【課題】１つの実施形態は、例えば、斜め入射光に対する隣接画素間の混色を抑えることができる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、光電変換部を備えた固体撮像装置が提供される。光電変換部は、半導体領域と、第２導電型の半導体膜とを有する。半導体領域は、半導体基板内に設けられている。半導体領域は、第２の導電型の第１の領域と、第１の導電型の第２の領域とを有する。第２の領域は、第１の領域上に設けられている。第１の導電型は、第２導電型と異なる。半導体膜は、半導体領域上に設けられている。半導体膜の材料の可視光に対する吸収係数は、半導体基板の材料の可視光に対する吸収係数より高い。半導体膜の厚さは、半導体領域の厚さよりも小である。 （もっと読む）

【課題】電荷蓄積期間の終了をメカシャッタで行う固体撮像装置であって高画質な画像を得ることができる固体撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】固体撮像装置は、２次元行列状に配列され、光電変換により信号を生成する複数の画素と、前記複数の画素に接続される信号線と、前記複数の画素を遮光するためのメカシャッタとを有し、前記画素は、光電変換により信号を生成する光電変換部と、前記光電変換部の信号をリセットするリセット部と、前記光電変換部の信号を前記信号線へ出力する選択状態と、前記光電変換部の信号を前記信号線へ出力しない非選択状態とを切り替えるための選択部とを有し、前記リセット部は、前記画素の行毎の異なるタイミングでリセット動作を解除することにより前記光電変換部における電荷蓄積期間を開始させ、前記メカシャッタは、前記光電変換部の遮光により前記電荷蓄積期間を終了させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ビア形成時のエッチングによる基板や配線への影響を抑制しつつ積層された半導体ウェハの回路どうしを接続する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、第１基板と第１基板の一面と接するように形成された第１絶縁層を有する第１の半導体ウェハと、第２基板と第２基板の一面と接するように形成された第２絶縁層を有する第２の半導体ウェハを接合する工程と、第１基板の他面に第３絶縁層を形成する工程と、第３絶縁層、第１基板、及び第１絶縁層を貫通し第２絶縁層に形成された第２の配線上に第２絶縁層が残るようにエッチングを行い第１接続孔を形成する工程と、第１接続孔に絶縁膜を形成する工程と、第２の配線上の第２絶縁層及び絶縁膜のエッチングを行い第２接続孔を形成し第２の配線を露出させる工程と、第１及び第２接続孔の内部に形成され第２の配線と接続する第１のビアを形成する工程とを備え、第１基板の他面に形成された第１接続孔の径は第３絶縁層に形成された前記第１接続孔の径より大きい。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／Ｎを向上しつつ、ダイナミックレンジを広くする。
【解決手段】固体撮像装置１０は、光電変換素子２１と、光電変換素子２１から信号電荷が転送される浮遊拡散層２６とを有する複数の単位画素２０が行列状に配置された画素アレイ部１１と、画素列ごとに設けられ、かつ単位画素２０から信号を読み出すための複数の信号線３０と、画素列ごとに設けられ、かつ浮遊拡散層２６と容量結合する複数の容量配線４０と、複数の信号線３０と複数の容量配線４０との接続を切り替える複数のスイッチ素子４２と、複数の容量配線４０と電源線４１との接続を切り替える複数のスイッチ素子４３とを含む。 （もっと読む）

【課題】光学フィルターの色毎に感度が異なることに起因する色ノイズが効果的に抑圧する。
【解決手段】固体撮像素子は、２次元マトリックス状に配列された複数の画素１ａと、列毎に奇数行の画素が接続される第１の列出力線８および偶数行の画素が接続される第２の列出力線９とを有し、複数の色フィルターを備える光学フィルターの色フィルターが画素の各々に対応づけられて第１および第２の列出力線から、画素に入力された光学像に応じて同色の出力信号を画像信号として出力する。列回路１２，１３は列毎に第１および第２の列出力線に対応して設けられ、前記出力信号を増幅する。列回路の増幅率は画素に対応づけられた色フィルターに応じて異なる。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、ピクセル、ピクセル配列及びピクセル配列を含む画像センサーに関する。
【解決手段】本発明の実施形態によるピクセルは、光電変換部と、光電変換部で変換された電荷を蓄積するためのコンデンサと、コンデンサに接続されてコンデンサの電位に応じてキャパシタンスが変化する可変コンデンサと、コンデンサの電位を出力するためのスイッチング素子と、を含む。 （もっと読む）

【課題】画素単位で多ビットによるＡＤ変換ができ、画素から発生するノイズの圧縮が可能で、微細画素にて多ビット高速撮像が可能な固体撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】画素は、埋め込み型フォトダイオード（ＰＤ）と、ゲートを入力として、ソースを出力とするソースフォロワ回路を形成する増幅トランジスタと、ＰＤで光電変換された電荷を増幅トランジスタのゲートに転送する転送トランジスタと、を含み、増幅トランジスタは、埋め込み型ＰＤ、転送トランジスタが形成される基板から電気的に分離された半導体基板内に形成されて、増幅トランジスタの基板は浮遊状態になっており、読み出し部は、画素単位で画像信号を入出力するΔΣ変調器を含み、ΔΣ変調器の出力が画素の積分するための容量として機能する容量部にフィードバックされている。 （もっと読む）

【課題】画素の駆動精度を低下させることなく、高速に連続してグローバルシャッタ動作を行う固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子を有する単位画素が１次元又は２次元に配列された画素アレイと、前記単位画素に与えられる信号電圧を選択的に切り換える切換スイッチと、第１信号電圧、第１信号電圧より高い第２信号電圧、及びその第３信号電圧を、前記切換スイッチを切り換えて選択的に前記単位画素に印加して前記単位画素を駆動する画素駆動部とを備え、前記画素駆動部は、前記第１信号電圧と前記第２信号電圧とを交互に前記複数の単位画素に印加するとともに、前記第１信号電圧から前記第２信号電圧に切り換える際、及び、前記第２信号電圧から前記第１信号電圧に切り換える際に、前記単位画素に前記第３信号電圧を経由して印加することで、複数の前記単位画素の前記光電変換素子に発生する前記光電子の蓄積、保持、転送、リセット、排出のいずれかを一斉に行う。 （もっと読む）

【課題】光源の強度や環境光に依存しない信頼性の高い距離情報を取得することができる測距システムを提供する。
【解決手段】照射装置と固体撮像装置と演算部とを備える測距システムであって、前記固体撮像装置は、第１照射タイミングで照射された照射光の反射光を第１受光期間及び第２受光期間で受光するとともに、第２照射タイミングで照射された前記照射光の前記反射光を、第３受光期間及び第４受光期間でそれぞれ受光し、前記演算部は、前記第１受光期間〜前記第４受光期間で得られた光電子数を用いて、測距対象までの距離を算出し、前記第１受光期間及び前記第３受光期間は、前記反射光が前記固体撮像装置に到達してから該反射光の強度が最大になるまでの時間を含み、前記第２受光期間及び前記第４受光期間は、前記固体撮像装置に到達する前記反射光の強度が減少してから該反射光の前記固体撮像装置への到達が終了するまでの時間を含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン界面からの暗電流の発生を防止するために、基板裏面側にｐ＋層を形成する構造を採った場合に種々の問題が発生する。
【解決手段】シリコン基板３１の裏面上に絶縁膜３９を設け、さらにその上に透明電極４０を設け、電圧源４１から透明電極４０を介して絶縁膜３９にシリコン基板３１のポテンシャルに対して負の電圧を印加することにより、基板裏面側シリコン界面に正孔を貯めて当該シリコン界面に正孔蓄積層が存在しているのと等価な構造を作り出す。 （もっと読む）

【課題】 感度が向上し、ＳＮ比の高い画像を得ることが可能となる。
【解決手段】 光電変換装置は、入射光を電荷に変換する光電変換素子と、その電荷をフローティングノードに転送するための転送用ＭＯＳトランジスタと、電荷に基づく信号を増幅して出力するための増幅用ＭＯＳトランジスタと、を複数有する。その増幅された信号は出力信号線に出力される。このような光電変換装置において、少なくとも２つのフローティングノードが電気的に接続され、その接続は、増幅用ＭＯＳトランジスタのゲート電極と同じ材料からなる配線によって行われる。 （もっと読む）

【課題】位相差検出画素の遮光膜開口を小さくすることなく良好な位相差情報を取得する。
【解決手段】基板上に二次元アレイ状に配列形成され各々が入射光量に応じた信号電荷を発生させる複数の光電変換素子５と、該複数の光電変換素子５の各々の上に積層される同形状のマイクロレンズと、光電変換素子５の受光面と対応する前記マイクロレンズとの間に介挿され該光電変換素子５の受光面上に開口６が設けられた遮光膜とを備え、光電変換素子５のうち被写体からの入射光の位相差情報を検出する隣接する２つの光電変換素子５Ｇ，５ｇに設けられる前記開口が該２つの光電変換素子で共通に１つの開口７として設けられる （もっと読む）

【課題】 分割画素を有する撮像素子を用いた撮像装置において、欠陥画素の検出精度を上げること。
【解決手段】 マイクロレンズ（４４２）と、該マイクロレンズを共有する複数の光電変換部（４０１ａ〜４０１ｄ）とを各々が有する複数の画素を備えた撮像素子と、前記光電変換部のうち、欠陥のある光電変換部を検出する画像補正回路（１１４）とを有する撮像装置において、前記画像補正回路は、前記複数の光電変換部それぞれを順次検出対象とし、前記検出対象の光電変換部から出力される出力信号と、前記検出対象の光電変換部を有する画素の周辺の画素に含まれる、前記検出対象の光電変換部と前記マイクロレンズに対する位置関係が対応する光電変換部からの出力信号とを比較することによって、前記検出対象の光電変換部に欠陥があるかどうかを判定する第１の欠陥画素検出方法を用いて判定を行う。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像装置において、カラーフィルタの剥離を抑制する。
【解決手段】 固体撮像装置１００は、入射光を電気信号に変換する光電変換素子１１を有する画素１１２と、画素１１２に対応して形成され、複数の色目フィルタ成分を有するカラーフィルタ１５と、カラーフィルタ１５を介して入射光を光電変換素子１１に集光するマイクロレンズ１６と、カラーフィルタ１５の各色目フィルタ成分間に配置される遮光膜１７と、カラーフィルタ１５と遮光膜１７との間に設けられ、非平坦化された密着性膜１９と、を有する。 （もっと読む）

【課題】画素サイズが小さくなっても、上記電荷検出部の容量を更に低減することにより電荷電圧変換率を更に向上させて更なる高画質の画像信号を得る。
【解決手段】Ｎ型基板２の上部にＰ型ウエル３が設けられ、Ｐ型ウエル３内に埋め込みフォトダイオード６および電荷検出部７が設けられており、電荷検出部７の下方のＰ型ウエル３は完全に空乏化されている。このように、電荷検出部７とＮ型基板２に挟まれたＰ型ウエル３を空乏化することにより、電荷検出部７のジャンクション容量Ｃを大幅に下げることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】グローバル電子シャッター機能を備えながら、高い感度および高い画質を有するＭＯＳ型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１０１、フォトダイオード１０５、接続ダイオード１７５、蓄積ダイオード１０６、オーバーフロードレイン１０９を有する。フォトダイオード１０５は、半導体基板１０１内におけるＺ軸方向の上主面側に、当該主面に沿う状態で、且つ、互いの間に間隔をあけた状態で二次元形成されている。蓄積ダイオード１０６は、半導体基板１０１内におけるＺ軸方向の下主面側に、設けられている。オーバーフロードレイン１０９も、半導体基板１０１内におけるＺ軸方向の下主面側に、設けられている。フォトダイオード１０５に接続された接続ダイオード１７５は、蓄積ダイオード１０６およびオーバーフロードレイン１０９の各々に対し、ゲートを介して配されている。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、光学的な混色やＭｇフレアを抑制するとともに、感度を向上させる。
【解決手段】半導体基板に設けられ、フォトダイオードを含む画素が複数配列された画素領域と、半導体基板の一方の板面側に設けられる配線層と、画素領域に配列される複数の画素の各画素に対応して設けられる複数のカラーフィルタに区分されるカラーフィルタ層と、半導体基板とカラーフィルタ層との間にて、互いに隣接する画素間の境界部分に設けられる画素間遮光部と、を備え、複数の画素は、カラーフィルタの色により、互いに隣接する画素として、カラーフィルタの色が互いに異なる異色画素の組み合わせ、およびカラーフィルタの色が互いに同じである同色画素の組み合わせを有し、画素間遮光部は、異色画素の組み合わせにおける前記境界部分に偏在する。 （もっと読む）

【課題】低輝度レベルでの画像収集を行う電子増倍画像センサを提供する。
【解決手段】各ピクセルは、半導体能動層１２の表面に、フォトダイオード領域（ＰＨＤ）、電荷蓄積ノード１８、およびフォトダイオードから蓄積ノードに電荷を転送するための転送構造を含んでいる。転送構造は、フォトダイオードに隣接する第１の転送ゲート（ＴＲ１）、蓄積ノードに隣接する第２の転送ゲート（ＴＲ２）、および第１と第２の転送ゲートの間に位置する電子増倍増幅構造（ＡＭＰ）を含んでいる。増幅構造は、２個の別々の加速ゲート（ＧＡ、ＧＢ）、および２個の加速ゲートの間に位置し、固定された表面電位を有する中間ダイオード領域（ＤＩ）を含んでいる。電荷が蓄積ノードに転送される前に転送構造内で移動中に、一連の高および低電位が交互に加速ゲートに印加される。増幅は交替の数に依存する。 （もっと読む）

【課題】画像処理速度が速いとともに、画像間の境界が曖昧になるのを抑制することのできるイメージセンサを提供する。
【解決手段】入射された伝播光を電気信号に変換する複数の画素と、複数の画素のうちの少なくとも一部の画素間を接続するように設けられ、入射された伝播光を近接場光に変換するとともに近接場光を伝播する近接場光導波路と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の画像品質を向上させる。
【解決手段】半導体基板１０１の表面と配線層１１１との間に、フォトダイオード２１を透過した透過光を吸収する光吸収層４０１を設ける。 （もっと読む）