【課題】感度の低下を抑制しつつ、混色を低減させることが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】イメージセンサ３ｂ、３ｇは、ダイクロイックプリズム２ｂ、２ｇ、２ｒにて分離された青色光Ｂおよび緑色光Ｇの光電変換を画素ごとに行い、イメージセンサ３ｒは、イメージセンサ３ｂ、３ｇに対して光の吸収係数が異なる光電変換部が画素ごとに設けられ、ダイクロイックプリズム２ｂ、２ｇ、２ｒにて分離された赤色光Ｒの光電変換を画素ごとに行う。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の感度の低下を抑制しつつ、混色を低減させる。
【解決手段】赤色用イメージセンサ３ｒの光電変換部１２ｒは、青色用イメージセンサ３ｂの光電変換部１２ｂおよび緑色用イメージセンサ３ｇの光電変換部１２ｇに対して光入射面から深い位置に配置する。 （もっと読む）

【課題】良好な感度特性およびスミア特性を両立する撮像機能を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】画素２１は、全ての画素２１において同時に光電変換部３１で発生した電荷をメモリ部３３に転送し、メタルゲート６１、６２を有する転送部３２、３４と、転送部３２、３４の周囲の層間絶縁膜６７を掘り込むことにより形成された溝部にメタル６６を埋め込むことにより形成される遮光部とを有する。また、遮光部は、その先端部が、転送部の周囲において、層間絶縁膜６７と半導体基板５１との間に形成されるライナー膜６５の膜厚よりも半導体基板側に突出するように形成される。 （もっと読む）

【課題】高解像度化した画素を有する撮像素子を提供する。
【解決手段】撮像素子１０は、Ｘ，Ｙ軸平面上に正方又は六方配置された各感光部から蓄積電荷に相当する信号をＺ軸方向に並列に抽出して出力する積層素子１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄと、この積層素子における感光部を有する素子１００ａに対して設けられ、それぞれの感光部に対して一部の領域で受光するための当該感光部の面積よりも小さい面積を有する１つのアパーチャ（開口部）１１０を、当該感光部の領域の範囲内で走査することにより各感光部を所定の分割数で分割し、当該分割した各領域によって画素を形成するマスク１０６及びアクチュエータ１０７とを備える。 （もっと読む）

【課題】隣接画素間で加算処理を行わない場合にはベイヤー配列と同程度の輝度及び色の解像度が得られ、隣接画素間で加算処理を行う場合にも十分に高い輝度及び色の解像度が得られるカラー固体撮像装置を提供する。
【解決手段】４行を単位配列とし、１行目は、行方向にＧ画素Ｇ₁₁，Ｇ₁₃，Ｇ₁₅，Ｇ₁₇とＲ画素Ｒ₁₂，Ｒ₁₄，Ｒ₁₆，Ｒ₁₈が交互に配列され、２行目は、Ｇ画素Ｇ₂₂，Ｇ₂₄，Ｇ₂₆，Ｇ₂₈が１行目のＧ画素と行方向に１画素ずれてＧ画素とＢ画素（第２の色画素）Ｂ₂₁，Ｂ₂₃，Ｂ₂₅，Ｂ₂₇が交互に配列され、３行目は１行目と同じ配列であり、４行目は２行目を行方向に１画素ずらした配列である。 （もっと読む）

【課題】クラックや剥がれ、空隙などの欠陥が少ない光導波路を有した固体撮像素子や、その製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１０中に形成され光電変換により電荷を生じる受光部２と、基板１０上の受光部２に隣接する位置に形成されて受光部２が生じた電荷の転送を行う転送電極１２と、転送電極１２上に形成される上部構造１４〜１６と、をそれぞれ形成する。さらに、少なくとも受光部２の直上かつ上部構造１４〜１６に挟まれた空間に、光導波路１８を形成する。このとき、光導波路１８を成す材料を、少なくとも第１ステップ及び第２ステップにより成膜するが、第１ステップは、第２ステップよりも前に行い、第１ステップにおける成膜速度を、第２ステップにおける成膜速度よりも遅くする。 （もっと読む）

【課題】ＴＤＩ動作によって撮像を行う際に、撮像に要する時間を短くすることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１Ａは、Ｍ×Ｎ個（Ｍ，Ｎは２以上の整数）の画素がＭ行Ｎ列に２次元配列されて成る撮像面１２、撮像面１２に対して列方向の一端側に各列毎に配置されたＮ個の信号読出回路２０、及び、撮像面に対して列方向の他端側に各列毎に配置されたＮ個の信号読出回路３０を有するＣＣＤ型の固体撮像素子１０と、信号読出回路２０から各列毎に出力される電気信号をディジタル変換したのちシリアル信号として順次出力する半導体素子５０と、信号読出回路３０から各列毎に出力される電気信号をディジタル変換したのちシリアル信号として順次出力する半導体素子６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】分子検出および識別に応用する多接合フォトダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】多接合フォトダイオードは、第１導電型ドーパントを有する基板と、第１導電型ドーパントを有するエピタキシー層と、第２導電型ドーパントを有する深ウェル領域と、第１導電型ドーパントを有する第１ウェル領域と、第２導電型ドーパントを有する第２ウェル領域と、第１導電型ドーパントを有する第３ウェル領域と、第２導電型ドーパントを有する第１ドープ領域とを含む半導体装置を提供する。エピタキシー層は、基板の上に配置され、深ウェル領域は、エピタキシー層の中に配置される。第１ウェル領域は、エピタキシー層に接続された３つの側辺を有し、深ウェル領域の中に配置される。第２ウェル領域は、第１ウェル領域の中に配置される。第３ウェル領域は、エピタキシー層に接続された３つの側辺を有し、第２ウェル領域の中に配置される。第１ドープ領域は、第３ウェル領域の中に配置される。 （もっと読む）

【課題】焦電型光検出器の検出出力を高めること。
【解決手段】焦電型光検出器は、基板１０と、基板上に支持される支持部材２１５と、支持部材に接して形成されている焦電型光検出素子２５１と、を有する。焦電型光検出素子２５１は、支持部材側に設けられる第１電極２３４と、第１電極と対向して設けられ、平面視における面積が、第１電極より小さい第２電極２３６と、第１電極２３４と第２電極２３６との間に設けられる焦電体２３２と、を含むキャパシター２３０を有する。焦電型光検出素子２５１はさらに、キャパシター上に形成されている光吸収層２７０を含む。平面視における光吸収層の面積を受光部面積Ａａとし、平面視における第２電極の面積をキャパシター面積Ａｃとし、Ａａ／Ａｃは、２．０＜Ａａ／Ａｃ＜４９．０を満足する。 （もっと読む）

【課題】深さ方向に沿って複数の光電変換部が配された光電変換装置において、深い位置に配された光電変換部の光感度を高くするために有利な技術を提供する。
【解決手段】光電変換装置は、光が入射する第１面及び前記第１面の反対側に配された第２面を有する部材と、前記部材の内部に前記第１面から深さ方向に沿って配された複数の光電変換部を含み、前記複数の光電変換部のうち前記第１面から最も近い位置に配された前記光電変換部を除く少なくともいずれか一つは、前記第１面から最も近い位置に配された前記光電変換部よりも高低差が大きい凹凸形状を前記部材との境界面に有しており、前記凹凸形状の境界面は、前記第１面側から入射して前記凹凸形状の境界面に到達した光を局在または共鳴させる。 （もっと読む）

【課題】 高い画質の画像を撮像可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る光電変換装置は、光電変換部１０３が配された半導体基板１０１を有する。半導体基板１０１に絶縁体１０４が積層される。絶縁体１０４には光電変換部１０３に対応した穴１０５が配される。穴１０５には導波路部材１０６が配される。
導波路部材１０６の半導体基板１０１とは反対側には層内レンズ１０７が配される。導波路部材１０６と層内レンズ１０７との間に、第１中間部材１１０が配される。第１中間部材１１０の屈折率は、層内レンズの屈折率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】 ソースフォロアトランジスタの寄生容量を効果的に低減して感度を向上した固体撮像素子と、その製造方法を提供する。
【解決手段】 固体撮像素子は、光電変換によって生じた電荷が蓄積される浮遊拡散領域と、浮遊拡散領域と電気的に接続する増幅ゲート電極８１を有し当該増幅ゲート電極８１に印加される電位を増幅した出力信号を生成するソースフォロアトランジスタ８と、を備える。増幅ゲート電極８１は、ソースフォロアトランジスタ８の活性領域８２から延出する延出部分８１ａの少なくとも一部の膜厚が、ソースフォロアトランジスタ８に隣接する他のトランジスタ６，７のゲート電極６１，７１の膜厚よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】画素からの微小信号、あるいは１光子信号を低ノイズ、高精度で、高速に検出することができ、これにより活用してフレームレートを上げることで、様々な高性能撮影が可能な撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】各センス回路は、画素からの出力信号と参照信号を比較する比較器を含み、信号検出を行う際に、比較器の片側あるいは両側の入力部に、選択画素から出力される第１の画素信号を相殺する電荷を保持し、比較器の片側の入力部に、比較器ごとに、比較器のオフセットを相殺するように、独立したオフセットバイアスを印加し、ステップ状に変化する参照信号と選択画素から出力される第２の画素信号とを比較して、画素に入射した光の強度をデジタル判定する。 （もっと読む）

【課題】レンズの無効領域が少ない固体撮像素子を容易に製造することができる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】レンズ２０を構成するレンズ母材層２１を形成する工程と、このレンズ母材層２１上に、レジスト２３よりも熱膨張係数の大きい中間膜２２を形成する工程と、この中間膜２２上に接して、レジスト２３を形成する工程と、その後、熱リフローによりレジスト２３をレンズの形状とする工程と、エッチングにより、レジスト２３のレンズの形状をレンズ母材層２１に転写して、レンズ２０を形成する工程とを有して、受光部の上方にレンズ２０が設けられた固体撮像素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】受光部への光入射効率を悪化させることなく、金属コンタミネーション起因による白傷を低減する。
【解決手段】複数の受光部３の上方で、パターニングされた３層の導電層（ここでは金属層の第３配線７ｃ）上の第４絶縁膜６ｄ上に、装置側で設定するプラズマ発生エネルギーを示すＲＦパワーを、金属コンタミネーション起因による白傷を抑制するように７００Ｗ〜１５００Ｗに設定するプラズマＣＶＤ法によりパッシベーション膜８を成膜するパッシベーション膜成膜工程と、熱処理によりパッシベーション膜８から水素を脱離させるシンター処理を行うシンター処理工程とを有している。このパッシベーション膜８は、その膜厚が５０〜１００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】集光効率を高めて、光の減衰や混色を抑制させることができるようにする。
【解決手段】イメージセンサには、入射面に入射された光を光電変換するフォトダイオードを有する半導体基板が設けられている。フォトダイオードの入射面がレンズ形状に形成されている。本技術は、撮像素子に適用することができる。 （もっと読む）