【課題】光学混色を低減させ、色再現性を向上させることができるようにする。
【解決手段】固体撮像素子の２次元配列された各画素は、光電変換素子の上側に形成された平坦化膜と、平坦化膜の上側に形成されたフィルタと、フィルタの上側に形成されたマイクロレンズとを少なくとも有する。複数の画素のうち、一部のフィルタは、所定の色成分の光を透過させるカラーフィルタであり、他の一部のフィルタは、可視光領域全体の光を透過させるホワイトフィルタである。ホワイトフィルタ、マイクロレンズ、および平坦化膜の各屈折率は、ホワイトフィルタ≧マイクロレンズ＞平坦化膜の関係にある。本発明は、例えば、固体撮像素子に適用できる。 （もっと読む）

【課題】加工精度を維持しつつ、固体撮像装置の特性劣化を抑制する。
【解決手段】固体撮像装置に設けられるカラーフィルタは、格子状に形成される、複数の画素のうちの所定の画素に対応した所定の色成分のフィルタと、所定の色成分のフィルタが形成される領域以外の領域に形成される、他の画素に対応した他の色成分のフィルタと、所定の色成分のフィルタと他の色成分のフィルタとの境界に、光透過率を減衰させる光減衰膜とを備え、所定の色成分のフィルタが形成される領域は、少なくとも一部で互いに結合し、他の色成分のフィルタおよび光減衰膜の底面は、所定の色成分のフィルタの底面より低い。本技術は、例えばCMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】屈折率を高めたマイクロレンズを含む裏面照明イメージセンサピクセルを提供する。
【解決手段】イメージセンサピクセル２００は、シリコン基板２０２内に形成されたフォトダイオード２０８と、基板の裏面に形成された第１のマイクロレンズと、基板の前面を覆って形成された第２のマイクロレンズと、基板の前面上に形成された誘電体スタック２２３と、第２レンズの上方で、記誘電体スタック内に形成されたと反射構造２５０とを含む。第１のマイクロレンズは、裏面にシャロートレンチアイソレーション構造２１４を形成することにより、第２のマイクロレンズは、基板の前面基板上にポリシリコンを堆積させることによって製造される。 （もっと読む）

【課題】 高い画質の画像を撮像可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る光電変換装置は、光電変換部１０３が配された半導体基板１０１を有する。半導体基板１０１に絶縁体１０４が積層される。絶縁体１０４には光電変換部１０３に対応した穴１０５が配される。穴１０５には導波路部材１０６が配される。
導波路部材１０６の半導体基板１０１とは反対側には層内レンズ１０７が配される。導波路部材１０６と層内レンズ１０７との間に、第１中間部材１１０が配される。第１中間部材１１０の屈折率は、層内レンズの屈折率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】感度差の低減に有利な技術を提供する。
【解決手段】複数の画素ユニットを有する固体撮像装置において、各画素ユニットは、複数の画素と、前記複数の画素によって共用される電荷電圧変換部とを含み、各画素は、半導体基板に形成された光電変換素子を含む。前記固体撮像装置は、複数の配線層と、層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の屈折率よりも高い屈折率を有する材料を前記層間絶縁膜における各光電変換素子の上方に埋め込んで構成された光導波路とを含む構造部を前記半導体基板の上に有し、各画素ユニットの前記複数の画素は、第１画素と第２画素とを含み、前記第１画素の前記光電変換素子の上方に配置された前記光導波路の周辺の構造と前記第２画素の前記光電変換素子の上方に配置された前記光導波路の周辺の構造との相違による前記第１画素の感度と前記第２画素の感度との差を低減するようにダミーパターンが前記構造部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 良好な性能を有する光電変換装置を提供する
【解決手段】 光電変換部１１０を覆うとともに、転送ゲート１２０の転送ゲート電極１２１の光電変換部１１０側の側面に沿って延在して転送ゲート電極１２１の上面１２１０を覆う第１保護膜２２０を備え、第１保護膜２２０と光電変換部１１０との間に、第１保護膜２２０の屈折率及び光電変換部１１０の屈折率よりも低い屈折率を有し、第１保護膜２２０と界面を成す第１領域１１が設けられ、第１保護膜２２０と転送ゲート電極１２１の上面１２１０との間に、転送ゲート電極１２１の屈折率及び第１保護膜２２０の屈折率よりも低い屈折率を有し、第１保護膜２２０と界面を成す第２領域２２が設けられており、第１領域１１の光学膜厚をＴ_１、第２領域２２の光学膜厚をＴ_２、光電変換部１１０へ入射する光の波長をλとして、Ｔ_１＜Ｔ_２＜λ／２−Ｔ_１を満たす。 （もっと読む）

【課題】各画素の受光部に対して入射光を集光するための導波路を備える固体撮像素子において、集光特性を向上させ、画素微細化への対応を容易とする。
【解決手段】本開示の固体撮像素子は、半導体基板上の撮像領域に配列されて受光部を有する複数の画素と、前記半導体基板の入射光が入射する側にて、複数の画素の配列において互いに隣接する画素の受光部間に設けられる遮光層と、遮光層を入射光が入射する側から覆い、受光部間の境界に沿って設けられる下段クラッドと、下段クラッド上に設けられる上段クラッドと、下段クラッドおよび上段クラッドにより形成される開口部を埋めるように設けられ、下段クラッドおよび上段クラッドを構成する材料よりも高い屈折率の材料からなるコア層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 隣接画素間でのクロストークを防止して、混色の発生を防止でき、再生画面上での色再現性の向上に対して有利な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板４０４に、光電変換部及び信号走査回路部を含み単位画素行列を配置して成る撮像領域を具備し、撮像領域は、隣接する単位画素との境界部分に対応して各単位画素を囲むように設けられる素子分離絶縁膜４０８を備え、素子分離絶縁膜は、信号走査回路部が形成される半導体基板の表面から半導体基板中にオフセットされて設けられ且つ半導体基板の裏面に達している。 （もっと読む）

【課題】画素部面内でのスミア比の差が抑制され、出力画像の画質が高い固体撮像素子を提供する。
【解決手段】マイクロレンズ１６と、赤色、緑色、青色の波長を選択するカラーフィルター１７とを有し、カラーフィルター１７透過後の入射光を、屈折率が周辺部よりも大きな材料を用いて画素開口部へ伝搬させる光導波路構造（光導波路１３、・・）を備える。そして、光導波路１３の開口径が、画素中心部から周辺部に行くに従って小さくなっている。具体的には、画素中心部における開口径ｄ_Ｇ１が、外周における開口径ｄ_Ｇ２よりも大きくなっている。なお、Ｒ画素およびＢ画素においても、同様の関係を以って光導波路の開口径が設定されている。 （もっと読む）

【課題】サイズが小さくなっても、受光部などの光学領域への集光を向上させることが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】光学領域（フォトダイオードである受光部１０２）を有する半導体基板１０１と、半導体基板１０１の上に配置された透明絶縁膜１１１を有し、透明絶縁膜１１１は、光学領域直上の第１の領域（遮光膜１１０によって挟まれる領域）と、第１の領域の上の第２の領域を有し、透明絶縁膜１１１は、第２の領域と同じ高さにあり、平面視において第２の領域の外側に位置する第３の領域（遮光膜１１０の上の領域）を有し、第１の領域が有する空孔１１５の空孔径は第３の領域が有する空孔１１５の空孔径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】高集積化に伴う、個々の光電変換部で受光される光量の減少より、光電変換部に対して、その隣の光電変換部に入射すべき光が漏れ込んできたときの混色が大きくなる。
【解決手段】撮像領域の配線層の層数が周辺回路領域の配線層の層数より少ない配線構造と、撮像領域における配線構造の上部に配置された複数のマイクロレンズと、撮像領域における最上の配線層の上部であって、隣接する光電変換部の間に配置された反射部と、を有する固体撮像装置を提供することによって、前記問題を解決する。 （もっと読む）

【課題】光導波路の材料とそれを取り囲む絶縁膜との間に作用する熱応力により、プロセス欠陥が生じうる。
【解決手段】光導波路の材料を堆積させる工程と、堆積された前記材料に光または放射線を照射することによって前記材料をアニールするアニール工程により、前記堆積工程および前記アニール工程を経て前記光電変換部に光を導く光導波路を形成する。 （もっと読む）

【課題】シンチレータで発生した長波長成分の光による放射線画像のボケを抑制しながら、長波長成分の光を有効利用する。
【解決手段】制御部６４は、シンチレータ３７により放射線から変換された光の長波長成分９０ｂが反射層２５を透過して放射線検知用光検出部２６に検出されたときに、センサパネル２３の光電変換部をリセットして電荷蓄積モードに移行させる。シンチレータ３７で発生した光の短波長成分９０ａは、柱状結晶３９内を全反射しながら反射層２５に向けて進行し、反射層２５により反射されてセンサパネル２３に向かうので、センサパネル２３の検出光量が増加する。シンチレータ３７で発生した光の長波長成分９０ｂは、反射層２５を透過してセンサパネル２３には反射されないので、放射線画像のボケを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】隔壁を通過して受光部に光が達するのを抑制することができる画像撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１は、複数の受光部（ＰＤ）が形成された半導体基板３と、前記半導体基板３上に形成された配線層５と、前記配線層５上であって半導体基板３の各受光部（ＰＤ）に対応してそれぞれ形成されたカラーフィルタ７と、前記各カラーフィルタ７間に形成された隔壁９とを備え、前記隔壁９は、下層部２９と上層部３１とを有し、下層部２９の上面が改質された改質層となっており、改質層と上層部３１との間に、外部からの侵入光の反射を促進させる界面２７が構成されている。 （もっと読む）

【課題】光導波路における開口寸法を配線レイアウトを変更することなく大きくすることにより、光導波路内に高屈折率膜を確実に埋め込むことができ、感度等が優れた光学特性を得られるようにする。
【解決手段】固体撮像装置の画素部Ａは、半導体基板１０１に形成されたフォトダイオードＰＤと、該フォトダイオードＰＤの上側部分に凹部１１７を有する第１の絶縁膜１５０と、該第１の絶縁膜１５０の上に、凹部１１７を埋め込むように形成された第２の絶縁膜１６０とを有している。固体撮像装置の周辺回路部Ｂは、第１の絶縁膜１５０に形成された内部配線１１５と、該内部配線１１５の上に形成され、該内部配線１１５と電気的に接続されるパッド電極１２１とを有している。パッド電極１２１は、第２の絶縁膜１６０の上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】高い集光効率を有し、高感度な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換機能を有する受光部１０３が内部に形成されてなる半導体基板１０１と、絶縁膜１０７，１０９，１１１と配線１１３，１１４との積層構造を有し、半導体基板１０１の上方に形成され、且つ、受光部１０３の上方に相当する箇所に凹部が形成された配線層と、絶縁膜１０９，１１１よりも屈折率が高く、凹部を臨む配線層の側面を被覆する第２絶縁膜１１５と、第２絶縁膜１１５よりも屈折率が低く、第２絶縁膜１１５の前記側面を被覆する第３絶縁膜１１６と、第３絶縁膜１１６よりも屈折率が高く、第３絶縁膜１１６の前記側面を被覆する第４絶縁膜１１７と、を備える。光導波路は、絶縁膜１０９，１１１と、その凹部内に形成された第２絶縁膜１１５、および第３絶縁膜１１６、および第４絶縁膜１１７とにより構成されている。 （もっと読む）

【課題】クロストークを防止するために設けられた区画層を有する固体撮像素子において、高画質化のために受光部サイズが小型化された場合であっても、感度特性の劣化を抑制し、良好な画質の実現を図ることを目的とする。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１内に行列状に配置され、光電変換する複数の受光部１２と、半導体基板１１の上側に配置され、受光部１２それぞれの上方に対応する部位に開口を有し、前記開口と開口の間の部位により受光部１２の上方を受光部１２毎に区画する区画層２０と、前記開口内部に配されたカラーフィルタ層２４と、を備え、区画層２０は、区画本体層２１と、区画本体層２１上に積層された密着層２２および金属層２３とで構成され、最上位に配された金属層２３は、金属から成る。 （もっと読む）

【課題】画像処理速度が速いとともに、画像間の境界が曖昧になるのを抑制することのできるイメージセンサを提供する。
【解決手段】入射された伝播光を電気信号に変換する複数の画素と、複数の画素のうちの少なくとも一部の画素間を接続するように設けられ、入射された伝播光を近接場光に変換するとともに近接場光を伝播する近接場光導波路と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】開口率を高めると共に感度を向上させることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、行列状に配置された複数の画素を備えた撮像領域が形成された半導体基板１０３と、撮像領域の上に形成された第１の配線層（撮像領域側）１０５ａおよび第２の配線層１０５ｂとを備え、前記撮像領域において、複数フォトダイオードＰＤ、転送トランジスタＴＧ、フローティングディフュージョンＦＤ、リセットトランジスタＲＳ、増幅トランジスタＳＦが形成され、隣接する画素の間を列方向に延伸する行方向配線及び隣接する画素の間を列方向に延伸する列方向配線は、第２配線層１０５ｂにおいて画素の中央部では１本以下である。 （もっと読む）

【課題】感度の向上および隣接セル間での混色の抑制が可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１と、半導体基板１に形成され光を信号電荷に変換する受光部２と、受光部２の上方に対応する部位に形成された開口６ａを除き、半導体基板１の上側を覆う遮光層６と、遮光層６を覆い且つ開口６ａを閉塞する形で形成された光透過層８ａと、光透過層８ａの上方に設けられ、入射光Ｉｎ１を受光部２に集光するマイクロレンズ９ｃとを備える。そして、光透過層８ａは、空気に対する屈折率差が酸化シリコンの空気に対する屈折率差よりも大きい透光性材料からなり、光透過層８ａには、少なくとも遮光層６の開口６ａの外周部の上方に対応する部位に厚み方向に貫通するエアギャップＧ１が形成されてなる。 （もっと読む）