方向に対称な形状をしている。つまり、仮想線を対称軸として線対称な形状をしている。
【０１３４】
一対の行方向延伸部は、転送制御信号線２Ｔ１，２Ｔ２、第１電源線２ＶＤＤ１、リセット信号線２Ｒｘと同様の形状を有している。一対の行方向延伸部は、列方向に隣接するフォトダイオード２ＰＤ間で互いに近づくように張り出す張出部を有している。
（４）信号線（２ＳＩＧ）
信号線２ＳＩＧは、行列状に配されたフォトダイオードの列間を列方向に延伸する状態で配されている。ここでは、ｋ列目のフォトダイオード２ＰＤｎｋの信号線２ＳＩＧは、ｋ＋１列目フォトダイオード２ＰＤｎｋ＋１との間に配されている（なお、この例では各列の右側であるが、各列の左側であっても良い。）。
【０１３５】
信号線２ＳＩＧは、図７及び図８に示すように、第１配線層２０５ａの配線２ＳＩＧａと第２配線層２０５ｂの配線２ＳＩＧｂとからなり、第１配線層２０５ａの配線２ＳＩＧａと第２配線層２０５ｂの配線２ＳＩＧｂとは例えばビアを介して接続されている。
（ｉ）第１配線層の配線（２ＳＩＧａ）
信号線２ＳＩＧの配線ＳＩＧａは、図７に示すように、行方向に隣接するフォトダイオード２ＰＤ間（例えば、フォトダイオード２ＰＤ１１とフォトダイオード２ＰＤ１２との間である。）に形成されている。
【０１３６】
配線２ＳＩＧａは、行方向配線群に含まれる他の配線間（例えば、２行目のフォトダイオード２ＰＤ２１では、転送制御信号線２Ｔ２の配線２Ｔ２ａと第２電源線２ＶＤＤ２の配線２ＶＤＤ２ａとの間である。）に独立状態で配置されている。つまり、配線２ＳＩＧａは、行方向に隣接するフォトダイオード２ＰＤ間にのみ存在している。
【０１３７】
配線２ＳＩＧａは、２行目のフォトダイオード２ＰＤ２ｋと３行目のフォトダイオード２ＰＤ３ｋとの間では、増幅トランジスタ２ＳＦ１，２ＳＦ２のソートとコンタクト（図１の「Ｃ３」である。）で接続するために、後述のグランド線２ＶＳＳの配線２ＶＳＳａ側に張り出した接続部を有している。
（ｉｉ）第２配線層の配線（２ＳＩＧｂ）
信号線２ＳＩＧの配線２ＳＩＧｂは、図８に示すように、各列間に形成され、列方向に隣接するフォトダイオード２ＰＤ間を越えて列方向に沿って延伸する状態で形成されている。つまり、配線２ＳＩＧｂは、列方向に延伸し、各フォトダイオード２ＰＤの列方向の中央領域が除去された除去部を有するような形状となっている。
（ｉｉｉ）まとめ
上記の配線２ＳＩＧａと配線２ＳＩＧｂとはビアで接続され、これにより、列方向に延伸する１本の信号線２ＳＩＧが構成される。配線２ＳＩＧａと配線２ＳＩＧｂとのビアの接続は、配線２ＳＩＧｂにおける除去部を挟んだ部分（上下端である。）と、配線２ＳＩＧａの列方向の端部分で行われる。
【０１３８】
これにより、列方向に配置される信号線２ＳＩＧは、第１配線層２０５ａに配置されている行方向配線群に含まれる配線と交わるところで、第２配線層２０５ｂ側に乗り換えている。
（５）グランド線（２ＶＳＳ）
グランド線２ＶＳＳは、行列状に配されたフォトダイオード２ＰＤの列間を列方向に延伸する状態で配されている。ここでは、２ＰＤ１１を基準として奇数列に対応してその右側（列数が増加する側）に配されている。具体的には、１列目のフォトダイオード２ＰＤｎ１と２列目のフォトダイオード２ＰＤｎ２との間や３列目のフォトダイオード２ＰＤｎ３と４列目のフォトダイオード２ＰＤｎ４との間に配されている。
【０１３９】
グランド線２ＶＳＳは、第１配線層２０５ａの配線２ＶＳＳａと第２配線層２０５ｂの配線２ＶＳＳｂとからなり、第１配線層２０５ａの配線２ＶＳＳａと第２配線層２０５ｂの配線２ＶＳＳｂとは例えばビアを介して接続されている。なお、グランド線２ＶＳＳは、信号線２ＳＩＧと一対をなして各列間に配されている。
（ｉ）第１配線層の配線（２ＶＳＳａ）
グランド線２ＶＳＳの配線２ＶＳＳａは、図７に示すように、行方向に隣接するフォトダイオード２ＰＤ間（例えば、フォトダイオード２ＰＤ１１とフォトダイオード２ＰＤ１２との間である。）に形成されている。
【０１４０】
配線２ＶＳＳａは、行方向配線群に含まれる他の配線間（例えば、２行目のフォトダイオード２ＰＤ２１では、転送制御信号線２Ｔ２の配線２Ｔ２ａと第２電源線２ＶＤＤ２の配線２ＶＤＤ２ａとの間である。）に独立状態で形成されている。つまり、配線２ＶＳＳａは、行方向に隣接するフォトダイオード２ＰＤ間にのみ存在している。また、配線２ＶＳＳａは、信号線２ＳＩＧの配線２ＳＩＧａと平行であって一対をなして形成されている。
【０１４１】
なお、各単位セルの最終の行である４行目のフォトダイオード２ＰＤ間（例えば、２ＰＤ４ｋと２ＰＤ４ｋ＋１との間である。）に配された配線２ＶＳＳａは、図１に示すように、半導体基板２０３の拡散層とコンタクト（Ｃ６）を介して接続される。このため、配線２ＶＳＳａは、信号線２ＳＩＧの配線２ＳＩＧａ側に張り出した接続部を有している。
（ｉｉ）第２配線層の配線（２ＶＳＳｂ）
グランド線２ＶＳＳの配線２ＶＳＳｂは、図８に示すように、各列間に形成され、列方向に隣接するフォトダイオード２ＰＤ間を越えて列方向に沿って延伸する状態で形成されている。つまり、配線２ＶＳＳｂは、列方向に延伸し、各フォトダイオード２ＰＤの列方向の中央領域が除去された除去部を有するような形状となっている。
（ｉｉｉ）まとめ
上記の配線２ＶＳＳａと配線２ＶＳＳｂとはビアで接続され、これにより、列方向に延伸する１本のグランド線２ＶＳＳが構成される。配線２ＶＳＳａと配線２ＶＳＳｂとのビアの接続は、配線２ＶＳＳｂにおける除去部を挟んだ部分（上下端である。）と、配線２ＶＳＳａの列方向の端部分で行われる。
【０１４２】
これにより、列方向に配置されるグランド線２ＶＳＳは、第１配線層２０５ａに配置されている行方向配線群に含まれる配線と交わるところで、第２配線層２０５ｂに乗り換えている。
（６）第３電源線（２ＶＤＤ３）
第３電源線２ＶＤＤ３は、行列状に配されたフォトダイオード２ＰＤの列間を列方向に延伸する状態で配されている。ここでは、２ＰＤ１１を基準として偶数列に対応してその右側（行数が増加する側）に配されている。具体的には、１列目フォトダイオード２ＰＤｎ１と２列目フォトダイオード２ＰＤｎ１との間、３列目のフォトダイオード２ＰＤｎ３と４列目のフォトダイオード２ＰＤｎ４との間に配されている。
【０１４３】
第３電源線２ＶＤＤ３は、第１配線層２０５ａの配線２ＶＤＤ３ａと第２配線層２０５ｂの配線２ＶＤＤ３ｂとからなり、第１配線層２０５ａの配線２ＶＤＤ３ａと第２配線層２０５ｂの配線２ＶＤＤ３ｂとは例えばビアを介して接続されている。これにより、列方向に配置される第３電源線２ＶＤＤ３は、第１配線層２０５ａに配置されている行方向配線群に含まれる配線と交わるところで第２配線層２０５ｂに乗り換えている。
【０１４４】
なお、グランド線２ＶＤＤ３は、信号線２ＳＩＧと一対をなして所定の列間に配されている。また、第３電源線２ＶＤＤ３は、グランド線２ＶＳＳと形成箇所が異なるだけで、他の構成は同じである。
４．断面構造
固体撮像装置２０１は、上述した構成を採用することで、図９及び図１０に示すように上下のフォトダイオード２ＰＤの中央を通る線分（列方向に隣接しているフォトダイオード２ＰＤの中心を結ぶ線分である。）での断面において、第１配線層２０５ａに配線２本、第２配線層２０５ｂに配線０本を配置することができる。
【０１４５】
また、左右のフォトダイオードＰＤの中央を通る線分（行方向に隣接しているフォトダイオードＰＤの中心を結ぶ線分である。）での断面において第１配線層２０５ａに配線２本、第２配線層２０５ｂに配線０本で配置することができる。
【０１４６】
これにより、高感度化を実現することができる。以下具体的に説明する。
（１）断面ｃ
（ｉ）第１配線層
図９及び図７に示すように、フォトダイオード２ＰＤ１３，２ＰＤ１４の中心を通る断面では、第１配線層２０５ａにおける配線は、信号線２ＳＩＧの配線２ＳＩＧａとグランド線２ＶＳＳの配線２ＶＳＳａの２本、又は、信号線２ＳＩＧの配線２ＳＩＧａと第３電源線２ＶＳＳ３の配線２ＶＳＳ３ａの２本である。
（ｉｉ）第２配線層
図９及び図８に示すように、フォトダイオード２ＰＤ１３，２ＰＤ１４の中心を通る断面では、信号線２ＳＩＧの配線２ＳＩＧｂとグランド線２ＶＳＳの配線２ＶＳＳｂとの除去部に、信号線２ＳＩＧの配線２ＳＩＧｂと第３電源線２ＶＤＤ３の配線２ＶＤＤ３ｂの除去部にそれぞれ対応するため、当該断面での第２配線層２０５ｂの配線は０本となる。
（２）断面ｄ
（ｉ）第１配線層
図１０及び図７に示すように、フォトダイオード２ＰＤ３４，２ＰＤ４４の中心を通る断面では、第１配線層２０５ａにおける配線は、転送制御信号線２Ｔ１，２Ｔ２の配線２Ｔ１ａ，２Ｔ２ａ（図１０では現れていない。）、転送制御信号線２Ｔ３，２Ｔ４の配線２Ｔ３ａ，２Ｔ４ａ、第１電源線２ＶＤＤ１の配線２ＶＤＤ１ａ及びリセット信号線２Ｒｘの配線２Ｒｘａ、第２電源線２ＶＤＤ２の配線２ＶＤＤ２ａのいずれか一つだけとなり、第１配線層２０５ａの配線は２本となる。
（ｉｉ）第２配線層
図１０及び図８に示すように、フォトダイオード２ＰＤ３４，２ＰＤ４４の中心を通る断面では、第２配線層２０５ｂにおける配線が０本である。
（３）断面ｃ、ｄの両方について
第２配線層２０５ｂにおいて、複数のフォトダイオード２ＰＤの中心を通る断面での配線が０本となるため、第２配線層２０５ｂの配線の影響はなくなり、開口率を高めることができる。特に、斜め方向からの光に対し、フォトダイオード２ＰＤ上の開口率を高めることができる。
【０１４７】
さらに、円形状のレンズ２１１を利用した場合、第１配線層２０５ａの配線により遮光されるおそれがないので、レンズ２１１の直径を大きくできる。
第２配線層２０５ａにおいて、複数のフォトダイオード２ＰＤの中心を通る断面での配線が２本となる。レンズ２１１で集光された光は、フォトダイオード２ＰＤの中央に集光されるため、第１配線層２０５ａにフォトダイオード２ＰＤ間に２本の配線があっても、図９及び図１０に示すように、レンズ２１１により集光されてフォトダイオード２ＰＤの中央に向かう光（図中の破線である。）が第１配線層２０５ａの配線で遮られるおそれもなくなり、感度を高めることができる。
【０１４８】
以上のことから、第２配線層２０５ｂに２本の配線があっても、レンズ２１１により集光されてフォトダイオード２ＰＤの中央に向かう光が遮光されることはなく、結果的にフォトダイオード２ＰＤ上の開口率を高めることができる。
【０１４９】
また、導波路２０７の断面形状を、半導体基板２０３側からカラーフィルタ２０９側に近づくに従って太くなる形状にしている。このためカラーフィルタ２０９を通過した光をより効率よく導波路２０７に導くことができ、混色のない光学特性を実現できる。
<第３の実施の形態＞
第３の実施の形態に係る固体撮像装置は、行方向に隣接するフォトダイオードの中央を通り行方向に延伸する仮想面での断面において第１配線層に配線２本を配置している。また、列方向に隣接するフォトダイオードの中央を通り列方向に延伸する仮想面での断面において第１配線層に配線１本を第２配線層に１本それぞれ配置している。
【０１５０】
つまり、第１配線層３０５ａには、第１の方向である列方向に隣接する画素間を第１の方向と直交する第２の方向である行方向に延伸する２本の配線（ここでは、転送制御信号線３Ｔ１，３Ｔ２の２本や転送制御信号線３Ｔ３，３Ｔ４の２本や第１電源線３ＶＤＤ１とリセット信号線３Ｒｘとの２本である。）が配置され、第２配線層３０５ｂには、第２の方向である行方向に隣接する画素間を第１の方向である列方向に延伸する２本の配線（ここでは、信号線３ＳＩＧとグランド線３ＶＳＳとの２本や信号線３ＳＩＧと第３電源線３ＶＤＤ３との２本である。）が配置され、第２配線層３０５ｂの２本の配線が、第１の方向である列方向に隣接する画素の中央領域で第１配線層３０５ａに入り込み、第１の配線層３０５ａの２本の配線のうち１本（ここでは、転送制御信号線３Ｔ１，３Ｔ２のうちの何れか１本や、転送制御信号線３Ｔ３，３Ｔ４のうちの何れか１本や、第１電源線３ＶＤＤ１とリセット信号線３Ｒｘとの２本のうちリセット信号線４Ｒｘである。）が、前記第２の方向である行方向に隣接する画素の中央領域で第２の配線層３０５ｂに入り込でいる。
【０１５１】
以上のような構成にすることで、列方向に関しては、行間の配線が第１配線層で１本、第２配線層で１本が存在するため、行間のフォトダイオード上の配線開口を拡大することができ、高感度化を実現することができる。また、同様に導波路径を拡大することができるため、さらに高感度化を実現することができる。
【０１５２】
行方向に関しては、列間の配線が第１配線層のみとなり、特に斜め方向からの光に対しフォトダイオード上の配線開口を拡大することができ、高感度化を実現することができる。また、導波路形状にテーパーをつけることによりさらに高感度化を実現することができる。
【０１５３】
以下、第３の実施の形態を図１１〜図１４を用いて詳細を説明する。
図１１は、図１に加え第１配線層、第１配線層と第２配線層を繋ぐビアを示したレイアウト図であり、図１２は図１１に加え第２配線層を示したレイアウト図である。
【０１５４】
図１３は図１２における破線ｅでの断面図であり、図１４は図１２における破線ｆでの断面図である。
第３の実施の形態に係る固体撮像装置３０１は、第１の実施の形態と同様に、図１３及び図１４に示すように、半導体基板３０３、配線層３０５、導波路３０７、カラーフィルタ３０９、レンズ３１１を備え、配線層３０５は、第１配線層３０５ａと第２配線層３０５ｂとからなる。なお、本実施の形態では、行方向の断面（図１３）における導波路３０７が、半導体基板３０３側からカラーフィルタ３０９側に近づくに従って太くなる形状にしている。
【０１５５】
固体撮像装置３０１の半導体基板３０３は、第１の実施の形態に係る固体撮像装置１０１の半導体基板１０３と同じ構成を有し、半導体基板３０３の撮像領域上に形成された配線層３０５が異なる。つまり、単位セルにおける拡散層、ポリシリコン、コンタクトを示したレイアウトは図１と同じであり、その上方に形成された第１配線層３０５ａ及び第２配線層３０５ｂの配線数等が異なる。
【０１５６】
このため、配線層３０５について以下説明する。
１．配線
第３の実施の形態における配線、つまり、行方向配線群と列方向配線群とに含まれる配線の種類は、第１の実施の形態に係る行方向配線群と列方向配線群とに含まれる配線の種類と同じである。
【０１５７】
つまり、行方向配線群として、図１１及び図１２に示すように、第１電源線３ＶＤＤ１、リセット信号線３Ｒｘ、転送制御信号線３Ｔ１，３Ｔ２，３Ｔ３，３Ｔ４、第２電源線３ＶＤＤ２があり、列方向配線群として、グランド線３ＶＳＳ、信号線３ＳＩＧ、第３電源線３ＶＤＤ３がある。
【０１５８】
また、第３の実施の形態に係る行方向配線群及び列方向配線群の配置位置は、第１の実施の形態と同様であるが、当然、第１及び第２の実施の形態と異なるようにしても良い。
（１）転送制御信号線（３Ｔ）
転送制御信号線３Ｔ１，３Ｔ２，３Ｔ３，３Ｔ４は、第１の実施の形態と同様に、行列状に配されたフォトダイオード３ＰＤの行間を行方向に延伸する状態で配されている。
【０１５９】
転送制御信号線３Ｔ１，３Ｔ２，３Ｔ３，３Ｔ４の配線位置、構成は、上述の第１の実施の形態の転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４と同じである。
転送制御信号線３Ｔ１，３Ｔ２は、各単位セルにおける１行目のフォトダイオード３ＰＤ１ｋと、２行目のフォトダイオード３ＰＤ２ｋとの間を行方向に延伸する。転送制御信号線３Ｔ３，３Ｔ４は、各単位セルにおける３行目のフォトダイオード３ＰＤ３ｋと、４行目のフォトダイオード３ＰＤ４ｋとの間を行方向に延伸する。
【０１６０】
転送制御信号線３Ｔ１は、第１の実施の形態で説明した第１配線層１０５ａの配線Ｔ１ａと同じ構成をした第１配線層３０５ａの配線３Ｔ１ａと、第１の実施の形態で説明した第２配線層１０５ｂの配線Ｔ１ｂと同じ構成をした第２配線層３０５ｂの配線３Ｔ１ｂとからなる。
【０１６１】
転送制御信号線３Ｔ２は、第１の実施の形態で説明した第１配線層１０５ａの配線Ｔ２ａと同じ構成をした第１配線層３０５ａの配線３Ｔ２ａと、第１の実施の形態で説明した第２配線層１０５ｂの配線Ｔ２ｂと同じ構成をした第２配線層３０５ｂの配線３Ｔ２ｂとからなる。
【０１６２】
転送制御信号線３Ｔ３は、第１の実施の形態で説明した第１配線層１０５ａの配線Ｔ３ａと同じ構成をした第１配線層３０５ａの配線３Ｔ３ａと、第１の実施の形態で説明した第２配線層１０５ｂの配線Ｔ３ｂと同じ構成をした第２配線層３０５ｂの配線３Ｔ３ｂとからなる。
【０１６３】
転送制御信号線３Ｔ４は、第１の実施の形態で説明した第１配線層１０５ａの配線Ｔ４ａと同じ構成をした第１配線層３０５ａの配線３Ｔ４ａと、第１の実施の形態で説明した第２配線層１０５ｂの配線Ｔ４ｂと同じ構成をした第２配線層３０５ｂの配線３Ｔ４ｂとからなる。
【０１６４】
また、転送制御信号線３Ｔ１における配線３Ｔ１ａと配線３Ｔ１ｂとの接続、転送制御信号線３Ｔ２における配線３Ｔ２ａと配線３Ｔ２ｂとの接続、転送制御信号線３Ｔ３における配線３Ｔ３ａと配線３Ｔ３ｂとの接続、転送制御信号線３Ｔ４における配線３Ｔ４ａと配線３Ｔ４ｂとの接続は、第１の実施の形態と同様にビアを介して同じ接続箇所で行われている。
（２）リセット信号線（３Ｒｘ）
リセット信号線３Ｒｘは、行列状に配されたフォトダイオード３ＰＤの行間を行方向に延伸する状態で配され、その配線位置は第１の実施の形態のリセット信号線Ｒｘと同じである。
【０１６５】
リセット信号線３Ｒｘは、第１の実施の形態のリセット信号線Ｒｘの第１配線層１０５ａの配線Ｒｘａと同じ構成をした第１配線層３０５ａの配線３Ｒｘａと、第１の実施の形態のリセット信号線Ｒｘの第２配線層１０５ｂの配線Ｒｘｂと同じ構成をした第２配線層３０５ｂの配線３Ｒｘｂとからなる。
【０１６６】
リセット信号線３Ｒｘにおける配線３Ｒｘａと配線３Ｒｘｂとの接続は、第１の実施の形態と同様にビアを介して同じ接続箇所で行われている。
（３）第１電源線（３ＶＤＤ１）
第１電源線３ＶＤＤ１は、行列状に配されたフォトダイオード３ＰＤの行間を行方向に延伸する状態で配され、その配線位置は第１の実施の形態の第１電源線ＶＤＤ１と同じである。
【０１６７】
第１電源線３ＶＤＤ１は、第１の実施の形態の第１電源線ＶＤＤ１の第１配線層１０５ａの配線ＶＤＤ１ａと同じ構成をした第１配線層３０５ａの配線３ＶＤＤ１ａからなる。なお、第１電源線３ＶＤＤ１は、第２配線層３０５ｂに配線を有していない。
（４）第２電源線（３ＶＤＤ２）
第２電源線３ＶＤＤ２は、行列状に配されたフォトダイオード３ＰＤの行間を行方向に延伸する状態で配され、その配線位置は第１の実施の形態の第２電源線ＶＤＤ２と同じである。
【０１６８】
第２電源線３ＶＤＤ２は、第１の実施の形態の第２電源線ＶＤＤ２の第１配線層１０５ａの配線ＶＤＤ２ａと同じ構成をした第１配線層３０５ａの配線３ＶＤＤ２ａからなる。なお、第１電源線３ＶＤＤ１は、第２配線層３０５ｂに配線を有していない。
（５）信号線（３ＳＩＧ）
信号線３ＳＩＧは、行列状に配されたフォトダイオード３ＰＤの列間を列方向に延伸する状態で配され、その配線位置は第２の実施の形態の信号線２ＳＩＧと同じである。
【０１６９】
信号線３ＳＩＧは、図１１及び図１２に示すように、第２の実施の形態の信号線２ＳＩＧの第１配線層２０５ａの配線２ＳＩＧａと同じ構成をした第１配線層３０５ａの配線３ＳＩＧａと、第２の実施の形態の信号線２ＳＩＧの第２配線層２０５ｂの配線２ＳＩＧｂと同じ構成をした第２配線層３０５ｂの配線３ＳＩＧｂとからなる。
【０１７０】
信号線３ＳＩＧにおける第１配線層３０５ａの配線３ＳＩＧａと第２配線層３０５ｂの配線３ＳＩＧｂとの接続は、第２の実施の形態と同様にビアを介して同じ接続箇所で行われている。これにより、列方向に配置される信号線３ＳＩＧは、第１配線層３０５ａに配置されている行方向配線群に含まれる配線と交わるところで第２配線層３０５ｂに乗り換えている。
（６）グランド線（３ＶＳＳ）
グランド線３ＶＳＳは、行列状に配されたフォトダイオード３ＰＤの列間を列方向に延伸する状態で配され、その配線位置は第２の実施の形態のグランド線２ＶＳＳと同じである。
【０１７１】
グランド線３ＶＳＳは、第２の実施の形態のグランド線２ＶＳＳの第１配線層２０５ａの配線２ＶＳＳａと同じ構成をした第１配線層３０５ａの配線３ＶＳＳａと、第２の実施の形態のグランド線２ＶＳＳの第２配線層２０５ｂの配線２ＶＳＳｂと同じ構成をした第２配線層３０５ｂの配線３ＶＳＳｂとからなる。
【０１７２】
グランド線３ＶＳＳにおける第１配線層３０５ａの配線３ＶＳＳａと第２配線層３０５ｂの配線３ＶＳＳｂとの接続は、第２の実施の形態と同様にビアを介して同じ接続箇所で行われている。これにより、列方向に配置されるグランド線３ＶＳＳは、第１配線層３０５ａに配置されている行方向配線群に含まれる配線と交わるところで第２配線層３０５ｂに乗り換えている。
（７）第３電源線（３ＶＤＤ３）
第３電源線３ＶＤＤ３は、行列状に配されたフォトダイオード３ＰＤの列間を列方向に延伸する状態で配され、その配線位置は第２の実施の形態の第３電源線２ＶＤＤ３と同じである。
【０１７３】
第３電源線３ＶＤＤ３は、第２の実施の形態の第３電源線２ＶＤＤ３の第１配線層２０５ａの配線２ＶＤＤ３ａと同じ構成をした第１配線層３０５ａの配線３ＶＤＤ３ａと、第２の実施の形態の第３電源線２ＶＤＤ３の第２配線層２０５ｂの配線２ＶＤＤ３ｂと同じ構成をした第２配線層３０５ｂの配線３ＶＤＤ３ｂとからなる。
【０１７４】
第３電源線３ＶＤＤ３における第１配線層３０５ａの配線３ＶＤＤ３ａと第２配線層３０５ｂの配線３ＶＤＤ３ｂとの接続は、第２の実施の形態と同様にビアを介して同じ接続箇所で行われている。これにより、列方向に配置される第３電源線３ＶＤＤ３は、第１配線層３０５ａに配置されている行方向配線群と交わるところで第２配線層３０５ｂに乗り換えている。
２．断面構造
固体撮像装置３０１は、上述した構成を採用することで、図１３及び図１４に示すように上下のフォトダイオード３ＰＤの中央を通る線分（列方向に隣接しているフォトダイオード３ＰＤの中心を結ぶ線分である。）での断面において、第１配線層３０５ａに配線１本、第２配線層３０５ｂに配線１本を配置することができる。
【０１７５】
左右のフォトダイオード３ＰＤの中央を通る線分（行方向に隣接しているフォトダイオード３ＰＤの中心を結ぶ線分である。）での断面において第１配線層３０５ａに配線２本、第２配線層３０５ｂに配線０本で配置することができる。
【０１７６】
これにより、高感度化を実現することができる。以下具体的に説明する。
（１）断面ｅ
（ｉ）第１配線層
図１３及び図１１に示すように、フォトダイオード３ＰＤ１３，３ＰＤ１４の中心を通る断面では、第１配線層３０５ａにおける配線は、信号線３ＳＩＧの配線３ＳＩＧａとグランド線３ＶＳＳの配線３ＶＳＳａの２本、又は、信号線３ＳＩＧの配線３ＳＩＧａと第３電源線３ＶＤＤ３の配線３ＶＤＤ３ａの２本である。
（ｉｉ）第２配線層
図１３及び図１２に示すように、フォトダイオード３ＰＤ１３，３ＰＤ１４の中心を通る断面では、信号線３ＳＩＧの配線３ＳＩＧｂとグランド線３ＶＳＳｂの除去部に、信号線３ＳＩＧの配線３ＳＩＧｂと第３電源線３ＶＤＤ３の配線３ＶＤＤ３ｂの除去部にそれぞれ対応するため、当該断面での第２配線層３０５ｂにおける配線は０本となる。
（２）断面ｆ
（ｉ）第１配線層
図１４及び図１１に示すように、フォトダイオード３ＰＤ３４，３ＰＤ４４の中心を通る断面では、第１配線層３０５ａにおける配線は、転送制御信号線３Ｔ３の配線３Ｔ３ａ、第１電源線３ＶＤＤ１の配線３ＶＤＤ１ａのいずれか一方の一本だけとなる。
【０１７７】
なお、他のフォトダイオード３ＰＤにおいてもその行方向の中央では、第１配線層３０５ａにおける配線は、転送制御信号線３Ｔ１，３Ｔ２，３Ｔ３，３Ｔ４の配線３Ｔ１ａ，３Ｔ２ａ，３Ｔ３ａ，３Ｔ４ａ、第１電源線３ＶＤＤ１の配線３ＶＤＤ１ａ、第２電源線３ＶＤＤ２の配線３ＶＤＤ２ａのいずれか一本だけとなる。
（ｉｉ）第２配線層
図１４及び図１２に示すように、フォトダイオード３ＰＤ３４，３ＰＤ４４の中心を通る断面では、第２配線層３０５ｂにおける配線は、ダミー配線３ＤＹの配線３ＤＹｂ、転送制御信号線３Ｔ４の配線３Ｔ４ｂ、リセット信号線３Ｒｘの配線３Ｒｘｂのいずれか一方の一本だけとなる。
【０１７８】
なお、他のフォトダイオード３ＰＤにおいてもその中心を通る断面では、第２配線層３０５ｂにおける配線は、転送制御信号線３Ｔ１，３Ｔ２，３Ｔ３，３Ｔ４の配線３Ｔ１ｂ，３Ｔ２ｂ，３Ｔ３ｂ，３Ｔ４ｂ、ダミー配線３ＤＹの配線３ＤＹｂ、リセット信号線３Ｒｘの配線３Ｒｘｂのいずれか一本だけとなる。
（３）断面ｅ、ｆの両方について
上述のように、行方向に配列するフォトダイオード３ＰＤの中心を通る断面において、第２配線層３０５ｂにおいて配線が０本となるため、第２配線層３０５ｂの配線の影響はなくなり、行方向における開口率を高めることができる。特に、斜め方向からの光に対し、フォトダイオード３ＰＤ上の開口率を高めることができる。
【０１７９】
また、列方向に配列するフォトダイオード３ＰＤの中心を通る断面において、第２配線層３０５ａにおいて配線が２本となる。レンズ３１１で集光された光は、フォトダイオード３ＰＤの中央に集光されるため、第１配線層３０５ａにフォトダイオード３ＰＤ間に２本の配線があっても、図１３に示すように、レンズ３１１により集光されてフォトダイオード３ＰＤの中央に向かう光（図中の破線である。）が第１配線層３０５ａの配線で遮られるおそれもなくなり、感度を高めることができる。
【０１８０】
また、導波路３０７の断面形状を半導体基板３０３側からカラーフィルタ３０９側に近づくに従って太くなる形状にしている。このためカラーフィルタ３０９を通過した光をより効率よく導波路３０７に導くことができ、混色のない光学特性を実現できる。
<第４の実施の形態＞
第４の実施の形態に係る固体撮像装置は、行方向に隣接するフォトダイオードの中央を通り行方向に延伸する仮想面での断面において第１配線層に配線１本を第２配線層に配線１本を配置している。また、列方向に隣接するフォトダイオードの中央を通り列方向に延伸する仮想面での断面において第１配線層に配線２本を配置している。
【０１８１】
つまり、第１配線層４０５ａには、第１の方向である列方向に隣接する画素間を前記第１の方向と直交する第２の方向である行方向に延伸する２本の配線（ここでは、転送制御信号線４Ｔ１，４Ｔ２の２本や転送制御信号線４Ｔ３，４Ｔ４の２本や第２電源線４ＶＤＤ１とリセット信号線４Ｒｘとの２本である。）が配置され、第２配線層４０５ｂには、第２の方向である行方向に隣接する画素間を第１の方向である列方向に延伸する２本の配線（ここでは、信号線４ＳＩＧとグランド線４ＶＳＳとの２本や信号線４ＳＩＧと第３電源線４ＶＤＤ３との２本である。）が配置され、第２配線層４０５ｂの２本の配線のうち１本（ここでは、２本の信号線４ＳＩＧとグランド線４ＶＳＳのうち信号線４ＳＩＧ又グランド線４ＶＳＳの１本や、２本の配線信号線４ＳＩＧと第３電源線４ＶＤＤ３のうち信号線４ＳＩＧ又は第３電源線４ＶＤＤ３の１本である。）が、第１の方向である列方向に隣接する画素の中央領域で第１配線層４０５ａに入り込んでいる。
【０１８２】
以上のような構成にすることで、列方向に関しては、行間の配線が第１配線層のみとなり、特に斜め方向からの光に対しフォトダイオード上の配線開口を拡大することができ、高感度化を実現することができる。また、導波路形状にテーパーをつけることによりさらに高感度化を実現することができる。
【０１８３】
行方向に関しては、列間の配線が第１配線層で１本、第２配線層で１本が存在するため、列間のフォトダイオード上の配線開口を拡大することができ、高感度化を実現することができる。また、同様に導波路径を拡大することができるため、さらに高感度化を実現することができる。
【０１８４】
以下、第４の実施の形態を図１５〜図１８を用いて詳細を説明する。
図１５は、図１に加え第１配線層、第１配線層と第２配線層を繋ぐビアを示したレイアウト図であり、図１６は図１５に加え第２配線層を示したレイアウト図である。
【０１８５】
図１７は図１６における破線ｇでの断面図であり、図１８は図１６における破線ｈでの断面図である。
第４の実施の形態に係る固体撮像装置４０１は、第１の実施の形態と同様に、図１７及び図１８に示すように、半導体基板４０３、配線層４０５、導波路４０７、カラーフィルタ４０９、レンズ４１１を備え、配線層４０５は、第１配線層４０５ａと第２配線層４０５ｂとからなる。なお、本実施の形態では、列方向の断面（図１８）における導波路４０７が、半導体基板４０３側からカラーフィルタ４０９側に近づくに従って太くなる形状にしている。
【０１８６】
固体撮像装置４０１の半導体基板４０３は、第１の実施の形態に係る固体撮像装置１０１の半導体基板１０３と同じ構成を有し、半導体基板４０３の撮像領域上に形成された配線層４０５が異なる。つまり、単位セルにおける拡散層、ポリシリコン、コンタクトを示したレイアウトは図１と同じであり、その上方に形勢された第１配線層４０５ａ及び第２配線層４０５ｂの配線数等が異なる。このため、配線層４０５について以下説明する。
１．配線
第４の実施の形態における配線、つまり、行方向配線群と列方向配線群とに含まれる配線の種類も第１の実施の形態で説明した配線の種類と同じである。
【０１８７】
つまり、行方向配線群として、図１５及び図１６に示すように、第１電源線４ＶＤＤ１、リセット信号線４Ｒｘ、転送制御信号線４Ｔ１，４Ｔ２，４Ｔ３，４Ｔ４、第２電源線４ＶＤＤ２があり、列方向配線群として、グランド線４ＶＳＳ、信号線４ＳＩＧ、第３電源線４ＶＤＤ３がある。
【０１８８】
また、第４の実施の形態に係る行方向配線群及び列方向配線群の配置位置は、第１から第３の実施の形態と同様であるが、当然、第１から第３の実施の形態と異なるようにしても良い。
（１）転送制御信号線（４Ｔ）
転送制御信号線４Ｔ１，４Ｔ２，４Ｔ３，４Ｔ４は、図１５に示すように、第２の実施の形態と同様に、行列状に配されたフォトダイオード４ＰＤの行間を行方向に延伸する状態で配されている。
【０１８９】
転送制御信号線４Ｔ１，４Ｔ２，４Ｔ３，４Ｔ４の配線位置、構成は、上述の第２の実施の形態の転送制御信号線２Ｔ１，２Ｔ２，２Ｔ３，２Ｔ４と同じである。
転送制御信号線４Ｔ１，４Ｔ２は、各単位セルにおける１行目のフォトダイオード４ＰＤ１ｋと、２行目のフォトダイオード４ＰＤ２ｋとの間を行方向に延伸する。転送制御信号線４Ｔ３，４Ｔ４は、各単位セルにおける３行目のフォトダイオード４ＰＤ３ｋと、４行目のフォトダイオード４ＰＤ４ｋとの間を行方向に延伸する。
【０１９０】
転送制御信号線４Ｔ１は、第２の実施の形態で説明した第１配線層２０５ａの配線２Ｔ１ａと同じ構成をした第１配線層４０５ａの配線４Ｔ１ａからなり、第２配線層４０５ｂには配線を有していない。
【０１９１】
同様に、転送制御信号線４Ｔ２も、第２の実施の形態で説明した第１配線層２０５ａの配線２Ｔ２ａと同じ構成をした第１配線層４０５ａの配線４Ｔ２ａからなり、第２配線層４０５ｂには配線を有していない。
【０１９２】
転送制御信号線４Ｔ３は、第２の実施の形態で説明した第１配線層２０５ａの配線２Ｔ３ａと同じ構成をした第１配線層４０５ａの配線４Ｔ３ａからなり、第２配線層４０５ｂには配線を有していない。同様に、転送制御信号線４Ｔ４も、第２の実施の形態で説明した第１配線層２０５ａの配線２Ｔ４ａと同じ構成をした第１配線層４０５ａの配線４Ｔ４ａからなり、第２配線層４０５ｂには配線を有していない。
【０１９３】
本第４の実施の形態においても、転送制御信号線４Ｔ１と転送制御信号線４Ｔ３とは配置箇所が異なるだけで同じ構成をし、転送制御信号線４Ｔ２と転送制御信号線４Ｔ４とは配置箇所が異なるだけで同じ構成をしている。
（２）リセット信号線（４Ｒｘ）及び第１電源線（４ＶＤＤ１）
リセット信号線４Ｒｘは、図１５に示すように、行列状に配されたフォトダイオード４ＰＤの行間を行方向に延伸する状態で配され、配線位置は、第２の実施の形態のリセット信号線２Ｒｘと同じである。
【０１９４】
リセット信号線４Ｒｘは、第２の実施の形態のリセット信号線２Ｒｘの第１配線層２０５ａの配線２Ｒｘａと同じ構成をした第１配線層４０５ａの配線４Ｒｘａからなる。なお、リセット信号線４Ｒｘは第２配線層４０５ｂに配線を有していない。
【０１９５】
第１電源線４ＶＤＤ１は、図１５に示すように、行列状に配されたフォトダイオード４ＰＤの行間を行方向に延伸する状態で配され、その配線位置は、第２の実施の形態の第１電源線２ＶＤＤ１と同じである。
【０１９６】
第１電源線４ＶＤＤ１は、第２の実施の形態の第１電源線２ＶＤＤ１の第１配線層２０５ａの配線２ＶＤＤ１ａと同じ構成をした第１配線層４０５ａの配線４ＶＤＤ１ａからなる。なお、第１電源線４ＶＤＤ１は第２配線層４０５ｂに配線を有していない。
【０１９７】
第４の実施の形態においても、リセット信号線４Ｒｘと第１電源線４ＶＤＤ１とは、互いに所定の間隔をおいて行方向に配置されている。
（３）第２電源線（４ＶＤＤ２）
第２電源線４ＶＤＤ２は、図１５に示すように、行列状に配されたフォトダイオード４ＰＤの行間を行方向に延伸する状態で配され、その配線位置は、第２の実施の形態の第２電源線２ＶＤＤ２と同じである。
【０１９８】
第２電源線４ＶＤＤ２は、第２の実施の形態の第２電源線２ＶＤＤ２の第１配線層２０５ａの配線２ＶＤＤ２ａと同じ構成をした第１配線層の配線４ＶＤＤ２ａからなる。なお、第２電源線４ＶＤＤ２は第２配線層４０５ｂに配線を有していない。
（４）信号線（４ＳＩＧ）
信号線４ＳＩＧは、行列状に配されたフォトダイオード４ＰＤの列間を列方向に延伸する状態で配され、その配線位置は第１の実施の形態の信号線ＳＩＧと同じである。
【０１９９】
信号線４ＳＩＧは、図１６及び図１７に示すように、第１の実施の形態の信号線ＳＩＧの第１配線層１０５ａの配線ＳＩＧａと同じ構成をした第１配線層４０５ａの配線４ＳＩＧａと、第１の実施の形態の信号線ＳＩＧの第２配線層１０５ｂの配線ＳＩＧｂと同じ構成をした第２配線層４０５ｂの配線４ＳＩＧｂとからなる。
【０２００】
信号線４ＳＩＧにおける第１配線層４０５ａの配線４ＳＩＧａと第２配線層４０５ｂの配線４ＳＩＧｂとの接続は、第１の実施の形態と同様にビアを介して同じ接続箇所で行われている。
（５）グランド線（４ＶＳＳ）
グランド線４ＶＳＳは、行列状に配されたフォトダイオード４ＰＤの列間を列方向に延伸する状態で配され、その配線位置は第１の実施の形態のグランド線ＶＳＳと同じである。
【０２０１】
グランド線４ＶＳＳは、第１の実施の形態のグランド線ＶＳＳの第１配線層１０５ａの配線ＶＳＳａと同じ構成をした第１配線層４０５ａの配線４ＶＳＳａと、第１の実施の形態のグランド線ＶＳＳの第２配線層１０５ｂの配線ＶＳＳｂと同じ構成をした第２配線層４０５ｂの配線４ＶＳＳｂとからなる。
【０２０２】
グランド線４ＶＳＳにおける第１配線層４０５ａの配線４ＶＳＳａと第２配線層４０５ｂの配線４ＶＳＳｂとの接続は、第２の実施の形態と同様にビアを介して同じ接続箇所で行われている。
（６）第３電源線（４ＶＤＤ３）
第３電源線４ＶＤＤ３は、行列状に配されたフォトダイオード４ＰＤの列間を列方向に延伸する状態で配され、その配線位置は第１の実施の形態の第３電源線ＶＤＤ３と同じである。
【０２０３】
第３電源線４ＶＤＤ３は、第１の実施の形態の第３電源線ＶＤＤ３の第１配線層１０５ａの配線ＶＤＤ３ａと同じ構成をした第１配線層４０５ａの配線４ＶＤＤ３ａと、第１の実施の形態の第３電源線ＶＤＤ３の第２配線層１０５ｂの配線ＶＤＤ３ｂと同じ構成をした第２配線層４０５ｂの配線４ＶＤＤ３ｂとからなる。
【０２０４】
第３電源線４ＶＤＤ３における第１配線層４０５ａの配線４ＶＤＤ３ａと第２配線層４０５ｂの配線４ＶＤＤ３ｂとの接続は、第２の実施の形態と同様にビアを介して同じ接続箇所で行われている。
２．断面構造
固体撮像装置４０１は、上述した構成を採用することで、図１７及び図１８に示すように上下のフォトダイオード４ＰＤの中央を通る線分（列方向に隣接しているフォトダイオード４ＰＤの中心を結ぶ線分である。）での断面において、第１配線層４０５ａに配線２本を配置することができる。
【０２０５】
左右のフォトダイオード４ＰＤの中央を通る線分（行方向に隣接しているフォトダイオード４ＰＤの中心を結ぶ線分である。）での断面において第１配線層４０５ａに配線１本、第２配線層４０５ｂに配線１本を配置することができる。
【０２０６】
これにより、高感度化を実現することができる。以下具体的に説明する。
（１）断面ｇ
（ｉ）第１配線層
図１７及び図１５に示すように、フォトダイオード４ＰＤ１３，４ＰＤ１４の中心を通る断面では、第１配線層４０５ａにおける配線は、信号線４ＳＩＧの配線４ＳＩＧａの１本である。なお、他のフォトダイオード４ＰＤの中心を通る断面では、信号線４ＳＩＧの配線４ＳＩＧａ、第３電源線４ＶＤＤ３の配線４ＶＤＤ３ａ、グランド線４ＶＳＳの配線４ＶＳＳａのいずれか１本である。
（ｉｉ）第２配線層
図１７及び図１６に示すように、フォトダイオード４ＰＤ１３，４ＰＤ１４の中心を通る断面では、信号線４ＳＩＧの配線４ＳＩＧｂの除去部に対応するため、結果的に、グランド線４ＶＳＳの配線４ＶＳＳｂ、第３電源線４ＶＤＤ３の配線４ＶＤＤ３ｂのどちらか１本となる。
（２）断面ｈ
（ｉ）第１配線層
図１８及び図１５に示すように、フォトダイオード４ＰＤ３４，４ＰＤ４４の中心を通る断面では、第１配線層４０５ａにおける配線は、転送制御信号線４Ｔ３の配線４Ｔ３ａと転送制御信号線４Ｔ４の配線４Ｔ４ａとの組合せ、第１電源線４ＶＤＤ１の配線４ＶＤＤ１ａとリセット信号線４Ｒｘの配線４Ｒｘａとの組合せのいずれか一方の組合せの２本、又は第２電源線４ＶＤＤ２の配線４ＶＤＤ２ａを構成している一対の延伸部分（例えば、転送制御信号線４Ｔ３，４Ｔ４の２本に相当する。）の２本だけとなる。
【０２０７】
なお、他のフォトダイオード４ＰＤにおいてもその中心を通る断面では、第１配線層４０５ａにおける配線は、転送制御信号線４Ｔ１，４Ｔ２の組み合わせでの２本となる。
（ｉｉ）第２配線層
図１８及び図１６に示すように、フォトダイオード４ＰＤ３４，４ＰＤ４４の中心を通る断面では、第２配線層４０５ｂにおける配線は０本である。
（３）断面ｇ、ｈの両方について
上述のように、行方向に配列するフォトダイオード４ＰＤの中心を通る断面において、第１配線層４０５ａにおいて配線が２本となる。レンズ４１１で集光された光は、フォトダイオード４ＰＤの中央に集光されるため、第１配線層４０５ａにフォトダイオード４ＰＤ間に２本の配線があっても、図１８に示すように、レンズ４１１により集光されてフォトダイオード４ＰＤの中央に向かう光（図中の破線である。）が第１配線層４０５ａの配線で遮られるおそれもなくなり、感度を高めることができる。
【０２０８】
列方向に配列するフォトダイオード４ＰＤの中心を通る断面において、第１配線層４０５ａ及び第２配線層において配線が１本となるため、レンズ４１１の下方に位置するフォトダイオード４ＰＤを挟む配線間距離を大きくでき、レンズ４１１の周縁部下方に配線が位置しないような構成となる。このため、固体撮像装置４０１としての開口率を高めることができる。
【０２０９】
また、導波路４０７の断面形状を半導体基板４０３側からカラーフィルタ４０９側に近づくに従って太くなる形状にしている。このためカラーフィルタ４０９を通過した光をより効率よく導波路４０７に導くことができ、混色のない光学特性を実現できる。
<第５の実施の形態＞
第５の実施の形態に係る固体撮像装置は、単位セルを２画素から構成した、所謂、２画素１セル構造を採用している。
【０２１０】
この場合においても、行方向に隣接するフォトダイオードの中央を通り行方向に延伸する仮想面での断面において第１配線層に配線１本、第２配線層に配線１本をそれぞれ配置している。また、列方向に隣接するフォトダイオードの中央を通り列方向に延伸する仮想面での断面において第１配線層に配線１本、第２配線層に配線１本をそれぞれ配置している。この配線構成（各方向において、第１配線層が１本、第２配線層が１本の構成である。）は、基本的には第１の実施の形態における配線構成と同じである。なお、２画素１セル構造について、第１の実施の形態での配線層１０５の配線構成を適用している（これが第５の実施の形態である。）が、第２から第４の実施の形態での配線層の配線構成を適用することもできる。
【０２１１】
以下、第５の実施の形態を図１９〜図２２を用いて詳細を説明する。
図１９は、第５の実施の形態に係る固体撮像装置の単位セルにおける拡散層、ポリシリコン、コンタクトを示したレイアウト図である。
【０２１２】
図２０は、第５の実施の形態に係る固体撮像装置の単位セルを模式的に示す回路図である。
図２１は図１９に加え第１配線層、第１配線層と第２配線層を繋ぐビアを示したレイアウト図であり、図２２は図２１に加え第２配線層を示したレイアウト図である。
１．構成
第５の実施の形態に係る固体撮像装置は、半導体基板、配線層、カラーフィルタ、レンズを備え、必要に応じて導波路を有している。第５の実施の形態においても配線層は、第１配線層と第２配線層との２層構造である。
【０２１３】
半導体基板は、その主面側に行列方向に配された複数の画素からなる撮像領域を有する他、周辺回路領域を有する。
各画素は、図１９に示すように、フォトダイオード５ＰＤ、転送トランジスタ５ＴＧ、増幅トランジスタ５ＳＦ、リセットトランジスタ５ＲＳを有する。ここでは、上述したように、２個のフォトダイオード（例えば、５ＰＤ１１，５ＰＤ２１である。）により１つの単位セルが構成されている。つまり、単位セルは、２個のフォトダイオード５ＰＤと、２個の転送トランジスタ５ＴＧと、１個のリセットトランジスタ５ＲＳと増幅トランジスタ５ＳＦとを含む。
【０２１４】
第５の実施の形態では、増幅トランジスタ５ＳＦのドレインは、リセットトランジスタ５ＲＳのドレインが接続された第１電源線５ＶＤＤ１に接続されている。このため、第１の実施の形態では存していた第２電源線ＶＤＤ２の配線は本実施の形態ではない。
【０２１５】
また、第５の実施の形態では、基板電位を周辺回路から確保するようにしているため、第１の実施の形態で存していたグランド線ＶＳＳの配線は本実施の形態では配されていない。
２．レイアウト
図１９を用いて、フォトダイオード等のレイアウトを説明する。
【０２１６】
１個の単位セルを構成する２個のフォトダイオード５ＰＤ１１，５ＰＤ２１は、列方向に隣接して配置されている。なお、複数のフォトダイオード５ＰＤの配置位置は、第１の実施の形態での複数のフォトダイオードＰＤの配置と同じである。
【０２１７】
２個の転送トランジスタ５ＴＧ１，５ＴＧ２は、対応するフォトダイオード５ＰＤの周辺に配置されている。例えば、転送トランジスタ５ＴＧ１は、上側に位置する（１行目に位置する）フォトダイオード５ＰＤ１１の斜め下方（２行目側）に、転送トランジスタ５ＴＧ２は、下側に位置する（２行目に位置する）フォトダイオード５ＰＤ１２の斜め上方（１行目）にそれぞれ配置されている。つまり、転送トランジスタ５ＴＧは、単位セルを構成する２つのフォトダイオード５ＰＤのうち、互いに隣接する（対向し合う）側の角に相当する領域で互いに対峙する状態で配されている。
【０２１８】
なお、言うまでもなく、フォトダイオード５ＰＤと転送トランジスタ５ＴＧとの位置関係は本例に限定するものでなく、他の位置関係でも良い。
増幅トランジスタ５ＳＦとリセットトランジスタ５ＲＳは、行列状に配置されたフォトダイオード５ＰＤの列間に配されており、列方向に隣接するフォトダイオード５ＰＤ１１とフォトダイオード５ＰＤ１２との間の中心を通る行方向の仮想線に対して互いに反対となるように配置されている。つまり、２個の転送トランジスタ５ＴＧ１，５ＴＧ２を列方向の両側から挟むように増幅トランジスタ５ＳＦとリセットトランジスタ５ＳＦとが配置されている。
【０２１９】
ここでは、増幅トランジスタ５ＳＦが単位セルの下端側に、リセットトランジスタ５ＲＳが単位セルの上端側にそれぞれ配されている。
３．回路構成
図１９及び図２０を用いて、フォトダイオード等の接続を説明する。
【０２２０】
フォトダイオード５ＰＤと転送トランジスタ５ＴＧとの接続、転送トランジスタ５ＴＧとリセットトランジスタ５ＲＳとの接続は、第１の実施の形態と同様に、拡散層を共有化等することで行われている。
【０２２１】
第５の実施の形態では、図１９に示すように、リセットトランジスタ５ＲＳのドレインと増幅トランジスタ５ＳＦのドレインとを共有化している。
４．配線
第５の実施の形態に係る行方向配線群は、第１電源線５ＶＤＤ１、リセット信号線５Ｒｘ、転送制御信号線５Ｔ１，５Ｔ２を含む。列方向配線群は、信号線５ＳＩＧ、第２電源線５ＶＤＤ２を含む。以下、図２１及び図２２を特に用いて説明する。
（１）転送制御信号線（５Ｔ１，５Ｔ２）
転送制御信号線５Ｔ１，５Ｔ２は、各単位セルを構成する列方向に隣接する２個のフォトダイオード５ＰＤ１１，５ＰＤ２１の間を行方向に延伸する。
【０２２２】
転送制御信号線５Ｔ１，５Ｔ２は、第１の実施の形態の転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２と同様に、第１配線層の配線５Ｔ１ａ，５Ｔ２ａと、第２配線層の配線５Ｔ１ｂ，５Ｔ２ｂとからなる。なお、第１配線層の配線５Ｔ１ａ，５Ｔ２ａは、第１の実施の形態の転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２の配線Ｔ１ａ，Ｔ２ａと同じ構成である。第２配線層の配線５Ｔ１ｂ，５Ｔ２ｂは、第１の実施の形態の転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２の配線Ｔ１ｂ，Ｔ２ｂと同じ構成である。
（２）リセット信号線（５Ｒｘ）
リセット信号線５Ｒｘは、各単位セル間に対応するフォトダイオード５ＰＤ間を行方向に延伸する。
【０２２３】
リセット信号線５Ｒｘは、第１の実施の形態のリセット信号線Ｒｘと同様に、第１配線層の配線５Ｒｘａと、第２配線層の配線５Ｒｘｂとからなる。なお、第１配線層の配線５Ｒｘａは、第１の実施の形態のリセット信号線Ｒｘの配線Ｒｘａと同じ構成である。第２配線層の配線５Ｒｘｂは、第１の実施の形態のリセット信号線Ｒｘの配線Ｒｘｂと同じ構成である。
（３）第１電源線（５ＶＤＤ１）
第１電源線５ＶＤＤ１は、各単位セル間に対応するフォトダイオード５ＰＤ間を、リセット信号線５Ｒｘと共に行方向に延伸する。
【０２２４】
第１電源線５ＶＤＤ１は、図２１に示すように、略直線状に延伸し、第１配線層の配線５ＶＤＤ１ａからなる。図２１では、第１電源線５ＶＤＤ１の配線５ＶＤＤ１ａは、各単位セル間に対応するフォトダイオード５ＰＤ間の中央領域に配置されている。
（４）信号線（５ＳＩＧ）及び第２電源線（５ＶＤＤ２）
信号線５ＳＩＧ及び第２電源線５ＶＤＤ２は、図２１及び図２２に示すように、行方向に隣接するフォトダイオード５ＰＤ１１，５ＰＤ１２間を列方向に延伸する。
【０２２５】
信号線５ＳＩＧは、第１の実施の形態の信号線ＳＩＧと同様に、第１配線層の配線５ＳＩＧａと第２配線層の配線５ＳＩＧｂとからなる。
配線５ＳＩＧａは、図２１に示すように、「Ｉ」状をしている。つまり、第１の実施の形態の信号線ＳＩＧの配線ＳＩＧａと同じ形状をしている。配線５ＳＩＧａは、行方向に隣接するフォトダイオード５ＰＤ間、例えば、１行目のフォトダイオード５ＰＤ１１とフォトダイオード５ＰＤ１２との間に配置されている。
【０２２６】
配線５ＳＩＧｂは、図２２に示すように、行列方向に配された複数のフォトダイオード５ＰＤの列間であって、列方向に隣接するフォトダイオード５ＰＤ１ｋとフォトダイオード５ＰＤ２ｋとの間を直線状に跨ぐように配されている。
【０２２７】
配線５ＳＩＧａと配線５ＳＩＧｂとは、例えば、ビアを介して接続され、列方向に隣接するフォトダイオード５ＰＤの行間で、第１配線層と第２配線層と入れ替わる。
（５）第２電源線（５ＶＤＤ２）
第２電源線５ＶＤＤ２は、図２２に示すように、行方向に隣接するフォトダイオード５ＰＤ１１とフォトダイオード５ＰＤ１２との間を列方向に延伸する。つまり、第２電源線５Ｖｄｄ２は、信号線５ＳＩＧと対をなしてフォトダイオード５ＰＤ間を列方向に延伸する。
【０２２８】
第２電源線５ＶＤＤ２は、図２１及び図２２に示すように、第２配線層にのみに配置された配線５ＶＤＤ２ｂを有する。配線５ＶＤＤ２ｂは、図２２に示すように、フォトダイオード５ＰＤの中央領域が行方向に隣接するフォトダイオード５ＰＤ間の略中央にまで張り出している。
（６）まとめ
以上の構成により、単位セルを２画素で構成しても、４画素で単位セルを構成している第１の実施の形態と同様に、行方向に隣接するフォトダイオードの中央を通り行方向に延伸する仮想面での断面において第１配線層に配線１本、第２配線層に配線１本をそれぞれ配置し、列方向に隣接するフォトダイオードの中央を通り列方向に延伸する仮想面での断面において第１配線層に配線１本、第２配線層に配線１本をそれぞれ配置できる。
＜変形例＞
１．単位セル
上記第１〜４の実施の形態では１つの単位セルに対しフォトダイオードが４個配置された４画素１セル構造を一例とし、第５の実施の形態では１つの単位セルに対してフォトダイオードが２つ配置された２画素１セル構造を一例として適用したが、本発明はこれに限定を受けるものではなく、複数画素から単位セルを構成する構造であれば適用できる。
【０２２９】
例えば、１つの単位セルに対し６つのフォトダイオードと６つの転送トランジスタを有した６画素１セル構造を採用することもできる。
２．増幅トランジスタ
第１〜第４の実施の形態では、増幅トランジスタを２個用いて並列構成にしたが、単体構成にすることもでき、単体構成にしても同様の配線効果が得られる。
３．ダミー
実施の形態では、半導体基板のレイアウトを、規則性を持たせたり、単位セル内で上下対称な構成にしたり、各行及び各列の配線の構成を似たようにしたりしている。つまり、レイアウトのばらつきを少なくするためにフォトダイオードからみた形状を合わせようにしている。このため、ダミーの配線や、ダミーのコンタクトを配置している。しかしながら、これらのダミーは必ずしも必要なものではない。
４．グランド線
第１〜第４の実施の形態では、列方向配線群にグランド線を含んでいたが、第５の実施の形態で説明したように、周辺回路から基板電位を取ることもでき、第１〜第４の実施の形態においても、基板電位を周辺回路から取るようにしても良い。
【０２３０】
この場合、グランド線（ＶＳＳ）のところに例えば第３電源線（ＶＤＤ３等）を配置しても良い。第３電源線（ＶＤＤ３）の配置により、行方向の電源線を補強することができる。さらには、列方向の第３電源線（ＶＤＤ３）と信号線（ＳＩＧ）とが行方向に隣接するフォトダイオード（ＰＤ）間に配することとなり、行方向の配線数を削減することができる。
５．配線形状
実施の形態では、各方向配線群に含まれる配線の形状を同じようにしている。例えば、第１の実施の形態では、第１電源線ＶＤＤ１の配線ＶＤＤ１ａ、転送制御信号線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４の配線Ｔ１ａ，Ｔ２ａ，Ｔ３ａ，Ｔ４ａ、第２電源線ＶＤＤ２の配線ＶＤＤ２ａ、リセット信号線Ｒｘの配線Ｒｘａが、同じような形状をしている。
【０２３１】
ここでいう「同じような形状」とは、対象とする配線を重ねた際に、一方の配線が他方の配線に５０［％］以上重なるような形状をいう。例えば、第１電源線ＶＤＤ１の配線ＶＤＤ１ａと、転送制御信号線Ｔ１の配線Ｔ１ａとを比較する場合、これらの配線を重ねると、転送制御信号線Ｔ１の配線Ｔ１ａのほとんどの部分が第１電源線ＶＤＤ１の配線ＶＤＤ１ａに重なり、転送制御信号線Ｔ１の配線Ｔ１ａは、第１電源線ＶＤＤ１の配線ＶＤＤ１と同じような形状をしていると言える。
６．導波路
上記の実施の形態では、フォトダイオード上に、配線層の屈折率よりも高い材料で構成された導波路が設けられていたが、固体撮像装置は導波路を有しない構造であっても良い。
【０２３２】
また、第２の実施の形態では、行方向の断面（図９）及び列方向の断面（図１０）における導波路２０７が、半導体基板２０３側からカラーフィルタ２０９側に近づくに従って幅が大きく（太く）なり、第３の実施の形態では、行方向の断面（図１３）における導波路３０７が、半導体基板３０３側からカラーフィルタ３０９側に近づくに従って幅が大きく（太く）なっている。これは、第１配線層に２本の配線がある場合、配線が１本ある場合よりも配線のためのスペース（幅）が必要となる。これにより、第１配線層の導波路の幅が狭くなり、フォトダイオードへの集光性が低下するのを防止するために、第１配線層に配線がある場合に導光体の幅を細くしている。
【０２３３】
なお、フォトダイオードへの集光性を考慮する場合、第１配線層の配線が１本であっても導波路の幅を、カラーフィルタ側からフォトダイオード側に近づくに従って細くしても良い。
【産業上の利用可能性】
【０２３４】
本発明は、ディジタルスチルカメラなどの撮像デバイスとして、高Ｓ／Ｎな画像が要求される固体撮像装置を実現するのに有用である。
【符号の説明】
【０２３５】
１０１ 固体撮像装置
１０３ 半導体基板
１０５ 配線層
１０５ａ 第１配線層
１０５ｂ 第２配線層
ＰＤ フォトダイオード
ＴＧ 転送トランジスタ
ＳＦ 増幅トランジスタ
ＲＳ リセットトランジスタ
Ｔ 転送制御信号線
ＶＤＤ 電源線
ＳＩＧ 信号線
Ｒｘ リセット信号線
ＶＳＳ グランド線
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行列方向に配置された複数の画素を備える撮像領域と、当該撮像領域周辺に周辺回路を備える周辺回路領域とを有する半導体基板と、
前記撮像領域の上方に配され且つ前記画素と前記周辺回路とを接続するための配線層とを備え、
前記配線層は、前記半導体基板側から、第１配線層と第２配線層とをこの順で備え、
前記第１配線層には、第１の方向に隣接する画素間を前記第１の方向と直交する第２の方向に延伸する２本の配線が配置され、
前記第２配線層には、前記第２の方向に隣接する画素間を前記第１の方向に延伸する２本の配線が配置され、
前記第２配線層の２本の配線のうち少なくとも１本は、前記第１の方向に隣接する画素の中央領域で第１配線層に入り込んでいる
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第１の方向は前記列方向であり、前記第２の方向は行方向であり、
前記第２配線層の２本の配線のうち１本が、前記第１の方向に隣接する画素の中央領域で前記第１配線層に入り込でいる
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記第１の配線層の２本の配線のうち１本が、前記第２の方向に隣接する画素の中央領域で前記第２の配線層に入り込んでいる
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第１の方向は前記列方向であり、前記第２の方向は行方向であり、
前記第２配線層の２本が、前記第１の方向に隣接する画素の中央領域で前記第１配線層に入り込でいる
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第１の配線層の２本の配線のうち１本が、前記第２の方向に隣接する画素の中央領域で前記第２の配線層に入り込でいる
ことを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記撮像領域には、
前記複数の画素のそれぞれに設けられたフォトダイオード及び転送トランジスタと、
少なくとも２つの前記転送トランジスタのドレインに接続されたフローティングディフュージョンと、
前記フローティングディフュージョンにソースが接続されているリセットトランジスタと、
前記フローティングディフュージョンにゲートが接続されている増幅トランジスタと
が形成され、
前記第２の方向に延伸する２本の配線には、前記転送トランジスタのゲートに接続された転送制御信号線を含み、
当該転送制御信号線は、前記第１配線層と前記第２配線層との間を周期的に入れ替わり、
前記第２配線層の２本の配線のうち残りの１本は、前記第１の方向に隣接する画素の中央領域で前記第２方向に隣接する画素のフォトダイオード間の中央に位置する
ことを特徴とする請求項２又は４に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記撮像領域には、
前記複数の画素のそれぞれに設けられたフォトダイオード及び転送トランジスタと、
少なくとも２つの前記転送トランジスタのドレインに接続されたフローティングディフュージョンと、
前記フローティングディフュージョンにソースが接続されているリセットトランジスタと、
前記フローティングディフュージョンにゲートが接続されている増幅トランジスタと
が形成され、
前記第２配線層の前記第１配線層に入り込でいる２本の配線には、前記増幅トランジスタのソースに接続された信号線が含まれ、当該信号線は前記増幅トランジスタのゲートを含むポリシリコン上に位置する
ことを特徴とする請求項４又は５に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記撮像領域には、
前記複数の画素のそれぞれに設けられたフォトダイオード及び転送トランジスタと、
少なくとも２つの前記転送トランジスタのドレインに接続されたフローティングディフュージョンと、
前記フローティングディフュージョンにソースが接続されているリセットトランジスタと、
前記フローティングディフュージョンにゲートが接続されている増幅トランジスタと
が形成され、
前記フォトダイオードの上方であって前記配線層に形成された光導波路を備え、
前記光導波路は、前記配線層を構成する絶縁膜よりも屈折率が高い材料により構成されており、その横断面において、前記半導体基板から離れるに従って前記第２の方向の長さが大きくなる
ことを特徴とする請求項４又は５に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記撮像領域には、
前記複数の画素のそれぞれに設けられたフォトダイオード及び転送トランジスタと、
少なくとも２つの前記転送トランジスタのドレインに接続されたフローティングディフュージョンと、
前記フローティングディフュージョンにソースが接続されているリセットトランジスタと、
前記フローティングディフュージョンにゲートが接続されている増幅トランジスタと
が形成され、
前記フォトダイオードの上方であって前記配線層に形成された光導波路を備え、
前記光導波路は、前記配線層を構成する絶縁膜よりも屈折率が高い材料により構成されており、その横断面において、前記半導体基板から離れるに従って前記第１の方向の長さが大きくなる
ことを特徴とする請求項２又は４に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記第１配線層に配置された前記第２の方向に延伸する２本の配線には、前記増幅トランジスタのドレインに接続された第１電源線を含み、
前記第２配線層に配置された前記第１の方向に延伸する２本の配線には、前記第１電源線に接続された第２電源線を含む
ことを特徴とする請求項６〜９の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記第１配線層に配置された前記第２の方向に延伸する２本の配線には、前記リセットトランジスタのドレインに接続されたリセット配線を含み、
前記リセット信号線が前記第２電源線に接続されている
ことを特徴とする請求項１０に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記フォローティングディフュージョンは、少なくとも４つの転送トランジスタのドレインに接続され、
前記半導体基板はコンタクトを備え、
前記第２配線層に配置された前記第１の方向に延伸する２本の配線には、前記コンタクトと接続されたコンタクト配線を含む
ことを特徴とする請求項６〜１１の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１】
行列方向に配置された複数の画素を備える撮像領域と、当該撮像領域周辺に周辺回路を備える周辺回路領域とを有する半導体基板と、
前記撮像領域の上方に配され且つ前記画素と前記周辺回路とを接続するための配線層とを備え、
前記配線層は、前記半導体基板側から、第１配線層と第２配線層とをこの順で備え、
前記第１配線層には、第１の方向に隣接する画素間を前記第１の方向と直交する第２の方向に延伸する２本の配線が配置され、
前記第２配線層には、前記第２の方向に隣接する画素間を前記第１の方向に延伸する２本の配線が配置され、
前記第２配線層の２本の配線のうち少なくとも１本は、前記第１の方向に隣接する画素の中央領域で第１配線層に入り込んでいる
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第１の方向は前記列方向であり、前記第２の方向は行方向であり、
前記第２配線層の２本の配線のうち１本が、前記第１の方向に隣接する画素の中央領域で前記第１配線層に入り込でいる
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記第１の配線層の２本の配線のうち１本が、前記第２の方向に隣接する画素の中央領域で前記第２の配線層に入り込んでいる
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第１の方向は前記列方向であり、前記第２の方向は行方向であり、
前記第２配線層の２本が、前記第１の方向に隣接する画素の中央領域で前記第１配線層に入り込でいる
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第１の配線層の２本の配線のうち１本が、前記第２の方向に隣接する画素の中央領域で前記第２の配線層に入り込でいる
ことを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記撮像領域には、
前記複数の画素のそれぞれに設けられたフォトダイオード及び転送トランジスタと、
少なくとも２つの前記転送トランジスタのドレインに接続されたフローティングディフュージョンと、
前記フローティングディフュージョンにソースが接続されているリセットトランジスタと、
前記フローティングディフュージョンにゲートが接続されている増幅トランジスタと
が形成され、
前記第２の方向に延伸する２本の配線には、前記転送トランジスタのゲートに接続された転送制御信号線を含み、
当該転送制御信号線は、前記第１配線層と前記第２配線層との間を周期的に入れ替わり、
前記第２配線層の２本の配線のうち残りの１本は、前記第１の方向に隣接する画素の中央領域で前記第２方向に隣接する画素のフォトダイオード間の中央に位置する
ことを特徴とする請求項２又は４に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記撮像領域には、
前記複数の画素のそれぞれに設けられたフォトダイオード及び転送トランジスタと、
少なくとも２つの前記転送トランジスタのドレインに接続されたフローティングディフュージョンと、
前記フローティングディフュージョンにソースが接続されているリセットトランジスタと、
前記フローティングディフュージョンにゲートが接続されている増幅トランジスタと
が形成され、
前記第２配線層の前記第１配線層に入り込でいる２本の配線には、前記増幅トランジスタのソースに接続された信号線が含まれ、当該信号線は前記増幅トランジスタのゲートを含むポリシリコン上に位置する
ことを特徴とする請求項４又は５に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記撮像領域には、
前記複数の画素のそれぞれに設けられたフォトダイオード及び転送トランジスタと、
少なくとも２つの前記転送トランジスタのドレインに接続されたフローティングディフュージョンと、
前記フローティングディフュージョンにソースが接続されているリセットトランジスタと、
前記フローティングディフュージョンにゲートが接続されている増幅トランジスタと
が形成され、
前記フォトダイオードの上方であって前記配線層に形成された光導波路を備え、
前記光導波路は、前記配線層を構成する絶縁膜よりも屈折率が高い材料により構成されており、その横断面において、前記半導体基板から離れるに従って前記第２の方向の長さが大きくなる
ことを特徴とする請求項４又は５に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記撮像領域には、
前記複数の画素のそれぞれに設けられたフォトダイオード及び転送トランジスタと、
少なくとも２つの前記転送トランジスタのドレインに接続されたフローティングディフュージョンと、
前記フローティングディフュージョンにソースが接続されているリセットトランジスタと、
前記フローティングディフュージョンにゲートが接続されている増幅トランジスタと
が形成され、
前記フォトダイオードの上方であって前記配線層に形成された光導波路を備え、
前記光導波路は、前記配線層を構成する絶縁膜よりも屈折率が高い材料により構成されており、その横断面において、前記半導体基板から離れるに従って前記第１の方向の長さが大きくなる
ことを特徴とする請求項２又は４に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記第１配線層に配置された前記第２の方向に延伸する２本の配線には、前記増幅トランジスタのドレインに接続された第１電源線を含み、
前記第２配線層に配置された前記第１の方向に延伸する２本の配線には、前記第１電源線に接続された第２電源線を含む
ことを特徴とする請求項６〜９の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記第１配線層に配置された前記第２の方向に延伸する２本の配線には、前記リセットトランジスタのドレインに接続されたリセット配線を含み、
前記リセット信号線が前記第２電源線に接続されている
ことを特徴とする請求項１０に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記フォローティングディフュージョンは、少なくとも４つの転送トランジスタのドレインに接続され、
前記半導体基板はコンタクトを備え、
前記第２配線層に配置された前記第１の方向に延伸する２本の配線には、前記コンタクトと接続されたコンタクト配線を含む
ことを特徴とする請求項６〜１１の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【公開番号】特開２０１２−１９９３０１（Ｐ２０１２−１９９３０１Ａ）
【公開日】平成２４年１０月１８日（２０１２．１０．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−６１１３０（Ｐ２０１１−６１１３０）
【出願日】平成２３年３月１８日（２０１１．３．１８）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月１８日（２０１２．１０．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月１８日（２０１１．３．１８）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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