【課題】 いわゆる重ね合わせ転送電極構造を有する電荷転送素子とマイクロレンズとを備えたＣＣＤ型の固体撮像素子では、光電変換素子の高集積化に伴ってマイクロレンズの焦点位置が光電変換素子から遠のき、感度の低下をもたらす。
【解決手段】光電変換素子の上方に開口を有する光遮蔽膜を覆うように、シリコン酸化物系材料によって形成され、平坦な上面を有する層間絶縁膜を形成する。層間絶縁膜の上に、パッシベーション膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基体の凹部と透光性蓋体との密閉空間に内在した異物が、浮遊異物として光半導体素子の受光部に付着し固着することがなくなり、光半導体素子に外光を長期にわたって歪を生じることなく正常に受光させることができ、正常な電気信号を外部の機器や素子などに送ることが可能な信頼性の高い光半導体装置を提供すること。
【解決手段】 光半導体装置９は、上面に光半導体素子３を収容し搭載するための凹部１ａを有する絶縁基体１と、絶縁基体１の凹部１ａの内側から外側に導出された配線導体２と、絶縁基体１の凹部１ａの底面に搭載されるとともに電極４が配線導体２に電気的に接続された、上面の中央部に受光部３ａを有する光半導体素子３と、絶縁基体１の上面に凹部１ａを塞ぐようにして取着された、受光部３ａに対向する下面に凸部５ａが形成されている透光性蓋体５とを具備している。 （もっと読む）

【課題】 簡易な工程でグローバル段差を低減でき、画素の微細化が図れるとともに、シェーディングを抑制して画像特性の良い固体撮像装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＭＯＳトランジスタが形成された半導体基板１の表面を、シリコン酸化膜３で覆う。シリコン酸化膜３の上に、レジストパターン１１を形成する。シリコン酸化膜３を、その厚みの一部が残るようにエッチング処理する。レジストパターン１１を除去して、残ったシリコン酸化膜３が完全に除去されるまで、シリコン酸化膜３の全面をエッチング処理することにより、レジストパターン１１で覆われていたシリコン酸化膜３の厚みを薄くするとともにサイドウォールスペーサ７を形成する。そして、半導体基板１の全面を層間絶縁膜で覆った後、その表面を平坦化する。これにより、グローバル段差を低減できる。 （もっと読む）

【課題】高感度でかつダイナミックレンジの広い光センサおよび固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 光センサ部１２が受光部とホトン−パルス発生回路から構成し、受光部に入射したホトンが変換された光電子を検出する光電子検出部２４を、第１量子ドット２６と、第１量子ドット２６の両側に互いに対向して配置された光電子蓄積領域２８およびゲート電極２９と、これらに対して垂直方向に配置され、抵抗Ｒ1を介して電源電圧が印加されたソース電極３０およびドレイン電極３１から構成する。第１量子ドット２６に印加されるゲート電極２９を第１量子ドット２６が非導通となる電位に設定し、光電子蓄積領域２８に保持された所定数の光電子の電位を付加することで第１量子ドット２６を導通させ、ソース電極３０−ドレイン電極３１間に電流が流れる。その結果、ホトン数に応じたパルス信号が生成される。 （もっと読む）

【課題】 ブルーミングの発生を低減することが可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１導電型の半導体基板上に単位セルを２次元アレイ状に配置して形成されるイメージエリアを有する固体撮像装置であって、前記第１導電型の半導体基板内に設けられた、光電変換により得られた信号電荷を蓄積する第２導電型の信号蓄積領域と、前記第２導電型の信号蓄積領域に近接し、前記第１導電型の半導体基板の表面上にゲート絶縁膜を介して設けられ、前記第２導電型の信号蓄積領域から信号電荷を読み出すためのゲート電極と、前記第１導電型の半導体基板表面部に上記ゲート電極に隣接して設けられた第２導電型のドレイン領域と、前記第２導電型の信号蓄積領域の下部であって、前記第１導電型の半導体基板内に設けられた第２導電型の埋め込み領域と、前記第２導電型の埋め込み領域に接続される電気的接続手段とを有することを特徴とする固体撮像装置。 （もっと読む）

高感度高Ｓ／Ｎ比を維持したままで広ダイナミックレンジ化できる固体撮像装置、ラインセンサおよび光センサと、高感度高Ｓ／Ｎ比を維持したままで広ダイナミックレンジ化するための固体撮像装置の動作方法を提供するために、光を受光して光電荷を生成するフォトダイオードＰＤと、光電荷を転送する転送トランジスタＴｒ１と、少なくとも転送トランジスタＴｒ１を介してフォトダイオードＰＤに接続して設けられ、蓄積動作時にフォトダイオードＰＤから溢れる光電荷を少なくとも転送トランジスタＴｒ１を通じて蓄積する蓄積容量素子Ｃ_Sとを有する画素がアレイ状に複数個集積されてなる構成とする。 （もっと読む）

透光性保護板の面積を受光チップの面積以下にすることができ、実装にベース部を必要としない受光チップを提供することによってカメラの小型化及び軽量化に寄与し、また生産性に優れた固体撮像装置を提供することによってカメラを低価格化する。 複数の受光セルがベース基板の一方の主表面に１次元、又は２次元状に配列されてなる固体撮像素子１１（受光チップ）と、透光性保護板１２とを備える固体撮像装置１０であって、透光性保護板は複数の受光領域１８（受光セル）を覆う状態で主表面上に架設され、透光性保護板の面積が受光チップの面積以下であり、前記受光セルと前記透光性保護板との間には空隙２０があることを特徴とする。 （もっと読む）

固体撮像素子７１に入射光９を集光する分布屈折率レンズ１を設ける。この分布屈折率レンズ１は、基板とその上に設けられた高屈折率光透過材料からなる光透過膜の集合体から構成され、該光透過膜は上記入射光の波長と同程度かそれより短い幅のゾーン形状を有しており、この光透過膜の集合体が実効屈折率分布を生じ、集光特性を有する分布屈折率レンズを実現できる。 （もっと読む）

【課題】 低雑音な熱酸化膜素子分離構造を有する固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１上に複数の単位画素が配列された撮像領域を備える固体撮像装置であって、単位画素は、入射光を光電変換するフォトダイオード３と、フォトダイオード３で得られた電荷を読み出すトランジスタと、トランジスタを、トランジスタと隣接するトランジスタと分離する、絶縁体から成る素子分離部２とを備え、素子分離部２が半導体基板１を侵食する深さは、半導体基板１を侵食する幅よりも大きいか同等である。素子分離部２は、空洞を有してもよい。素子分離部２の製造方法は、ドライエッチング法によって半導体基板１を侵食して侵食領域を形成するステップと、侵食領域の側壁を、半導体基板１から化学反応によって生成された熱酸化物によって充填するステップとを含む。 （もっと読む）

本発明は画像とセンサーの間の相対的平行移動により動作し、互い違いの形で接合された複数の直線アレイから成る大寸法の直線画像センサーに関する。
センサーの構成を改善するため、本発明によればアレイ（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）が、長方形（２４、２６）の二つの対向する辺の上に実質的にアレイの端部により覆われている二つの延長部（３０、３２）を備えた、その上面が細長い四角の形状を有するパッケージ（Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３）上に取り付けられ、二つの隣接したパッケージはそれぞれの各延長部に沿ってお互いに対し支えている。互い違いの配置は不感地帯を回避し、光電性ポイント（４０、４０’）が延長部（３０、３２）内に存在しており、そして二列の互い違いのチップ間の偏倚は実際的にチップの幅よりも大きくない。
用途：高解像度の画像化 （もっと読む）

【課題】デジタルカメラ等に使用されるＭＯＳ型撮像チップとＤＳＰチップのチップセットに関するもので、高性能で高付加価値なチップセットを提供する。
【解決手段】半導体基板上に、入射光を光電変換し得られた電気信号を増幅する増幅型単位画素を一次元状または二次元状に配列した感光領域と単位画素を駆動するドライバ回路を有する撮像チップ２２０と、撮像チップ２２０から出力される信号を信号処理し、所望の信号に変換するデジタル信号処理チップいわゆるＤＳＰチップ２２１からなるチップセットにおいて、ＤＳＰチップ２２１はＣＭＯＳで構成されており、撮像チップ２２０のトランジスタはｎＭＯＳ型又はｐＭＯＳ型のみの低リーク電流構造のトランジスタから構成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、クロストークの低減された高精度な距離情報を取得可能にする距離情報入力装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様によると、輝度変調光源によって輝度変調された光が照射された前記対象物からの反射光を受光し、光電変換を行うと共に、前記輝度変調光源と同期して感度変調可能な受光素子を備えた距離情報入力装置において、前記受光素子は、光電変換部と、二つの電荷蓄積部と、二つの電荷振り分けゲートと、二つの電荷検出部と、二つの電荷転送部とを有し、前記受光素子のリセット動作と前記電荷蓄積部に蓄積された電荷を読み出す読み出し動作との間に、前記電荷振り分けゲートをオフして前記電荷蓄積部のポテンシャルを上げることによって飽和電荷量以上の余剰電子を排出する動作を少なくとも一回行なうことを特徴とする距離情報入力装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 ＣＣＤセンサから出力される全データを利用して読取り精度を向上させるライン画像読取装置を提供する。
【解決手段】 ＲＧＢの３種の画像データを同時に出力可能なカラーＣＣＤセンサ１０を使用し、画像データを１ライン周期で１種づつ順次ラインバッファ部２０に入力し、ラインバッファ部２０にバッファリングされた２ライン分の画像データと第３ライン周期目の画像データとを第３ライン周期目の入力時にそれぞれ同じ画素位置の画像データを入力し、画像データを最適化してＲＧＢライン切替え部２２に出力する画像データ最適化処理部２１を備える。 （もっと読む）

【課題】 パッシベーション膜を備えた従来のＣＣＤ型またはＭＯＳ型の固体撮像素子を利用した撮像機器では、再生画像に色むらが生じ易い。
【解決手段】 ＣＣＤ型またはＭＯＳ型の固体撮像素子におけるパッシベーション膜の形状を、光電変換素子それぞれの上方に開口部を１つずつ有する形状にする。 （もっと読む）

【課題】 低コストで補色フィルタの色差順次方式を行うことのできるＣＭＯＳイメージセンサを提供する。
【解決手段】 フォトダイオードとこのフォトダイオードで生成された電荷を増幅するアンプ用ＭＯＳＦＥＴと所定の補色フィルターとを有する画素がマトリクス状に配置され、第１のメモリを有し前記画素の出力にＣＤＳ処理を行い前記画素の列毎に設けたＣＤＳ回路を有するＣＭＯＳイメージセンサにおいて、前記ＣＤＳ回路に、第２のメモリ部と、前記第１のメモリ部への信号の入出力を制御する第１のスイッチと、前記第２のメモリ部への信号の入出力を制御する第２のスイッチ部とを設け、前記第１のメモリ部に蓄えた所定行の画素の第１の信号と前記第２のメモリ部に蓄えた前記所定行の次行の画素の第２の信号とを加算して補色の色差順次方式の信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＣＤからＦＤＡに転送された信号を処理する電荷検出信号処理回路のノイズ特性及び入出力特性を向上させること。
【解決手段】 ゲートがＦＤＡに接続されソース・ドレインが電源ＶＤＤと出力端子Ｖｏｕｔとの間に接続されたエンハンスメントＮＭＯＳトランジスタ１０１と、ゲートが電源ＶＤＤに接続されソース・ドレインが出力端子Ｖｏｕｔと電源ＧＮＤとの間に接続されたエンハンスメント型ＮＭＯＳトランジスタ１０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】 プリント基板へのリーク電流を低減して、外付けの直流保持コンデンサとして小型、安価なセラミックコンデンサを使用可能にする。
【解決手段】 ＣＣＤリニアイメージセンサの出力信号の内、入力光量に応じた画像信号成分のみをデジタルデータに変換する矩形状のＣＣＤアナログ信号処理ＩＣ１のパッケージの一辺には複数のリードピン２が設けられ、リードピン２の略中央の１つが直流保持コンデンサ接続端子ＣＨとして使用され、直流保持コンデンサ接続端子ＣＨの両側に隣接する２つの端子には何も接続されず、非接続端子ＮＣとして構成されている。 （もっと読む）

本発明は、電磁波の位相及び振幅を検出するための装置に関する。本装置は、当該電磁波に対して敏感である少なくとも２つの変調フォト・ゲート（１，２）から成っている。本装置は、また前記変調フォト・ゲートに対して関連付けられかつ感光性でない累算ゲート（４，５）から成り、そして累算ゲートが読出し装置に接続され、変調フォト・ゲートは変調装置に接続され得る変調フォト・ゲート（１，２）と累算ゲート（４，５）のための電気接続部を有している。前記変調装置はそれら変調フォト・ゲート（１，２）の当該電位を互いに増減させ、かつ所望の変調関数に対応して好ましくは一定の累算ゲート（４，５）の当該電位をも増減させる。本発明は、複数の変調フォト・ゲート（１，２）と累算ゲート（４，５）が、ＰＭＤピクセルをグループ形式で形成する長くて狭い平行ストリップの形態を採るように構成されている。 （もっと読む）