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Fターム[4M118DD12]の内容

固体撮像素子 (108,909) | 転送電荷検出 (5,763) | 回路構成 (3,414) | リセット回路 (2,088)

Fターム[4M118DD12]に分類される特許

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【課題】ラインセンサにおいて、画素内で発生したランダムノイズを低減することができ、これにより製造歩留まりを向上する。
【解決手段】複数の画素を1次元に配列してなる画素部120を有し、該複数の画素の各々で光電変換により得られた信号電荷を画素信号に変換して出力するラインセンサ100において、該画素Paは、入射光を光電変換して信号電荷を発生する光電変換素子PDと、該光電変換素子で発生した信号電荷に応じた信号電圧を増幅する複数の増幅トランジスタAMPn1、AMPn2、・・・、AMPnkとを備え、複数の増幅トランジスタの各々で増幅された信号電圧を複数の画素信号として並列出力し、この並列出力された複数の画素信号の信号レベルを平均化して得られる平均値を、各画素の画素値として出力する。 (もっと読む)


【課題】熱雑音を除去することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】行列状に配置され、フォトダイオードと浮遊拡散層とを有し、初期化された浮遊拡散層に対応する第1初期化信号と、受光量に応じた第1映像信号とを出力する複数の画素回路1aと、列毎に設けられ、複数の画素回路からの第1初期化信号と第1映像信号とを転送する列信号線と、列信号線を通して対応画素回路から転送されてくる第1初期化信号と第1映像信号を保持する複数の第1保持回路2aと、列毎に設けられ、第1保持回路と列信号線とに接続された差分回路とを備える。 (もっと読む)


【課題】小型で、かつ、大きい電荷保存容量、高い動的範囲、及び高感度を有する固体状
態のCMOSイメージセンサ画素を提供すること。
【解決手段】本発明の電荷転送トランジスタは、第1の拡散領域及び第2の拡散領域と、
制御信号により、前記第1の拡散領域から第2の拡散領域への電荷転送を制御するゲート
と、該ゲートの下部に統合された電位井戸とを備え、前記第1の拡散領域がピンドフォト
ダイオードであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高速動作をすることができる固体撮像装置を備えるX線検査システムを提供する。
【解決手段】X線検査システムは、X線発生装置から出力されて検査対象物を透過したX線を固体撮像装置1Aにより撮像して該検査対象物を検査する。固体撮像装置1Aは受光部10Aおよび信号読出部20を備える。受光部ではM×N個の画素部がM行N列に配列されている。第1撮像モードのとき、受光部におけるM×N個の画素部のフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値が信号読出部から出力される。第2撮像モードのとき、受光部における連続するM行の特定範囲に含まれる画素部のフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値が信号読出部から出力される。固体撮像装置の移動方向に対して第2撮像モードのときの受光部における特定範囲の長手方向が垂直になるように配置されている。 (もっと読む)


【課題】 本発明によれば、高い精度で半導体装置を製造することができる。特に画質の高い固体撮像装置を提供及び製造することが可能となる。
【解決手段】 半導体基板101の撮像領域103及び周辺領域104に第1導波路部材118と、第1導波路部材118を貫通するビアプラグとを有する。 (もっと読む)


【課題】受光領域のうち一部の領域の画素に蓄積された電荷を選択的に読み出す際に、一つの撮像フレームに要する時間を抑制し、また周辺回路への負荷を低減することができる固体撮像素子の制御方法を提供する。
【解決手段】受光領域のうち一部の領域を構成する一又は複数の読出対象行に含まれる画素に蓄積された電荷を、L回(Lは2以上の整数)の撮像フレームの各々において選択的に読み出すとともに、L回の撮像フレームのそれぞれにおいて、一部の非読出対象行のみに含まれる画素に蓄積された電荷のリセットを行い、且つ、二以上の非読出対象行の各々についてL回の撮像フレームの間に少なくとも一回、リセットを行う。 (もっと読む)


【課題】装置の信頼性や、製品の歩留まりなどを向上させる。
【解決手段】パッド電極PADのパッド面の上面に設けるパッド開口PKの側部を囲うように第1パッド周辺ガードリングPG1を設ける。ここでは、パッド開口PKの側部において、パッド開口PKと同じ深さまで設けられたトレンチTRPの全体に、金属材料を一体で埋め込むことで、この第1パッド周辺ガードリングPG1を形成する。これにより、パッド開口PKから吸湿した水分が内部へ侵入することを、第1パッド周辺ガードリングPG1が遮断する。 (もっと読む)


【課題】積層フォトダイオードにおいて半導体基板表面からの深さ距離で決まる分光特性における混色を低減し、また、3色以上の分光特性を検知することにより感度を向上させることができる光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板中に、第1導電型の光電変換領域(12,14)と、前記第1導電型と逆の導電型である第2導電型の領域(11,13,15)とを交互に複数積層した光電変換装置であって、複数の前記第1導電型の光電変換領域(12,14)の間に設けられる前記第2の導電型の領域(13)に印加する電圧を制御することにより、前記半導体基板中に形成される空乏層の幅を変化させる電圧制御部(18)を有することを特徴とする光電変換装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】「混色」の発生などを防止して、撮像画像の画像品質を向上させる。
【解決手段】第1トレンチTR1と、半導体基板101において第1トレンチよりも浅い部分において、第1トレンチTR1よりも幅が広い第2トレンチTR2とを、トレンチTRとして形成する。そして、第1トレンチTR1の内部を埋め込むと共に、第2トレンチTR2の内側の面を被覆するようにピニング層311を形成する。そして、少なくともピニング層311を介して第2トレンチTR2の内部を埋め込むように、遮光層313を形成する。 (もっと読む)


【課題】高い精度で暗電流を補正する。
【解決手段】固体撮像素子1は、入射光を光電変換する光電変換部を有し画像を撮像するための有効画素11と、有効画素11と同一の構成を有し遮光された第1の素子12と、有効画素11と同一の構成から前記光電変換部を取り除いた構成を有する第2の素子13と、第1の素子12の出力信号と第2の素子13の出力信号との差分に応じた補正量を得る補正量取得部25と、変換後の出力値が前記補正量に応じて補正されるように、有効画素11からの出力をAD変換するAD変換部7,8,9,21とを備える。 (もっと読む)


【課題】「混色」の発生などを防止して、撮像画像の画像品質を向上させる。
【解決手段】半導体基板101において裏面(上面)側に形成されたトレンチTR内に、画素分離部301を設ける。ここでは、受光面JSに入射した光を吸収する絶縁材料によって、画素分離部301を形成する。 (もっと読む)


【課題】像消失期間を短縮することができる撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像装置は、静止画撮影による画素信号の読み出しと動画撮影による画素信号の読み出しとを並行して行うことが可能である。動画撮影の露光開始時刻から静止画撮影の露光期間内の所定の時刻までに画素28の光電変換素子に蓄積された第1の信号電荷に基づく第1の画素信号と、所定の時刻から動画撮影の露光終了時刻までに画素28の光電変換素子に蓄積された第2の信号電荷に基づく第2の画素信号とが読み出される。加算器29は、第1の画素信号と第2の画素信号とを加算し、加算後の画素信号を動画用信号として出力する。 (もっと読む)


【課題】電気特性の変動が生じにくく、且つ電気特性の良好な半導体装置、およびその作製方法を提供することである。
【解決手段】基板上に下地絶縁膜を形成し、下地絶縁膜上に第1の酸化物半導体膜を形成し、第1の酸化物半導体膜を形成した後、第1の加熱処理を行って第2の酸化物半導体膜を形成した後、選択的にエッチングして、第3の酸化物半導体膜を形成し、第1の絶縁膜および第3の酸化物半導体膜上に絶縁膜を形成し、第3の酸化物半導体膜の表面が露出するように絶縁膜の表面を研磨して、少なくとも第3の酸化物半導体膜の側面に接するサイドウォール絶縁膜を形成した後、サイドウォール絶縁膜および第3の酸化物半導体膜上にソース電極およびドレイン電極を形成し、ゲート絶縁膜およびゲート電極を形成する。 (もっと読む)


【課題】製造効率の向上、コストダウン、信頼性の向上、小型化を容易に実現させる。
【解決手段】ガラス基板301においてセンサ素子100に対面する側の面のうち、画素領域PAに対応する部分と、画素領域PAの周辺に位置する周辺領域SAの一部とを被覆するように、赤外カットフィルタ層311を形成する。そして、センサ素子100と赤外カットフィルタ300とが対面する面の周辺部分において、ガラス基板301にて赤外カットフィルタ層311で被覆されていない部分と、その赤外カットフィルタ層311の周辺部分とに接するように、接着層501を設ける。 (もっと読む)


【課題】撮像画像の画像品質を向上させる。
【解決手段】半導体基板101の画素分離部301に形成されたトレンチTRの内部に第1遮光部313Aを設ける。これと共に、その第1遮光部313Aの上面側に第2遮光部313Bを設ける。ここでは、画素領域PAの中心よりも周辺において、第2遮光部313Bの中心が、画素分離部301の中心に対して、画素領域PAの周辺の側へ多くシフトするように、第2遮光部313Bを形成する。つまり、少なくとも第2遮光部について「瞳補正」を実施する。 (もっと読む)


【課題】製造効率の向上、コストダウン、信頼性の向上、小型化を容易に実現させる。
【解決手段】接着層501によってセンサ素子100に接着される第1ガラス基板301Aにおいてセンサ素子100に対面する面に対して反対側の面に、遮光層311を設ける。そして、第1ガラス基板301Aにおいて遮光層311が設けられた面に対面するように、第2ガラス基板301Bを配置する。 (もっと読む)


【課題】 光電変換部の電荷の転送効率を向上させることを目的とする。
【解決手段】 活性領域115にN型半導体領域101及びフローティングディフュージョン105が配される。PDからFD105に電荷を転送するための転送ゲート電極103が半導体基板上に絶縁体を介して配される。PDを構成するN型半導体領域101の一部と転送ゲート電極103の一部とが互いに重なる。活性領域115にP型半導体領域106が配される。P型半導体領域106と、N型半導体領域101の転送ゲート電極103と重なった部分とは、半導体基板と絶縁体との界面に平行な方向において互いに隣接して配される。N型半導体領域101の不純物濃度ピークの位置とP型半導体領域106の不純物濃度ピークの位置とが異なる深さである。 (もっと読む)


【課題】ローリングシャッタ的雑音を低減した高性能なグローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】二次元状に配置された複数の単位画素セルを備え、グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置であって、前記複数の単位画素セル23のそれぞれは、半導体基板の上方に形成され、入射光を信号電荷に変換する光電変換膜16と、前記光電変換膜の前記半導体基板側の面に形成された画素電極15と、前記半導体基板上に形成され、グローバルシャッタによって前記光電変換膜16から転送された信号電荷を蓄積するグローバル電荷蓄積拡散層7とを備え、前記グローバルシャッタは前記複数の単位セルにおいて同時に光電変換膜16からグ信号電荷を転送することであり、前記画素電極15は、遮光性を有する金属で形成される。 (もっと読む)


【課題】衝撃ノイズによる誤動作を防止しつつ、X線の照射開始を自己検出する。
【解決手段】画素37を制御するための走査線47が行毎に、信号電荷を読み出すための信号線48が列毎に配設された撮像領域51を有するFPD25と、蓄積動作と読み出し動作とを行わせるゲートドライバ52と、X線の照射開始を検出するとともに、X線の照射開始を検出したときに、蓄積動作が開始するようにゲートドライバ52を制御する制御部54と、信号線48のうち少なくとも1本の第1信号線に接続され、TFT43のオンオフの状態に関わらず、X線の入射量に応じた信号電荷を第1信号線に送出する短絡画素62を有し、制御部54は、蓄積動作が開始された後、第1信号線の出力値と第1信号線とは別の第2信号線の出力値に基づいて、照射開始の検出が、X線の照射による正当なものか、ノイズによる誤検出かを判定する。 (もっと読む)


【課題】焦点検出用信号を得るための画素を活用しつつ、暗電流成分をより低減させることができる補正を行う。
【解決手段】固体撮像素子は、入射光を受光して光電変換する光電変換部41を有する複数の第1の画素20Aと、平面視において分割線により分割される一方側の領域及び他方側の領域にそれぞれ存し互いに独立して信号が読み出される第1の光電変換部45又は46及び第2の光電変換部46又は45を有し、第1の光電変換部45又は46は入射光を受光して光電変換する一方で、前記第2の光電変換部46又は45は遮光された複数の第2の画素20L,20Rと、を備える。 (もっと読む)


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